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Fernando Cerdeira

possui graduação em Física pela Universidad de Buenos Aires (1966) , doutorado em Física Phd Physics pela Brown University (1971) e pós-doutorado pela Max Planck Institut Fur Festkorperforschung (1974) . Atualmente é MS-6 (titular) da Universidade Estadual de Campinas, Consultor do Ministério da Educação e do Desporto e Consultor do Ministério da Educação e do Desporto. Tem experiência na área de Física , com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas: Fisica de semicondutores, Propriedades opticas de solidos, Física da materia Condensada.
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Última atualização do currículo em 07/11/2003
Endereço para acessar este CV:
http://lattes.cnpq.br/9137962776353338
Dados pessoais
NomeFernando Cerdeira
Nome em citações bibliográficasCERDEIRA, F.
SexoMasculino
Endereço profissionalUniversidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.
DFESCM/IFGW/UNICAMP
Cidade Universitária
13083-970 - Barão Geraldo, SP - Brasil - Caixa-Postal: 6165
Telefone: (19) 7882305 Fax: (19) 2392424

Formação acadêmica/Titulação
1971 - 1974Pós-Doutorado .
Max Planck Institut Fur Festkorperforschung, MPI, Alemanha.
Bolsista do(a): Max Planck Institut Fur Festkorperforschung ,MPI ,Alemanha .
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.
1967 - 1971Doutorado em Física Phd Physics .
Brown University, B.U.*, Estados Unidos.
Título: Effect of Deformations on the Electronic and Vibronic Properties of Zincblende and Diamond-type Semiconductors, Ano de Obtenção: 1972.
Orientador: Manuel Cardona.
Bolsista do(a): Brown University ,B.U.* ,Estados Unidos .
Palavras-chave: Fisica de semicondutores; Propriedades opticas de solidos; Física da materia Condensada.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Dinâmica da Rede e Estatística de Cristais.
Setores de atividade: Educação.
1961 - 1966Graduação em Física .
Universidad de Buenos Aires, U.B.A., Argentina.

Atuação profissional
Ministério da Educação e do Desporto, MEC, Brasil.
Vínculo institucional
1999 - Atual Vínculo: Membro de comissão de especial, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 0
Outras informações Membro de uma comissãode docentes Universitarios encarregada de elaborar as diretrizes para o "provão"da física do ano 2000.
Vínculo institucional
1998 - Atual Vínculo: Membro de comissão especializa, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 0
Outras informações Membro de uma comissão de tres docentes que redigiú as diretrizes curriculares para os cursos de Física, acompanha os processos de cadastramento de novos cursos e avalia cursos em funcionamento (SeSu-MEC).
Universitat de Valencia, UV, Espanha.
Vínculo institucional
1994 - 1994 Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Bolsista do Concejo Nacional de Investigacio, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
1/1994 - 2/1994Estágios , Facultad de Ciencias, Departamento de Fisica Aplicada.
Estágio realizado
Professor visitante.
Universidad Autonoma de Madrid, U.A.M., Espanha.
Vínculo institucional
1990 - 1991 Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Bolsista do Ministerio de Educacion y Ciencia, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
12/1990 - 2/1991Estágios , Facultad de Ciencias, Departamento C IV.
Estágio realizado
Professor convidado.
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Vínculo institucional
1987 - 1988 Vínculo: (membro do comite assessor), Enquadramento Funcional: BOLSISTA, Carga horária: 4
Atividades
01/1987 - 11/1988Pesquisa e desenvolvimento .
Linhas de pesquisa
MEMBRO DO CONSELHO ASSESSOR, AREA DE FISICA
At T Bell Laboratories, ATT, Estados Unidos.
Vínculo institucional
1984 - 1985 Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Scientific Consultant, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações Bolsista da Guggenheim Foundation e do proprio laboratorio
Atividades
1/1984 - 3/1985Estágios .
Estágio realizado
Pesquisador Convidado.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Vínculo institucional
1986 - Atual Vínculo: professor, Enquadramento Funcional: MS-6 (titular), Regime: Dedicação exclusiva.
Vínculo institucional
1978 - 1986 Vínculo: professor, Enquadramento Funcional: MS-5, Regime: Dedicação exclusiva.
Vínculo institucional
1974 - 1977 Vínculo: professor, Enquadramento Funcional: MS-4, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
3/1986 - AtualDireção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .
Cargo ou função
Membro de colegiado superior (congregção do IFGW).
1/1978 - AtualDireção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.
Cargo ou função
Membro de colegiado superior (conselho departamental).
8/1977 - AtualEnsino, Física, Nível: Pós-Graduação.
