Fernando Iikawa

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1D

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  • Última atualização do currículo em 09/03/2018


Possui graduação em Bacharelado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1982), mestrado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1985) e doutorado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1988). Atualmente é professor adjunto ms/5 do Instituto de Física da Universidade Estadual de Campinas. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Propriedades Ópticas e Espectroscopia da Matéria Condensada, atuando, principalmente, nos seguintes temas: propriedades ópticas de heteroestruturas e nanoestruturas de semicondutores, semicondutores magnéticos e diluídos e compostos de carbono. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Fernando Iikawa
Nome em citações bibliográficas
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin.
Rua Sergio Buarque de Holanda, 777 - DFMC
Barão Geraldo
13083-859 - Campinas, SP - Brasil
Telefone: (019) 35215482
Fax: (019) 35214146
URL da Homepage: www.ifi.unicamp.br/~iikawa/iikawa.html


Formação acadêmica/titulação


1985 - 1988
Doutorado em Física.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: Estudo de heteroestruturas de camadas tensionadas de InGaAs/GaAs, Ano de obtenção: 1988.
Orientador: Paulo Motisuke.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: poços quânticos; super-redes; excitons; Heteroestruturas; semicondutores.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Setores de atividade: Outros Setores.
1983 - 1985
Mestrado em Física.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: "DISTRIBUICAO ESPECTRAL DE SECAO DE CHOQUE DE FOTOIONIZACAO DE FE2+ EMINP:FE",Ano de Obtenção: 1985.
Orientador: PAULO MOTISUKE.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: Impureza Profunda; Inp:Fe; Niveis de Landau; Raman; fotocorrente; semicondutores.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Outros Setores.
1979 - 1982
Graduação em Bacharelado Em Física.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.


Pós-doutorado e Livre-docência


2003
Livre-docência.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: Conjunto de produção científica, Ano de obtenção: 2003.
Palavras-chave: semiconductor; optical properties; heterostructures; quantum well; quantum dots; strain.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas.
Setores de atividade: Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos.
1989 - 1991
Pós-Doutorado.
Max Planck Institut, MPI, Alemanha.
Bolsista do(a): Alexander Von Humboldt, AVH, Alemanha.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra


Atuação Profissional



Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Vínculo institucional

1991 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto MS/5, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

8/1998 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Representando do departamento na Comissão de Usuários da Oficina de Vácuo.
5/1991 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

8/2007 - 12/2007
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Materia II
3/2007 - 6/2007
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Termodinamica
8/2006 - 12/2006
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Materia II
3/2006 - 6/2006
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Termodinamica
3/2005 - 6/2005
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Matéria II
8/2004 - 12/2004
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Matéria II
3/2004 - 6/2004
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Matéria II
8/2003 - 12/2003
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Propriedades Ópticas de Sólidos
8/2003 - 12/2003
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Matéria II
3/2003 - 6/2003
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Termodinâmica
8/2002 - 12/2002
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral II
3/2002 - 6/2002
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
8/2001 - 12/2001
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Propriedades Ópticas de Sólidos
3/2001 - 6/2001
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
8/2000 - 12/2000
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
8/1998 - 11/2000
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Coordenador da Vidraria do IFGW.
3/2000 - 6/2000
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
8/1999 - 12/1999
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura da Matéria II
3/1999 - 6/1999
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV
8/1998 - 12/1998
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
3/1998 - 6/1998
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
8/1997 - 12/1997
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV
6/1997 - 10/1997
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Coordenador do Setor de Criogenia do IFGW.
3/1997 - 6/1997
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral I
3/1997 - 6/1997
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Tópico de Física da Matéria Condensada II: Heteroestrutura de Semicondutores
8/1996 - 12/1996
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
11/1993 - 11/1996
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Representante do DFMC Comissão de usuários da Oficina de Vácuo do IFGW.
3/1996 - 6/1996
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
8/1995 - 12/1995
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV
3/1995 - 6/1995
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV
5/1993 - 4/1995
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Representante do DFMC Comissão de Informática.
8/1994 - 12/1994
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral II
8/1994 - 12/1994
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Tópico de Física de Estado Sólido I: Heteroestrutura de Semicondutores
3/1994 - 6/1994
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral I
7/1991 - 4/1994
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Representante do DFMC Comissão de Informática.
8/1993 - 12/1993
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral II
3/1993 - 6/1993
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral I
8/1992 - 12/1992
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
3/1992 - 6/1992
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral I
8/1991 - 12/1991
Ensino, Bacharelado Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral II


Linhas de pesquisa


1.
Propriedades Ópticas de Heteroestruturas de Semicondutores
2.
Propriedades magnéticas de filmes magnéticos integrado a semicondutores


