Jose Roberto Leite

in memoriam 09/04/1942 - 11/06/2004

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Graduado em Física pela Universidade de São Paulo (1967) , mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1968) , doutorado em Física pela Universidade de São Paulo (1971) e pós-doutorado pela San Jose IBM Research Laboratory (1974) . Foi professor titular da Universidade de São Paulo e Diretor de Programas Horizontais e Instrumentais do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Possuía experiência na área de Física , com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuou principalmente nos seguintes temas: Semicondutores, estrutura eletrônica, Diamante.


Identificação


Nome
Jose Roberto Leite
Nome em citações bibliográficas
LEITE, J. R.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade de São Paulo, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
RUA DO MATAO, TRAVESSA R, 187 (ou CP 66318 - CEP: 05315-970)
BUTANTA
05508900 - Sao Paulo, SP - Brasil - Caixa-postal: 66318
Telefone: (11) 30916878
Fax: (11) 30916984


Formação acadêmica/titulação


1969 - 1971
Doutorado em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Exchange-Correlação em Átomos em Íons Leves, Ano de obtenção: 1971.
Orientador: Luiz Guimarães Ferreira.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: exchange-correlação; átomos; estrutura eletrônica.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1967 - 1968
Mestrado em FÍSICA.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: EFEITO DAS DIFERENTES APROXIMACOES PARA O POTENCIAL DE TROCA SOBRE OS NIVEIS DE ENERGIA E FUNCOES DE ONDA DO ATOMO DE CARBONO,Ano de Obtenção: 1968.
Orientador: LUIZ GUIMARAES FERREIRA.
Palavras-chave: Potencial de Troca; Carbono; Estrutura Eletronica.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular / Especialidade: Estrutura Eletrônica de Átomos e Moléculas; Teoria.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1963 - 1967
Graduação em FÍSICA.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.


Pós-doutorado e Livre-docência


1975
Livre-docência.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: O método celular moderno, Ano de obtenção: 1975.
Palavras-chave: Semicondutores; estrutura eletrônica; Diamante.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1972 - 1974
Pós-Doutorado.
SAN JOSE IBM RESEARCH LABORATORY.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.


Atuação Profissional



Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Vínculo institucional

2003 - 2004
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: , Carga horária: 0
Outras informações
Diretor do Departamento de Programas Horizontais e Instrumentais - DPH

Atividades

3/2003 - 06/2004
Direção e administração, Diretoria de Engenharias, Ciências Exatas, Humanas e Sociais, .

Cargo ou função
Diretor.

Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

1986 - 2004
Vínculo: Servidor Autárquico, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1998 - 2001
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: MEMBRO EDITORIAL DE REVISTA CIENTÍFICA
Outras informações
Membro do Editorial Board da revista physica status solidi (b), publicada Wiley - VCH, em Berlim, na Alemanha.

Vínculo institucional

1997 - 2001
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: MEMBRO EDITORIAL DE REVISTA CIENTÍFICA
Outras informações
Membro do Editorial Board da revista Microelectronics Journal, publicada pela Elsevier Science, na Inglaterra.

Vínculo institucional

1989 - 2001
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: MEMBRO EDITORIAL DE REVISTA CIENTIFICA
Outras informações
Membro do Editorial Board da revista International Journal of Modern Physics B, publicada pela World Scientific, em Cingapura.

Vínculo institucional

1988 - 2001
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: MEMBRO EDITORIAL DE REVISTA CIENTIFICA
Outras informações
Membro do Editorial Board da revista Modern Physics Letters B, publicada pela World Scientific, em Cingapura.

Vínculo institucional

1987 - 1995
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: CONSULTOR INTERNACIONAL
Outras informações
Membro da "Semiconductor Commission" da IUPAP (International Union of Pure and Applied Physics) representando o Brasil.

Atividades

1/1998 - 06/2004
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Serviço realizado
Membro do Editorial Board da revista physica status solidi (b), publicada Wiley - VCH, em Berlim, na Alemanha..
1/1997 - 06/2004
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Serviço realizado
Membro do Editorial Board da revista Microelectronics Journal, publicada pela Elsevier Science, na Inglaterra..
1/1991 - 06/2004
Direção e administração, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Cargo ou função
Chefe do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS).
1/1989 - 06/2004
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Serviço realizado
Membro do Editorial Board da revista International Journal of Modern Physics B, publicada pela World Scientific, em Cingapura..
1/1988 - 06/2004
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Serviço realizado
Membro do Editorial Board da revista Modern Physics Letters B, publicada pela World Scientific, em Cingapura..
03/1972 - 06/2004
Ensino, FÍSICA, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Teoria de Grupos
Estrutura Eletrônica de Materiais
Mecânica Quântica
Física do Estado Sólido
1/1971 - 06/2004
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Serviço realizado
Análise de trabalhos para publicação em revistas especialidas.
03/1968 - 06/2004
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

03/1968 - 06/2004
Ensino, FÍSICA, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Grupos e Tensores
Mecânica Quântica
Mecânica Clássica
Estrutura da Matéria
Física Básica
07/1987 - 07/1995
Extensão universitária , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Atividade de extensão realizada
Membro da "Semiconductor Commission" da IUPAP (International Union of Pure and Applied Physics) representando o Brasil..
02/1990 - 02/1994
Direção e administração, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Cargo ou função
Diretor de Unidade.


Linhas de pesquisa


1.
Crescimento, Caracterização e Aplicação em Dispositivos Eletrônicos de Novos Materiais Semicondutores
2.
Física de Semicondutores
3.
Estrutura Eletrônica de Materiais