Disciplinas ministradas
FI -001 (Mcenica Quântica I-2do sem 1977 )
FI-100 (Mecánica Quântica II-1er sem 1978 e 2do sem 1979)
FI 020 (Física do Estado Sólido I:1er sem 1980)
FI 120 (Física do EstadoSólido II: 2do sem 1980)
FI 104 (Física da Matéria Condensada I: 1er sem 1986)
FI 163 (Física de Semicondutores I:1er sem de 1991e 1992)
FI 147 (propriedades Opticas de emicondutores: 2do sem 1991)
FI 205 (Tópicos de Física da Matéria Condensada: Heteroestruturas semicondutoras- 1er sem 1997)
FI 227 (Tópicos em Física Aplicada I: Física aplicada a problemas de biologia e medicina- 2do sem 1999)
3/1975 - AtualEnsino, Nível: Graduação.
Disciplinas ministradas
F-128 (Física Geral )
F-129 (Física geral experimental I)
F- 228 (Física Geral II)
F-229 (Física geral Experimental II)
F-318 (Física geral III)
F-329 (Física geral experimental III)
F- 428 (Física Geral IV)
F- 604 (Física Estatística)
F-888 (Física da Matéria Condensada)
9/1974 - AtualPesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.
Linhas de pesquisa
PESQUISA BASICA EXPERIMENTAL EM FISICA DA MATERIA // CONDENSADA. FISICA DOS SEMICONDUTORES. HETEROESTRUTURAS // PROPRIEDADES OPTICAS. ESTADOS ELECTRONICOS E // VIBRACIONAIS
7/1994 - 7/1998Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .
Cargo ou função
Coordenador de curso (Pósgraduação).
6/1993 - 7/1994Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .
Cargo ou função
Membro de comissão permanente (Pósgraduação).
7/1992 - 7/1993Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .
Cargo ou função
Membro de comissão permanente (avaliação docente-CCD).
03/1986 - 03/1988Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.
Cargo ou função
CHEFE DO DEPTO DE FISICA DO ESTADO SOLIDO E CIENCIA DOS MATERIAIS.
Max Planck Institut Fur Festkorperforschung, MPI, Alemanha.
Vínculo institucional
1971 - 1974 Vínculo: bolsista recém-doutor, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 0
Outras informações Estagio de Pósdoutoramento no perodo acima citado e pesquisador convidado em diversas oportunidades posteriores detalhadas no item estagios.
Atividades
12/1988 - 3/1989Estágios .
Estágio realizado
Pesquisador convidado.
8/1986 - 9/1986Estágios .
Estágio realizado
Pesquisador convidado.
9/1983 - 12/1983Estágios .
Estágio realizado
Pesquisador convidado.

Linhas de Pesquisa
1. MEMBRO DO CONSELHO ASSESSOR, AREA DE FISICA
2. PESQUISA BASICA EXPERIMENTAL EM FISICA DA MATERIA // CONDENSADA. FISICA DOS SEMICONDUTORES. HETEROESTRUTURAS // PROPRIEDADES OPTICAS. ESTADOS ELECTRONICOS E // VIBRACIONAIS

Áreas de atuação
1. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
2. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.
3. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Dinâmica da Rede e Estatística de Cristais.

Idiomas
Alemão Fala Razoavelmente, Lê Pouco, Escreve Pouco.
Inglês Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Prêmios e títulos
1989PREMIO ESTIMULO A PESQUISA:MELHOR CONTRIBUICAO A FISICA EXPERIMENTAL, Reitoria/UNICAMP.
1988Membro titular, Academia de Ciências do Estado de São Paulo.
1984GUGGENHEIM FELLOW, JOHN SIMON GUGGENHEIM MEMORIAL FOUNDATION/.


Produção em C,T & A
Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos
1. FERNANDEZ, J. ; NORIEGA, O. ; SOARES, J. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. ; AS, D. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Near band-edge Optical Properties of Cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3 e 4, p. 205-208, 2003.
2. CERDEIRA, F. ; NORIEGA, O. ; SOARES, J. ; RODRIGUES, S. P. ; LEITE, J. ; RIBEIRO, E. ; FERNANDEZ, J. ; MENESES, E. A. ; AS, D. . Photoreflectance Studies of Optical Transitions in Cubic GaN Grown on GaAs (001) Substrates.. Journal of Crystal Growth, v. 252, p. 208-212, 2003.
3. CERDEIRA, F. ; FERNANDEZ, J. ; MENESES, E. A. ; BRASIL, M. J. S. ; SOARES, J. ; NORIEGA, O. ; LEITE, J. ; AS, D. ; KOHLER, U. ; POTTHAST, S. . Optical and X-Ray Diffraction Studies on The Incorporation of Carbon as a Dopant in Cubic GaN. Physical Review B, v. 68, p. 15520, 2003.
