Henri Ivanov Boudinov

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1B

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  • Última atualização do currículo em 23/01/2019


Graduado em Física - Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1982), Méstre em Física - Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1983) e Doutor em Física pelo Instituto de Eletrônica Academia das Ciências Bulgária (1991). Atualmente é professor titular do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Tem experiência na área de Modificação de materiais com feixes de íons, com ênfase em semicondutores e tecnologias de Microeletrônica. Interesses científicos: Física de dispositivos semicondutores. Processos tecnológicos. Defeitos em semicondutores criados durante o processamento. Síntese de novos materiais eletrônicos. Medidas elétricas em micro e nano-estruturas. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Henri Ivanov Boudinov
Nome em citações bibliográficas
Boudinov H;Budinov H;Budinov HI;Boudinov, H I;Boudinov, Henri;Boudinov, Henri I.;BOUDINOV, H. I.;BOUDINOV, H.I.;BOUDINOV, HENRI I;BOUDINOV, HENRI IVANOV

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física, Departamento de Física.
Av. Bento Gonçalves 9500
Agronomia
91501-970 - Porto Alegre, RS - Brasil - Caixa-postal: 15051
Telefone: (51) 33086547
Fax: (51) 33087286
URL da Homepage: http://www.if.ufrgs.br/microel


Formação acadêmica/titulação


1986 - 1991
Doutorado em Física.
Instituto de Eletrônica Academia das Ciências Bulgária, IE-BAN, Bulgária.
Título: Implantação Iônica em Si e GaAs com Doses Altas, Ano de obtenção: 1991.
Orientador: Prof Dr Dimitar Karpuzov.
Palavras-chave: Ion Implantation; Channeling; Computer Simulation; Damage Distribution; High Dose; Rapid Thermal Annealing.
Grande área: Engenharias
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular / Especialidade: Processos de Colisão e Interações de Átomos e Moléculas.
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Desenvolvimento de Novos Materiais.
1982 - 1983
Mestrado em Física.
Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia, DF-UES, Bulgária.
Título: Cálculo dos Campos Elétrico e Magnético em Guia de Onda Cilíndrico com Três Camadas Dielétricas,Ano de Obtenção: 1983.
Orientador: Prof Dr Ivailo Trifonov.
Palavras-chave: Altas freqüencias; Campo elétrico; Campo magnético; Computer Simulation.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Geral / Especialidade: Métodos Matemáticos da Física.
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações / Especialidade: Teoria Eletromagnetica, Microondas, Propagação de Ondas, Antenas.
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Fabricação de Aparelhos e Equipamentos de Telecomunicação.
1978 - 1982
Graduação em Física.
Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia, DF-UES, Bulgária.


Pós-doutorado


2000 - 2001
Pós-Doutorado.
RSPhysSE, Australian National University, ANU, Austrália.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.


Atuação Profissional



Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul, FAPERGS, Brasil.
Vínculo institucional

2004 - 2008
Vínculo: Comitê Assessor de Física, Enquadramento Funcional: Comitê Assessor de Física, Carga horária: 1
Outras informações
Coordenador Substituto do Comitê Assessor de Física da Fapergs de agosto de 2006 a julho de 2008. Membro do Comitê Assessor de Física da Fapergs a partir de agosto de 2004.


Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Vínculo institucional

2015 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

2006 - 2015
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1996 - 2006
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
01/2003 - 12/2004 Membro Suplente da Comição de Pós-Graduação em Física 01/2005 - 12/2006 Membro Titular da Comição de Pós-Graduação em Física 2002 - 02/2005 Membro Titular da Comição de Pós-Graduação em Microeletrônica 03/2007 - 02/2009 Coordenador do Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica

Vínculo institucional

1993 - 1996
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante Estrangeiro, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

1/2003 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.

Cargo ou função
Membro da Comissão de Pós-Graduação em Física.
10/2002 - Atual
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Física dos Dispositivos Semicondutores
Processamento Físico-Químico di Silício
9/2002 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.

Cargo ou função
Membro da Comissão de Pós-Graduação em Microeletrônica.
7/1998 - Atual
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Física dos semicondutores
Introdução em semicondutores
Medidas elétricas da estrutura MOS
Portadores majoritários e minoritários em semicondutores
01/1997 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.

Cargo ou função
Chefe da Comissão de Proteção Radiológica.
1/1995 - Atual
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral - Eletricidade e magnetismo
Física experimental - Eletricidade e Magnetismo
Técnicas de física Nuclear
Física Geral - Mecânica
1/1993 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física.

03/2001 - 12/2001
Ensino, Microeletrônica, Nível: Especialização

Disciplinas ministradas
Técnicas de caracterização de materiais, processos e dispositivos
Laboratório de fabricação de dispositivos semicondutores
Processos de fabricação de dispositivos de silício
3/1998 - 12/1999
Ensino, Curso de Especialização Em Radiações Ionizantes, Nível: Especialização

Disciplinas ministradas
Estágio Hospitalar do Curso de Especialização em radiações ionozantes
Instrumentação e medidas

Universidade Técnica, TU, Bulgária.
Vínculo institucional

1989 - 1992
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor associado, Carga horária: 20

Atividades

10/1989 - 7/1992
Ensino, Física Geral Eletromagnetismo, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral
Física dos semicondutores

Instituto de Microeletrônica, IME, Bulgária.
Vínculo institucional

1984 - 1992
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40

Atividades

1/1984 - 12/1992
Pesquisa e desenvolvimento , Setor de Dispositivos Eletrônicos Disctretos, Divisão de Implantação Iônica.



Linhas de pesquisa


1.
Implantação iônica em semicondutores
2.
Interação de feixe de íons com a matéria
3.
Medidas elétricas em semicondutores
4.
Modelamento de dispositivos eletrônicos


Projetos de pesquisa


2001 - Atual
Medidas elétricas em estruturas MOS com oxidos alternativos "high-k"
Descrição: Medidas elétricas em estruturas MOS com oxidos alternativos "high-k".
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Rodrigo Palmieri - Integrante.
2001 - Atual
Fotodetetores de silício
Descrição: Fotodetetores de silício.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Ricardo Cunha Gonçalves da Silva - Integrante.
2001 - Atual
Junções razas em Si e SIMOX
Descrição: Junções razas em Si e SIMOX.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Mateus Dalponte - Integrante.
1999 - 2001
Acumulação de defeitos durante implantação de íons leves em silício
Descrição: Acumulação de defeitos durante implantação de íons leves em silício.
Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
1999 - 2001
Engenharia de defeitos em semicondutores
Descrição: Engenharia de defeitos em semicondutores.
Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
1999 - Atual
Comportamento de Célula solar e transistor MOS no espaço
Descrição: Comportamento de Célula solar e transistor MOS no espaço.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Rodrigo Parizotto - Integrante.
1999 - Atual
Isolação elétrica de semicondutores compostos através de bombardeamento com íons leves
Descrição: Isolação elétrica de semicondutores compostos através de bombardeamento com íons leves.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / A.V.P. Coelho - Integrante.
1997 - 1999
Ativação e redistribuição de dopantes, implantados na estrutura SIMOX durante recozimento térmico rápido
Descrição: Ativação e redistribuição de dopantes, implantados na estrutura SIMOX durante recozimento térmico rápido.
Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / Mateus Dalponte - Integrante.
1997 - 1999
Modelamento de defeitos criados por implantação iônica em Silício
Descrição: Modelamento de defeitos criados por implantação iônica em Silício.
Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.


Projetos de desenvolvimento


2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS
Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS.
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
1997 - 1999
Tecnologia NMOS
Descrição: Tecnologia NMOS.
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.


Revisor de periódico


1997 - Atual
Periódico: Journal of Applied Physics
2001 - Atual
Periódico: Solid State Communications (0038-1098)
1999 - Atual
Periódico: Solid-State Electronics (0038-1101)
2003 - Atual
Periódico: Journal of Physics D. Applied Physics (0022-3727)
2003 - Atual
Periódico: Microelectronics Journal
2001 - Atual
Periódico: Applied Physics Letters


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
3.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
4.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.


Idiomas


Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Russo
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Búlgaro
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:133
Total de citações:1063
Fator H:17
Boudinov, Henri  Data: 29/11/2018

SCOPUS
Total de trabalhos:136
Total de citações:1165

Artigos completos publicados em periódicos

1.
LEITE, GABRIEL VOLKWEIS2019LEITE, GABRIEL VOLKWEIS ; BOUDINOV, HENRI IVANOV . Contact Resistance Effects in Ni Drain-Source P3HT/PVA OFETs. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 48, p. 1268-1275, 2019.

2.
KAUFMANN, I.R.2018KAUFMANN, I.R. ; PICK, A.C. ; PEREIRA, M.B. ; BOUDINOV, H.I. . Characterization of a SiC MIS Schottky diode as RBS particle detector. Journal of Instrumentation, v. 13, p. P02017-P02017, 2018.

3.
PUGLIA, DENISE2018PUGLIA, DENISE ; SOMBRIO, GUILHERME ; REIS, ROBERTO DOS ; Boudinov, Henri . Photoluminescence properties of arsenic and boron doped Si N nanocrystal embedded in SiN O matrix. Materials Research Express, v. 5, p. 036201-036201(7), 2018.

4.
RAZERA, RICARDO A. Z.2018RAZERA, RICARDO A. Z. ; Boudinov, Henri I. ; RODRIGUES, FRÂNCIO S. B. ; FERREIRA, RODRIGO Z. ; FEIL, ADRIANO F. . Anomalous Current-Voltage Behavior in Al/TiO /n-Si Structures. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, v. 12, p. 1800057(1)-1800057(5), 2018.

5.
LEITE, GABRIEL V.2017LEITE, GABRIEL V. ; VAN ETTEN, ELIANA A. ; FORTE, MARIA M.C. ; Boudinov, Henri . Degradation of current due to charge transport in top gated P3HT-PVA organic field effect transistors. SYNTHETIC METALS, v. 229, p. 33-38, 2017.

6.
PITTHAN, E.2016PITTHAN, E. ; DOS REIS, R. ; CORRÊA, S. A. ; SCHMEISSER, D. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Influence of CO annealing in metal-oxide-semiconductor capacitors with SiO2 films thermally grown on Si and on SiC. Journal of Applied Physics, v. 119, p. 025307, 2016.

7.
KAUFMANN, I.R.2016KAUFMANN, I.R. ; PICK, A. ; PEREIRA, M.B. ; BOUDINOV, H.I. . Ni/Al O /4H-SiC structure for He energy detection in RBS experiments. Journal of Instrumentation, v. 11, p. P10013-P10013, 2016.