Projetos de pesquisa


2004 - Atual
CAPESP / DAAD PROBAL
Descrição: FILMES EPITAXIAIS FERROMAGNÉTICOS DE GaN PARA APLICAÇÕES EM SPINTRÔNICA .
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Jose Roberto Leite - Coordenador / Detlef Schikora - Integrante / Klaus Lischka - Integrante / LUISA MARIA RIBEIRO SCOLFARO - Integrante / Valmir Chitta - Integrante / Donat Joseph As - Integrante.
Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Cooperação.
2003 - Atual
NICOP - ONR
Descrição: " Fabrication and Properties of Undoped and Mn-doped Nitride Semiconductor Films Deposited by Ion Beam Assisted Technique" .
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Jose Roberto Leite - Coordenador / Américo Tabata - Integrante / Valmir A. Chitta - Integrante / Masao Matsuoka - Integrante / José Fernando D. Chubaci - Integrante / Akinori Koukitu - Integrante / Yoshinao Kumagai - Integrante / Jaime A. Freitas, Jr - Integrante / Paul B. Klein - Integrante / Evan R. Glaser - Integrante.
Financiador(es): Office Of Naval Research - Cooperação.
2000 - Atual
CNPq/ PRONEX
Descrição: "Crescimento, Propriedades Estruturais, Óticas e de Transporte de Nanoestruturas Semicondutoras Derivadas de Compostos III-V".
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Jose Roberto Leite - Coordenador / José Luiz Aarestrup Alves - Integrante / LUISA MARIA RIBEIRO SCOLFARO - Integrante / Euzi Conceição Fernandes da Silva - Integrante / Valmir Chitta - Integrante / Alain André Quivy - Integrante / Eliermes Arraes Meneses - Integrante / José Claudio Galzerani - Integrante / Guennadii Gusev - Integrante / Antônio Tadeu Lino - Integrante / Yuri Pusep - Integrante.
Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
1999 - Atual
Projeto Tamático FAPESP
Descrição: ESTUDO EXPERIMENTAL E TEÓRICO DE NANOESTRUTURAS EPITAXIAIS SEMICONDUTORAS DERIVADAS DE COMPOSTOS III-V .
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .

Integrantes: Jose Roberto Leite - Coordenador / Valmir Chitta - Integrante / Alain Quivy - Integrante / Luisa Scolfaro - Integrante / Euzi Conceição Fernandez da Silva - Integrante / Guennadii Gusev - Integrante.
Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.
3.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Francês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Prêmios e títulos


1967
PREMIO DA USP (FFLCH) POR APROVEITAMENTO NOS CURSOS DE GRADUACAO (1963A 1967), UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO-FFLCH.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
RODRIGUES, C. G.2004RODRIGUES, C. G. ; FERNANDES, J. R. L. ; FREIRE, Valder Nogueira ; VASCONCELOS, A. R. ; LEITE, J. R. ; CHITTA, V. A. ; LUZZI, R. . Hole mobility in zincblende GaN. Journal of Applied Physics, v. aceito, 2004.

2.
COPPOLA, H. R.2004COPPOLA, H. R. ; SANCHEZ, J. T. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L M R ; MOLINER, F. G. . The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: The photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, v. 35, p. 103, 2004.

3.
TELES, Lara Kühl2004TELES, Lara Kühl ; MARQUES, Marcelo ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 34, n.2A, 2004.

4.
TELES, Lara Kühl2004TELES, Lara Kühl ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Theoretical study of strain-induced ordering in cubic In(x)Ga(1-x)N epitaxial layers. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. submt, 2004.

5.
GARCIA, J C2004GARCIA, J C ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; LINO, A T ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, Eronides F da . Effective masses and dielectric function of cubic HfO2. Applied Physics Letters, v. submit, 2004.

6.
PAIVA, R de2004PAIVA, R de ; ALVES, J L A ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L M R . Diluted magnetic Ga1-xMnN alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics, v. submit, 2004.

7.
RODRIGUES, S C P2004RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; LIMA, I C da Cunha ; SIPAHI, G M ; BOSELLI, M A . Charge and spin distribution in GaMnAs/GaAs Ferromagnetic multilayers. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. submit, 2004.

8.
LOURENÇO, S A2004LOURENÇO, S A ; DIAS, I F L ; DUARTE, J L ; LAURETO, e ; POÇAS, L C ; TOGINHO FILHO, D O ; LEITE, J. R. . Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, v. submit, 2004.

9.
PAIVA, R de2004PAIVA, R de ; ALVES, J L A ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L M R . First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, v. submit, 2004.

10.
MARQUES, M2004MARQUES, M ; FERREIRA, L G ; TELES, L K ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. . Phase separation process and the emission mechanisms in AlGaInN quaternary alloys. Physical Review Letters, v. submit, 2004.

11.
FERNANDEZ, J R L2004FERNANDEZ, J R L ; CERDEIRA, F ; MENESES, e A ; SOARES, J A N T ; NORIEGA, O C ; LEITE, J. R. ; AS, D J ; KÖHLER, U ; SALAZAR, D G P ; SCHIKORA, D ; LISCHKA, K . Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, v. 35, p. 73, 2004.

12.
NORIEGA, O. C.2003NORIEGA, O. C. ; TABATA, A. ; SOARES, J. A. N. DE T. ; RODRIGUES, S. C. P. ; LEITE, J. R. ; RIBEIRO, E. ; FERNANDES, J. R. L. ; MENESES, E. A. ; AS, D J ; SCHIKORA, D ; LISCHKA, K . Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates . Journal of Crystal Growth, New York, v. 252, p. 208-212, 2003.

13.
BECHSTEDT, F2003BECHSTEDT, F ; FURTHMÜLLER, J ; FERHAT, M. ; TELES, L K ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; DAVYDOV, Y. ; AMBACHER, O. ; GOLDHAHN, R. . Energy gap and optical properties of InxGa1-xN. Physica Status Solidi. A, Applied Research, v. 195, p. 628, 2003.

14.
DUARTE, C. A.2003DUARTE, C. A. ; SILVA, e C F da ; QUIVY, A A ; MARTINI, S. ; LEITE, J. R. . Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, p. 6279, 2003.

15.
TABATA, A.2003TABATA, A. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; LAMAS, T e ; SERGIO, C S ; QUIVY, A A ; GUSEV, G M ; LEITE, J. R. . Optical properties of remotely doped parabolic quantum wells. Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Amsterdã, v. 17, p. 262, 2003.

16.
MONTE, A F G2003MONTE, A F G ; SALES, F. V. ; SILVA, S W da ; CRUZ, J M R ; SOLER, M A G ; MORAIS, P. C. ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Amsterdã, v. 17, p. 122, 2003.

17.
FERNANDEZ, J R L2003FERNANDEZ, J R L ; NORIEGA, O. C. ; SOARES, J. A. N. T. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. ; SCHIKORA, D ; LISCHKA, K . Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, p. 205, 2003.

18.
SILVA, M J da2003SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; MARTINI, S. ; LAMAS, T e ; SILVA, e C F da ; LEITE, J. R. . InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 m. Applied Physics Letters, v. 82, p. 2646, 2003.