4. OSSO, J. O. ; GARRIGA, M. ; SCHREIBER, F. ; KRUPPA, V. ; DOSH, H. ; ALONSO, M. I. ; CERDEIRA, F. . Controlled Molecular Alignment in Phtalocyanine Thin Films on Stepped Sapphire Surfaces.. Adv. Funct. Mater, v. 12, n. 6 e 7, p. 455-460, 2002.
5. RASNIK, I. ; BRASIL, M. J. S. ; CERDEIRA, F. ; MENDONÇA, C. A. C. ; COTTA, M. A. . Light scattering and atomic force microscopy study of InAs island formation on InP. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 3, p. 1165-1171, 2000.
6. RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; BRASIL, M. J. S. ; HEINZEL, T. ; ENSSLIN, K. ; RIBEIRO, G. M. . An Optical Study of Self-Assembled In Ga As/Ga As Quantum Dots Embedded in a Two-dimensional Electron Gas. Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 87, n. 11, p. 7994-7998, 2000.
7. RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; NARVAEZ, G. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Low Temperature Photoluminescence in Ultra-thin Germanium Quantum Wells. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 3, p. 547-550, 1999.
8. RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Comment on the formation of Germanium dots with highly uniform size distribution grown on Si(100) substrate by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 75, n. 1, p. 145-146, 1999.
9. NARVAEZ, G. A. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . On the cross-over between 2-dimensional and 3-dimensional growth in Si/Ge(n)/Si quantum wells. Solid State Communications, v. 107, n. 7, p. 359-362, 1998.
10. RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; TESCHKE, O. . Tridimension Structural Characterization Of Porous Silicon By Transmission Electron Microscopy And Raman Scattering. Solid State Communications, v. 101, n. 5, p. 327-331, 1997.
11. NARVAEZ, G. ; TORRIANI, I. C. L. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Interface Morphology Of Gen/Si Quantum Wells Studied With Raman Spectroscopy And High Resolution X-Ray Diffraction.. Brazilian Journal of Physics, v. 27, n. 4, p. 632-637, 1997.
12. SILVA, M. A. A. ; RIBEIRO, E. ; SCHULZ, P. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Characterization Of Different Length Scales And Periodicities In Ge/Si Microstructures By Raman Spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, v. 27, n. 3, p. 257-263, 1996.
13. SILVA, M. A. A. ; RIBEIRO, E. ; SCHULZ, P. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Linear-Chain Model Interpretation Of Resonant Raman Scattering In Ge(N)Si(M) Microstructures. Physical Review B, v. 53, n. 23, p. 15871-15877, 1996.
14. BRAFMAN, O. ; MANOR, R. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Evidence For Interface Terraces In Ge/Si Quantum Wells Obtained By Raman Scattering. Physica B, v. 219, p. 502-504, 1996.
15. RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; CANTARERO, A. . Experimental Evidence Of Anisotropy In The E0- And E1-Optical Spectra Of Corrugated Gaas/Alas Quantum-Wire Superlattices. Physical Review B, v. 51, p. 7890, 1995.
16. BRAFMAN, O. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; MANOR, R. ; BEAN, J. C. . Interfaces, Confinement And Resonant Raman Scattering In Ge/Si Quantum Wells. Physical Review B - Condensed Matter, v. 51, n. 24, p. 17800-17805, 1995.
17.   CERDEIRA, F. ; RIBEIRO, E. . Evolution Of The Electronic States Of InGaAs/GaAs Superlattices In The Presence Of An External Dc Electric Field. Philosophical Magazine A - Physics of Condensed Matter Structure Defects, v. 70, n. 3, p. 481-492, 1994.
18. INOKI, C. K. ; RIBEIRO, E. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; FINNIE, P. ; ROTH, A. P. . Simultaneous Observation Of Stark-Wannier And Franz-Keldysh Regimes For Different Types Of Carriers In InGaAs/GaAs Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 49, n. 3, p. 2246-2249, 1994.
19. RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . E1-Like Optical Transitions In Ge/Si Heterosctructures Studied By Electroreflectance And Photoreflectance. Brazilian Journal of Physics, v. 24, p. 243-247, 1994.
20. CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy In Semiconductor Heterostructures. Brazilian Journal of Physics, v. 23, n. 1, p. 3-22, 1993.
21. RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Confinement And Zone-Folding In The E1-Like Optical Transitions Of Ge/Si Quantum Wells And Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 48, n. 24, p. 18024-18030, 1993.
22. INOKI, C. K. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. . Strain Determination In Ingaas/Aas Strained Layer Superlattices By Photomodulated Reflectance. Journal of Applied Physics, v. 73, n. 7, p. 3266-3270, 1993.
23. RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. ; KASPER, E. ; KIBBEL, H. . Electroreflectance Study Of The E1 And E0 Optical Transitions In Thin Ge/Si Superlattices. Solid State Communications, v. 86, n. 10, p. 637-642, 1993.
24. RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; ROTH, A. P. . Appication Of Electromodulated Transmission To The Study Of The Electric-Field Dependence Of Electronic States In An In Gaas/Gaas Superlattice. Journal of Physics Condensed Matter, v. 5, n. A, p. 355-356, 1993.
25. RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Photoreflectance In Ge/Si-Ge Strained Layer Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 46, n. 23, p. 15263-15269, 1992.
26. LEMOS, V. ; INOKI, C. K. ; CERDEIRA, F. ; RITTER, T. ; WEINSTEIN, B. A. . Pressure-Induced Resonant Raman Scattering In Ingaas/Gaas Strained- Layer Superlattice. Solid State Communications, v. 84, n. 11, p. 1011-1013, 1992.
27. RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; ROTH, A. P. . Step-By-Step Evolution From Franz-Keldysh Oscillations To Stark- Wannier Confinement In An Ingaas/Gaas Superlattice. Physical Review B, v. 46, n. 19, p. 12542-12546, 1992.
28. MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; MESEGUER, F. ; RUIZ, A. ; SILVEIRA, J. P. ; BRIONES, F. ; PLOOG, A. K. . Nonequilibrium Luminiscence At The E0+Delta0 Gap In Gaas With Si Delta Doping. Journal of Applied Physics, v. 71, n. 11, p. 5619-5622, 1992.
29. NOVELLINO, R. A. ; LOPEZ, C. V. ; BERNUSSI, A. A. ; SCHMIDT, C. S. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; POLLAK, F. H. ; MESEGUER, F. ; PLOOG, A. K. . On The Origin Of Franz-Keldysh Oscillations In Algas/Gaas Modulation- Doped Heterojunctions. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 10, p. 5571-5575, 1991.
30. LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . A Photomodulated Spectroscopy Study Of InGaAs/GaAs Superlattices And Quantum Wells. Journal of Applied Physics, v. 69, n. 11, p. 7833-7836, 1991.
31. CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; RODRIGUES, P. A. M. ; LEMOS, V. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . Franz-Keldysh oscillations in the photomodulated spectra of an InGaAs/GaAs strained-layer superlattice. Physical Review C - Nuclear Physics, v. 42, p. 9480, 1990.
32. LOPEZ, C. V. ; CERDEIRA, F. ; SINENCIO, F. S. ; ALVAREZ, J. G. M. ; ALVAREZ, O. . Photorefelctance of r.f. sputtered Cd(1-x)FeTe(x) thin films. Journal of Materials Science, v. 24, p. 1053, 1989.
33. IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; CERDEIRA, F. . Effects of thermal anealing on the confined electronic states of InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 5, n. 2, p. 273-278, 1989.
34. ALONSO, M. I. ; CERDEIRA, F. ; NILES, D. ; CARDONA, M. . Raman spectra of Si(n)Ge(m) superlattices: theory and experiment. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 11, p. 5645-5648, 1989.
35. RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, H. A. ; CERDEIRA, F. . First order Raman scattering from semiconductor quantum dots. International Journal of Modern Physics B, v. 3, n. 8, p. 1167-1181, 1989.
36. CERDEIRA, F. ; ALONSO, M. I. ; NILES, D. ; GARRIGA, M. ; CARDONA, M. . Resonant Raman scattering in short-period Si(n)/Ge(m) superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 40, n. 3, p. 1361-1364, 1989.
37. CERDEIRA, F. ; TORRIANI, I. C. L. ; MOTISUKE, P. ; LEMOS, V. ; DECKER, F. . Optical and structura lproperties of polycristalline CdSe deposited on Titanium substrates. Applied Physics A, v. 46, p. 107-112, 1988.
38. IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; MOTISUKE, P. . Optical studies in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 38, n. 12, p. 8473-8476, 1988.
39. IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. ; MASUT, R. A. . Raman scattering in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Solid State Communications, v. 68, p. 211, 1988.
40. MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . Pressure-induced phase transition in KliSO(4). Physical Review B - Condensed Matter, v. 35, n. 7, p. 3633-3636, 1987.
41. MENEDEZ, J. ; PINCZUK, A. ; GOSSARD, A. C. ; LAMONT, M. G. ; CERDEIRA, F. . Light scattering in GaAs parabolic quantum wells. Solid State Communications, v. 61, n. 10, p. 601-605, 1987.
42.   CERDEIRA, F. ; ANASTASSAKIS, E. ; KAUSCHKE, W. ; CARDONA, M. . Stress-Induced Doubly Resonant Raman Scattering In GaAs. Physical Review Letters, v. 57, n. 25, p. 3209-3212, 1986.
43. HULL, R. ; BEAN, J. C. ; CERDEIRA, F. ; GIBSON, J. M. ; FIORY, T. A. . Stability of semiconductor strained-layer superlattices. Applied Physics Letters, v. 48, n. 1, p. 56-58, 1986.
44. CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BEAN, J. C. ; BATTLOG, B. ; WILSON, B. A. . A Raman scattering study of GeSi/Si strained-layer superlattices. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 3, n. 2, p. 600-602, 1985.
45. CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BEAN, J. C. . Obsevation of confined electronic states in GeSi/Si strained-layer superlattices. Physical Review B - Condensed Matter, v. 31, n. 2, p. 1202-1204, 1985.
46. CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; CHIU, T. H. ; TSANG, W. T. . New optical structure near the E(1) transitions of InSb/InAlSb quantum wells. Physical Review B - Condensed Matter, v. 32, n. 2, p. 1390-1393, 1985.
47. MELO, F. E. A. ; MENDES FILHO, J. ; MOREIRA, J. E. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. . Anharmonic efects in Raman-active modes of PbCl(2). Journal of Raman Spectroscopy, v. 15, n. 2, p. 128-131, 1984.
48. CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; CARDONA, M. . Effective charges and their pressure dependence in Apha-LiIO(3). Physica Status Solidi B - Basic Research, v. 122, p. 53-64, 1984.
49. CERDEIRA, F. ; MESTRES, N. ; CARDONA, M. . Light scattering by plasmons in Germanium. Physical Review B - Condensed Matter, v. 29, n. 6, p. 3737-3739, 1984.
50. MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Resonant Raman scattering by plasmons in n-type Ge. Solid State Communications, v. 49, n. 12, p. 1103-1105, 1984.
51. MENDES FILHO, J. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. . Pressure dependence of the Raman spectrum of LiNbO(3) and LiTaO(3). Journal of Raman Spectroscopy, v. 15, n. 6, p. 367-369, 1984.
52. CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BATTLOG, B. ; WILSON, B. A. . Raman scattering from GeSi/Si strained-layer superlattices. Applied Physics Letters, v. 45, p. 1138, 1984.
53. MENDES FILHO, J. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . Raman and X-ray studies of a high pressure phase transition in Beta-LiIO(3) ad the study of anharmonic effects. Physical Review B - Condensed Matter, v. 30, n. 12, p. 7272-7218, 1984.
54. MENDES FILHO, J. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . A Raman study of the Beta-phase of LiIO(3). Solid State Communications, v. 45, n. 4, p. 331-335, 1983.
55. CERDEIRA, F. ; MELO, F. E. A. ; LEMOS, V. . A Raman study of anharmonic effects in Alpha-LiIO(3). Physical Review B - Condensed Matter, v. 27, n. 12, p. 7716-7729, 1983.
56. LEMOS, V. ; MENDES FILHO, J. ; MELO, F. E. A. ; KATIYAR, R. S. ; CERDEIRA, F. . Pressure-induced phase transition in Beta-LiIO(3). Physical Review B, v. 28, n. 6, p. 2985-2989, 1983.
57. MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. . Changes in the Raman spectrum of LiIO(3) introduced by uniaxial stress. Physical Review B - Condensed Matter, v. 26, n. 2, p. 720-728, 1982.
58. MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . Raman scattering from three phases of LiIO(3). Solid State Communications, v. 41, n. 4, p. 281-287, 1982.
59. LEMOS, V. ; MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. . Pressure dependence of the Raman spectrum of LiO(3). Solid State Communications, v. 40, p. 1035-1039, 1981.
60. CERDEIRA, F. ; MELO, F. E. A. ; KATIYAR, R. S. . Piezoespectroscopic study of the Raman spectrum of LiIo(3). Journal de Physique - I, v. 42, n. 12-C6, p. 722-724, 1981.
61. LEMOS, V. ; GUALBERTO, G. M. ; SALZBERG, J. B. ; CERDEIRA, F. . First order Raman scattering in NiS(2-x)Se(x). Physica Status Solidi B - Basic Research, v. 100, p. 755-762, 1980.
62. CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; KATIYAR, R. S. . Stress dependence of the zone-center optical phonons of LaF(3). Physical Review B - Condensed Matter, v. 19, p. 5413, 1979.
63. CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; CARDONA, M. . Atomic motions corresponding to zone-center phonons in paratellurite. Physica Status Solidi B - Basic Research, v. 88, p. 199-206, 1978.
64. CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; GOUSKOV, A. . Splittings and correlations between the long wavelegth optical phonons in layer compounds GaSe, GaTe and GaSe(1-x)Te(x). Physical Review B - Condensed Matter, v. 16, n. 4, p. 1648-1654, 1977.
65. LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; SCARPARO, M. A. F. ; KATIYAR, R. S. . Stress induced changes in the Raman spectrum of paratellurite. Physical Review B - Condensed Matter, v. 16, n. 12, p. 5560-5569, 1977.
66. LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; GOUSKOV, L. . Electroreflectance in GaSeTe solid solutions. Solid State Communications, v. 20, p. 1101-1105, 1976.
67. CERDEIRA, F. ; HOLZAPFEL, W. B. ; BAUERLE, D. . Effects of pressure on the zone center phonons of PbTiO(3) and on the ferroelectric-paraelectric phase transition. Physical Review B - Condensed Matter, v. 11, n. 3, p. 1188-1192, 1975.
68. CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Raman study of the interaction between localized vibrations and electronic excitations in boron doped silicon. Physical Review B - Condensed Matter, v. 9, n. 10, p. 4344-4350, 1974.
69. YACOBI, Y. ; CERDEIRA, F. ; SCHMIDT, M. ; HOLZAPFEL, W. B. . Pressure dependence of phonon energies at critical points in the Brillouin zone in KTaO(3). Solid State Communications, v. 14, p. 1325-1329, 1974.
70. CARDONA, M. ; CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. . Sign of the Raman tensor of diamond- and zincblende-type semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter, v. 10, n. 8, p. 3433-3435, 1974.
71. FJELDLY, T. A. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Effect Of Free Carriers On The Zone-Center Vibrational Modes In Heavily Doped P-Type Si I: Acoustical modes. Physical Review B - Condensed Matter, v. 8, n. 10, p. 4723-4733, 1973.
72.   CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Effect Of Free Carriers On Zone Center Vibracional Modes In Heavily Doped P-Type Si, II: Optical Modes.. Physical Review B - Condensed Matter, v. 8, n. 10, p. 4734-4745, 1973.
73. CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Elastic constants and Raman frequencies of heavily doped silicon under uniaxial stress. Solid State Communications, v. 12, p. 553, 1973.
74. CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Interaction between electronic and vibronic Raman scattering in heavily doped silicon. Solid State Communications, v. 13, p. 325-328, 1973.
75. DREYBRODT, W. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . orientation-dependent resonant Raman scattering in InSb and GaSb at the E1 - E1 +D1 region. Physica Status Solidi B - Basic Research, v. 60, p. 145-156, 1973.
76. CERDEIRA, F. ; DREIBRODT, W. ; CARDONA, M. . Resonant Raman Scattering In Ge. Solid State Communications, v. 10, n. 7, p. 591-595, 1972.
77.   CERDEIRA, F. ; BUCHENAUER, C. J. ; POLLAK, F. H. ; CARDONA, M. . Stress-induced shifts of first order Raman frequencies of diamond- and zincblende-type semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter, v. 5, n. 2, p. 580-593, 1972.
78. CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Effect of carrier concentration on the Raman frequencies of Si and Ge. Physical Review B - Condensed Matter, v. 5, n. 4, p. 1440-1454, 1972.
79. CERDEIRA, F. ; DEWITT, J. S. ; ROSSLER, U. ; CARDONA, M. . Hydrostatic pressure coefficients and deformation potentials for II-VI compounds. Physica Status Solidi B - Basic Research, v. 41, p. 735-742, 1970.
80. CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Photoreflectance and Electroreflectance in Silicon. Solid State Communications, v. 7, p. 879-882, 1969.
Capítulos de livros publicados
1.   CERDEIRA, F. . Germanium-Silicon:Physics and Materials, Volume 56 da serie Semicoductors and Semimetals (ed. R.K. Willardson and E. R. Weber). In: Robert Hull; John C. Bean. (Org.). Semiconductors and Semimetals-Germanium-Silcon: Phsics and Materials. NEW YORK: ACADEMIC PRESS, 1999, v. 56, p. 226-292.
Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1. CERDEIRA, F. ; ALONSO, M. I. ; GARRIGA, M. ; OSSO, J. O. ; KRUPPA, V. . Optical Characterization of Anisotropic Thin Films of Perfluorinated Copper Phtalocyanine. In: 26th ICPS, 2002, Edinburg. Proceedings of the 26th ICPS, 2002.
2. SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; SCHULZ, P. A. ; BEAN, J. C. . Interface Roughness And Periodicities In Si/Ge Microstructures Studies By Experimental And Numerically Simulated Raman Scattering.. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors., 1996, Berlin. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors.. Cingapura : World Scientific, 1996. v. 3. p. 1721-1730.
3. SILVA, M. A. A. ; RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Resonant Raman Scattering And Electroreflectance In Ge(5)Si(5) Heterostructures.. In: 22nd International Conference ont he Physics of Semiconductor., 1995, Vancouver, BC-Canada. Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductor.. Cingapura : World Scientific, 1994. v. 2. p. 1540-1543.
4. LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. . Strain measurements in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices byphotomodulated reflectance. In: Sixth International Conference on microstructures and microdevices, 1993, Xián-China. Superlattices ad microstructures, 1992. v. 13. p. 189.
