Vanessa Cristina Pereira da Silva

Bolsista de Doutorado do CNPq

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  • Última atualização do currículo em 06/12/2018


Possui graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos pelo Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza(2015), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo(2018) e ensino-medio-segundo-graupela E.E. PROFESSOR FREDERICO DE BARROS BROTERO(2011). Tem experiência na área de Microeletrônica. Atuando principalmente nos seguintes temas:MOSFET, SOI, Sublimiar, transistores. (Texto gerado automaticamente pela aplicação CVLattes)


Identificação


Nome
Vanessa Cristina Pereira da Silva
Nome em citações bibliográficas
SILVA, V. C. P.;SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA


Formação acadêmica/titulação


2018
Doutorado em andamento em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.
Coorientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Grande área: Outros
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica.
2016 - 2018
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados,Ano de Obtenção: 2018.
Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.
Coorientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: MOSFET; SOI; Sublimiar; transistores.
Grande área: Outros
2012 - 2015
Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos.
Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, CEETEPS, Brasil.
Título: ESTUDO POR COMPARAÇÃO EXPERIMENTAL E SIMULADA DE TRANSISTORES UTBB COM DIFERENTES COMPRIMENTOS DE CANAL.
Orientador: Victor Sonnenberg.
2009 - 2011
Ensino Médio (2º grau).
E.E. PROFESSOR FREDERICO DE BARROS BROTERO, BROTERO, Brasil.




Formação Complementar


2018 - 2018
IELTS - Produção Oral. (Carga horária: 16h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
2018 - 2018
Workshop IEEE USP Como aumentar o impacto de suas pesquisas e publicações. (Carga horária: 3h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.


Áreas de atuação


1.
Grande área: Outros / Área: Microeletrônica.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA2018 SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . Parasitic Conduction on Ω-Gate Nanowires SOI nMOSFETs. ECS TRANSACTIONS (ONLINE), v. 85, p. 103-109, 2018.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
SILVA, V. C. P.; MARTINO, JOAO ; AGOPIAN, PAULA . Interface Charges Influence on the Subthreshold Region from Triple Gate SOI FinFET to -Gate Nanowire Devices. In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018, Bento Gonçalves. 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018. p. 1.

2.
VASQUEZ, D. A. L. ; SOUZA, B. A. ; SILVA, V. C. P. ; PECAPEDRA, L. L. ; NAKAO, O. S. ; GRIMONI, J. A. B. . Design Thinking: Potencialidades para o Ensino de Engenharia. In: XLVI Congresso Brasileiro de Educação em Engenharia - Cobenge, 2018, Salvador. XLVI Congresso Brasileiro de Educação em Engenharia - Cobenge. Brasília: Abenge, 2018. v. 1.

3.
SILVA, V. C. P.; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Subthreshold region analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with different channel lengths and silicon thickness. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

4.
SILVA, V. C. P.; ITOCAZU, V. T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. . Experimental study of underlap UTBB SOI transistors down to 50 nm channel length. In: Chip on the mountain -SForum 2016 ? 16th Microelectronics Students Forum, 2016, Belo Horizonte, MG. Chip on the mountain, 2016.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
SILVA, V. C. P.; ITOCAZU, V. T. ; SONNENBERG, V. . Estudo de transistores UTBB com diferentes comprimentos de canal. In: 17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT 2015), 2015, São Paulo. 17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT 2015), 2015.

2.
N. A. Silva ; SILVA, V. C. P. ; DEGASPERI, F. T, . Determinação experimental da pressão atmosférica em função da altitude. In: 17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT 2015), 2015, São Paulo. 17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT 2015), 2015.

3.
N. A. Silva ; SILVA, V. C. P. ; SILVA, L.R. ; VENUTO, E. S. P. ; DEGASPERI, F. T, . Metrologia para calibração de medidores de pré-vácuo. In: 16º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT-2014), 2014, São Paulo. 16º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT-2014), 2014. v. 38. p. 46-46.

Apresentações de Trabalho
1.
SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . Interface Charges Influence on the Subthreshold Region from Triple Gate SOI FinFET to Ω -Gate Nanowire Devices. 2018. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Chip in the Pampa - 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro 2018. Interface Charges Influence on the Subthershold Region from Triple Gate SOI FinFET to Ω-Gate Nanowire Devices. 2018. (Congresso).

2.
Chip on the Sands - 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBmicro 2017.Subthreshold Region Analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with Different Channel Lengths and Silicon Thickness. 2017. (Simpósio).

3.
Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology.Silicon Thickness and Ground Plane Influence on Threshold Voltage and Subthreshold Swing of UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs. 2017. (Seminário).

4.
Chip on the mountain -SForum 2016 ? 16th Microelectronics Students Forum.Experimental study of underlap UTBB SOI transistors down to 50 nm channel length. 2016. (Simpósio).

5.
17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica.Estudo de transistores UTBB com diferentes comprimentos de canal. 2015. (Simpósio).

6.
17º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica.Determinação experimental da pressão atmosférica em função da altitude. 2015. (Simpósio).

7.
16º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica.Metrologia para calibração de medidores de pré-vácuo. 2014. (Simpósio).



Educação e Popularização de C & T



Apresentações de Trabalho
1.
SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . Interface Charges Influence on the Subthreshold Region from Triple Gate SOI FinFET to Ω -Gate Nanowire Devices. 2018. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).




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