19.
CAVALHEIRO, A.2003CAVALHEIRO, A. ; SILVA, e C F da ; QUIVY, A A ; TAKAHASHI, E. ; MARTINI, S. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs/In0.15 Ga0.85 As quantum wells. Journal of Physics. Condensed Matter, v. 15, p. 121, 2003.

20.
TELES, L K2003TELES, L K ; FERREIRA, L. G. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L M R ; KHARCHENKO, A ; HUSBERG, O. ; AS, D J ; SCHIKORA, D ; LISCHKA, K . Strain induced ordering in In(x)Ga(1-x)N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, p. 4274, 2003.

21.
GUSEV, G M2003GUSEV, G M ; QUIVY, A A ; LAMAS, T e ; LEITE, J. R. ; ESTIBALS, O ; PORTAL, J. C. . Quantum Hall ferromagnet in parabolic well. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, p. 155313, v. 67, 2003.

22.
CHOQUE, N. M. S.2003CHOQUE, N. M. S. ; GUSEV, G M ; LEITE, J. R. ; BYKOV, A. A. ; LITVIN, L. V. ; MOSHEGOV, N. T. ; TOROPOV, A. I. ; ESTIBALS, O ; PORTAL, J. C. . Commensurability oscillations in antidot lattice in quasi-three dimensional electron gas. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, pag. 113308, v. 67, 2003.

23.
QU, Fanyao2003QU, Fanyao ; LINO, A. T. ; DANTAS, Noélio de Oliveira ; SILVA, e C F da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Optical properties of H-band emission in single heterojunctions. Journal of Applied Physics, v. 94, p. 1686, 2003.

24.
MARQUES, Marcelo2003MARQUES, Marcelo ; TELES, L K ; ANJOS, V ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; FREIRE, Valder Nogueira ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . Full-relativistic calculations of the SrTiO3 carrier effective masses and complex dielectric function . Applied Physics Letters, v. 82, p. 3074, 2003.

25.
MARTINI, S.2003MARTINI, S. ; QUIVY, A A ; LAMAS, T e ; SILVA, M J da ; SILVA, e C F da ; LEITE, J. R. . Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, New York, v. 251, p. 101, 2003.

26.
PEREIRA, T.2003PEREIRA, T. ; FREIRE, J. A. K. ; FREIRE, Valder Nogueira ; FARIAS, G A ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; SILVA JR, e F da . Confined excitons in SrTiO3/Si/SrTiO3 quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507, 2003.

27.
CRUZ, J M R2003CRUZ, J M R ; SALES, F. V. ; SILVA, S W da ; SOLER, M A G ; MORAIS, P C ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self- assembled InAs quantum dots . Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures, v. 17, p. 107, 2003.

28.
SALES, F. V.2003SALES, F. V. ; SILVA, S W da ; CRUZ, J M R ; SOLER, M A G ; MORAIS, P C ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Amsterdã, v. 17, p. 120, 2003.

29.
SILVA, M J da2003SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; MARTINI, S. ; LAMAS, T e ; SILVA, e C F da ; LEITE, J. R. . Optical response at 1.3 and 1.5mm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, New York, v. 251, p. 181, 2003.

30.
SILVA, M J da2003SILVA, M J da ; MARTINI, S. ; LAMAS, T e ; QUIVY, A A ; SILVA, e C F da ; LEITE, J. R. . Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3mm. Microelectronics Journal, v. 34, p. 631, 2003.

31.
LAMAS, T e2003LAMAS, T e ; MARTINI, S. ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, p. 701, 2003.

32.
MARQUES, Marcelo2003MARQUES, Marcelo ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Lattice parameter and energy band gap of cubic Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, p. 890, 2003.

33.
RAMOS, Luis Eugenio2003RAMOS, Luis Eugenio ; FURTHMÜLLER, J ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L M R ; BECHSTEDT, F . Group-IV and Group-V Substitutional Impurities in Cubic Group-III Nitrides. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, pag. 085209, v. 68, 2003.

34.
TELES, Lara Kühl2003TELES, Lara Kühl ; MARQUES, Marcelo ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, v. 35, p. 53, 2003.

35.
SALES, F V de2003SALES, F V de ; CRUZ, J M R ; SILVA, S W da ; SOLER, M A G ; MORAIS, P C ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum-dot luminescence. Microelectronics Journal, v. 34, p. 705, 2003.

36.
QU, Fanyao2003QU, Fanyao ; LINO, A. T. ; DANTAS, Noélio de Oliveira ; MORAIS, P C ; SILVA, e C F da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, p. 755, 2003.

37.
SERGIO, C S2003SERGIO, C S ; GUSEV, G M ; QUIVY, A A ; LAMAS, T e ; LEITE, J. R. . Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, p. 763, 2003.

38.
FERNANDEZ, J R L2003FERNANDEZ, J R L ; CERDEIRA, F ; MENESES, Eliermes A ; BRASIL, M J S P ; SOARES, J A N T ; SANTOS, A M ; NORIEGA, O C ; LEITE, J. R. ; AS, D J ; KÖHLER, U ; POTTHAST, S ; SALAZAR, D G P . Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, pg 155204, v. 68, 2003.

39.
MARTINI, S2003MARTINI, S ; QUIVY, A A ; SILVA, M J da ; LAMAS, T Erickson ; SILVA, Euzi C F da ; LEITE, J. R. ; ABRAMOF, Eduardo . Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, p. 7050, 2003.

40.
SALES, F V de2003SALES, F V de ; CRUZ, J M R ; SILVA, S W da ; SOLER, M A G ; MORAIS, P C ; SILVA, M J da ; QUIVY, A A ; LEITE, J. R. . Carrier kinetics in quantum dots through continuous wave photoluminescence modeling: A systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, p. 1787, 2003.

41.
MARQUES, M2003MARQUES, M ; TELES, L K ; SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . First-principles calculations of structural and electronic properties of AlxGayIn1-x-yN quaternary alloys. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. submit, 2003.

42.
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286.
BRAGA, M.1979BRAGA, M. ; LARSSON, S. ; LEITE, J. R. . The Electronic Structure of Carbonyl and Dinitrogen Complexes of Ni, Co and Fe as Calculated by the Multiple-Scattering Method . Journal of the American Chemical Society, v. 101, p. 3867, 1979.