8.
DANILOV, YU. A.2016DANILOV, YU. A. ; Boudinov, H. ; VIKHROVA, O. V. ; ZDOROVEYSHCHEV, A. V. ; KUDRIN, A. V. ; PAVLOV, S. A. ; PARAFIN, A. E. ; PITIRIMOVA, E. A. ; YAKUBOV, R. R. . Formation of the single-phase ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by pulsed laser annealing. PHYSICS OF THE SOLID STATE, v. 58, p. 2218-2222, 2016.

9.
KAUFMANN, I.R.2016KAUFMANN, I.R. ; PICK, A. ; PEREIRA, M.B. ; Boudinov, H. . Metal-insulator-SiC Schottky structures using HfO2 and TiO2 dielectrics. Thin Solid Films, v. 621, p. 184-187, 2016.

10.
DA COSTA, NADJA B.D.2015DA COSTA, NADJA B.D. ; PAZINATO, JULIA C.O. ; SOMBRIO, GUILHERME ; PEREIRA, MARCELO B. ; Boudinov, Henri ; GÜNDEL, ANDRÉ ; MOREIRA, EDUARDO C. ; GARCIA, IRENE T.S. . Tungsten oxide thin films obtained by anodisation in low electrolyte concentration. Thin Solid Films, v. 578, p. 124-132, 2015.

11.
PITTHAN, E.2015PITTHAN, E. ; GOBBI, A.L. ; BOUDINOV, H.I. ; STEDILE, F.C. . SiC Nitridation by NH3 Annealing and Its Effects in MOS Capacitors with Deposited SiO2 Films. Journal of Electronic Materials, v. 44, p. 2823-2828, 2015.

12.
DA SILVA, ANTONIO FERREIRA2015DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; LEVINE, ALEXANDRE ; MOMTAZ, ZAHRA SADRE ; Boudinov, Henri ; SERNELIUS, BO E. . Magnetoresistance of doped silicon. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 91, p. 214414, 2015.

13.
KAUFMANN, IVAN R2015KAUFMANN, IVAN R ; PEREIRA, MARCELO B ; BOUDINOV, HENRI I . Schottky barrier height of Ni/TiO 2 /4H-SiC metal-insulator-semiconductor diodes. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 30, p. 125002, 2015.

14.
BREGOLIN, F.L.2014BREGOLIN, F.L. ; FRANZEN, P. ; Boudinov, H. ; SIAS, U.S. ; BEHAR, M. . Low temperature and decay lifetime photoluminescence of Eu and Tb nanoparticles embedded into SiO2. Journal of Luminescence, v. 153, p. 144-147, 2014.

15.
VAN ETTEN, ELIANA A.2014VAN ETTEN, ELIANA A. ; XIMENES, EDER S. ; TARASCONI, LUCAS T. ; GARCIA, IRENE T.S. ; FORTE, MARIA M.C. ; Boudinov, Henri . Insulating Characteristics of Polyvinyl Alcohol for Integrated Electronics. Thin Solid Films, v. 568, p. 111-116, 2014.

16.
KOPPE, TRISTAN2014KOPPE, TRISTAN ; ROTHFUCHS, CHARLOTTE ; SCHULTE-BORCHERS, MARTINA ; HOFSASS, HANS ; Boudinov, Henri ; VETTER, ULRICH . Modeling Electrochemical Etching of Proton Irradiated p-GaAs for the Design of MEMS Building Blocks. Journal of Microelectromechanical Systems, v. 23, p. 1-1, 2014.

17.
SOMBRIO, C.I.L.2014SOMBRIO, C.I.L. ; FRANZEN, P.L. ; DOS REIS, R. ; BOUDINOV, H.I. ; BAPTISTA, D.L. . Passivation of defects in ZnO nanowires by SiO2 sputtering deposition. Materials Letters (General ed.), v. 134, p. 126-129, 2014.

18.
PITTHAN, E.2014PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . SiO2/SiC structures annealed in D218O: Compositional and electrical effects. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 104, p. 111904, 2014.

19.
MATTOS, A. E. P.2014MATTOS, A. E. P. ; SOMBRIO, G. ; GIROTTO, M. ; FRANZEN, P. L. ; REIS, R. ; PEREIRA, M. B. ; Boudinov, H. . Photoluminescence Emission from Si Nanocrystals in SiO2 Matrix Obtained by Reactive Sputtering. ADVANCED SCIENCE, ENGINEERING AND MEDICINE, v. 6, p. 277-282, 2014.

20.
SOMBRIO, G2013SOMBRIO, G ; FRANZEN, P L ; Maltez, R L ; MATOS, L G ; PEREIRA, M B ; BOUDINOV, H . Photoluminescence from SiN x O y films deposited by reactive sputtering. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print), v. 46, p. 235106, 2013.

21.
DE SOUZA, E.L.2013DE SOUZA, E.L. ; Boudinov, H. ; CORREIA, R.R.B. . Multiple position sensitive photodetector for optical differential detection. Sensors and Actuators. A, Physical, v. 195, p. 56-59, 2013.

22.
PITTHAN, E.2013PITTHAN, E. ; LOPES, L. D. ; Palmieri, R. ; CORRE^A, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Influence of thermal growth parameters on the SiO2-4H-SiC interfacial region. APL Materials, v. 1, p. 022101, 2013.

23.
PITTHAN, E.2013PITTHAN, E. ; Palmieri, R. ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . The Role Played in the Improvement of the SiO2/SiC Interface by a Thin SiO2 Film Thermally Grown Prior to Oxide Film Deposition. ECS Solid State Letters, v. 2, p. P8-P10, 2013.

24.
PALMIERI, Rodrigo2012PALMIERI, Rodrigo ; Radtke, Cláudio ; Boudinov, Henri ; da Silva Jr, Eronides F. . Effect of H2O2 in passivation of n- and p-type 4H-SiC surfaces. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science (Print), v. 209, p. 675-678, 2012.

25.
dos Reis, R.M.S.2012dos Reis, R.M.S. ; MALTEZ, R.L. ; Moreira, E.C. ; Dias, Y.P. ; Boudinov, H. . Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator. Applied Surface Science, v. 258, p. 7395-7400, 2012.

26.
Liu, Xuhai2011Liu, Xuhai ; Kjelstrup-Hansen, Jakob ; Boudinov, Henri ; Rubahn, Horst-Günter . Charge-carrier injection assisted by space-charge field in AC-driven organic light-emitting transistors. Organic Electronics (Print), v. 12, p. 1724-1730, 2011.

27.
Pitthan, Eduardo2011Pitthan, Eduardo ; Corre^a, Silma A. ; PALMIERI, Rodrigo ; Soares, Gabriel V. ; Boudinov, Henri I. ; Stedile, Fernanda C. . Effect of Reoxidations and Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide in the SiO2/SiC Interfacial Region. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 14, p. H368, 2011.

28.
Coelho, A V P2011Coelho, A V P ; Adam, M C ; BOUDINOV, H . Distinguishing bulk traps and interface states in deep-level transient spectroscopy. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print), v. 44, p. 305303, 2011.

29.
Coelho, A V P2010Coelho, A V P ; Adam, M C ; BOUDINOV, H . Deep levels fine structure in proton implanted p-type GaAs. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print), v. 43, p. 205104, 2010.

30.
Liu, Xuhai2010Liu, Xuhai ; Wallmann, Ivonne ; Boudinov, Henri ; Kjelstrup-Hansen, Jakob ; Schiek, Manuela ; Lützen, Arne ; Rubahn, Horst-Günter . AC-biased organic light-emitting field-effect transistors from naphthyl end-capped oligothiophenes. Organic Electronics, v. 11, p. 1096-1102, 2010.

31.
dos Reis, R M S2010dos Reis, R M S ; Maltez, R L ; Boudinov, H ; Boudinov H . Carbon redistribution in nanometric Si C layers upon ion beam synthesis of SiC by C implantation into SIMOX(1?1?1). Journal of Physics. D, Applied Physics (Print), v. 43, p. 395401, 2010.

32.
Pesenti, G.C.2009Pesenti, G.C. ; Boudinov, H. . Comparison between models for p-n junctions parameters extraction. Microelectronics International, v. 26, p. 37-40, 2009.

33.
dos Reis, R.M.S.2009dos Reis, R.M.S. ; MALTEZ, R.L. ; Boudinov, H. . Ion beam synthesis of SiC by C implantation into SIMOX(111). Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 267, p. 1281-1284, 2009.

34.
PALMIERI, R2009PALMIERI, R ; RADTKE, C ; Silva, M R ; BOUDINOV, H ; da Silva, E F . Trapping of majority carriers in SiO 2 /4H-SiC structures. Journal of Physics. D, Applied Physics, v. 42, p. 125301, 2009.

35.
DALPONTE, M2009DALPONTE, M ; Adam, M C ; Boudinov, H I ; Goncharova, L V ; Feng, T ; Garfunkel, E ; Gustafsson, T . Effect of excess vacancy concentration on As and Sb doping in Si. Journal of Physics. D, Applied Physics, v. 42, p. 165106, 2009.

36.
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Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
RODRIGUES, F. S. ; BOUDINOV, H. . Fabrication and characterization of a pH sensor. In: 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza. SBMICRO_2017, 2017.

2.
LEITE, G. ; E.A. Van Etten ; VOGT, M. A. H. ; BOUDINOV, H. . Photolithographic and Plasma Etching Technique for Organic Field Effect Transistor Fabrication. In: 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza. SBMICRO_2017, 2017.

3.
BOUDINOV, H.; E.A. Van Etten ; LEITE, G. ; VOGT, M. A. H. . Study of the source/drain contact resistance effect in Ni/P3HT/PVA/Al OFETs on flexible substrates. In: 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza. SBMICRO_2017, 2017.

4.
Kaufman I. ; PICK, A. C. ; M.B. Pereira ; BOUDINOV, H. . Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky diodes. In: 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza. SBMICRO_2017, 2017.

5.
RAZERA, R. A. ; A. Moehlecke ; Zanesco I ; BOUDINOV, H. . Passivation Analysis of the Emitter and Selective Back Surface Field of Silicon Solar Cells. In: 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza. SBMICRO_2017, 2017.

6.
Kaufman I. ; M.B. Pereira ; BOUDINOV, H. . Apparent Schottky Barrier Height of MIS Ni/SiC diodes. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

7.
M. Adam ; COELHO, A. V. P. ; M.B. Pereira ; BOUDINOV, H. . Reactive Sputtering of SixNy for MONOS Memory Fabrication. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

8.
G. Sombrio ; RODRIGUES, F. S. ; P. Franzen ; SOAVE, P. A. ; BOUDINOV, H. . Photo and Electroluminescence Photo and Electroluminescence Photo and Electroluminescence Photo and Electroluminescence Photo and Electroluminescence Photo and Electroluminescence from SiN from SiNfrom SiN x Layer. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

9.
C. Lisevski ; Cauduro A. ; P. Franzen ; Baptista D. ; BOUDINOV, H. . Engineering of the photoluminescence of ZnO nanowires by different growth and annealing environments. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

10.
C. Lisevski ; Cauduro A. ; P. Franzen ; Baptista D. ; BOUDINOV, H. . Electrical and Optical Behavior of ZnO Nanowires Irradiated by Ion Beam. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

11.
ETCHEVERRY, L. P. ; RODEMBUSCH, F. ; BOUDINOV, H. ; GUNDEL, A. ; MOREIRA, EDUARDO C. . Photoactive Thin Films Based on Benzoxazole Derivatives. In: 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2015, Salvador. Chip in Bahia 2015, 2015.

