|
Adalberto Fazzio Adalberto Fazzio é natural de Sorocaba-SP. Bacharel e Mestre em Física pela Universidade de Brasília/UnB, nos anos de 1973 e 1975, respectivamente. Doutor em Física pela Universidade de São Paulo/USP em 1978. Em 1985, tornou-se Livre-Docente no Instituto de Física da USP e, desde 1991, é Professor Titular daquela Instituição. Foi pesquisador visitante no National Renewable Energy Laboratory (USA) e pesquisador visitante no Fritz-Häber-Institut (Berlin). Como docente, tem ministrado várias disciplinas, tais como: Estado Sólido, Física Molecular, Teoria de Grupos e Semicondutores. É pesquisador I-A do CNPq. Sua área de atuação sempre esteve voltada para a Física da Matéria Condensada, dirigida primordialmente no entendimento de propriedades estruturais e eletrônicas de sólidos e aglomerados moleculares. Entretanto, recentemente, seu campo de trabalho foi expandido para a pesquisa em Simulação Computacional em Materiais, com enfoque em materiais nanoestruturados. Com mais de 200 publicações em revistas especializadas (3587 citações; fator H = 32), tem contribuído com importantes trabalhos no entendimento de impurezas profundas em semicondutores e uma participação bastante ativa na orientação de mestres e doutores. Seu grupo de pesquisa trabalhou no desenvolvimento de métodos e algoritmos computacionais de "Escala-Múltipla" para materiais, procurando entender os processos de crescimentos, difusão atômica, interfaces, defeitos extensos e nanoestrutura de carbono. Em seguida, desenvolveram o projeto Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados . Mais recentemente, desenvolvem dois projetos de pesquisa: 1) Simulação e Modelagem de Nanoestruturas ; 2) Simulação e Modelagem de Nanoestruturas e Materiais Complexos . Ocupou os cargos de Secretário, Secretário Geral, Vice-Presidente e Presidente da Sociedade Brasileira de Física (SBF) e, no momento, é Conselheiro da SBF. Foi Chefe do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica e Vice-Diretor do Instituto de Física da USP. É membro da Academia Brasileira de Ciências e Consultor da Área de Ciências Físicas da Academia. Em 2006, recebeu a comenda da Ordem Nacional do Mérito Científico. No ano de 2008, foi nomeado pelo Ministro da Educação, Fernando Haddad, membro do Conselho Superior da CAPES e, também a pedido do Ministro, foi cedido para a Universidade Federal do ABC para exercer o cargo de Diretor do Centro de Ciências Naturais e Humanas daquela instituição. Em agosto de 2008 foi nomeado, pelo Ministro da Educação, Reitor Pro Tempore da Universidade Federal do ABC, cargo exercido até fevereiro de 2010. Ainda em 2010, foi promovido à Classe da Grã-Cruz, na Ordem Nacional do Mérito Científico, por suas contribuições prestadas no ano de 2008, à Ciência e Tecnologia. Em março de 2011 foi nomeado, pelo Ministro da Ciência e Tecnologia, Aloizio Mercadante, Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCT. Em julho foi designado, pelo Ministro da Ciência, Tecnologia e Inovação, para o cargo de Secretário Adjunto da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCTI.
Última
atualização do currículo em 10/01/2012
Endereço para acessar este CV: http://lattes.cnpq.br/2714004273523549 |
| Nome | Adalberto Fazzio |
| Nome em citações bibliográficas | FAZZIO, A.;Fazzio, A. |
| Sexo | Masculino |
| Endereço profissional | Universidade de São Paulo, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. Rua do Matão, Travessa R, 187 - Cidade Universitária Butantã 05508-090 - Sao Paulo, SP - Brasil - Caixa-Postal: 66318 Telefone: (11) 30917039 URL da Homepage: http:// |
| 1985 | Livre-docência. Universidade de São Paulo, USP, Brasil. Título: Excitações e Ionizações de Metais de Transição em Semicondutores, Ano de obtenção: 1985. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. |
| 1983 - 1984 | Pós-Doutorado
. Solar Energy Research Institute. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. |
| 1975 - 1978 | Doutorado em Física
.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil. Título: Modelo Molecular para Sólidos Covalentes, Ano de Obtenção: 1978. Orientador: José Roberto Leite. Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo ,FAPESP ,Brasil . Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. |
| 1973 - 1975 | Mestrado em Física
.
Universidade de Brasília, UNB, Brasil. Título: Inclusão dos Orbitais d no Método CNDO/BW: Estudo das Ligações C-S e S-O, Ano de Obtenção: 1975. Orientador: José David Mangueira Vianna.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico ,CNPq ,Brasil . Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular. |
| 1970 - 1972 | Graduação em Física
.