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288.
FAZZIO, A1979FAZZIO, A ; CALDAS, M J ; LEITE, J. R. . Point Defect in Covalent Semiconductors: A Molecular Cluster Model. International Journal of Quantum Chemistry, v. S13, p. 349, 1979.

289.
BRESCANSIN, L. M.1979BRESCANSIN, L. M. ; LEITE, J. R. ; FERREIRA, L G . A Study of the Ground States and Ionization Energies of H2, C2, N2, F2 and Co Molecules by the Variational Cellular Method . Journal of Chemical Physics, v. 71, p. 4923, 1979.

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FAZZIO, A1979FAZZIO, A ; BRESCANSIN, L. M. ; CALDAS, M J ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Oxygen-Doped Gallium Arsenide. Journal of Physics. Condensed Matter, v. 12, p. L831, 1979.

291.
LEITE, J. R.1978 LEITE, J. R.; FERREIRA, L. G. . Variational Cellular Model of the Molecular and Crystal Electronic Structure. Physical Review Letters, v. 40, p. 49, 1978.

292.
FERREIRA, L G1978FERREIRA, L G ; LEITE, J. R. . General Formulation of the Variational Cellular Method for Molecules and Crystals . Physical Review. A, v. 18, p. 335, 1978.

293.
FAZZIO, A1978FAZZIO, A ; LEITE, J. R. ; SIQUEIRA, M L de . Molecular Cluster Model of Covalent Semiconductors. Journal of Physics. Condensed Matter, v. 11, p. L175, 1978.

294.
LEITE, J. R.1977LEITE, J. R.; PAVÃO, A. C. ; FERRAZ, A C ; RODRIGUES, J. C. . Free-Electron Gas Exchange Correlation in the Calculated Multiplet Splittings of s-core Levels in 3d-Transition Metals and Rare-Earth Elements . Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 16, p. 978, 1977.

295.
BENNETT, B. I.1975BENNETT, B. I. ; LEITE, J. R. ; HERMAN, F. . Electronic Structure of the Diamond Crystal Based on an Improved Cellular Calculation. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, USA, v. 12, p. 1466, 1975.

296.
LEITE, J. R.1973LEITE, J. R.; SIQUEIRA, M L de . Free-Electron Gas Exchange-Correlation on the Diamagnetic Susceptibility and Orbital Momentum of Inert Gas Atoms . Il Nuovo Saggiatore, v. 14b, p. 284, 1973.

297.
FERREIRA, L. G.1972FERREIRA, L. G. ; LEITE, J. R. ; PEREIRA NETO, J. R. . A Correlation to the Liberman Approximation for the Exchange Energy. Applied Physics Letters, USA, v. 40, n.A, p. 315-315, 1972.

298.
PEREIRA NETO, J. R.1972PEREIRA NETO, J. R. ; LEITE, J. R. ; FERREIRA, L. G. . On the Inclusion of the Coulomb Correlation in Atomic and Band Structure Calculations. JOURNAL OF PHYSICS, USA, v. 5, n.C, p. 188-188, 1972.

299.
FERREIRA, L. G.1971FERREIRA, L. G. ; LEITE, J. R. . Effects Of The Coulomb Correlation On The Calculated Results For Atoms With And Without Spin Polarization. PHYSICAL REVIEW A, USA, v. 3, p. 1224-1224, 1971.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
LEITE, J. R.; SANCHEZ, J. T. ; CALDERON, I. H. . Semiconductor Nanostructures: Micro and Optoeletronics Applications. United Kingdom: Elsevier Science, 2002.

2.
LEITE, J. R.; UETA, A. Y. (Org.) ; SANCHEZ, J. T. (Org.) . Proceedings of the 2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Applications in Micro and Optoelectronics. Berlin: Wiley - VCH, 2002.

3.
GIRALDO, J. (Org.) ; MERLIN, R. (Org.) ; QUIROGA, L. (Org.) ; LEITE, J. R. (Org.) . Proceedings of the XV Latinamerican Symposium on Solid State Physics. 220. ed. Berlim: Wiley-VCH, 2000. v. 1. 800p .

4.
LEITE, J. R.; WATANABE, S. ; SUNTA, C. M. ; ENDERLEIN, R. . Radiation Effects And Defects In Solids - Vols. 146/147, N. 1-4/1-2. 1. ed. India: Gordon and Breach Science Publishers, 1998. v. 02. 488p .

5.
LEITE, J. R.; FAZZIO, A. ; CHAVES, A. S. . Fifth Brazilian School On Semiconductor Physics. 01. ed. Cingapura: World Scientific, 1991. v. 01.

6.
LEITE, J. R.; C.E.T. GONÇALVES DA SILVA ; OLIVEIRA, L. E. . Third Brazilian School Of Semiconductor Physics. 1. ed. Cingapura: World Scientific, 1987. v. 01. 313p .

7.
LEITE, J. R.; C.E.T. GONÇALVES DA SILVA . Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School On Semiconductor Physics. 1. ed. Sao Paulo: CESP, 1985. v. 02. 1122p .

8.
LEITE, J. R.; RAMOS, J. G. P. ; C.E.T. GONÇALVES DA SILVA . Proceedings of The First Brazilian School On Semiconductor Physics. 1. ed. São Paulo: SBF, 1983. v. 01. 475p .

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
LEITE, J. R.. Luz Quântica contra o Apagão. Gazeta Mercantil, São Paulo, p. 8 - 8, 25 maio 2001.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
MARQUES, Marcelo ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; ANJOS, Virgílio dos ; FREIRE, Valder Nogueira ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da ; LEITE, J. R. . Ab initio Calculations of Electronic and Dielectric Properties of Cubic SrTiO(3). In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgh. Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.

2.
MARQUES, M ; SCOLFARO, L M R ; TELES, L K ; ANJOS, V ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da ; LEITE, J. R. . Vibrational properties of cubic InxGa1-xN structures. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002. Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.

3.
ALVES, H. W. L. ; Alves, J.L.A. ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J. R. . A Comparative Study of the Influence of the local density approximation and the generalized gradient approximation on the calculated properties of the III-nitride (110) surfaces. In: Material Research Society Meeting, 2001. Proceedings of the Material Research Society Meeting, 2001. v. 639.