Projetos de pesquisa


2016 - Atual
Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas
Descrição: O projeto tem como finalidade investigar as propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores III-V visando, em particular, emissores de luz de fótons individuais. A importância desses emissores de luz se deve a sua aplicação em informação e computação quântica. Neste projeto, pretendemos contribuir nessa área investigando sistemas nanoestruturados de semicondutores, no caso, pontos quânticos, que têm características de emissores de um fóton por vez. Investigaremos dois sistemas: um deles é o ponto quântico de InAsP inserido no nanofio de InP, crescido pelo método vapor-liquid-solid, e o segundo, é o ponto quântico epitaxial, livre de tensão elástica, de GaAs/AlGaAs. Ambos os sistemas serão depois inseridos em microcavidades ópticas para amplificar a emissão. O estudo engloba desde o desenvolvimento dos sistemas emissores de luz e suas propriedades ópticas até o estudo da interação éxciton-fóton, onde envolve o acoplamento da radiação eletromagnética com os excitons. Através deste projeto pretendemos adquirir conhecimentos científicos e tecnológicos sobre o desenvolvimento de fontes de fótons individuais nesses materiais e conhecer suas principais características..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Doutorado: (1) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2013 - 2015
Estudo de semicondutores nanoestruturados por espectroscopia óptica
Descrição: O projeto tem como objetivo investigar as propriedades ópticas e vibracionais de semicondutores nanoestruturados, como nanofios e pontos quânticos. Os sistemas nanoestruturados são de grande interesse em aplicações tecnológicas em diversas áreas, tais como, a fabricação de dispositivos ópticos e optoeletrônicos, marcadores em aplicações biológicas e sensores de gases. Para funcionalização dos dispositivos é essencial o conhecimento básico das propriedades físicas das estruturas como as propriedades ópticas. Investigaremos uma série de heteroestruturas baseadas em pontos quânticos auto-organizados tipo-II de InP/GaAs e de GaSb/GaAs, incluindo estruturas hibridizadas envolvendo pontos e poços quânticos. Essa hibridização nos permite controlar a separação espacial entre portadores, elétrons e buracos, pois a estrutura foi projetada para que um deles fique confinado nos pontos quânticos e o outro, nos poços quânticos. O controle da separação espacial entre elétrons-buracos significa controle do tempo de recombinação, um parâmetro importante para a fabricação de dispositivos ópticos. O estudo da dinâmica dos portadores e de spin é uma das principais linhas de pesquisa do projeto nessas estruturas. Investigaremos também materiais com fase cristalina pouco estudada em compostos III-V, como, por ex., a fase wurtzita em fosfetos (InP) e arsenetos (GaAs e InAs) em nanofios. Através das técnicas de medidas ópticas pretendemos extrair informações sobre a estrutura eletrônica e as propriedades vibracionais. Os nanofios na forma heteroestruturada de materiais III-V serão também investigados..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (3) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador / Brasil, M J S P - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2012 - 2014
Propriedades ópticas de nanoestruturas semicondutoras
Descrição: Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de semicondutores nanoestruturados baseados em pontos quânticos auto-organizados e nanofios. As estruturas contendo pontos quânticos são preparadas de tal forma que os elétrons e buracos ficam espacialmente separados na estrutura, com isso, pretendemos manipular a distribuição espacial da função de onda e o tempo de vida dos portadores. Devido à forte localização espacial dos portadores em sistemas como pontos quânticos favorece a supressão dos mecanismos eficientes de relaxação de spin relacionados com o movimento, aumentando o seu tempo de vida de spin, assim outros mecanismos menos eficientes, tais como interação portador-núcleo, tornam-se importantes. Nesse caso, é essencial que a escala de tempo de vida dos portadores seja da ordem de grandeza ou mais longo para investigar a dinâmica de spin por técnicas ópticas. Outra nanoestrutura do nosso interesse é o nanofio de compostos III-V. Esses nanofios apresentam fases cristalinas que não tem sido observada na forma ?bulk? que, no geral, estão na fase cúbica. Os nanofios crescidos por método VLS (vapor-liquid-solid) de compostos III-V têm sido observados na fase wrutzita e suas propriedades ópticas são pouco conhecidas. Além disso, a coexistência das duas fases, cúbicas e hexagonais, forma poços quânticos devido à diferença da energia do gap entre as duas fases, confinando assim portadores ao longo do nanofio. Esse efeito altera as propriedades ópticas e de spin em nanofios e serão os assuntos tratados neste projeto..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2009 - 2012
CAPES - Procad- Processo: 126/2007 : ? propriedades ópticas de materiais avançados?
Descrição: Estudo de propriedades ópticas de diversos materiais semicondutores envolvendo o nosso grupo e o grupo da Universidade Federal do Paraná. Valor: R$ 38.419,50.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / M. J. S. P. Brasil - Coordenador / E. Ribeiro - Integrante / Silveira, E. - Integrante.Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
2009 - 2011
Universao cnpq Proc. no. 478638/2009-4:
Descrição: Estudo de propriedades ópticas de nanosistemas semicondutores através das técnica de medidas como espalhamento micrao-Raman e micro-fotoluminescência. Os materiais investigados são: nanofios de compostos III-V, pontos quânticos de InP/GaAs, nanotubos de carbono, semicondutores-magnéticos, etc. Auxílio concedido: R$ 32.550,00..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 13 / Número de orientações: 3
2008 - 2010
Auxilio Individual da Fapesp Proc. no. 2007/58375-9:
Descrição: Trata-se de projeto de investigação de propriedades ópticas de heteroestruturas de semicondutores baseados em pontos quanticos de InP e nanofios de compostos III-V. Auxílio concedido: Nacional - US$ 43.700,00 e Importado - US$ 116.587,07..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 23 / Número de orientações: 3
2007 - 2009
Projeto de cooperação internacional CAPES/DGU-Espanha: ?Propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores?
Descrição: Projeto de cooperação internacional entre o nosso grupo e o grupo da Universidade de Valencia cuja finalidade é investigar propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores. Valor: R$ 112.000,00 no período de Fevereiro de 2007 a Janeiro de 2009 Valor: R$ 71.176,76 no período de Fevereiro de 2009 a Janeiro de 2011.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador / M. J. S. P. Brasil - Integrante.Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 14
2007 - 2008
CNPq - Multiusuário - Processo no. 410680/2006-0: ?Análise de nanoestruturas semicondutoras por espectroscopia óptica no infra-vermelho proximo"
Descrição: Melhoria no sistema de medidas opticas na faixa de infra-vermelho próximo, região de emissão óptica da maioria dos materiais investigados no grupo, tais como, compostos III-V. Valor: R$ 244.700,00.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / M. J. S. P. Brasil - Coordenador / E. Ribeiro - Integrante / G. Medeiros-Ribeiro - Integrante / Yara G. Gobato - Integrante / Silveira, E. - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2002 - 2007
Projeto temático da Fapesp - Proc. no. 01/01067-4: "Estudo de Sistemas de Baixa Dimensionalidade "
Descrição: Este Projeto tem como objetivo desenvolver pesquisas fundamentais de fronteira na área de sistemas de baixa dimensionalidade, nanoestruturas em geral, com ênfase em sistemas semicondutores. A maioria dos trabalhos seguem as linhas de pesquisa já em desenvolvimento pela Equipe. Entretanto, há um esforço na direção de diversificar, visando principalmente novos materiais nanoestruturados procurando uma pesquisa mais multidisciplinar. A estratégia de trabalho segue enfatizando a interação xperimental-teórico. Além disso, procuramos também fortalecer as colaborações nacionais e internacionais. O projeto concentra seus esforços em seis aspectos fortemente interrelacionados da física de semicondutores e nanoestruturas em geral: - Dinâmica de portadores; - Efeitos estruturais; - Sistemas correlacionados (efeitos de muitos corpos); - Propriedades de transporte; - Propriedades opticas em regime de acoplamento intenso; - Novos materiais. Auxílio concedido: US$ 300.000,00.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (4) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / J. A. Brum - Coordenador / F. Cerdeira - Integrante / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / E. A. Meneses - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 40 / Número de orientações: 4
1996 - 1998
Projeto Temático da Fapesp - Proc. no. 95/4673-0: "Estudo de Heteroestrutura de Semicondutores "
Descrição: O projeto centra sua atenção em quatro aspectos fortemente intercorrelacionados da física de heteroestruturas de semicondutores: - Correlação eletrônica ou efeitos de muitos corpos; - dinâmica de portadores e excitons - evolução temporal dos estados excitados; - interação campo eletromagnético com o estado fundamental e excitações elementares dos semicondutores e heteroestruturas; - efeitos de rugosidades de interfaces em heteroestruturas. Auxílio concedido: US$ 294.700,00.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (6) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / J A Brum - Coordenador / F. Cerdeira - Integrante / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / E. A. Meneses - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 13 / Número de orientações: 3
1993 - 1995
Projeto Temático da Fapesp - Proc. no. 93/0915-3: " Heteroestrutura de Semicondutores"
Descrição: O objetivo do projeto é desenvolver pesquisa fundamental e de fronteira na área de novos materiais semicondutores, em partiuclar as heteroestruturas de semicondutores. Procuramos convergir o trabalho experimental e teórico, trabalhando estreitamente ligado aos grupos de crescimento de semicondutores, na Unicamp e fora desta. Os trabalhos específicos são: - estudo de interfaces de heteroestruturas de semcondutores; - efeitos de muitos corpos; - ressonância de Fano entre estados excitônicos; - estudo de superredes de Si/Ge - estudo de propriedades de transporte. Auxílio concedido: Nacional - US$37.000,00 e Importado - US$205.000,00..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (9) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (7) .
Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / P. Motisuke - Integrante / J. A. Brum - Integrante / F. Cerdeira - Coordenador / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / A. A. Bernussi - Integrante / E. A. Meneses - Integrante / V L Crivelenti - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 9


Revisor de periódico


1994 - Atual
Periódico: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
1997 - Atual
Periódico: Physical Review Letters
1996 - Atual
Periódico: Journal of Applied Physics
1994 - Atual
Periódico: Solid State Communications
2007 - Atual
Periódico: Journal of Physics. D, Applied Physics
2007 - Atual
Periódico: Materials Research Bulletin
2008 - Atual
Periódico: Nanotechnology (Bristol)
2007 - Atual
Periódico: Journal of Nanoscience and Nanotechnology


Revisor de projeto de fomento


1993 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
1992 - Atual
Agência de fomento: Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas.