12.
RODRIGUES, F. S. ; SOMBRIO, G ; FRANZEN, P. L. ; BOUDINOV, H. . Electrical Characterization of Non-Stoichiometric Silicon Nitride Films for Electroluminescent Applications. In: 29th South Symposium of Microelectronics 2014, 2014, Alegrete, RS. Brasil. Proceedings of 29th SIM 2014, 2014.

13.
E.A. Van Etten ; XIMENES, E. S. ; L. Tarasconi ; I.T.S. Garcia ; M.M.C. Forte ; Boudinov, H. . POLIVINIL ÁLCOOL COMO DIELÉTRICO DE PORTA PARA ELETRÔNICA ORGÂNICA. In: Congresso Brasileiro de Polímeros, 2013, Florianópolis. Anais do CBPol, 2013.

14.
D. Puglia ; G. Sombrio ; Reis R.M.S dos ; Boudinov, H. . Photoluminescence from Doped Silicon Nanocrystals in SiO2 matrix. In: SBMicro2013, 2013, Curitiba. SBMicro2013, 2013.

15.
E.A. Van Etten ; XIMENES, E. S. ; L. Tarasconi ; I.T.S. Garcia ; M.M.C. Forte ; Boudinov, H. . Thermal and Electrical Characterization of Polyvinyl Alcohol focusing on Organic Electronics Applications. In: SBMicro2013, 2013, Curitiba. SBMicro2013, 2013.

16.
STEDILE, Fernanda ; Pitthan, Eduardo ; PALMIERI, Rodrigo ; Corrêa, Silma A. ; Soares, Gabriel V. ; Boudinov, H. . Alternative Routes to Minimize Electrical Degradation in 4H-SiC MOS Capacitors. In: SBMicro2013, 2013, Curitiba. SBMicro2013, 2013.

17.
G. Sombrio ; P. Franzen ; MALTEZ, R.L. ; Boudinov, H. . Study of Photoluminescence in SiNx and SiNxOy Films Deposited by Reactive Sputtering. In: SBMicro2013, 2013, Curitiba. SBMicro2013, 2013.

18.
Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; PALMIERI, Rodrigo ; Soares, Gabriel Vieira ; Boudinov, Henri I. ; Stedile, Fernanda Chiarello . Improvement in the SiO2/4H-SiC Interfacial Region by Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide. In: Silicon Carbide and Related Materials 2011, 2012. Materials Science Forum. v. 717-20. p. 753-756.

19.
Boudinov, H.; M. Boff . Quantum Hall Effect as an Electrical Resistance Standard. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, Joao Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.

20.
Reis R.M.S dos ; MALTEZ, R.L. ; Boudinov, H. . Structural characterization of Si_1-xC_x nanolayers synthesized by C implantation into SiO_2/Si. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, Joao Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.

21.
de Mattos A.E.P. ; G. Sombrio ; P. Franzen ; M.B. Pereira ; Boudinov, H. . Si nanocrystals embedded in SiO_2 produced by reactive sputtering for light emission. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, Joao Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.

22.
G. Sombrio ; de Mattos A.E.P. ; P. Franzen ; M.B. Pereira ; Boudinov, H. . Photoluminescence in Non-Stochiometric Silicon Nitride Films Obtained by Reactive Sputtering. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, Joao Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.

23.
M. Adam ; COELHO, A. V. P. ; M.B. Pereira ; Boudinov, H. . Sputtered Silicon Nitride Thin Films for Non-Volatile Memory Applications. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, Joao Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.

24.
J. W. L. Oliveira ; Cauduro A. ; Baptista D. ; Boudinov, H. ; PESENTI, Giovani . Single Ion Lithography for ZnO Nanowires Growth. In: MRS Spring 2011: Symposium II: Ion Beams--New Applications from Mesoscale to Nanoscale, 2011, San Francisco. MRS Spring 2011, 2011.

25.
Cauduro A. ; Baptista D. ; Oliveira J.W.L. ; Boudinov, H. ; PESENTI, Giovani ; Zawislak F. . ZnO Nanowire Gas Sensing Device: Electrical and Optical Characterization. In: MRS Spring 2011: Symposium EE: Semiconductor Nanowires---From Fundamentals to Applications, 2011, San Francisco. MRS Spring 2011, 2011.

26.
de Souza E.L. ; PESENTI, Giovani ; Boudinov, H. ; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo . Multiple Position Sensitive Optical Photodetector. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 2010, São Paulo, SP, Brasil. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electochemical Society, 2010. v. 31. p. 243-246.

27.
OLIVEIRA, Roana de ; DALPONTE, M ; Boudinov, H. . Structural Characterization of Arsenic Implanted SOI. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, August 31 - September 3, 2009, 2009, Natal, Brasil. ECS-Transactions, Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2009, 2009. v. 23. p. 37-42.

28.
SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da ; Boudinov H ; CARRO, Luigi . Quaternary Look up Tables Using Voltage Mode CMOS Logic Design. In: Multy Valued Logic 2007, 2007, Oslo, Noruega. MVL'07, 2007. v. 1. p. 1-6.

29.
Boudinov H; PESENTI, Giovani ; CARRO, Luigi . CMOS Technology Development for a Totally Digital A/D Converter. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2006, 2006, Ouro Preto, Brasil. ECS transactions. Pennington, NJ, USA: The ECS, 2006. v. 4. p. 19-28.

30.
Boudinov H; PESENTI, Giovani ; DANILOV, I. ; Zvonkov B.N. . p-type delta-doped layersin GaAs Isolated by He+ bombardment. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2006, 2006, Ouro Preto, Brazil. ECS transactions. Penningtom, NJ, USA: The ECS, 2006. v. 4. p. 417-425.

31.
DALPONTE, M. ; Boudinov H ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . MEIS study of SB implantation in O or N pre-implanted Si(100) and SIMOX. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2006, 2006, Ouro Preto, Brazil. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The ECS, 2006. v. 4. p. 233-241.

32.
SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da ; Boudinov H ; CARRO, Luigi . A cell library for low power high performance CMOS voltage-mode quaternary logic. In: SBCCI 2006, 2006, Ouro Preto, Brazil. Proceeding of SBCCI 2006, 2006. p. xxx-xxx.

33.
SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da ; Boudinov H ; CARRO, Luigi . A low power high performance CMOS voltage-mode quaternary full adder. In: VLSISoC 2006, 2006, Nice, France. Proceedings VLSISoC 2006, 2006. p. xxx-xxx.

34.
Boudinov H; DANILOV, I. ; DROSDOV, I ; BEHAR, M. ; PUDENZI, M. A. A. . Structure and properties of MnGaAs layers created by ion implantation of Mn in GaAs. In: Nanofotônica, 2003, Nijni Novgorod, 2003.

35.
ROTH, P ; GEORGIEV, A ; Boudinov H . Sun Tracking Systems. In: Fórum de Energia 2003, 2003, Novo Hamburgo, RS, Brasil, 2003.

36.
KP, Bastos ; J, Morais ; L, Miotti ; GV, Soares ; RP, Rezzi ; Boudinov H ; BAUMVOL, I ; HEDGE, Ri ; TZENG, Hh ; TOBIN, Pj . Thermal Stability of the HfO2/SiOxNy-Si Interface,. In: First International symposium on High Dielectric Constant Materials, 2002 Meeting of The Electrochemical Society, 2002, Salt Lake City, 2002.

37.
Boudinov H; MORAIS, J ; BAUMVOL, I . Initial Stages of SiC Oxidation and Composition Profile of the SiO2/SiC Interface. In: ESC 2002, 2002. Alternatives to SiO2 as Gate Dielectrics for Future Si-based Microelectronics, 2002. p. 29.

38.
Boudinov H; MORAIS, J ; GV, Soares ; RP, Rezzi ; KP, Bastos ; BAUMVOL, I ; VISOKAY, Mr ; CHAMBERS, Jj ; ROTONDARO, Alp ; COLOMBO, L . Integrity of Hafnium Silicate/Silicon Dioxide Ultrathin Films on Si. In: 202 ECS Meeting, 2002, Salt Lake City, UT. Proc. 202 ECS Meeting, 2002.

39.
C.CARMODY ; Boudinov H ; TAN, H.h. ; JAGADISH, C. ; DAO, Lv ; GAL, M . Ion-implanted InP for ultrafast photodetector application. In: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2002, Melbourn. Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices Proceedings. Piscataway: IEEE Publishing Co., 2000. p. 153-156.

40.
Boudinov H. Ultrafast carrier trapping in high energy ion implanted indium phosphide. In: 12th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials. SIMC-XII-2002., 2002, Bratislava, SLOVAK REPUBLIC. Proceeding of SIMC-XII, 2002. v. 1. p. 221-224.

41.
Boudinov H. Low Cost Silicon Solar Cell Process Based on Gettering. In: 17th European Congress on Photovoltaic Solar Energy Conference, 2001. Proc. of the 17th European Congress on Photovoltaic Solar Energy Conference, 2001.

42.
Boudinov H; MORAIS, J ; RADTKE, C . Compositional and electrical differences of SiO2/SiC and SiO2/Si structures upon thermal annealing in N2O and NO. In: 197th Meeting of the Electrochemical Society ? 4th Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and Si-SiO2 Interface, 2000, Toronto. Proc. of the 4th Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and Si-SiO2 Interface, 2000.

43.
Boudinov H; COELHO, A.v.p. ; SOUZA, J. P. de . Electrical isolation of p-type GaAs layers by proton bombardment. In: ?, 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference SIMC, 2000, Canberra. Proc. of the ?, 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference SIMC, 2000.

44.
C.CARMODY ; JAGADISH, C. ; TAN, H.h. ; Boudinov H . Electrical and optical properties of MeV As and P ion implanted and annealed InP. In: ?, 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference SIMC, 2000, Canberra. Proc. of the ?, 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference SIMC, 2000.

45.
Boudinov H. Electrical isolation of AlxGa1-xAs by proton irradiation. In: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2000, Melbourne. Proc. of COMMAD 2000, 2000.

46.
Boudinov H; JAGADISH, C. ; C.CARMODY . Electrical and optical properties of MeV ion irradiated and annealed InP. In: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2000, Melbourne. Proc. of COMMAD 2000, 2000.