4.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J. ; LEITE, J. R. ; BECHSTEDT, F. . Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties of In(x)Ga(1-x)N Alloys. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya. Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000. v. 1. p. 689.

5.
MARQUES, Marcelo ; RAMOS, Luis Eugenio ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; LEITE, J. R. . Carbon acceptor impurity in cubic BN, AlN, GaN, and in the GaAlN alloy. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 2000. v. 1. p. 1411.

6.
RODRIGUES, S. C. P. ; SIPAHI, G. M. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya. Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 2000. v. 1. p. 74.

7.
SOTOMAYOR, N. M. ; GUSEV, G. M. ; LEITE, J. R. ; MOSHEGOV, N. T. ; TOROPOV, A. I. . Weak localization effects in a wide parabolic quantum well. In: The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 2000. v. 1. p. 807.

8.
FERNANDEZ, J. R. L. ; TABATA, Américo ; CHITTA, V. A. ; AS, D. J. ; FREY, T. ; NORIEGA, O. C. ; SILVA, M. T. O. ; ABRAMOF, Eduardo ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; LEITE, J. R. . Overdamped electron plasma oscillations in cubic Al(x)Ga(1-x)N layers observed by Raman scattering spectroscopy. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya. Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000. v. 1. p. 661.

9.
TABATA, Américo ; FREY, T. ; KHARCHENKO, A ; TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, J. R. . Phase separation suppression in InGaN alloys due to biaxial strain. In: The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 2000. v. 1. p. 1537.

10.
BYKOV, A. A. ; GUSEV, G. M. ; LEITE, J. R. ; BARAKOV, A. K. ; MOSHEGOV, N. T. ; MAUDE, D. K. ; CASSE, M. ; PORTAL, J. C. . Nonzero Hall resistance in a spatially fluctuating magnetic field with zero mean. In: The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 2000. v. 1. p. 817.

11.
ALVES, H. W. L. ; Alves, J.L.A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. In: Material Research Society (MRS) Meeting, 2000. Material Research Society, 2001. v. 639.

12.
TABATA, Américo ; TELES, Lara Kühl ; FREY, T ; KHARCHENKO, A ; FURTHMÜLLER, J ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; AS, D J ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, J. R. . Spinodal Phase Separation Suppression in Cubic In(x)Ga(1-x)N Alloys Induced by Biaxial Strain. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000. v. II. p. 1537.

13.
GUSEV, G. M. ; LEITE, J. R. ; BYKOV, A. A. ; MOSHEGOV, N. T. ; KUDRYASHEV, V. M. ; TOROPOV, A. I. ; NASTAUSHEV, Y. . Single-Particle Relaxation Time in a Spatially Fluctuating Magnetic Field. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1999, Jerusalém, Israel. Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1998.

14.
TABATA, A. ; LIMA, A. P. ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; LEMOS, V. ; LISCHKA, K. ; SCHOETTKER, B. ; SCHIKORA, D. . Structural And Optical Properties of Zincblende Indium Nitride Grown By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1999, Jerusalém, Israel. Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1998.

15.
CASTINEIRA, J. L. P. ; LEITE, J. R. ; SILVA, J. L. F. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ALVES, J. L. A. ; ALVES, H. W. L. . Electronic Structure and Stability of Native Defects In Cubic Boron Nitride. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1999, Jerusalém , Israel. Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1998.

16.
TABATA, A. ; ENDERLEIN, R. ; LIMA, A. P. ; LEITE, J. R. ; LEMOS, V. ; KAISER, S. ; SCHIKORA, D. ; SCHOTTKER, B. ; KOHLER, U. ; LISCHKA, K. . Micro-Raman and Electron Microscopy Analysis of Cubic GaN Layers on (001) GaAs. In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE, III-NITRIDE AND RELATED MATERIALS, 1998, Estocolmo, Suécia. PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE, III-NITRIDE AND RELATED MATERIALS, 1998.

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18.
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19.
TELES, L. K. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, J. R. ; JOSIEK, A. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Total Energy Study of the Epitaxial Growth of Cubic Gan on SiC. In: The 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlim, Alemanha. PROCEEDINGS OF THE 23rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS. Cingapura: World Scientific, 1996. v. 1. p. 577.

20.
RODRIGUES, S. C. P. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. A. ; LIMA, A. P. ; LEITE, J. R. ; PUSEP, Y. A. ; SILVA, S. W. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. . Investigation of the Vertical Transport In GaAs-Delta-Doping SLs by Raman Studies of Coupled Plasmon-Phonon Modes. In: THE 23rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1996, Berlim, Alemanha. PROCEEDINGS OF THE 23rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS. Alemanha: World Scientific, 1996. v. 3. p. 2343.

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22.
SIPAHI, G. M. ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. . Band Structure of Holes In p-Delta-Doping Superlattices. In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors - (22-ICPS), 1995, Vancouver, Canadá. Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1995. v. 1. p. 687.

23.
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26.
PINTANEL, R. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. . Hydrostatic Pressure Effects on Si And Sn Doped GaAs. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics (5-BSSP), 1992, São Paulo. Proceedings of the Fifth Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1992. v. 1. p. 322.

27.
CAMATA, R. P. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; DIAS, I. F. L. ; BEZERRA, J. C. . Temperature Dependence On the Built-In Electric Field In Delta-Doping Gaas. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics (5-BSSP), 1992, São Paulo. Proceedings of the Fifth Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1992. v. 1. p. 371.

28.
CAMATA, R. P. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; DIAS, I. F. L. ; BEZERRA, J. C. ; OLIVEIRA, A. G. . On the Built-in Electric Field at Modulation-Doped GaAs/GaAlAs Heterojunctions And Delta-Doped GaAs. In: Festschrift in Honor of R.C. Leite, 1991, Campinas. Volume Especial - Festschrift in Honor of R.C. Leite. Cingapura: World Scientific, 1991. v. 1. p. 242.

29.
VALADARES, E. C. ; HENRIQUES, A. B. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. . Optical Blue Shift in Double Quantum Well Structure Induced by Long-Wavelength Radiation. In: SPIE, 1990. SPIE-Quantum Well and Superlattices Physics III. v. 1283. p. 185.

30.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Determination of the Electric Field In The Ga(1-X)Al(X)As/GaAs Heterojunctions from the Franz-Keldysh Oscillations by Photoreflectance Spectroscopy. In: SPIE, 1990. SPIE - Modulation Spectroscopy, 1990. v. 1286. p. 370.