Idiomas


Alemão
Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Inglês
Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Japonês
Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:86
Total de citações:664
Fator H:16
Iikawa, Fernando  Data: 28/07/2015

SCOPUS

Outras
Total de trabalhos:76
Total de citações:998
F Iikawa, Iikawa, F  Data: 22/11/2016

Artigos completos publicados em periódicos

1.
ARDITO, F. M.2018ARDITO, F. M. ; MENDES-DE-SÁ, T. G. ; CADORE, A. R. ; Gomes, P. F. ; MAFRA, D. L. ; BARCELOS, I. D. ; LACERDA, R. G. ; Iikawa, F. ; GRANADO, E. . Damping of Landau levels in neutral graphene at low magnetic fields: A phonon Raman scattering study. PHYSICAL REVIEW B, v. 97, p. 035419, 2018.

2.
ERMAKOV, VIKTOR A.2018ERMAKOV, VIKTOR A. ; SILVA FILHO, JOSÉ MARIA CLEMENTE DA ; BONATO, LUIZ GUSTAVO ; MOGILI, NAGA VISHNU VARDHAN ; MONTORO, FABIANO EMMANUEL ; IIKAWA, FERNANDO ; NOGUEIRA, ANA FLAVIA ; CESAR, CARLOS LENZ ; JIMÉNEZ-VILLAR, ERNESTO ; MARQUES, FRANCISCO CHAGAS . Three-Dimensional Superlattice of PbS Quantum Dots in Flakes. ACS Omega, v. 3, p. 2027-2032, 2018.

3.
O. GORDO, VANESSA2018O. GORDO, VANESSA ; BALANTA, MIGUEL ANGEL GONZALES ; GALVÃO GOBATO, YARA ; S. COVRE, FELIPE ; V.A.GALETI, HELDER ; IIKAWA, FERNANDO ; COUTO JR., ODILON D. D. ; QU, FANYAO ; HENINI, MOHAMED ; HEWAK, DAN ; HUANG, CHUNG-CHE . Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in Van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. Nanoscale, v. 10, p. 4807, 2018.

4.
ERMAKOV, VICTOR A.2017ERMAKOV, VICTOR A. ; JIMENEZ-VILLAR, ERNESTO ; SILVA FILHO, JOSÉ MARIA CLEMENTE DA ; YASSITEPE, EMRE ; MOGILI, NAGA VISHNU VARDHAN ; IIKAWA, FERNANDO ; DE SÁ, GILBERTO FERNANDES ; CESAR, CARLOS LENZ ; MARQUES, FRANCISCO CHAGAS . Size Control of Silver-Core/Silica-Shell Nanoparticles Fabricated by Laser-Ablation-Assisted Chemical Reduction. LANGMUIR, v. 33, p. 2257-2262, 2017.

5.
DA SILVA, SAIMON FILIPE COVRE2017DA SILVA, SAIMON FILIPE COVRE ; MARDEGAN, THAYNÁ ; DE ARAÚJO, SIDNEI RAMIS ; RAMIREZ, CARLOS ALBERTO OSPINA ; KIRAVITTAYA, SUWIT ; COUTO, ODILON D. D. ; IIKAWA, FERNANDO ; DENEKE, CHRISTOPH . Fabrication and Optical Properties of Strain-free Self-assembled Mesoscopic GaAs Structures. NANOSCALE RESEARCH LETTERS (PRINT), v. 12, p. 1-14, 2017.

6.
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IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1996IIKAWA, F.; ABBADE, M. L. F. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; GUERRA, R. ; BORGHS, G. . Magneto-Optical Experiments Of Ingaas/Gaas/Algaas Modulation Doped Single Quantum Well. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Estados Unidos, v. 54, p. 11360-11364, 1996.

68.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1994IIKAWA, F.; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; SCHULZ, P. A. ; BERNUSSI, A. A. ; PEREIRA, R. G. ; OLIVEIRA, R. C. ; VAN, W. ; GRAAF, G. . "Optical Properties Of A Dense 2-D Electron Gas". Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 24, p. 224, 1994.

69.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1994IIKAWA, F.; BERNUSSI, A. A. ; SOARES, A. G. ; PLENTZ, F. O. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. . "Luminescence And Photomodulated Transmission Measurements In Ingaas/Gaas Modulation Doped Single Quantum Wells". Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 75, p. 1, 1994.

70.
TRALLERO-GINER, C.1993TRALLERO-GINER, C. ; IIKAWA, F. ; CARDONA, M. . Phonon Side-Bands In The Optical Emission Of Zincblend-Type Semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 48, p. 5187-5192, 1993.

71.
SACILOTTI, M. A.1992SACILOTTI, M. A. ; MOTISUKE, P. ; MONTEIL, Y. ; ABRAHAM, P. ; IIKAWA, F. ; MONTES, C. ; FURTADO, M. ; HORIUCHI, L. ; LANDERS, R. ; MORAES, J. ; CARDOSO, L. ; DECOBERT, J. ; WALDMAN, B. . Growth And Characterization Of Type-Ii/Type-I Algainas/Inp Interface. Journal of Crystal Growth, v. 124, p. 589-592, 1992.

72.
TRALLERO-GINER, C.1991TRALLERO-GINER, C. ; IIKAWA, F. ; CARDONA, M. . Multiphonon Resonant Raman Scattering In A Strong Magnetic Field. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 44, p. 12815-12821, 1991.

73.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1991IIKAWA, F.; TRALLERO-GINER, C. ; CARDONA, M. . Optical Emission Of Exciton-Phonon Quasiparticle. Solid State Communications, v. 79, p. 131-134, 1991.

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BERNUSSI, A. A.1991BERNUSSI, A. A. ; IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; BASMAJI, P. . Properties Of Algaas With An Alas Buffer Layer On Si Substrate Grown By Movpw. Journal of Crystal Growth, v. 108, p. 615-618, 1991.

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IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1991IIKAWA, F.; RUF, T. ; CARDONA, M. . Hot Luminescence And Landau Lever Fine Structure In Bulk Gaas. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 43, p. 4849-4855, 1991.

76.
BASMAJI, P.1990BASMAJI, P. ; CESCHIN, A. M. ; LIU, M. S. ; HIPOLITO, O. ; BERNUSSI, A. A. ; IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. . Mbe Grown And Characterization Of Deta-Doping In Gaas/Si. Surface Science, v. 228, p. 356-360, 1990.

77.
BERNUSSI, A. A.1990BERNUSSI, A. A. ; IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; BASMAJI, P. ; LIU, M. S. ; HIPOLITO, O. . Photoreflectance Measurements On Si-Doped Gaas Samples Grown By Molecular Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, p. 4149-4152, 1990.

78.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1989IIKAWA, F.; MOTISUKE, P. ; CERDEIRA, F. ; SACILOTTI, M A ; MASUT, R. A. ; ROTH, A. P. . Effects of thermal annealing on the confined electron states of InGaAs/GaAs strained layer superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 5, n.2, p. 273-278, 1989.