5. MARQUES, G. E. ; COHEN, A. M. ; RODRIGUES, P. A. M. ; IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; CERDEIRA, F. . Novel lfeatures in the photoreflectance spectra of single quantum wells produced by in-plane subband dispersion: theory and experiment. In: 21st International Conference on the physics of semiconductors, 1992, Beijing-China. Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of semiconductors. Cingapura : World Scientific, 1992. p. 1060-1063.
6. CERDEIRA, F. . Light scattering studies of electronic excitations in delta-doped GaAs. In: XIII-th International Conference on Raman Spectrocopy, 1992, Wurzburg-Alemanha. Proceedings of the XIII-th International Conference on Raman Spectrocopy, 1992. p. 814.
7. RIBEIRO, E. ; LOPEZ, C. V. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. . Evidence Of Miniband Dispersion In The Pohtomodulated Absorption Spectra Of Ingaas/Gaas Superlattices. In: PROCEEDINGS OF THE FIFTH BRAZILIAN SCHOOL ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1991, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura : World Scientific, 1991. p. 242-246.
8. CERDEIRA, F. . Characteriztion of semiconductor microstructures by phononRaman Scattering. In: XII-th International Conference on Raman Spectroscopy, 1990, Columbia, SC -Estados unidos. Proceedings of the XII-th Internationalonference on Raman Spectrosopy. New York : John Wily & Sons, 1990. p. 434.
9. CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; RODRIGUES, P. A. M. ; LEMOS, V. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . Miniband dispersion and Franz-Keldysh oscillations in the photomodulated spectra of InGaAs/GaAs superlattices. In: 20th International Conference o the Physicas of Semiconductors, 1990, Thessaloniki-Grecia. Proceedings of the 20th InternationalConference o the Physicas of Semiconductors. Cingapura : World Scientific, 1990. p. 1077-1080.
10. BERNUSSI, A. A. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MOTISUKE, P. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. ; POLLAK, F. H. . Photoreflectance of 2-D electron gas: obsevation of quantum Franz-Keldysh effect?. In: 20th InternationalConference on the Physics of Semiconductors, 1990, Thessaloniki- Gracia. Proceedings of the 20th InternationalConference on the Physics of Semiconductors. Cingapura : World Scientific, 1990. p. 1065-1068.
11. RODRIGUES, P. A. M. ; MENDONÇA, C. A. C. ; BERNUSSI, A. A. ; PLENTZ, F. O. ; LOPEZ, C. V. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. . Photoreflectance, photoluminescence and Raman scatteing of MBE GaAs/AlGaAs multiple quantu wells. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physices, 1989, Belo Horizonte,MG. Proceedings of te fourth Brazilian school on Semiconductoer Physics. Cingapura : World Scientific, 1989. p. 304.
12. BERNUSSI, A. A. ; RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; MACHADO, A. M. . Photoreflectance and electroreflectance characterization of GaAs films grown by MOCVD . In: 4th Brazilian School on the physics of Semiconductors, 1989, Belo Horizonte, MG. Proceedings of the 4th Brazilian School on the Physics of semiconductors. Cingapura : World Scientific, 1989. p. 280.
13. IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. . Band off-set for the InGaAs/GaAs syatem obtained from optica lstudies in strained-layer superlattices. In: 19th International Conference o the Physics of Semiconductors, 1988, Varsovia-Polônia. Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors. Varsovia : Ploish Scientific Publishers, 1988. p. 545-548.
14. CERDEIRA, F. ; TORRIANI, I. C. L. ; MOTISUKE, P. ; LEMOS, V. ; DECKER, F. . Quantun size effects in policrystalline CdSe. In: 3rd Brazilian chool on the Phsics of semiconductors, 1988, São Carlos, SP. Proceedings of the 3rd Brazilian School on the Physocas of Semiconductors. Cingapura : World Scientific, 1987. p. 180.
15. MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Light scattering by Plasmons in heavily doped n-type Si. In: 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1985, São Francisco, CA- Estados Uni. Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors. Heidelberg : Springer Verlag, 1984. p. 1113-1116.
16. LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . New results on the Raman spectrum of LaF(3). In: 6th International Conference on Raman Spectrocopy, 1978, Bangalore- India. Proceedings of the 6th International Conference on Raman Spectroscopy. Londres-Inglaterra : Heyden, 1978. p. 348.
17. SCARPARO, M. A. F. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . Lattice dynamics of paratellurite under uniaxial stress. In: International Conference on Lattice dynamics, 1978, Paris-França. Proceedings of the International Conference on Lattice Dynamics. Paris : Flamarion Press, 1978. p. 707.
18. CERDEIRA, F. . Raman scattering by coupled electron-phonon excitations. In: Third International Conference on Lght Scattering in Solids, 1976, Campinas, sp-Brasil. Proceedings of the third International Conference on Light Scattering in Solids. Paris : Flamarion Press, 1975. p. 119.