31.
ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. . Theoretical Investigations of the Bistability of Iron-Group III Acceptor Pairs in Silicon. In: 20th ICPS, 1990, THESSALONIKI. Proceedings of the 20th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1990. v. 1. p. 597.

32.
LEITE, J. R.; GOMES, V M S . Optical Transitions in Undoped Quantum Wells under In-Plane Magnetic Fields. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 319.

33.
TAKAHASHI, e K ; FERRAZ, A C ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Semiconductors of Group IV and III-V Compounds by the Self-Consistent Variational Cellular Method. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 359.

34.
LEITE, J. R.; PINO JR, A Dal ; SILVA, e C F da . Lattice response around a Silicon Vacancy. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 363.

35.
ALVES, H W L ; LEITE, J. R. ; ALVES, J L A . Self-Consistent One-electron States of Substitutional and Interstitial 3d Transition-atom Impurities in Diamond and Germanium. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific. p. 367.

36.
CASTINEIRA, J L P ; LEITE, J. R. ; GOMES, V M S . Electronic Structure of Chalcogen Impurities in Germanium. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 367.

37.
LINO, A T ; LEITE, J. R. ; ASSALI, L V C ; GOMES, V M S . Electronic Structure of the Mn4 Complex in Silicon. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 375.

38.
ALVES, J L A ; CHACHAM, H ; LEITE, J. R. . Microscopic Models for Au-Au and Pt-Pt Pair Complexes in Silicon. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1989. Proceedings of the Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 379.

39.
LEITE, J. R.; ASSALI, L V C ; SILVA, e C F da ; BAUMVOL, I J R . Microscopy Structure of Group III Acceptor-Hydrogen Complexes in Crystalline Silicon. In: 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1988, Varsóvia. Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1988. v. 2. p. 1167.

40.
LEITE, J. R.; ASSALI, L V C . Hydrogen Passivation of Isolated Impurities in Silicon. In: 18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1987, Estocolmo. Proceedings of the 18th International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1987. v. 2. p. 999.

41.
SCOLFARO, L M R ; LEITE, J. R. ; GOMES, V M S ; ASSALI, L V C . Deep-Levels Associated to Chalcogen Impurities in Silicon. In: Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. v. 1. p. 312.

42.
GOMES, V M S ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Oxygen-Related Complex Defects in Silicon. In: Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. v. 1. p. 277.

43.
ALVES, H W L ; LEITE, J. R. ; ALVES, J L A . Deep Levels in Diamond: The Substitutional Nitrogen and the Simple Neutral Vacancy. In: Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. v. 1. p. 245.

44.
TAKAHASHI, e K ; LINO, A T ; LEITE, J. R. ; FERRAZ, A C . Self-Consistent Band Structure Calculations by the Variational Cellular Method. In: Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. v. 1. p. 342.

45.
ASSALI, L V C ; LEITE, J. R. . Hydrogen Passivation on Shallow Acceptor Levels in Crystalline Silicon. In: Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics - Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics, 1985. v. 1. p. 257.

46.
LEITE, J. R.; ALVES, J L A . Electronic Structure of Mercury, Gold and Platinum Impurities in Silicon - Microscopic Identification of Electronic Defects in Semiconductors . In: Material Research Society (MRS) Meeting, 1985, San Francisco. Material Research Society Symp. Proceedings, 1985. v. 46. p. 143.

47.
SILVA, C e T Gonçalves da ; MAKIUCHI, N ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of the Point Defects GaP:Vp and GaP:Op. In: 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1984, San Francisco. Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1984. p. 605.

48.
LEITE, J. R.. Multiple-Scattering-Cluster Model of Covalent Semiconductors. In: First Brazilian School on Semiconductor Physics, 1983. Revista Brasileira de Física, 1983. v. specia. p. 136.

49.
MAKIUCHI, N ; FAZZIO, A ; LEITE, J. R. . Jahn-Teller Distortions in GaP:O. In: First Brazilian School on Semiconductor Physics, 1983. Revista Brasileira de Física, 1983. v. specia. p. 433.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
CAVALHEIRO, A. ; TAKAHASHI, E. K. ; DA SILVA, E. C. F. ; QUIVY, A. A. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . Efeito da iluminação na estrutura eletrônica GaAs/In(0.15)Ga(0.85)As/GaAs dopada com uma camada delta de Si na barreira. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço. Resumos do XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 336-336.

2.
SANTOS, A. M. DOS ; DA SILVA, E. C. F. ; LEITE, J. R. ; ALVES, H. W. L. . Cálculo do Espectro de Fônons dos Nitretos BN, AlN, GaN e InN. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumos do XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 324-324.

3.
NORIEGA, O. C. ; TABATA, Américo ; CHITTA, V. A. ; SOTOMAYOR, N. M. ; FERNANDEZ, J. R. L. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. ; RIBEIRO, E. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Photoreflectance Measurements on Cubic GaN and GAN/InGaN Quantum Wells. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 321-322.

4.
PAIVA, R de ; NOGUEIRA, R A ; OLIVEIRA, C de ; Alves, J.L.A. ; ALVES, H. W. L. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Estudo Teórico das Ligas Ga(1-x)Al(x)N e Al(1-x)B(x)N. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 323-323.

5.
OLIVEIRA, C de ; NOGUEIRA, R A ; Alves, J.L.A. ; LEITE, J. R. . Estudo Teórico de Nanoestruturas de Compostos III-Nitretos. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 325-325.

6.
FERNANDEZ, J. R. L. ; SILVA, M. T. O. ; PUSEP, Yu. A. ; CHITTA, V. A. ; TABATA, Américo ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; ABRAMOF, Eduardo ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Cubic GaN:Si Layers Investigated by Raman Scattering Spectroscopy. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 326-327.

7.
ALVES, H. W. L. ; Alves, J.L.A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Dynamical Properties of III-Nitrides. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 328-328.

8.
CAVALHEIRO, A. ; TAKAHASHI, E. K. ; SILVA, E. F. ; QUIVY, A. A. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . The Effect of Illumination on the Electronic Structure of Si Delta-Doped In(0.15)Ga(0.85)As/GaAs Quantum Well. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 336-336.