79.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1988IIKAWA, F.; CERDEIRA, F. ; LOPES, C. V. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. ; MASUT, R. A. . Optical studies in InGaAs/GaAs strained layer superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 38, n.12, p. 8473-8476, 1988.

80.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1988IIKAWA, F.; CERDEIRA, F. ; LOPES, C. V. ; SACILOTTI, M A ; ROTH, A. P. ; MASUT, R. A. . Raman scattering from InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Solid State Communications, v. 68, n.2, p. 211-214, 1988.

81.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1988IIKAWA, F.; MOTISUKE, P. ; BRUM, J. A. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. ; MASUT, R. A. . Thermal induced In/Ga interdiffusion in InGaAs/GaAs strained layer single quantum well grown by MOVPE. Journal of Crystal Growth, v. 93, p. 336-341, 1988.

82.
IIKAWA, F.;Iikawa, F.;Iikawa, F;F. Iikawa;IIKAWA, FERNANDO1984IIKAWA, F.; MUELLER, N. ; DECKER, F. ; ABRAMOVICH, M. ; MOTISUKE, P. . Electroluminescence of polycrystalline CdSe film phtoelectrodes: a sensitive probe for surface recombination. Journal of the Electrochemical Society, v. 131, p. 2204-2205, 1984.

Capítulos de livros publicados
1.
IIKAWA, F.. Interdiffusion In Strained Layer Inxga1-Xas/Gaas Heterostructures. In: E. Herbert Li. (Org.). Semiconductor Quantum Well Intermixing - Material Properties and Optoelectronic Applications. 1ed.Philadelphia, USA: Gordon and Breach Inc., 1997, v. 8, p. 131-161.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
LAZIC, S. ; COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; JAHN, U. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Single-photon sources on GaAs(311)A based on acoustic transport. In: International Symposium on Compound Semiconductors, 2010, Santa Barbara. 36th International Symposium on Compound Semiconductors, 2010.

2.
Segura-Ruiz, J. ; Garro, N. ; Cantarero, A. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; Denker, C. ; Malindretos, J. ; Rizzi, A. . Optical properties of InN nanocolumns: Electron accumulation at InN non-polar surfaces and dependence on the growth conditions. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2009, Montreux. Phys. Status Solidi C. p. 1-4.

3.
COUTO JR, O D D ; RUDOLPH, J. ; IIKAWA, F. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Spin?orbit dependence on carrier momentum in (1 1 0) GaAs quantum wells. In: 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2008, Genova. Physica E, 2007. v. 40. p. 1797-1799.

4.
COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; HUDOLPH, J ; HEY, R ; PLOOG, K H ; SANTOS, P.v. . Long range spin transport in (110) GaAs quantum wells. In: 28th. Internacional Conference on Physics of Semiconductors, 2006, Viena, 2006.

5.
SUELA, J ; RIBEIRO, I R B ; FERREIRA, S O ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; MOTISUKE, P. ; FONTES, G N . Structural characterization of CdTe quantum dots grown on Si(111). In: 28th. Internacional Conference on Physics of Semiconductors, 2006, Viena, 2006.

6.
GOMES, P F ; GOODOY, M P F ; VELOSO, A B ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A ; MADUREIRA, J R . Exciton Binding Energy in type II Quantum Dots. In: International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices, 2006, Istanbul. International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices, 2006.

7.
COUTO JR, O D D ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; GILES, C M ; MAGALHÃESPANIAGO, R ; SANTOS, P.v. ; DAWERITZ, L. ; DANILOV, Y . Investigation of Semiconductor/magnetic hybrid structures. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. Proceedings of the 11th Brazilian workshop on Semiconductor Physics, 2003.

8.
GOMES, P F ; GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; LAMAS, T e ; QUIVY, A A . Heavy and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. Proceedings of the 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.

9.
DEGANI, M A ; MAIALLE, M Z ; NAKAEMA, M.k.k. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. . Electric field modulation of quantum dot optical transitions. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. Proceedings of the 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.

10.
GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; RIBEIRO, E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; CARVALHO JR, W. . InAs/InP quantum dots: the transition from typeI to type-II interfaces.. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. Proceedings of the 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003.

11.
IIKAWA, F.; GODOY, M.p.f. ; GOODOY, M P F ; NAKAEMA, M. K.k. ; BRASIL, M.j.s.p. ; MAIALLE, M. Z. ; DEGANI, M A ; RIBEIRO, E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; CARVALHO JR, W. ; BRUM, J.a. . Optical properties of type I and II quantum dots. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. Brasilian Journal of Physics, 2003. v. 34. p. 555.

12.
IIKAWA, F.; KNOBEL, M ; SANTOS, P.v. ; BRASIL, M.j.s.p. ; GILES, C M ; MAGALHÃESPANIAGO, R ; DAWERITZ, L. . Apparent split between magnetic and structural phase transitions in epitaxial MnAs films.. In: Internationsl Conference on Magnetism, 2003, Roma. Proceedings of the International Conference on Magnetism, 2003.

13.
GODOY, M P F ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M.j.s.p. ; COTTA, M A ; BORTOLETO, J R R ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. . Magneto-optics from type-II single quantum dots. In: 8th. International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2003, Lecce. Phys. Status Solids, 2003. v. 1. p. 543-546.

14.
GOMES, P F ; GODOY, M P F ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; LAMAS, T e ; QUIVY, A A ; BRUM, J A . Valence band anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In: 8th. International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2003, Lecce. Phys. Stat. Sol., 2003. v. 1. p. 547-550.

15.
IIKAWA, F.; KNOBEL, M ; SANTOS, P.v. ; ADRIANO, C ; COUTO JR, O D D ; BRASIL, M.j.s.p. ; GILES, C ; MAGALHÃESPANIAGO, R ; DAWERITZ, L. . Apparent split between magnetic and structural phase transitions in epitaxial MnAs films. In: International Conference on Magnetism, 2003, Roma. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2003. v. 272. p. 1154-1156.

16.
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17.
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18.
IIKAWA, F.; SANTOS, P.v. ; KASTNER, M. ; SCHIPPAN, F. ; DAWERITZ, L. . Elasto and magneto-optica properties of epitaxial MnAs/GaAs Heterostructures. In: 26th International Conference on Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgh. 26th International Conference on Physics of Semiconductors, 2002.

19.
IIKAWA, F.; DEGANI, M A ; MAIALLE, M. Z. ; NAKAEMA, M. K.k. ; BRASIL, M. J. S. P. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. . Electron-hole spatial alignment and energy shift in InGaAs/GaAs quantum dots.. In: 26th International Conference on Physics of Semiconductors, 2002, Edinburg. Proceedings of the International Conference on Physics of Semiconductors, 2002.

20.
IIKAWA, F.; NAKAEMA, M. K.k. ; BRASIL, M.j.s.p. ; RIBEIRO, E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; PETROFF, P.m. ; HEINZEL, T. ; ENSSLIN, K. ; BRUM, J.a. . Micro-photoluminescence of self-assembled quantum-dots in the presence of an electron gas. In: 14th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 2001, Praga. Physica E, 2001.

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IIKAWA, F.; PAULA, H. A. ; RIBEIRO, E. ; BRUM, J. A. ; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . Enhancement of Fermi energy optical emission induced by the band structure in strained layer InGaAs/InP quantum wells. In: 25th International Conference on Physics of Semiconductors, 2000, Osaka, 2000.