47.
ABRAMOF, E. ; SILVA, A Ferreira da ; SERNELIUS, B. E. ; SOUZA, Jp de ; Boudinov H . Metal-nonmetal transitions and resistivity of silicon implanted with bismuth. In: MRS Fall meeting, 1997, Boston. MRS Proc., 1997.

48.
Boudinov H. Experimental Study of Ion Implantation of Si in GaAs and Activation by Rapid Thermal Annealing. In: X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31July - 04 August, 1995, 1995, Canela. Proc. of X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31July - 04 August, 1995, 1995. p. 701-710.

49.
Boudinov H; SWART, Jw ; SOUZA, Jp de . Enhancement of the Electrical Activation of Mg Implanted in GaAs by P Co-implantation. In: X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31July - 04 August, 1995, 1995, Canela. Proc. of X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31July - 04 August, 1995, 1995. p. 691-699.

50.
Boudinov H. Angular Dependence of the Stopping Power of 800 keV He Ions Along Si <100. In: XIII Simpósio Latino- Americano de Física do Estado Sólido, 5 -10 November 1995, 1995, Gramado. Abstracts of XIII Simpósio Latino- Americano de Física do Estado Sólido, 5 -10 November 1995, 1995.

51.
SOUZA, Jp de ; DANILOV, I. ; Boudinov H . Electrical Isolation in GaAs by Light Ion bombardment. In: MRS Fall meeting 1995, 1995, Boston. Proc. Ion -Solid Interaction for Materials Modificationn and processing (Sym A), 1995.

52.
Boudinov H; SOUZA, Jp de ; FICHTNER, P. F. P. . Dynamic Annealing During 11B+, 12C+ and 14N+ Implantation in Silicon. In: MRS Fall meeting 1995, 1995, Boston. Proc. MRS Ion-Solid Interactions for materials modification and processing (SYM A), 1995.

53.
Boudinov H; SOUZA, J. P. de . Electrical Activation of Boron in B+ + C+ Implanted Si During RTA with Different Heating Rates. In: Materials Research Society Spring' 94 Meeting, 04 - 08 April, 1994, San Francisco, CA. Proc. of Materials Research Society Spring' 94 Meeting, 1994.

54.
Boudinov H. Implanted Shallow Junctions. In: III-th Brazilian Microelectronics School,, 1994, Campinas. Proc. of III-th Brazilian Microelectronics School 16-19 May 1994, 1994.

55.
SANTOS, J. H. R. ; GRANDE, P. L. ; Boudinov H ; BEHAR, M. . Stopping Power and Charge Equilibration Process for Channeled He Ions Along <100> and <110> Directions of Si Crystal. In: ION IMPLANTATION TECHNOLOGY-94, 1994, Catania. Proc. ION IMPLANTATION TECHNOLOGY-94, 1994.

56.
Boudinov H. Ion Implanted Profile Evolution with the Presence of Sputtering. In: ISPPME'89, 1989, Varna. Abstracts of ISPPME'89, 1989.

57.
Boudinov H; S. Stoev . Ion Implanted GaAs MESFETs. In: International conference Microwave technique, 1988, Varna. Proc. International conference Microwave technique 1988. Sofia: Sof. Univ. Press, 1988.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
Pitthan, Eduardo ; GOBBI, A.L. ; AMARASINGHE, V. P. ; XU, C. ; DARTORA, G. ; BOUDINOV, H. ; FELDMANN, G. ; STEDILE, Fernanda . Incorporation and Stability of Phosphorus at the SiO2/SiC Interfacial Region Deposited by Sputtering. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2017, Washington, DC, USA. ICSCRM, September 17?22, 2017, 2017.

2.
Kaufman I. ; M.B. Pereira ; BOUDINOV, H. . Schottky Barrier Height of Ni/TiO2/4H-SiC MIS diodes. In: International Conference of Silicon Carbide and Related Materials, 2015, Giardini Naxos. International Conference of Silicon Carbide and Related Materials - Proceedings, 2015.

3.
Cauduro A. ; P. Franzen ; COELHO, A. V. P. ; PALMIERI, Rodrigo ; C. Lisevski ; J. W. L. Oliveira ; Baptista D. ; BOUDINOV, H. . Deep Levels Responsible to Visible Emission in ZnO Nanowires. In: MRS Spring meeting, 2012, São Francisco. MRS Spring 2012, 2012.

4.
STEDILE, Fernanda ; Corrêa, Silma A. ; Pitthan, Eduardo ; Soares, Gabriel V. ; PALMIERI, Rodrigo ; Radtke, Cláudio ; BOUDINOV, H. . Presence of the silicon oxycarbides in the SiO2/SiC interface region and its consequence on the dielectric film characteristics. In: The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), 2012, Cleveland, Ohio, USA. ICSCRM 2011, 2012.

5.
Pitthan, Eduardo ; Corre^a, Silma A. ; PALMIERI, Rodrigo ; GV, Soares ; Boudinov, H. ; STEDILE, Fernanda . Modifications in the SiO2/4H-SiC interfacial region by thermal treatments with hydrogen peroxide. In: The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), 2011, Cleveland, Ohio, USA. ICSCRM 2011, 2011.

6.
de Mattos A.E.P. ; Boudinov, H. . Hopping Conduction in Carbon Nanotubes and Graphene Nanolayers. In: 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010, Porto Alegre, RS, Brasil. 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010.

7.
Adam, M C ; COELHO, A. V. P. ; Boudinov, H. . Deep levels fine structure in proton implanted p-type GaAs. In: 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010, Porto Alegre, RS, Brasil. 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010.

8.
Cauduro A. ; Baptista D. ; OLIVEIRA, J. ; PESENTI, Giovani ; Boudinov, H. ; Zawislak F. . Zinc Oxide Nanowires Semiconductors for Nanosensing Applications. In: 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010, Porto Alegre, RS, Brasil. 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010.

9.
de Souza E.L. ; PESENTI, Giovani ; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo ; Boudinov, H. . Multiple Position Sensitive Photo Detector. In: 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010, Porto Alegre, RS, Brasil. 1st Brazilian-German Workshop on Micro and Nano Electronics, 2010.

10.
Boudinov H. Heterodyne detection on position sensing device. In: 2005 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe, 2005, Munich, Germany. Abstract book, 2005. v. 1. p. 471-471.

11.
SCHERER, e ; Boudinov H . SHALLOW p+n-JUNCTION FORMATION IN Si BY PRE-AMORPHIZATION WITH Sn. In: SBMICRO 2003, 2003, São Paulo, Brasil, 2003.

12.
SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da ; Boudinov H . DESIGN AND DEVELOPMENT OF A TWO COORDINATE POSITION SENSITIVE PHOTODETECTOR. In: SBMICRO 2003, 2003, São Paulo, Brasil, 2003.

13.
DALPONTE, M ; Boudinov H ; SOUZA, J. P. de . Shallow n+-p junctions in Si and SIMOX. In: SBMICRO 2003, 2003, São Paulo, Brasil, 2003.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
LEITE, GABRIEL V. ; BOUDINOV, H. . P3HT/PVA based Organic Field-Effect Transistors. In: 11th International Symposium on Flexible Organic Electronics (ISFOE18), 2018, Thessaloniki, Greece. 11th International Symposium on Flexible Organic Electronics (ISFOE18). Thessaloniki, Greece, 2018. v. 1.

2.
RODRIGUES, F. S. ; BOUDINOV, H. . Fabrication and optimization of a pH sensor. In: SBPMat_2017 MRS Meeting, Brazil, 2017, Gramado, RS, Brasil. SBPMat_2017, 2017.

3.
Kaufman I. ; BOUDINOV, H. ; PICK, A. C. ; M.B. Pereira . Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky diodes for alpha particle detector. In: SBPMat_2017 MRS Meeting, Brazil, 2017, Gramado, RS, Brasil. SBPMat_2017, 2017.

4.
RAZERA, R. A. ; BOUDINOV, H. . Metal-Insulator-Semiconductor diode using aluminum, titanium dioxide and silicon.. In: SBPMat_2017 MRS Meeting, Brazil, 2017, Gramado, RS, Brasil. SBPMat_2017, 2017.

5.
RIBAS, E. ; MALTEZ, R.L. ; BOUDINOV, H. . Ion beam synthesis of SiC by carbon implantation into SiO2/Si: influence of SiO2 thickness cap. In: SBPMat_2017 MRS Meeting, Brazil, 2017, Gramado, RS, Brasil. SBPMat_2017, 2017.

6.
DANILOV, YU. A. ; BOUDINOV, H. ; KUDRIN, A. ; PARAFIN, A. ; PAVLOV, S. ; VIKHROVA, O. ; ZDOROVEISHCHEV, A. . Ion-Dose Dependence of Laser Annealing Effects for Mn+-Implanted GaAs. In: 20th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, 2017, Lisboa, Portugal. SMMIB-2017, 09th to 14st July 2017, Lisboa, Portugal, 2017.

7.
RODRIGUES, F. S. ; P. Franzen ; G. Sombrio ; BOUDINOV, H. . Investigation of Non-Stoichiometric Silicon Nitride Optical and Electrical Properties for Electroluminescence Applications. In: SBPMat_2016 MRS Meeting, Brazil, 2016, Campinas, Brasil. SBPMat_2016, 2016.

8.
Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; Soares, Gabriel V. ; BOUDINOV, H. ; STEDILE, Fernanda . Investigation of Isotopically Enriched Water Vapor (D218O) with SiO2/SiC Structures. In: The 75th Physical Electronics Conference, 2015, New Brunswick. The 75th Physical Electronics Conference Procedings, 2015.

9.
Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; Soares, Gabriel V. ; BOUDINOV, H. ; Stedile, Fernanda C. . Estructuras SiO2/SiC tratadas termicamente em D218O: efectos composicionales y eléctricos. In: LVIII Congreso Nacional de Física y Congreso Latinoamericano de Física, 2015, Mérida, Yucatán. LVIII Congreso Nacional de Física y Congreso Latinoamericano de Física - proceedings, 2015.

10.
Reis R.M.S dos ; C. Lisevski ; FRANZEN, P. ; Baptista D. ; BOUDINOV, H. . Tailoring the Optical Characteristic of ZnO Nanowires by Using Different Substrates. In: MRS Spring Meeting, 2015, San Francisco, California. MRS Spring Meeting - Abstracts, 2015.

11.
I.T.S. Garcia ; N. B. D. da Costa ; PIRES, G. H. ; MOREIRA, EDUARDO C. ; SOMBRIO, GUILHERME ; BOUDINOV, H. . Tungsten oxide thin films obtained by anodizing: structure and photoluminescent properties. In: XIV Brazil MRS Meeting, 2015, Rio de Janeiro. XIV Brazil MRS Meeting - Abstracts, 2015.