Universidade de Brasília, UNB, Brasil. |
| Universidade Federal do ABC, UFABC, Brasil. |
| Vínculo institucional |
| 2008 - 2010 | Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Reitor |
| Outras informações | Publicado no D.O.U. em 08/08/2008 e empossado em 13/08/2008. |
| Vínculo institucional |
| 2008 - 2008 | Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Diretor do CCNH |
| Outras informações | Diretor do Centro de Ciências Naturais e Humanas |
| Atividades |
| 08/2008 - 02/2010 | Direção e administração, Universidade Federal do ABC, . |
| Cargo ou função Reitor. |
| 02/2008 - 08/2008 | Direção e administração, Centro de Ciências Naturais e Humanas, . |
| Cargo ou função Diretor de Unidade. |
| Universidade de São Paulo, USP, Brasil. |
| Vínculo institucional |
| 1991 - Atual | Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Titular, Regime: Dedicação exclusiva. |
| Vínculo institucional |
| 1985 - 1991 | Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Livre-Docente, Regime: Dedicação exclusiva. |
| Vínculo institucional |
| 1979 - 1985 | Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Regime: Dedicação exclusiva. |
| Atividades |
| 2008 - Atual | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, . |
|
Projetos de pesquisa CNPq/COLCIENCIAS: Colaboração Brasíl-Colômbia |
| 8/2006 - Atual | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Projetos de pesquisa FAPESP/Projeto Temático: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas e Materiais Complexos |
| 1/2006 - Atual | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Projetos de pesquisa CAPES/PROCAD: Simulação Computacional Aplicada a Sistemas Nanoestruturados |
| 12/2005 - Atual | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Projetos de pesquisa CNPq/Rede Nano: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas |
| 3/1979 - Atual | Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Linhas de pesquisa Propriedades Estruturais e Eletrônicas de Materiais |
| 3/1979 - Atual | Ensino, Física, Nível: Graduação. |
| Disciplinas ministradas Introdução à Física Atômica e Molecular Física I Física II Introdução à Física Moderna Estrutura da Matéria I Estrutura da Matéria II |
| 3/1979 - Atual | Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação. |
| Disciplinas ministradas Física do Estado Sólido I Física do Estado Sólido II Teoria de Grupos Física de Semicondutores Física Atômica e Molecular |
| 2011 - 2016 | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, . |
|
Projetos de pesquisa FAPESP/Projeto Temático: "Propriedades Eletrônicas, Magnéticas e de Transporte em Nanoestruturas" |
| 2010 - 2012 | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, . |
|
Projetos de pesquisa CNPq/Universal: "Transporte Eletrônico em GPU's: Simulações de Alto Desempenho" |
| 2007 - 2009 | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, . |
|
Projetos de pesquisa CNPq/Universal: Simulação de Nanoestruturas |
| 10/2006 - 10/2007 | Direção e administração, Instituto de Física, . |
| Cargo ou função Vice-Diretor do Instituto de Física da USP. |
| 5/2002 - 4/2006 | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Projetos de pesquisa Projeto Temático FAPESP: Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados |
| 10/2000 - 10/2005 | Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
|
Projetos de pesquisa CNPq/PRONEX: Métodos e Algoritmos de Escala-Múltipla para Materiais |
| 10/1998 - 10/2002 | Direção e administração, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica. |
| Cargo ou função Vice-Diretor do Instituto de Física da USP. |
| Ministério da Ciência e Tecnologia, MCT, Brasil. |
| Vínculo institucional |
| 2011 - Atual | Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias |
| Outras informações | Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCT |
| 2011 - 2016 | FAPESP/Projeto Temático: "Propriedades Eletrônicas, Magnéticas e de Transporte em Nanoestruturas" |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: US$ 367.300,00 + R$ 669.181,88 +R$ 99.171,00 (Reserva de Importação)
Período de Vigência: 1º de abril de 2011 a 31 de março de 2016
. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico ( 2) Doutorado ( 4) . Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Antônio José Roque da Silva - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.. |
| 2010 - 2012 | CNPq/Universal: "Transporte Eletrônico em GPU's: Simulações de Alto Desempenho" |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 25.700,00
Período de Vigência: 1º de outubro de 2010 a 30 de setembro de 2012
. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico ( 2) Doutorado ( 4) . Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.. |
| 2008 - 2010 | CNPq/COLCIENCIAS: Colaboração Brasíl-Colômbia |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 37.000,00
Período de Vigência: 02 de junho de 2008 a 1º de junho de 2010
A Física de Novos Materiais: Spintronics e propriedades eletrônicas, magnéticas, e de transporte de semicondutores magnéticos diluídos e nanoestruturas magnéticas. Este subprojeto está relacionado com o estudo de diversas propriedades eletrônicas, magnéticas e de transportes de nanoestruturas semicondutoras magnéticas. Esta área de pesquisa é de importância fundamental para a indústria de microeletrônica e de dispositivos de leitura e gravação magnética. Além disto, os pesquisadores envolvidos neste projeto têm larga experiência de pesquisa nas áreas de nanoestruturas semicondutoras e de multicamadas metálicas magnéticas.