22.
IIKAWA, F.; URDANIVIA, J. ; BRUM, J. A. ; MAIALLE, M. Z. ; HAWRYLAK, P. ; WASILEWSKI, Z. . Screening effects on the spin-splitting in n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells. In: 13th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 1999, Ottawa. Physica E, 1999.

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UDANIVIA, J. ; RASNIK, I. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; MAIALLE, M. Z. ; HAWRYLAK, P. ; WASILEWSKI, Z. . Carrier-Spin Polarization In N-Type GaAs/AlGaAs Quantum Wells. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1998, Jerusalem. Anais de Conferência. Jerusalem, Israel, 1998.

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28.
IIKAWA, F.; RUF, T. ; CARDONA, M. . Landau Level Fine Structure And Hot Luminescence Of Gaas In A Magnetic Field. In: 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1990, Thessaloniki. PROCEEDING OF 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS. THESSALONIKI - GRECIA: World Scientific, 1990. v. 3. p. 2013-2016.

29.
IIKAWA, F.; RUF, T. ; PHILLIPS, R. ; CARDONA, M. . Resonant Raman Scattering In High Magnetic Field. In: PROC. OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE APPLICATION OF HIGH MAGNETIC FIELD IN SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1990, Wuezburg. High Magnetic Fields in Semiconductor Physics III. WURZBURG - BERLIM - ALEMANHA: Springer-Verlag, 1990. v. 1. p. 541-544.

30.
IIKAWA, F.; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. . Effects of thermal annealing on InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1989, Belo Horizonate, 1989.

31.
IIKAWA, F.; BERNUSSI, A. A. ; MOTISUKE, P. ; BASMAJI, P. ; CESCHIN, A. M. ; LIU, M. S. ; HIPOLITO, O. . MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1989, Belo Horizonte, 1989.

32.
IIKAWA, F.; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; MASUT, R. A. ; ROTH, A. P. . Band Offset for the InxGa1-xAs/GaAs system obtained from optical experiments in strained superlattices. In: 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1988, Warsaw, 1988.

33.
IIKAWA, F.; MOTISUKE, P. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; PEREIRA NETO, J. R. . On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization strectrum of Fe2+ in InP. In: 14th International Conference on Defects in Semiconductors, 1986, Paris, 1986.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
E. H. Suarez ; Rappl P. H. O. ; MOTISUKE, P. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M.j.s.p. . Magnetic-field-tunable Pb-induced broad photoluminescence band in PbEuTe. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.

2.
VELOSO, A B ; NAKAEMA, M.k.k. ; GODOY, M P F ; LOPES, J M J ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A ; FICHTNER, P. F. P. ; MORSCHBACHER, M J . Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.

3.
GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; Larsson, M. ; Elfving A. ; Hansson, G. V. ; Holtz, P.-O. . Size dependent spatial direct and indirect transitions in Ge/Si QDs. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.

4.
MADUREIRA, J R ; GODOY, M P F ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. . Exciton states in type II quantum dots. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.

5.
Gazoto, A. L. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; Dorokhin, M. V. ; DANILOV, Yu. A. ; Vikhrova, O. V. ; Znonkov, B. N. ; Drozdov, N. Yu. ; Sapozhnikov, M. V. . Interaction between the carriers confined in a quantum well and nearby Mn ions probed by magneto-optics. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.

6.
VELOSO, A B ; NAKAEMA, M.k.k. ; GODOY, M P F ; LOPES, J M J ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M.j.s.p. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M. A. ; FICHTNER, P. F. P. ; MORSCHBACHER, M J . Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. In: 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2007, San Andres. 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2007.

7.
GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; Larsson, M. ; Elfving A. ; Hansson, G. V. ; Holtz, P.-O. . Size dependent spatial direct and indirect transitions in Ge/Si QDs. In: 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2007, San Andres. 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2007.

8.
GOODOY, M P F ; LOPES, J M J ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M A ; MORSCHBACHER, M J ; MADUREIRA, J R . Control of the exciton recombination time of type-II quantum dots coupled to a type-I quantum well. In: 28th. Internacional Conference on Physics of Semiconductors, 2006, Viena. Proceeding of 28th. Internacional Conference on Physics of Semiconductors, 2006.

9.
GODOY, M P F ; NAKAEMA, M. K.k. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; LOPES, J M J ; COTTA, M A . Structural and optical properties fo type-II InP self-assembled quantum dots. In: International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices, 2006, Istanbul. Proceeding of International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices, 2006.

10.
COELHO, L N ; MAGALHÃESPANIAGO, R ; VICENTIN, F. C. ; WESFAHL, H ; IIKAWA, F. ; DAWERITZ, L. ; SPEZZANI, C ; SACCHI, M . Magnetic orientation of MnAs/GaAs(001) by resonant X-ray scattering. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.

11.
GOMES, P F ; GODOY, M P F ; NAKAEMA, M. K.k. ; CAETANO, R. A. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. ; MARQUES, G E ; BITTENCOURT, A.c.r. . Carrier g-factor in type-II sef-assembled quantum dots. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.

12.
IIKAWA, F.; GUANG, Y. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Acoustic wave induced spin transport in (110) GaAs quantum wells. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.

13.
NAKAEMA, M. K.k. ; GODOY, M.p.f. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M.j.s.p. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A . Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.

14.
NAKAEMA, M. K.k. ; GOMES, P F ; GODOY, M.p.f. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; SACILOTTI, M A ; DACOBERT, J. ; PATRIARCHE, G. . Otical analysis of GaInP nano/micro-wires. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.

15.
IIKAWA, F.; GUANG, Y. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Long-range spin transport by acoustic fields in GaAs quantum wells. In: International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005, Tokyo. International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005.

16.
GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; CAETANO, R. A. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M. A. ; BITTENCOURT, A.c.r. ; MARQUES, G E . Exciton zeeman splitting in type-ii self-assembled quantum dots. In: 9th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2005, southompton. 9th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2005.

17.
GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. ; MARQUES, G E ; BITTENCOURT, A.c.r. . Wave function analysis of type-II self-assembled quantum dot structures using magneto-optics. In: International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices, 2004, Cancun. International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices, 2004.

18.
IIKAWA, F.; NAKAEMA, M. K.k. ; LUYO, S. J. ; BRASIL, M.j.s.p. ; RIBEIRO, E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; PETROFF, P.m. ; BRUM, J.a. . Micro-photoluminescence of self-assembled quantum-dots in the presence of an electron gas. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001.

19.
IIKAWA, F.; TUDURY, H. A. P. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GODOY, M.p.f. ; BRUM, J.a. ; RIBEIRO, E. ; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . Strain dependent optical emission line shape in n-type InGaAs/InP quantum wells. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001.

20.
IIKAWA, F.; URDANIVIA, J. ; RIBEIRO, E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; GOBBI, A. L. ; FURTADO, M. T. . Band engineering in InGaAs/InP strained-layer single quantum wells. In: 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte, 1999.

21.
IIKAWA, F.; URDANIVIA, J. ; TRIQUES, A. L. C. ; MAIALLE, M Z ; BRUM, J. A. ; GOBBI, A. L. ; BORGHS, G. . Optical spin spin-polarization in n-type modulation doped quantum well. In: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Águas de Lindóia, 1997.