12.
LEITE, G. ; BOUDINOV, H. . Changing optical and electrical properties of ITO by ion bombardment. In: XIV Brazil MRS Meeting, 2015, Rio de Janeiro. XIV Brazil MRS Meeting - Abstracts, 2015.

13.
SULZBACH, M. C. ; BOUDINOV, H. ; GRANDE, P. L. ; PEREIRA, L. G. . Characterization of resistive memories via MEIS. In: XIV Brazil MRS Meeting, 2015, Rio de Janeiro. XIV Brazil MRS Meeting - Abstracts, 2015.

14.
KUDRIN, A. ; DANILOV, I. ; SHVETSOV, A. ; BOUDINOV, H. . Transport and magnetic properties of proton-irradiated ferromagnetic InMnAs layers with MnAs inclusions. In: E-MRS 2014 SPRING MEETING, 2014, Lille. Abstract Book E-MRS 2014 SPRING MEETING, 2014.

15.
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16.
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Boudinov H. RHEED Investigation of Ion Implanted GaAs. In: VI-th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 1989, Varna. Abstracts of VI-th International School on VEIT'89, 1989.

102.
Boudinov H. Defect Depth Profiles in Si, Implanted with B+ and As+. In: VI-th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 1989, Varna. ASbstracts of VI-th International School on VEIT'89, 1989.

103.
Boudinov H. Temperature Field Calculation During Flash Lamp Annealing of Si wafers. In: Int. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials, 1988, Lublin. Abstracts of Int. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials 12-17 Sept 1988, 1988.


Produção técnica
Produtos tecnológicos
1.
Boudinov H; SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da . Dispositivo Fotossensor Sensivel a Posição e Processo de Fabricação do Mesmo. 2004.

Processos ou técnicas
1.
SOUZA, J. P. de ; Boudinov H ; CIMA, C. A. . Processo Nmos de 5 Micrômetros Para Produção de Circuitos Integrados. 1998.



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 Boudinov H; SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da . Dispositivo Fotossensor Sensivel a Posição e Processo de Fabricação do Mesmo. 2004, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: PI0402196-1, título: "Dispositivo Fotossensor Sensivel a Posição e Processo de Fabricação do Mesmo" . Depósito: 10/06/2004Instituição(ões) financiadora(s): UFRGS, FAPERGS.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
Radtke, Cláudio; M.B. Pereira; A da C Viegas; BOUDINOV, H. Participação em banca de Frâncio Souza Berti Rodrigues. Fabrication of Ion Sensitive Field Effect Transistors. 2018. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
AGOPIAN, P.; GIMENEZ, S. P.; BOUDINOV, H. Participação em banca de Henrique Lanza Faria Torres. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

3.
A. Moehlecke; Zanesco I; R. Papaleo; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Ricardo Augusto Zanotto Razera. Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

4.
Soares, Gabriel Vieira; Santos MJL; ARAUJO, L. L.; BOUDINOV, HENRI I. Participação em banca de Taís Orestes Feijó. Crescimento de Grafeno por CVD e sua interação físico-química com hidrogênio. 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

5.
Baptista D.; Carreira W.H.; Horovitz F.; BOUDINOV, HENRI I. Participação em banca de Eduardo Serralta Hurtado de Menezes. Síntese e passivação de nanofios de óxido de zinco. 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

6.
Ziebell L.F.; BOUDINOV, H.; F. Haas; J.H.F. Severo. Participação em banca de Daniel de Oliveira Berto. Efeitos de ondas do tipo cíclotron eletrônica sobre a evolução de instabilidades neoclássicas em tokamaks. 2016. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

7.
CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; BOUDINOV, H.; Dias J.; M.A.R.C de Alencar. Participação em banca de Vinícius Castro Ferreira. Espectroscopia óptica não linear em anel antirressonante. 2016. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

8.
MOREIRA, EDUARDO C.; Wirt G; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; CAMPO, L. F.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Louise Patron Etcheverry. Caracterização e aplicação de derivados de benzazolas em dispositivos orgânicos emissores de luz. 2016. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

9.
BOUDINOV, H.; MOREIRA, EDUARDO C.; GIULIAN, R.; Horovitz F.. Participação em banca de Gabriel Volkweis Leite. Controle das Propriedades Ópticas e Elétricas do ITO (Indium Tin Oxide) por Bombardeamento com Íons. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

10.
GESHEV, Julian; PIROTA, K.; BOUDINOV, H.; A da C Viegas. Participação em banca de Rafael Cichelero. Análize micromagnética e desenvolvimento computacional aplicados a sistemas que apresentam acoplamento de troca. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

11.
Ely F; Baptista D.; Wirt G; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Eder Sandim Ximenes. Álcool Polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica. 2014. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

12.
Boudinov, H I; RIBEIRO, G. M.; RIZZATO, F.; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro. Participação em banca de Matheus Adam. Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

13.
Stedile, Fernanda C.; G. Azevedo; R. Hinrichs; Boudinov H. Participação em banca de Aline Tais da Rosa. Investigação da interface entre filmes Dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial de uso em microeletrônica. 2012. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

14.
Boudinov H; Horovitz F.; U. Sias; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Participação em banca de Guilherme Sombrio. Fotoluminescência de nitreto de silício não-estequiométrico depositado por sputterin reativo. 2012. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

15.
Boudinov, H.; GESHEV, Julian; R. Sommer; GRANDE, P. L.. Participação em banca de Arthur Harres de Oliveira. Exchange Bias em Filmes Policristalinos: Estudo da Importância dos Spins da Interface e do Volume do Antiferromagnetismo. 2011.

16.
Boudinov, H.; D. Hadjimichef; J. Arenzon; G. Hoff. Participação em banca de Lucas Norberto Burigo. Hadronterapia: simulações da Conmtribuição de Processos Nucleares para o Tratamento de Tumores. 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

17.
Boudinov, H.; A. Moehlecke; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; M.B. Pereira. Participação em banca de Eliasibe Luis de Souza. Fabricação e caracterização de um sensor múltiplo sensível a posição. 2011. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

18.
Baptista D.; MAMMANA, V.; Dias J.; Boudinov, H.. Participação em banca de João Wagner Lopes de Oliveira. Síntese e caracterização de nanofios de ZnO para aplicações em emissão de campo. 2010. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

19.
Araújo C.B.; Petzhold C.L.; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; Boudinov, H.. Participação em banca de Zacarias Eduardo Fabrim. Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato de SOI. 2010. Dissertação (Mestrado em Ciências dos Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

20.
Crug C; BOUDINOV, H; BRUNNET, Leonardo. Participação em banca de Jumir Vieira de Carvalho Júnior. Passivação da superfície do germânio visandoao uso em nanoeletrônica. 2009. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

21.
Boudinov H; PASA, Andre; M. Barbosa; BEHAR, M. Participação em banca de Elza Miranda Scherer. Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

22.
GAY, M. B.; Maekawa; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; Boudinov H. Participação em banca de Mairon Melo Machado. Processos Eletrofracos de Corrente Carregada em Altas Energias. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

23.
A. Moehlecke; Zanesco I; Boudinov H; Einloft SMO. Participação em banca de Marcia da Silva Pereira. Analise de Gettering por Alumínio no Processo de Fabricação de Células Solares. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

24.
Ziebell L.F.; ALVES, M. V.; Gaelzer R.; Boudinov H. Participação em banca de Joel Pavan. Efeitos de Gradientes Perpendiculares na Amplificação da Radiação Quilométrica das Auroras. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

25.
Messaddeq Y.; Levin Y.; Boudinov H; Horovitz F.. Participação em banca de Pedro Lovato Gomes Jardim. Extensão do Método de Monitoração da Espessura Óptica para uma Classe de Fluidos não-Newtonianos. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

26.
Boudinov H; SILVA JR, Eronides F. da; AMARAL, L.; Dahmen S. Participação em banca de Roana Melina de Oliveira. Dopagem tipo-n em estruturas semicondutoras. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

27.
Boudinov H. Participação em banca de Andréia Gerniski Macedo. Dispositivos Emissores de Luz com Base em Silício Poroso tendo como Eletrodo Transparente o Óxido de Estanho Dopado com Flúor. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

28.
Boudinov H. Participação em banca de Marcia Martins Szortyka. Estudo da difusão translacional em um modelo para água. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

29.
Boudinov H. Participação em banca de Fabiano Bernardi. Determinação da Posição Reticular de F em Si Pré-Amorfizado. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

30.
SCHELP, Luiz Fernando; Boudinov H; PIQUINI, Paulo. Participação em banca de João Tibúrcio Dias de Oliveira. Filmes finos de óxidos de vanádio depositados por sputtering reativo. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria.

31.
SWART, J. W.; Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; P Tatsch. Participação em banca de Roberto Lacerda de Orio. Projeto de Dispositivo Supressor de Surto de Tensão. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

32.
Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; ALMEIDA, Rita Maria Cunha de; STEDILE, Fernanda. Participação em banca de Rodrigo Palmieri. Caracterização elétrica de estruturas metal/ dielétrico high-k/ Si. 2005. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

33.
Boudinov H; GRANDE, P. L.; GESHEV, Julian; FREIRE, Valder Nogueira. Participação em banca de Mateus Dalponte. Junções rasas em Si e SIMOX. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

34.
Boudinov H; VASCONCELLOS, Marcos Antonio Zen; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; CREMONA, Marco. Participação em banca de Ricardo Cunha Gonçalves da Silva. Desenvolvimento e Otimização de Fotodetector de Silício Bidimensional Sensível a Posição. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

35.
Boudinov H; ROMAN, Lucimara; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Participação em banca de Giovani Pesenti. Modificação de Características Elétricas de Estruturas Semicondutoras III-V Através de Bombardeamento com Íons. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

36.
Boudinov H. Participação em banca de André Felipe da Silva Guedes. Efeito da Radiação UV-A na Resistividade Elétrica de Materiais Poliméricos. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

37.
Boudinov H; SILVA, A Ferreira da; PUREUR NETO, Paulo; GUSMÃO, Miguel. Participação em banca de Artur Vicente Pfeifer Coelho. Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

38.
Boudinov H; DANILOV, I.; BAUMVOL, I; CARRO, Luigi. Participação em banca de Rodrigo Parizotto. Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

39.
Boudinov H. Participação em banca de Tatiane Cecchini. Otimização das Regiões Altamente Dopadas de Células Solares Fabricadas por Processos Térmicos Rápidos. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

40.
Boudinov H. Participação em banca de Ismael Leandro Graff. Estudo da Evolução Estrutural Induzida por Irradiação Iônica em Multicamadas de Fe30Co70/Cu. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