19. CERDEIRA, F. ; DREIBRODT, W. ; CARDONA, M. . Resonant Raman Scattering in Germanium. In: 11th International Conference on the Psics of Semiconductors, 1972, Varsovia-Polônia. Proceedings of the 11th International Conference on the Physics of Semiconductirs. Varsovia : Polish Scientific Publishers, 1972. p. 1142-1145.
20. BUCHENAUER, C. J. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Influence of hydrostatic pressure on the first order Raman frequencies of opaque semiconductors. In: Second International Conference on Light Scattering in Solids, 1971, Paris. Proceedings of the Second International Conference on Light Scattering in solids. Paris : Flammarion Press, 1971. p. 280.
Resumos publicados em anais de congressos
1. CERDEIRA, F. . Resonant Raman scattering and Electroreflectance in Si/Ge superlattices. In: V Talher de Espectroscopias Opticas- CINVESTAV, 1994, Mexico DF, 1994.
2. CERDEIRA, F. . Optical prperties of semiconductor microstructures. In: Winter School on Mesoscopic Systems, 1992, Brasilia, DF-Brasil, 1992.
3. CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy in Semiconductor Heterostructures. In: Workshop on Optical rperties of Solids -LNLS, 1992, Campinas, SP-Brasil, 1992.
4. CERDEIRA, F. . Propriedades opticas de semicondutores. In: III Escloa Brasileira de Estrutura Eletronica, 1991, Nova Friburgo, RJ-Brasil, 1991.
5. CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy in Superlattices and Heterojunctons. In: Conference on Spectroscopy of Solids and Surfaces, 1990, Brasilia, DF-Basil, 1990.
6. CERDEIRA, F. . Opticalrperties of strained-layer superlattices. In: Research Workshop in Condensed Matter hysics, 1988, Trieste-Italia, 1988.
7. CERDEIRA, F. . Espalhamento Raman reonate en semiconductores. In: X-SLAFES: Simposio Latinoamericano de Fisica de Estado Solido, 1987, Havana-Cuba, 1987.
8. CERDEIRA, F. . Espalhamento Raman ressonante em Superredes semicondutoras. In: II Simposio Ibérico de Materia condensada, 1986, Sevilha-Espanha, 1986.
9. CERDEIRA, F. . Espalhamento de Luz em superredes semicondutoras. In: Escuela de Fisica, Quimica e Ingenieria de semiconductores, 1986, Buenos Aires-Argentina, 1986.

Orientações
Supervisões e orientações concluídas
Dissertação de mestrado
1. Alessandra Abdala Ribeiro. Anisotropia Óptica Em Poços Quânticos de Ingaas Crescidos Por Mbe Sobre Substratos de Gaas Com Orientação.. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Cerdeira.
2. EVALDO RIBEIRO. Absorcao e Refletividade Moduladas Em Superredes e Pocos Quanticos de Ingaas/Gaas. 1993. Dissertação - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Fernando Cerdeira.
3. PEDRO AUGUSTO MATOS RODRIGUES. Espalhamento Raman Por Semicondutores Mesoscopicos. 1989. Dissertação - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Fernando Cerdeira.
Tese de doutorado
1. Evaldo Riveiro. Confinamento de Estados Eletrônicos e Vibracionais Em Microestruturas Semicondutoras Com Progressiva Redução da Dimensionalidade.. 1996. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Fernando Cerdeira.
2. Marco Antonio Araújo Silva. Espalhamento Raman Em Heteroestruturas Semicondutoras de Si/Ge. 1995. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Fernando Cerdeira.
3. PEDRO AUGUSTO MATOS RODRIGUES. Estudo das Transicoes Eletronicas Tipo E0 e E1 Em Superredes de Ge/Si Utilizando Eletrorrefletancia e Fotorrfletancia. 1993. Tese - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Fernando Cerdeira.
4. FRANCISCO ERIVAN DE ABREU MELLO. Transicoes de Fase e Efeitos Anarmonicos Nas Vibracoes de Rede do Iodato de Litio Estudados Com Espalhamento Raman. 1983. Tese - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Fernando Cerdeira.
5. VOLIA LEMOS CRIVELENTI. Propriedades Estruturais e Dinamica de Redes Em Paratelurite. 1978. Tese - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Fernando Cerdeira.

Outras informações relevantes 
-Citações: Até o momento a "Web of Science" lista mais do que 1700 citações de meus artigos.  -Fuí membro de comités organzidares de varios encontros, dentro e fora doPais.  -Atuo regularmente como Assessor (referee) de varios jornais cientificos ( The Physical Review, Physical Review Letters, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters e Solid State Communications) assim como de Agencias financiadoras de pesquisa no Brasil e no exterior..
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