22.
IIKAWA, F.; ABBADE, M. L. F. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; PEREIRA, R. G. ; BORGHS, G. . Resonant Magneto-Polaron Effects In Ingaas/Gaas/Algaas Modulation Doped Single Quantum Well. In: 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro, 1995.

23.
IIKAWA, F.; TROESTER, T. ; BORGHS, G. . Inelastic Light Scattering On A Modulation Doped Ingaas/Gaas Single Quantum Well. In: 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro, 1995.

24.
IIKAWA, F.; ABBADE, M. L. F. ; BERNUSSI, A. A. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; SCHULZ, P. A. ; PEREIRA, R. G. ; BORGHS, G. . New Features In Optical Emission Of A Dense 2d Electron Gas. In: 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1994, Banff, 1995.

25.
IIKAWA, F.; MARQUEZINI, M. V. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BERNUSSI, A. A. ; COTTA, M A ; BRUM, J. A. ; HAMM, R. A. ; CHU, S. N. G. ; HARRIOTT, L. R. ; TEMPKIN, H. . Evidence Of Lateral Confinement On Quantum Wells With Thichness Modulation. In: 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1994, Banf, 1995.

26.
IIKAWA, F.; MARQUEZINI, M. V. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; BERNUSSI, A. A. ; HAMM, R. A. ; CHU, S. N. G. ; HARRIOTT, L. R. ; TEMPKIM, H. . Spacial Localization Of Excitons In Quantum Wells With Thickness Variation. In: 36th Electronic Materials Conference, 1994, Boulder, 1994.

27.
IIKAWA, F.; TRALLERO-GINER, C. ; CARDONA, M. . Multiphono Resonant Raman Scattering In A Magnetic Field. In: PROC. 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY, 1992, Wuezburg. WURZBURG - BERLIM - ALEMANHA, 1992. p. 0-0.

28.
IIKAWA, F.; BERNUSSI, A. A. ; MOTISUKE, P. ; BASMAJI, P. ; LIU, M. A. ; HIPÓLITO, O. . Photoreflectance Characterization Of Silicon Delta Doped P-GaAs. In: PROCEEDING OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON MODULATION SPECTROSCOPY, 1990, San Diego. SAN DIEGO - CALIFORNIA - USA, 1990. p. 0-0.

Apresentações de Trabalho
1.
SANTOS, G. E. ; BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; COUTO JR, O D D ; LIANG, B. L. ; HUFFAKER, D. L. ; Iikawa, F. . Wave-function engineering in type-II quantum dot/quantum well hybrid structures. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

2.
RAPPL, P. ; MOTISUKE, P. ; Odilon D. D. Couto Jr. ; LANG, R. ; MOLLER, M. ; BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. . Near-Gap Magneto-Optical Sharp Lines from PbEuTe Alloys. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

3.
Iikawa, F.; Alberto Hernández-Mínguez ; RAMSTEINER, M. ; SANTOS, P. V. . Optical Phonon Modulation by Surface Acoustic Waves. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

4.
MOLLER, M. ; OLIVEIRA, D. S. ; MOLINA-SANCHES, A. ; LIMA JR., M. M. ; CANTARERO, A. ; GADRET, E. G. ; COTTA, M A ; Iikawa, F. ; MOTISUKE, P. . Surface Effects on Optical Properties of InAs/InP Core/Shell Nanowires. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

5.
BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; MENDES, UDSON C. ; BRUM, J A ; DANILOV, Yu. A. ; DOROKHIN, M. V. ; VIKHROVA, O. ; ZVONKOV, B. . Electronic Coupling Between InGaAs Quantum Wells & Mn-delta Doping Layers. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

6.
Alberto Hernández-Mínguez ; de Oliveira Junior, Myriano Henriques ; IIKAWA, F. ; TAHRAOUI, A. ; LOPES, J M J ; SANTOS, P. V. . Electrically Excited Surface Acoustic Waves on Gated Graphene on SiC. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

7.
Jose Roberto Mialichi ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; Verissimo, Carla ; SAVU, R. ; Moshkalev, Stanislav A. . Effect of laser heating on carbon nanotube bundles probed by Raman scattering. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

8.
Möller, M ; de Lima Jr, M M ; Cantarero, A. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Iikawa, F. . Optical Properties of Wurtzite InAs Nanowires. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

9.
Heredia, E. ; MOTISUKE, P. ; RAPPL, P. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Iikawa, F. . High energy optical emission side band in EuTe epitaxial layer. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

10.
BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; BRUM, J. A. ; MENDES, U C ; DANILOV, YU A ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. . Optical investigation of the Mn impurity band in Mn:GaAs structures. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

11.
Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; Chiaramonte, T ; COTTA, M. A. ; Möller, M ; de Lima, M. M. ; Cantarero, A. ; Madureira, J. R. . Resonant Raman scattering of wurtzite InP nanowires enhanced by catalyst Au nanoparticles. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

12.
Baganha, C. C. ; RIBEIRO, E. ; Edilson Silveira ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRASIL, M.j.s.p. ; IIKAWA, F. ; Sias, U. S. ; Moreira, E. C. . Temperature dependence of the light emission of Si nanocrystals embedded in SiO2. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

13.
SUAREZ, E. A. ; MOTISUKE, P. ; RAPPL, P. H. O. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; Beatriz Diaz ; Angelo Malachias . MBE-Growth and characterization of EuTe thin films and quantum dots. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

14.
Gadret, E. G. ; Guilherme Osvaldo Dias ; Ruffo, C. V. R. S. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Thallita Chiaramonte ; COTTA, M. A. ; de Lima Jr, M M ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. . Wurtzite InP Nanowires: Photoluminescence spectroscopy and ab-initio calculations. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

15.
Möller, M. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. ; IIKAWA, F. ; Thallita Chiaramonte ; COTTA, M. A. ; MADUREIRA, J R . Polarized and resonant Raman scattering on single InAs nanowires. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

16.
Jose Roberto Mialichi ; Angela M. O. de Zevallos-Márquez ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; Alireza Abbaspourrad ; Verissimo, Carla ; Moshkalev, Stanislav A. ; Alves, Oswaldo L. . Raman investigation of single and multi-walled carbon nanotubes decorated with TiO2 nanoparticles. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

17.
B. H. B. Santos ; RIBEIRO, E. ; COTTA, M. A. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Cantarero, A. . Optical properties of nanostructures with three-dimensional arrangement. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

18.
J. L. González-Arango ; Lang, R ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; Heredia, E. . Carrier dynamics in type II stacked quantum dots and quantum posts. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

19.
BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F ; MENDES, U C ; BRUM, J.a. ; DANILOV, YU A ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; ZVONKOV, B N . EFFECT OF MN IONS ON THE SPIN DYNAMICS OF CONFINED EXCITONS. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

20.
Möller, M ; de Lima, M. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Iikawa, F. ; Cantarero, A. . EXCITONIC RECOMBINATION IN WURTZITE INAS NANOWIRES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

21.
Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; Brasil, M J S P ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Dacal, L. C. O. ; de Lima, M. M. ; Cantarero, A. . VALENCE BAND POLARIZATION OF WURTZITE INP NANOWIRES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

22.
ARANGO, J. L. G. ; Lang, R ; Heredia, E. ; Tizei, L. ; Iikawa, F. ; Brasil, M J S P ; COTTA, M. A. ; Ugarte, D . SPATIAL CARRIER DISTRIBUTION IN TYPE-II MULTILAYER QUANTUM DOT STRUCTURES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