41.
Boudinov H. Participação em banca de Ismael Andre Heisler. A Sincronização de Osciladoresde Rössler Acoplados. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

42.
Boudinov H. Participação em banca de Magno Valério Trindade Machado. Um modelo partônico para a difração aplicado ao DIS. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

43.
Boudinov H. Participação em banca de Hamilton Duarte Klimach. Equipamento Automático para Caracterização Corrente -Tensão de Dispositivos Semicondutores. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Teses de doutorado
1.
Baptista D.; FICHTNER, P. F. P.; Bettini J; BOUDINOV, H.; M.B. Pereira. Participação em banca de ZACARIAS EDUARDO FABRIM. Modificação de Filmes Finos de CdSe e PbSe por Irradiação com Feixe de Elétrons. 2018. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
DINIZ, Jose Alexandre; FERREIRA, L. F.; Wirt G; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Alan Carlos Junior Rossetto. Modeling and Simulation of Selfheating Effects in p-type MOS Transistors. 2018. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

3.
R. Papaleo; J. Morais; A. de Siervo; BOUDINOV, H.; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Participação em banca de Andreia Gorgeski. ?Influência da composição, arranjo atômico e suporte na reatividade das nanopartículas de Pt-Pd com o enxofre. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

4.
GIULIAN, R.; BOUDINOV, H.; L. Amaral; PASA, Andre; R. Papaleo. Participação em banca de Josiane Bueno Salazar. Estudo da formação de poros em InSb irradiado por feixes de íons. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

5.
P.L. Grande; E.F. da Silveira; PASA, Andre; BOUDINOV, H.; R. da Silva. Participação em banca de Gabriel Guterres Marmitt. Óxidos metálicos de memórias resistivas investigados por retroespalhamento de elétrons e íons. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

6.
AGOPIAN, P.; BOUDINOV, H.; FONTES, M. B. A.; CHAVEZ, M. I. A.; Sebastião G. dos Santos Filho. Participação em banca de Marcio Dalla Valle Martino. TRANSISTORES DE TUNELAMENTO INDUZIDO POR EFEITO DE CAMPO APLICADOS A CIRCUITOS BÁSICOS. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

7.
I. Hummelgen; BOUDINOV, H.; BUFON, C. C. B.; SAUL, Cyro Ketzer; SERBENA, J. P. M.. Participação em banca de Ali Nawaz. MODIFICATION OF CHARGE TRANSPORT PROPERTIES IN DEFECT-FREE POLY(3- HEXYLTHIOPHENE-2,5-DIYL) BASED FIELD-EFFECT TRANSISTORS. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

8.
BOUDINOV, H.; Carreira W.H.; TUMELERO, M. A.; Radtke, Cláudio. Participação em banca de IVAN RODRIGO KAUFMANN. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

9.
BOUDINOV, H.; Carreira W.H.; Carro, L.; Klimach H.D.; M.M.C. Forte. Participação em banca de ELIANA ANTUNES MACIEL AQUINO VAN ETTEN. FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR ORGÂNICO DE EFEITO DE CAMPO SOBRE SUBSTRATO PLÁSTICO FLEXÍVEL. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

10.
PUREUR NETO, Paulo; D.H.M. Júnior; S.B. Fagan; Baptista D.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Ramón Ferreira de Jesus. Propriedades de magnetotransporte em Grafite modificada por implantação de íons. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

11.
Pakter R.; Viana R.L.; Lopes S.R.; Ziebell L.F.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Samuel Marini. Um modelo cinético para o fluxo de elétrons num dispositivo de campos cruzados. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

12.
I. Hummelgen; SAUL, Cyro Ketzer; de ABREU, G. J. P.; BOUDINOV, H.; BECHTOLD, I. H.. Participação em banca de Diana Jastrombek. Otimização de transistores de efeito de campo orgânicos baseados em ftalocianinas metálicas. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

13.
BOUDINOV, H.; STEDILE, Fernanda; VASCONCELLOS, Marcos Antonio Zen; MOREIRA, EDUARDO C.. Participação em banca de Guilherme Sombrio. Foto e eletroluminescência de filmes de nitreto de silício não estequiométricos depositados por sputtering reativo. 2016. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

14.
COSTA, M. H. M.; N. Balzaretti; Radtke, Cláudio; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Nicolau Molina Bom. Processamento físico-químico de semicondutores com alta mobilidade de portadores de carga: Germânio e Grafeno. 2015. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

15.
BOUDINOV, H.; I.T.S. Garcia; AVELLANEDA, C. A. O.; CARENHO, N. L. V.; MENEZES, E. W.. Participação em banca de Nadja Berenice Dias da Costa. Filmes finos de óxido de tungstênio obtidos por anodização: Estrutura e propriedades fotoluminescentes e fotocatalíticas. 2015. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pelotas.

16.
Martino JA; Sebastião G. dos Santos Filho; ONMORI, R. K.; BOUDINOV, H.; TORRES, K. F. A.. Participação em banca de Felipe Neves Souza. Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura. 2015. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

17.
SANTANNA, M. M.; R. Sommer; BOUDINOV, H.; ARAUJO, L. L.. Participação em banca de Thiago Dias. Exchange Bias em Sistemas com Óxidos de Metais de Transição: Modificações via Implantação Iônica e Efeito de Treinamento. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

18.
Baptista D.; FREIRE JUNIOR, F. L.; PLENTZ FILHO, F. O.; PUREUR NETO, Paulo; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Bárbara Canto dos Santos. Fabricação de dispositivos com contato túnel para spintrônica em grafeno. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

19.
I. Hummelgen; FREIRE, J. A. O.; DUARTE, C. A.; Boudinov H; BARRA, G. M. O.. Participação em banca de Mohammad Fareed Ahmed. Evaluation of transport properties in poly (3-hexylthiophene) using SCLC method and controlled-overflow-transistor. 2013. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

20.
Budinov H; M.P. Pires; CORDEIRO, C. M.; L Tessler; F. Newton. Participação em banca de David da Silva Leocadio Figueira. Estruturas fotônicas compatíveis com tecnologia de Silício. 2013. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

21.
Horovitz F.; M.C. de Abreu; C.V. Santilli; T. Kirst; Boudinov H. Participação em banca de Pedro Lovato Gomes Jardim. Análise teórico-experimental de fluidos não-nwetonianos, que seguem o modelo de lei de potência. 2012. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

22.
N. Balzaretti; L.G.O.L Cançado; Baptista D.; A.G.S. Filho; Boudinov H. Participação em banca de An`tônio Emel López Villanueva. Produção de fases nanoestruturadas de carbono a partir de pirólise em altas pressões de precursores carbonáceos dispersos em matrizes inertes. 2012. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

23.
da Silva Jr, Eronides F.; Boudinov, H.; L. Assali; L. Acioli; A. Galembeck. Participação em banca de Jorlandio Francisco Felix. Desenvolvimento de novos materiais nanoestruturados e nanoestruturas híbridas para a produção de dispositivos eletrônicos. 2012. Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

24.
J. Gallas; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; A. Martí; M.W. Beims; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Ana Paula Oliveira Muller. Impacto do tamanho da comunidade em modelos de competição cíclica. 2012. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

25.
M. pavanello; C. Krug; BOUDINOV, H.; Klimach H.D.; Bampi S. Participação em banca de Luiz Fernando Ferreira. Double-Gate Nanotransistors in SOI - Simulation of sub-20 nm FinFET´s. 2012. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

26.
P.A.Z. Suarez; SILVEIRA NETO, B. A.; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; BOUDINOV, H.; FICHTNER, P. F. P.; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Participação em banca de Renato Vitalino Gonçalves. Sintese e aplicação de nanotubos de oxido de tantalo fabricado por anodização: catalizador para fotogeração de Hidrogênio. 2012. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

27.
DINIZ, Jose Alexandre; ZOCCAL, L. B.; BOUDINOV, H.; DOI, I.; TATSCH, P. J.. Participação em banca de Cleber Biasotto. Processos alternativos para micro e nanotecnologia. 2012. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica - UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas.

28.
A. Moehlecke; Zanesco I; COLLARES, M. P.; BOUDINOV, H.; AZEVEDO, D. G.; ANDRADE, A. C.; DEDAVID, B.. Participação em banca de Vanessa da Conceição Osório. Células solares bifaciais finas com campo retrodifusor localizado de alumínio e seletivo de boro e alumínio. 2012. Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

29.
GAY, M. B.; Boudinov, H.; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; CGB de Mello; LS de Paula. Participação em banca de Mairon Melo Machado. Difração em colisões hadrônicas altamente energéticas. 2011. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

30.
Zanesco I; R. Zilles; Boudinov, H.; R. Papaleo. Participação em banca de Gabriela Wehr. Desenvolvimento e comparação de células solares n+pn+ e n+pp+ em silício multicristalino. 2011. Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

31.
M. Barbosa; J.R. de Souza; Boudinov, H.; D.A. Stariolo; G.A. Degrazia. Participação em banca de Jonathas Nunes da Silva. Estudo de potencial de duas escalas como modelo efetivo pára água. 2011. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

32.
I. Hummelgen; ROMAN, Lucimara; Boudinov, H.; M. Bolfim; J. Giacometti. Participação em banca de Wagner Souza achado. Memórias orgânicas baseadas em esferas de carbono e transistores de efeito de campo orgânicos de baixa tensão de operação. 2011. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

33.
Boudinov, H.; PASA, Andre; W. Figueiredo; N.G. Garcia; A da C Viegas. Participação em banca de Clodoaldo Irineu Levartoski de Araujo. Fabricação de estruturas híbridas para aplicação em transistor de spin. 2011. Tese (Doutorado em Ciência e Engenharia de Materiais) - Universidade Federal de Santa Catarina.

34.
Pakter R.; Caldas IL; Lopes S.R.; D.A. Stariolo; Boudinov, H.. Participação em banca de Wilson Simeoni Júnior. Cinética e dinâmica de feixes de partículas caregadas durante o processo de equipartição. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

35.
NEWTON,; SOUZA, P.; Boudinov, H.; MENESES, E.; da Cruz F.C. Participação em banca de José Roberto Mialichi. Ressonadores de Microdisco com Região Ativa Nanoestruturada Bombeados por Injeção Eletrônica. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

36.
Boudinov, H.; Cirino G.A.; Guimarães H.; Guimarães P.S.S.; D.L. Monteiro. Participação em banca de Luciana Pedrosa Salles. Sensor de frentes de onda com quadricélulas de dupla eficiência quântica em tecnologia CMOS padrão. 2010. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais.