9.
DANTAS, Noélio de Oliveira ; FANNYAO, QU. ; LEITE, J. R. ; DA SILVA, E. C. F. . The Optical Property of Delta-Doped Single Heterojunctions: Growth Direction Effects. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 337-337.

10.
SILVA, M. T. O. ; FERNANDEZ, J. R. L. ; PUSEP, Yu. A. ; CHITTA, V. A. ; TABATA, Américo ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; FREY, T. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Raman Scattering Studies of the Vibrational Properties in Non Intentionally Doped Cubic Al(x)Ga(1-x)N Layers. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 322-323.

11.
MARQUEZ, A. M. O. Z. ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; TABATA, Américo ; MENESES, E. A. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 325-325.

12.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FREY, T. ; KHARCHENKO, A ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; BECHSTEDT, F. . Reduction or Suppression of Spinodal Phase Separation in Cubic In(x)Ga(1-x)N Alloys. The Role of the Biaxial Strain.. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 327-327.

13.
LEITE, J. R.; TABATA, Américo ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; RODRIGUES, S. C. P. ; SILVEIRA, E. ; MENESES, E. A. ; RIBEIRO, E. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Light Emission Process in GaN/InGaN/GaN Quantum Wells. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 345-345.

14.
FANYAO, QU. ; DANTAS, N. O. ; LEITE, J. R. ; DA SILVA, E. C. F. . Investigation of H-Band Emission in Single Heterojunctions: Doping Role of Si Atoms. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 355-355.



Bancas




Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
LEITE, J. R.. Banca Examinadora do Concurso Público para Professor Adjunto. 2002. Universidade de Brasília.

2.
LEITE, J. R.. Concurso Público de Provas e Títulos para Professor Adjunto. 2001. Universidade Federal de São Carlos.

3.
LEITE, J. R.. Processo Seletivo para Contratação de um Docente na Categoria de Professor Doutor. 2000. Universidade de São Paulo.

Livre docência
1.
LEITE, J. R.. Banca examinadora de concurso para obtenção de título de Livre-docência. 2002. Universidade Estadual de Campinas.

2.
LEITE, J. R.. Banca examinadora de concurso para obtenção de título de Livre-docência. 2002. Universidade de São Paulo.

3.
LEITE, J. R.. Banca examinadora de concurso para obtenção de título de Livre-docência. 2001. Universidade Federal de São Carlos.

4.
LEITE, J. R.. Banca examinadora de concurso para obtenção de título de Livre-docência. 2001. Universidade de São Paulo.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
2o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede NanoSemiMat).2o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede NanoSemiMat). 2003. (Encontro).

2.
Materials Research Society's 2003 Fall Meeting.Materials Research Society's 2003 Fall Meeting. 2003. (Encontro).

3.
Second Brazilian Materials Research Society Meeting.Second Brazilian Materials Research Society Meeting. 2003. (Encontro).

4.
The eleventh Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP 2003.The eleventh Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2003. (Oficina).

5.
XVI Council Meeting of the FeLaSoFi.XVI Council Meeting of the FeLaSoFi - Federação Latino-Americana das Sociedades de Física. 2003. (Encontro).

6.
XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2003. (Encontro).

7.
24th General Assembly, International Union of Pure and Applied Physics (IUPAP). 24th General Assembly, International Union of Pure and Applied Physics (IUPAP). 2002. (Congresso).

8.
26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 26). 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 26). 2002. (Congresso).

9.
Fourth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD). Fourth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD). 2002. (Congresso).

10.
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors.International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. 2002. (Seminário).

11.
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002),. International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002). 2002. (Congresso).

12.
10th Brasilian Workshop on Semiconductor Physics. 10th Brasilian Workshop on Semiconductor Physics. 2001. (Congresso).

13.
10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures" (MSS-10). 10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-10). 2001. (Congresso).

14.
2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Aplications in Micro and Optoelectronics (NANO 2001). 2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Aplications in Micro and Optoelectronics (NANO 2001). 2001. (Congresso).

15.
Escuela Iberoamericana de Crecimento Epitaxial de Nanoestruturas Semicondutoras (EICENS'01). Escuela Iberoamericana de Crecimento Epitaxial de Nanoestruturas Semicondutoras (EICENS'01). 2001. (Congresso).

16.
International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides (PLMCN-1). International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides (PLMCN-1). 2001. (Congresso).

17.
The fourth International Conference on Nitride Semiconductors" (ICNS-4). The fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4). 2001. (Congresso).

18.
1st Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics (NANO'2000). 1st Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics (NANO'2000). 2000. (Congresso).

19.
International Specialist Meeting on Bulk Nitride Growth and Related Techniques (Bulk Nitride 2000).International Specialist Meeting on Bulk Nitride Growth and Related Techniques (Bulk Nitride 2000). 2000. (Encontro).

20.
Seminário Regional de Física.Seminário Regional de Física. 2000. (Seminário).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Joelson Cott Garcia. Joelson Cott Garcia - Propriedades estruturais e eletrônicas do óxido SrTiO(3). Início: 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Física da USP, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Tese de doutorado
1.
Angela Maria Ortiz de Zevallos Marquez. Angela M.O.Z. Marques - Propriedades de Poços Quânticos de AlGaN/GaN. Início: 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

2.
David Gregório Pacheco Salazar. David Gregório Pacheco Salazar - Propriedades Estruturais, Elétricas e Ópticas de Ligas de AlGaInN. Início: 2000. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Angela Maria Ortiz de Zevallos Marquez. Fotoluminescência de Filmes Epitaxiais de GaN Cúbico Intrínsecos e Dopados. 2002. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Física da USP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Jose Roberto Leite.

2.
NILO MAURICIO SOTOMAYOR CHOQUE. Efeitos de Interferência Na Forma de Linha dos Espectros de Fotorefletância Em Poços Quânticos Não Dopados de Gaas/In(0.15)Ga(0.85)As/Gaas. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.

3.
RICARDO TRENTIN. Luminescência Amarela Em Nitreto de Gálio Cúbico. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.

4.
Adriano Manoel dos Santos. A Influência do Potencial Elétrico Nos Estados de Não-Equilíbrio Termodinâmico No Espectro de Fotorefletância. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Física da USP, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Jose Roberto Leite.

5.
JUAREZ LOPES FERREIRA DA SILVA. Estrutura Atomica das Superficies (110), (111) e (001) do Nitreto de Galio Cubico. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.