23.
Balanta, M. A. G. ; Lang, R ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; MAIALLE, M. Z. ; DANILOV, Yu. A. ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. . Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells with delta-Mn-doped barriers. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

24.
Iikawa, F.; DONCHEV, V. ; IVANOV, Ts. ; Dias, G O ; Tizei, L. H. G. ; GOMES, P F ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; UGARTE, D. ; Martinez Pastor, J. P. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. . Spatial carrier distribution in type II quantum dots and quantum posts. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

25.
Gadret, E. G. ; Ruffo, C. V. R. S. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. . Valence band splitting in Wurtzite InP nanowires. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

26.
Möller, M ; Dacal, L. C. O. ; de LIma Jr., M. M. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Cantarero, A. . E1 gap of wurtzite InAs single nanowires measured by means of resonant Raman spectroscopy. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

27.
Baganha, C. C. ; RIBEIRO, E. ; Edilson Silveira ; BRASIL, M. J. S. P. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; Sias, U. S. ; Moreira, E. C. . On the nature of the light emission of Si nanoparticles embedded in SiO2. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

28.
Teodoro M. D. ; Campo Jr. V. L. ; Lopez-Richard V. ; Marega Jr. E. ; Marques G. E. ; Gobato Y. G. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Y. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J. . Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

29.
LAZIC, S. ; COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; STOTZ, J. ; JAHN, U. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Acoustically-driven single photon sources on (311)A GaAs. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

30.
de Godoy, M. P. F. ; Chitta, V. A. ; Ortiz de Zevallos, A. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; da Costa, G. M> ; Sabioni, A. C. S. ; de Carvalho, H. B. . Absence of Magnetic Ordering in High Quality Bulk Co-doped ZnO. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

31.
Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Tizei, L. H. G. ; UGARTE, D. ; de LIma Jr., M. M. ; Dacal, L. C. O. ; Cantarero, A. . Optical emission from the A- and B-valence band from wurtzite InP nanowires. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

32.
Gazoto, A. L. ; Balanta, M. A. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; RIBEIRO, E. ; DANILOV, Yu. A. ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. ; Drozdov, N. Yu. ; Sapozhnikov, M. V. . Effect of Mn Ions on the Spin-Relaxation Time of Electrons. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

33.
LAZIC, S. ; COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; JAHN, U. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Single-photon sources on GaAs(311)A based on acoustic transport. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
Zanatta, Antonio Ricardo; IIKAWA, F.. Participação em banca de Ivan Braga Gallo. Estudo espectroscopico de filmes de SiFe. 2010. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

2.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Ana Lucia Ferreira. Propriedades vibracionais de polissacarideos naturais. 2008. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

3.
IIKAWA, F.; MOTISUKE, P.; Rappl P. H. O.. Participação em banca de Emilio Heredia Suárez. Propriedades magneto-ópticas de PbxEu1-xTe, com 0

4.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Wellington Akira Iwamoto. Estudos das propriedades magnéticas em filmes finos de GaAs dopado com Mn e Zn1-xCo¬x¬O. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

5.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Marcelo Jacob da Silva. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs na região de 1,3 a 1,5 microns. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Teses de doutorado
1.
Iikawa, F.. Participação em banca de César Chiesorin Baganha. Fabricação e caracterização de nanopartículas de Si: Considerações sobre sua emissão luminoso. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

2.
Iikawa, F.; Zanatta, Antonio Ricardo. Participação em banca de 55. Ivan Braga Gallo. Microcavidade óptica à base de silício: projeto, confecção e propriedades. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

3.
UGARTE, D.; IIKAWA, F.. Participação em banca de Luiz Henrique Galvão Tizei. Homogeneidade química, interfaces e distorções estruturais em nanofios semicondutores III-V. 2011. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

4.
Sosman, L. P.; IIKAWA, F.. Participação em banca de 49. Sandra da Silva Pedro. Propriedades ópticas, magnéticas e estruturais de monocristais Cs2NaAlF6 dopados com cromo trivalente. 2011. Tese (Doutorado em Física) - Universidade do Estado do Rio de Janeiro.

5.
UGARTE, D.; IIKAWA, F.. Participação em banca de Maureen Joel Paredes. Efeitos estruturais na condutância quântica e na deformação mecânica de nanofios metálicos. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

6.
Francisco das Chagas Marques; IIKAWA, F.. Participação em banca de Myriano Henriques de Oliveira Junior. Propriedades ópticas , mecânicas e estruturais de filmes de carbono amorfo. 2009. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

7.
COTTA, M. A.; IIKAWA, F.. Participação em banca de Klaus Orian Vicaro. Caracerização elétrica de nanoestruturas semicondutoras. 2008. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

8.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Ivan Ramos Pagnossin. Pontos quânticos: fotodetetores, locaização fraca e estudos de borda contra-rotativos. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

9.
IIKAWA, F.; MATINAGA, F.. Participação em banca de Eduardo Adriano Cotta. Bi-estabilidade optica & condensacao de Bose-Eintein de polaritons. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais.

10.
IIKAWA, F.; Daniel Ugarte. Participação em banca de Denise Basso Kobayashi. Nanomanipulação e caracterização de nano-objetos individuais por experimentos in situ de microscoia eletrônica. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

11.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Ângela Maria Ortiz de Zevallos Márquez. Estudo de poços parabólicos largos de AlGaAs em campos magnéticos altos. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física - Departamento de Física dos Materiais e Mecânica) - Universidade de São Paulo.

12.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Juan Carlos Medina Pantoja. Magneto-transporte no limite quântico em grafite e bismuto. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

13.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Alí Francisco García Flores. Acoplamento de spin-fônon em sistemas magneticamente frustados. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

14.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Jorge Augusto Leon Eras. Deposição controlada e caracterização das propriedades elétricas em nanotubos de carbono. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

15.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Dari de Oliveira Toginho Filho. Caracterização elétricas e ópticas de espelhos de Bragg do sistema AlGaAsSb/AlAsSb sobre InP. 2006. Tese (Doutorado em Doutorado em F'isica) - Universidade Estadual de Londrina.

16.
IIKAWA, F.. Participação em banca de David Gregório Pacheco Salazar. Crescimento e caracaterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

17.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Daniela de Andrade Manoel. Lasers de semicondutores de baixo ruído para espectroscopia atômica na região azul do espectro. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

18.
IIKAWA, F.. Participação em banca de Cássio Sanguini Sergio. Transporte quântico em poços quânticos largos. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
F. Iikawa. professor assistente doutor. 2012. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
15th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures. Wave-function engineering in type-II quantum dot/quantum well hybrid structures. 2014. (Congresso).

2.
31st Internacional Conference on the Physics of Semiconductors. Optical Properties of Wurtzite InAs Nanowires. 2012. (Congresso).

3.
12th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems. VALENCE BAND POLARIZATION OF WURTZITE INP NANOWIRES. 2011. (Congresso).

4.
15th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Polarized and resonant Raman scattering on single InAs nanowires. 2011. (Congresso).

5.
30th Internacional Conference on the Physics of Semiconductors. Spatial carrier distribution in type II quantum dots and quantum posts. 2010. (Congresso).

6.
14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Long optical emission time of InP quantum dots. 2009. (Congresso).

7.
26. 29th Internacional Conference on the Physics of Semiconductors. Large optical emission blue shift in Ge/Si quantum dots under external biaxial strain. 2008. (Congresso).

