Carlos Augusto Bergfeld Mori

Bolsista de Doutorado do CNPq

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  • Última atualização do currículo em 25/09/2018


Possui graduação em Engenharia Elétrica - Ênfase em Eletrônica pela Universidade de São Paulo (2015) e mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2018). Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Engenharia Elétrica, atuando principalmente nos seguintes temas: autoaquecimento, FinFET, Silicon-On-Insulator (SOI), Ultra-Thin Body and Buried Oxide (UTBB). (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Carlos Augusto Bergfeld Mori
Nome em citações bibliográficas
MORI, C. A. B.;MORI, CARLOS AUGUSTO BERGFELD


Formação acadêmica/titulação


2018
Doutorado em andamento em Doutorado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Projeto e fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento biossensor,
Orientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: Biossensor; Semiconductor-On-Insulator; Túnel-FET.
Grande área: Outros
2016 - 2018
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB,Ano de Obtenção: 2018.
Orientador: João Antonio Martino.
Coorientador: Paula Ghedini Der Agopian.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: Autoaquecimento; Silício-sobre-Isolante (SOI); Dispositivos de Múltiplas Portas (MuGFET); Ultra-thin Body and Buried Oxide (UTBB).
Grande área: Outros
2011 - 2015
Graduação em Engenharia Elétrica - Ênfase em Eletrônica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Automação do processo de medidas de parâmetros de autoaquecimento de transistores.
Orientador: João Antonio Martino.
2008 - 2010
Ensino Médio (2º grau).
Colégio Objetivo Sorocaba, Objetivo, Brasil.




Atuação Profissional



Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

2013 - 2014
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista, Carga horária: 12
Outras informações
Iniciação Científica


Colégio Objetivo Sorocaba, Objetivo, Brasil.
Vínculo institucional

2010 - 2010
Vínculo: Voluntário, Enquadramento Funcional: Monitor, Carga horária: 4
Outras informações
Atuação como monitor de Exatas, auxiliando alunos com dificuldades no aprendizado das matérias envolvidas nesta área do conhecimento.



Projetos de pesquisa


2013 - 2014
Transistores 3D em Baixas Temperaturas
Descrição: Projeto de Iniciação Científica para o estudo do comportamento do transistor FinFET em baixas temperaturas através de simulações..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) .
Integrantes: Carlos Augusto Bergfeld Mori - Coordenador / João Antonio Martino - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante.Financiador(es): Universidade de São Paulo - Bolsa.
Número de produções C, T & A: 2


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica.
2.
Grande área: Outros / Área: Microeletrônica.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Alemão
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Prêmios e títulos


2004
Medalha de Bronze, Olimpíada Paulista de Física (Aprofi).


Produções



Produção bibliográfica
Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Improvement of gm/ID Method for Detection of Self-Heating Effects. In: 233rd ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices, 2018, Seattle. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 73-78.

2.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . New method for self-heating estimation using only DC measurements. In: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2018, Granada. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018. p. 1.

3.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . New method for observing self-heating effect using transistor efficiency signature. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. p. 1.

4.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Influence of the dimensions on pFinFET devices towards the self-heating effect. In: Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology, 2017, São Paulo. Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology, 2017. v. 12. p. 1-2.

5.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Simple method for detection of the self-heating signature. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

6.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Improvement for the thermal resistance extraction method related with self-heating effect. In: Microelectronics Students Forum 2016, 2016, Belo Horizonte. Microelectronics Students Forum 2016, 2016. v. 16. p. 1-3.

7.
MORI, C. A. B.; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. . 3D Transistor Behavior from Room to Low Temperature. In: Microelectronics Students Forum, 2014, Aracaju. Microelectronics Students Forum, 2014. v. 14. p. 1-4.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
MORI, C. A. B.; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. . Influência das dimensões físicas e da temperatura no comportamento de transistores 3D. In: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 2014, Sao Paulo. Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 2014. v. 22.

Artigos aceitos para publicação
1.
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Experimental analysis and improvement of the DC method for self-heating estimation. SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Chip In Aracaju 2014.3D Transistor Behavior from Room to Low Temperature. 2014. (Simpósio).

2.
Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP.Influência das dimensões físicas e da temperatura no comportamento de transistores 3D. 2014. (Simpósio).



Outras informações relevantes


Intercâmbio escolar através da instituição Rotary International, com duração aproximada de um ano (entre os anos de 2009 e 2010), frequentando o Gymnasium Vogelsang, na cidade de Solingen, Alemanha.



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