6.
SANDRO MARTINI. Propriedades Óticas de Poços Quânticos de Ingaas/Gaas Crescidos Por Mbe Sobre Substratos Desorientados de Gaas. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Jose Roberto Leite.

7.
RICARDO WAGNER NUNES. Efeitos de Pressao Hidrostatica Sobre Niveis Profundos Em Silicio. 1990. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais, . Orientador: Jose Roberto Leite.

8.
MARILENE GONCALVES PENA. Modos Vibracionais do Complexo B-H Em Silicio. 1989. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

9.
LUISA MARIA RIBEIRO SCOLFARO. Impurezas Calcogeneas Em Silicio. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

10.
IGNES MARONI. Metodo da Translacao Espacial Aplicado A Atomos e A Molecula de Hidrogenio. 1985. Dissertação (Mestrado em Química (Físico-Química)) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

11.
HORACIO WAGNER LEITE ALVES. Niveis Profundos Associados A Vacancia e Nitrogenio Em Diamante. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

12.
MARIA DAS DORES FERREIRA DE MELO SANTOS. Estrutura Eletronica de Atomos Multieletronicos Submetidos A Campos de Laser Intensos. 1984. Dissertação - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

13.
GEORGE HUMBERTO BEZERRA. Metodo Celular Variacional Linear. 1984. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

14.
MARILDA FERRARI DA SILVA MENDES. Afinidade Eletronica de Moleculas Diatomicas Pelo Metodo Celular Variacional. 1984. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

15.
ANTONIO NEWTON BORGES. Divacancia Em Silicio Via Cndo/Bw. 1983. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

16.
EUZI CONCEICAO FERNANDES DA SILVA. Propriedades Elasticas e Momentos de Dipolo de Moleculas Diatomicas. 1982. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

17.
LUCY VITORIA CREDIDIO ASSALI. Analise Sistematica do Campo Hiperfino de Contacto Em Atomos Livres. 1982. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

18.
RENATA WENTZKOWICH. Metodo Celular Variacional Para Moleculas. 1981. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

19.
MARIA CRISTINA DOS SANTOS. Polarizacao de Spin No Metodo Celular Variacional. 1981. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

20.
TEREZA CRISTINA LANDGRAF. Niveis de Energia e Desvios Isotopicos de Uranio Atomico. 1980. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

21.
ACHILLES ROMERO RIEGO. Impurezas de Hidrogenio Em Matriz de Argonio Solido. 1978. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

22.
ALEX ANTONELLI. Estudo de Efeitos de Exchange-Correlacao Em Sistemas Eletronicos Nao Homogeneos. 1977. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

23.
ANTONIO CARLOS PAVAO. Estruturas Eletronicas de Multipletos. 1976. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

24.
JOSE CARLOS RODRIGUES. Energias Atomicas Globais. 1975. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

25.
ARMANDO CORBANI FERRAZ. Correlacao Coulombiana No Modelo do Gas de Eletrons Livres. 1975. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

26.
IOSHIAKI DOI. Campo Hiperfino de Contacto dos Elementos da Serie 4p e 4f (Terras Raras). 1973. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

Tese de doutorado
1.
Adriano Manoel dos Santos. Adriano Manoel dos Santos - Propriedades Vibracionais de Nitretos do Grupo III e de suas Ligas. 2004. 176 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Jose Roberto Leite.

2.
José Rafael León Fernandez. José Rafael Leon Fernandez - Propriedades elétricas e vibracionais de nitretos cúbicos do grupo III. 2001. 0 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Coorientador: Jose Roberto Leite.

3.
Alexandre Pimenta Lima. Crescimento por MBE: Super-Redes de GaAs com Dopagem Planar de Si e Nitretos Cúbicos do Grupo III (GaN e InN). 1999. Tese - Instituto de Física da USP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Jose Roberto Leite.

4.
JOSÉ LUIS PETRICELLI CASTINEIRA. Defeitos Nativos e Impureza de Berílio Em Nitreto de Boro Cúbico. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Jose Roberto Leite.

5.
GUILHERME MATOS SIPAHI. Teoria do Confinamento de Buracos Em Heteroestruturas Semicondutoras do Tipo Delta-Doping. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

6.
JÚLIO ANTÔNIO NIERI DE TOLEDO SOARES. A Fotorefletância Na Caracterização de Heteroestruturas e Dispositivos de Heteroestruturas Semicondutoras. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.

7.
DMITRI BELIAEV. Propriedades Eletronicas de Super-Redes Com Dopagem Planar e de Heteroestruturas Epitaxiais Semicondutoras. 1994. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.

8.
ARNALDO DAL PINO JUNIOR. Dinamica de Redes Perturbadas: Vacancias Em Si e Gaas. 1994. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

9.
RICARDO ORLANDO PINTANEL HORTA. Niveis de Impurezas Em Gaas e Gaas(1-X)P(X). 1992. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

10.
HORACIO WAGNER LEITE ALVES. Niveis Profundos de Defeitos e Impurezas Em Diamante e Germanio. 1989. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

11.
EUZI CONCEICAO FERNANDES DA SILVA. Propriedades Vibracionais de Defeitos e Impurezas Em Semicondutores. 1988. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

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13.
ANTONIO TADEU LINO. Calculos Autoconsistentes Em Cristais Pelo Metodo Celular Variacional. 1985. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

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VIVILI MARIA SILVA GOMES. Impurezas de Oxigenio Em Silicio. 1985. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

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MARILIA JUNQUEIRA CALDAS. Teoria de Niveis Profundos Em Silicio. 1981. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

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KAZUNORI WATARI. Modelo do Sub-Aglomerado Molecular do Espalhamento Multiplo. 1980. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

17.
ARMANDO CORBANI FERRAZ. Metodo Celular Variacional Para Estruturas Periodicas Com Um Atomo Por Celula Unitaria. 1979. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

18.
ANTONIO CARLOS PAVAO. Estudo dos Efeitos de Correlacao Eletronica Em Atomos e Moleculas. 1978. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

19.
ADALBERTO FAZZIO. Modelo Molecular Para Solidos Covalentes. 1978. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Jose Roberto Leite.

Iniciação científica
1.
Renato de Carvalho. Renato de Carvalho - Pontos Quânticos Auto-organizados em Ligas Semicondutoras. 2002. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Jose Roberto Leite.




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