8.
13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. 2007. (Congresso).

9.
13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Magnetic-field-tunable Pb-induced broad photoluminescence band in PbEuTe. 2007. (Congresso).

10.
13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Size dependent spatial direct and indirect transitions in Ge/Si QDs. 2007. (Congresso).

11.
13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Exciton states in type II quantum dots. 2007. (Congresso).

12.
13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Interaction between the carriers confined in a quantum well and nearby Mn ions probed by magneto-optics. 2007. (Congresso).

13.
6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. 2007. (Congresso).

14.
6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Size dependent spatial direct and indirect transitions in Ge/Si QDs. 2007. (Congresso).

15.
International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices. Structural and optical properties fo type-II InP self-assembled quantum dots. 2006. (Congresso).

16.
International Conference on Superlattices, nano-structures and nano-devices. Exciton Binding Energy in type II Quantum Dots. 2006. (Congresso).

17.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Acoustic wave induced spin transport in (110) GaAs quantum wells. 2005. (Congresso).

18.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Carrier g-factor in type-II sef-assembled quantum dots. 2005. (Congresso).

19.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots. 2005. (Congresso).

20.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Magnetic orientation of MnAs/GaAs(001) by resonant X-ray scattering. 2005. (Congresso).

21.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Otical analysis of GaInP nano/micro-wires. 2005. (Congresso).

22.
9th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems. Exciton zeeman splitting in type-ii self-assembled quantum dots. 2005. (Congresso).

23.
Workshop in Semiconductor Spintronic - III Encontro de Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Hybrid structures of GaAs and MnAs epitaxial films and nano-structures. 2004. (Congresso).

24.
11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2003. (Congresso).

25.
8th. International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems. Magneto-optics from type-II single quantum dots. 2003. (Congresso).

26.
8th. International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems. Valence band anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003. (Congresso).

27.
XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2003. (Encontro).

28.
XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2002. (Encontro).

29.
10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2001. (Congresso).

30.
14th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. 14th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. 2001. (Congresso).

31.
XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2000. (Encontro).

32.
13th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. 13th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. 1999. (Congresso).

33.
9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1999. (Congresso).

34.
XXI Encontro Nacioanl de Física da Matéria Condensada.XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1998. (Encontro).

35.
8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1997. (Congresso).

36.
12th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductors. 12th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductors. 1996. (Congresso).

37.
8th International Conference on the Superlattices, Microstructures and Microdevices. 8th International Conference on the Superlattices, Microstrucutres and Microdevices. 1996. (Congresso).

38.
XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1996. (Encontro).

39.
7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1995. (Congresso).

40.
Theoretical and Experimental Workshop on the Physics of Semiconductor. Theoretical and Experimental Workshop on the Physics of Semiconductor Microstructures. 1995. (Congresso).

41.
11th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductors. 11th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductors. 1994. (Congresso).

42.
XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1994. (Encontro).

43.
VI Brazilian School on Semiconductor Physics. VI Brazilian School on Semiconductor Physics. 1993. (Congresso).

44.
XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1992. (Encontro).

45.
20th International Conference on Physcis of Semiconductors. 20th International Conference on Physics of Semiconductors. 1990. (Congresso).

46.
9th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductor. 9th International Conference on Application of High Magnetic Fields in Semiconductors. 1990. (Congresso).

47.
IV Brazilian School on Semiconductor Physics. IV Brazilian School on Semiconductor Physics. 1989. (Congresso).

48.
XI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1988. (Encontro).

49.
I Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica.I Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. 1987. (Simpósio).

50.
II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1987. (Congresso).

51.
III Brazilian School on Semiconductor Physics. III Brazilian School on Semiconductor Physics. 1987. (Congresso).

52.
X Encontro Nacional de Física da matéria Condensada.X Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1987. (Encontro).

53.
II Brazilian School on Semiconductor Physics. II Brazilian School on Semiconductor Physics. 1985. (Congresso).

54.
Encontro da Sociedade Brasileira de Progresso a Ciência.Encontro da Sociedade Brasileira de Progresso a Ciência. 1982. (Encontro).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Tese de doutorado
1.
Everton Geiger Gadret. Estudo de propriedades ópticas de nanofios semicondutores autosustentados. Início: 2009. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

2.
José Luis González Arango. Manipulação de distribuição de portadores em pontos quânticos tipo-II. Início: 2008. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Vladimir Roger Miranda La Hera. Heteroestruturas de nanofios de InAsP-InP na fase wurtzita. 2015. Dissertação (Mestrado em Instituto de Fisica "Gleb Wataghin") - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Iikawa.

2.
Tiago Illipronti Girardi. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs. 2012. Dissertação (Mestrado em Instituto de Fisica "Gleb Wataghin") - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Fernando Iikawa.

3.
Everton Geiger Gadret. Propriedades opticas de nanofios de InP. 2009. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Iikawa.

4.
Aline Bessa Veloso. Dinâmica de portadores em pontos quânticos tipo-II. 2007. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Iikawa.

5.
P F Gomes. Propriedades ópticas de poços quânticos na presença de pressão externa. 2004. 57 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Fernando Iikawa.

6.
Márcio Peron Franco de Godoy. Célula de pressão biaxial e aplicações em heteroestruturas de semicondutores. 2002. 60 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Fernando Iikawa.

7.
Heloisa Andrade de Paula Tudury. Gap direto-indireto de camadas tensionadas de InGaAs/InP. 2001. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Fernando Iikawa.

8.
Dari Toginho Oliveira Filho. Camada epitaxial de InP:Zn passivada com hidrogênio. 1998. 74 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Iikawa.

9.
Marcelo Luis Francisco Abbade. Propriedades Ópticas de Um Gás de Elétrons Bidimensional Em Semicondutores. 1996. 54 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Iikawa.

Tese de doutorado
1.
Fábio Machado Ardito. Landau level broadening mechanism in graphene: a Raman scattering study. 2015. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Fernando Iikawa.

2.
Paulo Freitas Gomes. Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo-II. 2009. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Fernando Iikawa.

3.
Márcio Peron Franco de Godoy. Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs. 2006. 95 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Iikawa.

4.
Jorge Luis Urdanivia Espinoza. Estudo de Relaxação de spin em poços quânticos de GaAs/AlGaAs. 1999. 81 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Iikawa.

Supervisão de pós-doutorado
1.
Myriano Henriques de Oliveira Jr.. 2014. Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Fernando Iikawa.

2.
Michael Möller. 2013. Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Fernando Iikawa.

3.
Rossano Lang Carvalho. Propriedades Ópticas e de spin de semicondutores nanoestruturados. 2011. Unicamp, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Fernando Iikawa.

4.
Guilherme Osvaldo Dias. 2010. Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Fernando Iikawa.

Iniciação científica
1.
Claudecir Ricardo Biazoli. Imagem espacial de magneto-luminescência - montagem e tratamento de dados. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Licenciatura em Fisica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Iikawa.

2.
Cláudio Vinicius Rodrigues da S. Ruffo. Espectroscopia de fotoluminescência de excitação na região visível e ultra-violeta. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Bacharelado Em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Unicamp. Orientador: Fernando Iikawa.

3.
Claudecir Ricardo Biazoli. Imagem de micro-fotoluminescëncia em nano-estruturas de semicondutores. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Bacharelado Em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Iikawa.




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