37.
BOUDINOV, H.; STEDILE, Fernanda; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; L. Amaral. Participação em banca de Rodrigo Palmieri. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica. 2009. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

38.
STEDILE, Fernanda; F. Galembeck; R.F. de Souza; M. Barbosa; Boudinov H. Participação em banca de Gabriel Vieira Soares. Propriedades Físico-químicas e Características Elétricas de Estruturas Dielétrico/SiC. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

39.
I. Pepe; KOEHLER, Marlus; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; Ziebell L.F.; Boudinov H. Participação em banca de Artur Vicente Pfeifer Coelho. Isolação Elétrica por Implantação Iônica em GaAs e AlGaAs. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

40.
J. Gallas; A. Martí; E.E. Macau; Boudinov H; GUSMÃO, Miguel. Participação em banca de Cristian Bonatto. Estrutura de diagrama de fase de sistemas dinâmicos de tempo contínuo. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

41.
DINIZ, Jose Alexandre; A. Moehlecke; Wirt G; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Giovani Cheuiche Pesenti. Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino. 2008. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

42.
NEWTON,; Zanesco I; N. Balzaretti; GRANDE, P. L.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Mateus Dalponte. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

43.
Morimoto N.; Fonseca J S O; BOUDINOV, H.; Bampi S. Participação em banca de Manuel Martín Pérez Reimbold. Otimização da síntese do projeto de atuadores MEMS baseados em deformação elástica de Comb-drive. 2008. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

44.
PASA, Andre; Ubirajara P.R. Filho; Boudinov H. Participação em banca de Rafael Gallina Delatorre. Transistor de base metálica tipo "p"eletrodepositado. 2007. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Santa Catarina.

45.
J.N. Soares; E. Ritt; E. Fabris; M. Lubaszewski; Boudinov H. Participação em banca de Ricardo Cunha Gonçalves da Silva. Lógica Quaternária de Alto Desempenho e Baixo Consumo para Circuitos VLSI. 2007. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

46.
CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; MENEZES, Leonardo; ZÍLIO, Sérgio; BRUNNET, Leonardo; Boudinov H. Participação em banca de Ismael André Heisler. Espectroscopia resolvida no tempo: Caracterização de pulsos curtos, Dinâmica molecular em líquidos, Modelamento de luz incoerente. 2006. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

47.
Boudinov H; SAITOVICH, Elisa; MELLO, Evandro Vidor Lins de; JORNADA, João. Participação em banca de Leticie Mendonça Ferreira. Efeitos de Pressão nas flutuações termodinâmicas da condutividade elétrica de supercondutores de alta temperatura crítica. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

48.
Boudinov H; KOEHLER, Marlus; PASA, Andre; ZARBIN, Aldo; LIMA, Luiz Sampaio. Participação em banca de Michelle Sostag Meruvia. Transistor de base metálica e transistor de válvula de spin híbridos orgânico/inorgânico. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

49.
Boudinov H. Participação em banca de Claudio Radtke. Crescimento térmico de filmes dielétricos sobre SiC e caracterização das estruturas formadas. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

50.
Boudinov H. Participação em banca de Guilherme Frederico Marranghello. Transição de Fase em Estrelas de Nêutrons e a Emissão de Ondas Gravitacionais. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

51.
Boudinov H. Participação em banca de Marcelo Barbalho Pereira. Caracterização de Filmes Óticos Compósitos nanoestruturados, Não-homogênios ou anisotrópicos, produzidos por troca Iônica e pelo Método Sol-Gel. 2003. Tese (Doutorado em Ciências dos Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

52.
Boudinov H. Participação em banca de Cyro Ketzer Saul. Desenvolvimento de um sensor térmico de estado sólido microfabricado. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

53.
Boudinov H. Participação em banca de Ney Pereira Matoso Filho. Propriedades Estruturais e Magnéticas de Multicamadas de Ferro e Cobre Depositadas Sobre Filmes Epitaxiais de Fluorita Integrados a Substratos de Silício Monocristalino. 1996. Tese (Doutorado em Ciências dos Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

54.
Boudinov H. Participação em banca de Cesar Renato Simenes da Silva. Emissão de Frente de Energia Por Cascatas de Colisões e Seus Efeitos na Dinâmica de Defeitos Puntuais em Metais Irradiados. 1995. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

55.
Boudinov H. Participação em banca de Fernanda Chiarello Stedile. Análise por Feixes de Íons de Filmes Dielétricos Depositados por Sputtering Reativo e Crescidos Termicamente. 1994. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Qualificações de Doutorado
1.
M.B. Pereira; Baptista D.; FICHTNER, P. F. P.; BOUDINOV, H.; GIULIAN, R.. Participação em banca de ZACARIAS EDUARDO FABRIM. Modificação de Filmes Finos de CdSe por Irradiação com Feixe de Elétrons. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
Wirt G; Bampi S; FERREIRA, L. F.; BOUDINOV, H. Participação em banca de Alan Carlos Junior Rosseto. Modeling and Simulation of Self-heating Effects in --type MOS Transistors. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

3.
P.L. Grande; SANTANNA, M. M.; BOUDINOV, H; J. Morais. Participação em banca de Henrique Trombini. Versatilidade da técnica MEIS na caracterização de nanomateriais e dispositivos avançados. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

4.
Wirt G; TUMELERO, M. A.; KHAN, S.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Ricardo A. Z. Razera. Hybrid Organic-Inorganic Perovskite and Silicon/Perovskite Tandem Solar Cells. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

5.
Radtke, Cláudio; BOUDINOV, H.; GIULIAN, R.; PALMIERI, Rodrigo. Participação em banca de Louise Patron Etcheverry. Incorporação de Hf e N em filmes de GeO2 como estratégias para passivação dedielétricos sobre germânio. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

6.
BOUDINOV, H.; NACHTIGALL, S. M. B.; LUDTKE, D. S.. Participação em banca de Eric Souza Sales. SÍNTESE E ESTUDO DO COMPORTAMENTO TÉRMICO DE COMPOSTOS ANFIFÍLICOS CONTENDO O HETEROCICLO ISOXAZOL. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em PPGQ/UFRGS) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

7.
A. Moehlecke; J. Morais; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Gabriel Volkweis Leite. Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo. 2017. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

8.
GESHEV, Julian; R. Sommer; MAGALHAES, S. G.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Jean Lui Salazar Cuaila. Heteroestruturas baseadas em CuO ? um magnetoelétrico e multiferróico em altas temperaturas. 2017. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

9.
G.G. Souza; C. Krug; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Guilherme Koszeniewski Rolim. Modificação da estrutura do grafeno frente a tratamentos térmicos em vapor de água. 2016. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

10.
TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; M. Abbate; BOUDINOV, H.; L. Amaral. Participação em banca de Cesar Abraham Castanheda Marcelo. Cálculos de propriedades eletrônicos, estruturais e de atividade fotocatalítica das superfícies semicondutoras (100) e (11) de nitreto de tântalo e de CuBiW2O8. 2016. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

11.
P.L. Grande; BOUDINOV, H.; PASA, Andre; R. da Silva. Participação em banca de Gabriel Gueterres Marmitt. Autodifusão de oxigênio em óxidos metálicos de memórias resistivas. 2016. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

12.
BOUDINOV, H.; TUMELERO, M. A.; Radtke, Cláudio; PEREIRA, L. G.. Participação em banca de IVAN RODRIGO KAUFMANN. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de partículas. 2016. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

13.
REQUIAO, C.; GIULIAN, R.; PIMENTEL, J.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Marcello da Rocha Macarthy. Aerogeis Orgânicos. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

14.
M.M.C. Forte; Klimach H.D.; SCHREKKER, H. S.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Eliana Antunes Maciel Aquino Van Etten. Caracterização de Polímeros e Tecnologias para Uso em Transistores de Efeito de Campo Orgânicos. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

15.
C. Krug; BOUDINOV, H.; Bampi S. Participação em banca de Maurício Banaszeski da Silva. A Physics-Based Random Telegraph Noise Stochastic Model. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

16.
GIULIAN, R.; FARENZENA, L.; BOUDINOV, H.; G. Azevedo. Participação em banca de Josiane Bueno Salazar. Estudo da formação de poros em InSb irradiado por feiches de íons. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

17.
N. Balzaretti; Boudinov, H.; RIBAS, R.. Participação em banca de Nicolau Molina Bom. Etapas de Processamento de Semicondutores Alternativos ao Si: Ge e Grafeno. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

18.
PUREUR NETO, Paulo; Boudinov, H.; SILVA, E. G. M.; SCHMIDT, J. E.. Participação em banca de Ramón Ferreira de Jesus. Oscilações de Shubnikov de Haas nas propriedades de magneto-transporte de amostras de HOPG implantadas com Na, Al e P. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

19.
Pakter R.; Viana R.L.; Ziebell L.F.; Boudinov, H.. Participação em banca de Samuel Marini. Estados estacionários de uma distribuição de elétrons em uma configuração de campos eletromagnéticos cruzados. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

20.
BOUDINOV, H.; HICKMANN, J.; Carro, L.; REQUIAO, C.. Participação em banca de Eliasibe Luis de Souza. Desenvolvimento de Sistema de Espectroscopia Óptica com Matriz de Sensores de Posicionamento. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

21.
BOUDINOV, H.; CREMONA, Marco; STEDILE, Fernanda; M.B. Pereira. Participação em banca de Guilherme Sombrio. Fotoluminescência e Eletroluminescência de SiNx Depositado por Sputtering Reativo. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

22.
PUREUR NETO, Paulo; URBANO, R. R.; BOUDINOV, H.; GUSMÃO, Miguel. Participação em banca de Jully Paola Peña Pacheco. Propriedades magnéticas e de magnetotransporte no sistema BaFe_(2-x)M_xAs_2. 2014. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

23.
GESHEV, Julian; CORNEJO, D. R.; SANTANNA, M. M.; GUSMÃO, Miguel; Boudinov, H.. Participação em banca de Thiago Dias. Investigação do efeito de Exchange Bias em nanoestruturas através de implantação iônica. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA, UFRGS) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

24.
BASSO, N.; Boudinov H; Baptista D.. Participação em banca de Dario Eberhardt. Novo método de recobrimento de substratos em pó com nanopartículas: aplicação em catálise e nanopartículas magnéticas. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

25.
Boudinov, H.; PASA, Andre; CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; N. Balzaretti. Participação em banca de Caroline Inês Lisevski Sombrio. Propriedades Ópticas e Elétricas de Nanofios de ZnO. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

26.
CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; J. Gallas; L. Misoguti; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Magnus Kaldieff Pereira. Espectroscopia resolvida no tempo em anel antiressonante. 2012. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

27.
TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; P.A.Z. Suarez; FICHTNER, P. F. P.; BOUDINOV, H.. Participação em banca de Renato Vitalino Gonçalves. Síntese e aplicação de nanotubos de óxido de tântalo fabricado por anodização: um promissor fotocatalisador para foto-geração de hidrogênio. 2012. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

28.
Viana R.L.; Boudinov, H.; BRUNNET, Leonardo; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; IDIART, M. A. P.; RIZZATO, F.. Participação em banca de Everton João Agnes. Reconhecimento e discriminação de padrões associados a memórias em redes de neurônios biológicos. 2012. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

29.
Boudinov, H.; C. Krug; LC Barbosa. Participação em banca de Patrícia Loren Inácio. Estudo de Envelhecimento de Guias de Onda Planares Produzidas por Troca Iônica. 2011. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

30.
Boudinov, H.; R. Papaleo; Zanesco I. Participação em banca de Gabriela Wehr. Desenvolvimento e comparação de células solares n+pn+ e n+pp+ em silício multicristalino. 2011. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.

31.
Pakter R.; Lopes S.R.; D.A. Stariolo; Budinov H. Participação em banca de Wilson Simeoni Junior. Cinética e Dinâmica de Feixes de Partículas Carregadas Durante o Processo de Equipartição. 2010. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

32.
M. pavanello; Boudinov H; Wirt G. Participação em banca de Luiz Fernando Ferreira. Double Gate Nanotransistors in silicon on insulator simulation of sub-20nm FinFET. 2010. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

33.
FANTINI, M.; RIZZATO, F.; Boudinov, H.; Horovitz F.. Participação em banca de Pedro Lovato Gomes Jardim. Aplicação do método de monitoramento da espessura óptica para a classe de fluidos que seguem o modelo de lei de potência durante o processo de spin coating. 2010. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

34.
Boudinov, H.; D.L. Monteiro. Participação em banca de Luciana Pedrosa Salles. Sensor óptico de frentes de onda baseado em quadricélulas de dupla eficiência quântica utilizando tecnologia CMOS. 2009. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais.

35.
M. Nielson; GRANDE, P. L.; Boudinov H; GAY, M. B.. Participação em banca de Emmanuel Grãve de Oliveira. Efeitos Nucleares no Processo Drell-Yan: Formalismos de Dipolos de Cor e de Momentum Transversal Intrínseco. 2008. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

36.
J.S. de Sousa; GAY, M. B.; C. Krug; Boudinov H. Participação em banca de Rodrigo Palmieri. Caracterização da interface SiO2/4H-SiC. 2008. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

37.
Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; Fruett F; P Tatsch. Participação em banca de Cleber Biasotto. Obtenção e caracterização de dispositivos de silício-germânio. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

38.
Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; Fruett F; P Tatsch. Participação em banca de Fabio Aparecido Cavarsan. Fabricação e Caracterização de Dispositivos CMOS com Dimensões Sub-Micrométricas e Nanométricas. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

39.
A. Moehlecke; D.A. Stariolo; Boudinov H; BAUMVOL, I. Participação em banca de Carlos Eduardo Driemeier. Hidrogênio em filmes nanométricos de óxido e silicatos de h'fnio sobre silício. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

40.
Boudinov H; Bampi S; Martino JA; Wirt G. Participação em banca de Giovani Cheuiche Pesenti. Desenvolvimento e Otimização de Tecnologia CMOS com porta de poly-Si. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

41.
Boudinov H. Participação em banca de Artur Vicente Pfeifer Coelho. Estudo de defeitos em semicondutores através de medidas elétricas: Aplicação à isolação por implantação de prótons em GaAs e AlGaAs. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

42.
Boudinov H. Participação em banca de Gustavo Neuberger. Statistical Analysis of Hold Time Violations Due to Process Variations. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

43.
Boudinov H; Fruett F; Fonseca J S O. Participação em banca de Manuel Martin Perez Reimbold. Macromodelo Dinâmico Não-linear para MEMS baseados em Comb-drive. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

44.
Boudinov H. Participação em banca de Mateus Dalponte. Influência dos Defeitos na Redistribuição de Dopantesde Junções Rasas em Si e SIMOX. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

45.
O. Schilling; N. Balzaretti; Boudinov H. Participação em banca de Patrícia Fernanda Duarte. Efeitos de Pressão em Supercondutores. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

46.
BOUDINOV, H.; SUSIN, A.; SWART, J. W.; MALTEZ, R.L.. Participação em banca de Ricardo Cunha Gonçalves da Silva. NOVA TECNOLOGIA QUATERNÁRIA DE ALTA PERFORMANCE E BAIXO CONSUMO PARA CIRCUITOS VLSI. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

47.
Boudinov H. Participação em banca de Ives Solano Araújo. Modelagem Computacional na Superação de Dificuldades na Aprendizagem das Leis da Maxwell do Electromagnetismo em Nível de Física Geral. 2005. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

48.
Boudinov H; MENESES, Eliermes Arraes; ALMEIDA, Rita Maria Cunha de. Participação em banca de João Marcelo Jordão Lopes. Propriedades Nanoestruturais e Luminescentes de Camadas de SiO2 implantadas com Ge. 2004. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

49.
Boudinov H; GUSMÃO, Miguel; JARDIM, Renato de Figueredo. Participação em banca de Márcio José Mörschbächer. Relaxação estrutural de camadas pseudomorficas de SiGe/Si(100) induzida por implantação iônica e tratamento térmico. 2004. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

50.
Boudinov H. Participação em banca de Cristiano Krug. Limites para Miniaturização de Dispositivos Microeletrônicos Metal-Óxido-Semicondutor: Óxido de Silício como Dielétrico de Porta. 2002. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Qualificações de Mestrado
1.
REIS, R.; BOUDINOV, H.; JOHAN, M.. Participação em banca de Calebe Micael de Oliveira Conceição. Simulação de portas quânticas com FPGA. 2012. Exame de qualificação (Mestrando em Computação) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Trabalhos de conclusão de curso de graduação
1.
Budinov H; Baptista D.; Prado S.D.. Participação em banca de André L.F. Cauduro.Nanofios Semicondutores para Nanosensoramento Ultra-sensível. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
Boudinov H; SUSIN, A.. Participação em banca de Marcelo Erigson.Estudo sobre Circuitos Tolerantes a falhas Externas. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Computação) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Livre docência
1.
Boudinov H; Martino JA; Sebastião G. dos Santos Filho. Livre Docência - Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNICAMP. 2007. Universidade Estadual de Campinas.



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Lucas Prates Martins. Sensor orgânico flexível de pressão e temperatura. Início: 2018. Dissertação (Mestrado profissional em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Tese de doutorado
1.
Ricardo Augusto Zanotto Razera. Células fotovoltaicas com estrutura perovskita. Início: 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

2.
Gabriel Volkweis Leite. Caracterização elétrica de materiais para dispositivos orgânicos. Início: 2015. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

3.
Eliasibe Luis de Souza. Sistema de Espectroscopia Óptica com Sensor Múltiplo de Posicionamento. Início: 2011. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Frâncio Souza Berti Rodrigues. Fabrication of Ion Sensitive Field Effect Transistors. 2018. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

2.
Louise Etcheverry. Compostos fotoativos derivados de benzazolas: uma abordagem teórico-experimental para aplicação em dispositivos orgânicos emissores de luz. 2016. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

3.
Gabriel Volkweis Leite. Controle das características elétricas e ópticas do ITO através de bombardeamento com íons. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

4.
Eder Sandim Ximenes. Álcool Polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica. 2014. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

5.
Matheus Adam. Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

6.
Guilherme Sombrio. Fotoluminescência de nano cristais de Si enterrados em Si3N4. 2012. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

7.
Eliasibe Luis de Souza. Desenvolvimento de Sensor Múltiplo de Posição. 2011. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

8.
Roana de Oliveira. Junsões razas em Si. Medidas elétricas. 2007. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

9.
Elza Miranda Scherer. Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas tipo-p. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, . Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

10.
Rodrigo Palmieri. Caracterização elétrica de estruturas metal/ dielétrico high-k/ Si. 2005. 99 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

11.
Ricardo Cunha Gonçalves da Silva. Desenvolvimento e Otimização de um Fotodetector de Silício Bidemencional Sensível a Posição. 2004. 113 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

12.
Mateus Dalponte. Junções razas em Si e SIMOX. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

13.
Giovani Pesenti. Modificação de Características Elétricas de Estruturas Semicondutoras III-V Através de Bombardeamento com Íons. 2004. 95 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, . Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

14.
Rodrigo Parizotto. Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço. 2003. 86 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

15.
Artur Vicente Pfeifer Coelho. Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons. 2003. 196 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

16.
Twan van Lippen. Electrical Isolation of AlGaAs by Ion Implantation. 2001. Dissertação (Mestrado em Electronic materials) - Electronic Materials Engineering Department, . Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

Tese de doutorado
1.
Ivan Rodrigo Kaufmann. Carbeto de silício (SiC) como material para detecção de radiação. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

2.
Eliana Aquino Van Etten. Desenvolvimento e caracterização de materiais para uso em transistores orgânicos de efeito de campo. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, . Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

3.
Gulherme Sombrio. Estudo de Eletroluminescência de Nitreto de Silício Não-Estequiométrico Depositado por Sputtering Reativo. 2016. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

4.
Caroline Lisevski. Propriedades Optoeletrônicas de Nanofios de ZnO. 2015. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Henri Ivanov Boudinov.

5.
Roberto Moreno de Souza Reis. Síntese por feixe de íons de camadas nanométricas de SiC e GaN. 2013. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Henri Ivanov Boudinov.

6.
Rodrigo Palmieri. Defeitos eletricamente ativos em estruturas metal-óxido-carbeto de silício (SiC). 2009. 0 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

7.
Artur Vicente Pfeifer Coelho. Isolação Elétrica por Implantação Iônica em GaAs e AlGaAs. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

8.
Mateus Dalponte. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias. 2008. 0 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

9.
Giovani Pesenti. Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino. 2008. 0 f. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

10.
RICARDO CUNHA GONCALVES DA SILVA. Lógica Quaternária de Alto Desempenho e Baixo Consumo para Circuitos VLSI. 2007. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Henri Ivanov Boudinov.

11.
Christine Yvette Carmody. Defect Engineering of InP and InGaAs for Optoelectronic Applications. 2002. 203 f. Tese (Doutorado em Electronic Materials Department) - RSPhysSE, Australian National University, . Coorientador: Henri Ivanov Boudinov.

Supervisão de pós-doutorado
1.
Jardel Caminha Carvalho Cestari. 2016. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Henri Ivanov Boudinov.

2.
Vanessa da Conceição Osório. 2014. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Henri Ivanov Boudinov.

3.
Paulo Franzen. 2013. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

4.
Rodrigo Palmieri. 2012. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

5.
Marcelo Barbalho Pereira. 2010. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

6.
Artur Vicente Pfeifer Coelho. 2010. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

7.
Mateus Dalponte. 2009. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

8.
Daniel Lorscheitter Baptista. 2008. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.

9.
Cláudio Radtke. 2006. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Henri Ivanov Boudinov.




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