. Situação: Concluído; Natureza: Outra. Integrantes: Antônio José Roque da Silva - Integrante / Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira - Integrante / Raimundo Rocha dos Santos - Integrante / Ernesto Amador Reyes-Gómez - Integrante / Carlos Alberto Duque Echeverri - Integrante / Jorge Mário Osório - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. . |
| 2007 - 2009 | CNPq/Universal: Simulação de Nanoestruturas |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 38.776,40
Período de Vigência: 31 de dezembro de 2007 a 30 de dezembro de 2009
A área de pesquisa em nanociência tem a característica multidisciplinar e multitécnica, como tem sido amplamente divulgado, mas também uma necessidade expressiva de competência na identificação de problemas, de aplicações em que uma ou outra especialização é importante ou relevante. Ou seja, não dispensa a atividade de aplicação e desenvolvimento de técnicas altamente especializadas. Do ponto de vista da ciência básica, o estudo e previsão do comportamento da matéria no limite nanoscópico passa pela resolução teórica da Equação de Schrödinger para sistemas extremamente complexos.
Com o avanço no desempenho dos computadores e o desenvolvimento de novos algoritmos para a solução dessa equação, atualmente é possível estudar de forma precisa fenômenos físicos em sistemas contendo centenas de átomos, em particular, através da teoria do funcional da densidade (DFT). A gama de problemas que o grupo de teoria do Departamento de Materiais e Mecânica do IFUSP tem estudado é enorme, indo de sistemas de pouca complexidade estrutural, como pequenas moléculas ou sólidos cristalinos, até o estudo de sistemas de interesse biológico com grande complexidade. Esses estudos fazem parte de uma nova era, na qual podemos predizer propriedades de novos materiais e também projetar materiais no computador. Além dos estudos dos sistemas em equilíbrio é também possível investigá-los fora do equilíbrio como, por exemplo, focalizando o transporte de carga em um dispositivo.
. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico ( 1) Doutorado ( 7) . Integrantes: Alexandre Reily Rocha - Integrante / Antônio José Roque da Silva - Integrante / Márcio Teixeira do Nascimento Varella - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. . |
| 2006 - 2010 | FAPESP/Projeto Temático: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas e Materiais Complexos |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 363.578,27 + US$ 134.938,06
Período de Vigência: 01/08/2006 a 31/07/2010
A área de pesquisa em nanociência tem característica multidisciplinar e multitécnica, como amplamente divulgado, mas também uma necessidade expressiva de competência na identificação de problemas e aplicações, em que uma ou outra especialização é importante. Com o avanço no desempenho dos computadores e o desenvolvimento de novos algoritmos para a solução da equação de Schrödinger, atualmente é possível estudar de forma precisa fenômenos físicos em sistemas contendo centenas de átomos, em particular, através da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). A gama de problemas que o grupo proponente tem estudado é enorme, indo de sistemas de pouca complexidade estrutural, como pequenas moléculas ou sólidos cristalinos, até o estudo de sistemas complexos, como amorfos e nanofios. Esses estudos fazem parte de uma nova era, na qual podemos predizer propriedades de novos materiais e também projetar materiais no computador. Além dos estudos dos sistemas em equilíbrio, é também possível investigá-los fora do equilíbrio como, por exemplo, focalizando no transporte de carga através de um dispositivo.
Neste projeto temático damos continuidade a algumas sub-áreas contempladas no temático anterior (processo 01/13008-2 intitulado Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados), que está sendo executado com grande sucesso. Os principais tópicos que pretendemos estudar são: i) os fenômenos de transporte eletrônico em nanosistemas; ii) métodos de múltipla escala; iii) termodinâmica de nanoestruturas; iv) nanofios semicondutores; v) sistemas complexos, onde pretendemos estudar, em particular, transições de fase, HfO2, e o gelo; e vi) evolução dinâmica de nanofios metálicos.
. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação ( 0) / Especialização ( 0) / Mestrado acadêmico ( 1) / Mestrado profissionalizante ( 0) / Doutorado ( 3) . Integrantes: A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / E Z da Silva - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.. |
| 2005 - 2010 | CNPq/Rede Nano: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 877.834,64
Vigência: 01/10/2005 a 30/08/2010
O objetivo do presente projeto é criar uma rede de teóricos com vasta experiência e alta capacitação na área de simulação de materiais, com particular ênfase em métodos precisos baseados em uma metodologia de primeiros princípios. Essa rede formará um núcleo de referência que irá interagir com todas as outras redes experimentais, auxiliando no entendimento dos resultados experimentais já existentes, bem como propondo novos experimentos ou instigando novas áreas de pesquisa.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação ( 0) / Especialização ( 0) / Mestrado acadêmico ( 1) / Mestrado profissionalizante ( 0) / Doutorado ( 3) . Integrantes: R H Miwa - Integrante / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / P Venezuela - Integrante / P Piquini - Integrante / B Koiller - Integrante / D S Galvão - Integrante / E Z da Silva - Integrante / H Chacham - Integrante / K W Capelle - Integrante / M C dos Santos - Integrante / M J Caldas - Integrante / R W Nunes - Integrante / R B Capaz - Integrante / R Mota - Integrante / S Canuto - Integrante / T M Schmidt - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.. |
| 2005 - 2010 | CAPES/PROCAD: Simulação Computacional Aplicada a Sistemas Nanoestruturados |
| Descrição: Coordenador Geral: Adalberto Fazzio - Montante: R$ 250.000,00 - Período de Vigência: 28 de dezembro de 2005 a 30 de novembro de 2010
Os grupos de pesquisa em Estrutura Eletrônica dos Materiais do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP), Instituto de Física da Universidade Federal de Uberlândia (InFis-UFU) e do Departamento de Física da Universidade Federal de Santa Maria (DeFis-UFSM) têm mantido trabalhos de colaboração científica desde 1995, com uma série de publicações científicas em periódicos indexados ("Qualis A" - CAPES). Esses trabalhos têm sido frutos da interação hoje existente entre estes grupos de pesquisa. No presente projeto, pretendemos manter e ampliar os trabalhos em cooperação visando:
- constante melhoria/atualização da capacitação dos pesquisadores envolvidos;
- dar oportunidades de intercâmbio entre os alunos de pós-graduação das três instituições citadas acima;
- solidificar e incrementar os programas de pós-graduação das instituições associadas.
Equipe Líder: USP - Coordenador: Adalberto Fazzio
Equipe Associada: UFSM - Coordenador: Paulo Cesar Piquini
Equipe Associada: UFU - Coordenador: Roberto Hiroki Miwa. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação ( 0) / Especialização ( 0) / Mestrado acadêmico ( 0) / Mestrado profissionalizante ( 0) / Doutorado ( 0) . Integrantes: R H Miwa - Integrante / P Piquini - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.. |
| 2002 - 2006 | Projeto Temático FAPESP: Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: US$ 170.000,00 + R$ 205.848,00
Período de Vigência: 01/05/2002 a 30/04/2006. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação ( 0) / Especialização ( 0) / Mestrado acadêmico ( 0) / Mestrado profissionalizante ( 0) / Doutorado ( 3) . Integrantes: A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / E Z da Silva - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro. Número de produções C, T & A: 44 / Número de orientações: 3. |
| 2000 - 2005 | CNPq/PRONEX: Métodos e Algoritmos de Escala-Múltipla para Materiais |
| Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio
Montante: R$ 250.000,00
Período de Vigência: 04/10/2000 a 03/10/2005. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação ( 0) / Especialização ( 0) / Mestrado acadêmico ( 0) / Mestrado profissionalizante ( 0) / Doutorado ( 3) . Integrantes: T.M. SCHMIDT - Integrante / S. CANUTO - Integrante / M.J. CALDAS - Integrante / R H Miwa - Integrante / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / Fernando de Brito Mota - Integrante / P Venezuela - Integrante / L V C Assali - Integrante / E Z da Silva - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.. |
| 1. | Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. |
| 2. | Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular. |
| 3. | Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Geral. |
| Inglês | Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem. |
| Espanhol | Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente. |
| Italiano | Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente. |
| 2010 | Classe da Grã-Cruz na Ordem Nacional do Mérito Científico, Presidência da República do Brasil. |
| 2006 | Fellow, Institute of Physics (IoP). |
| 2006 | Comendador da Ordem Nacional do Mérito Científico, Presidência da República do Brasil. |
| 2004 | Menção Honorífica - Prêmio SBF de Melhor Tese de Doutoramento - Dr. Gustavo Martini Dalpian; Orientador: Adalberto Fazzio, Sociedade Brasileira de Física. |
| Produção bibliográfica |
| Citações | ||||||||||
| ||||||||||
| Artigos completos publicados em periódicos |
| 1. | MIWA, R. H. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Tuning Low-Spin to High-Spin Mn Pairs in 2-D ZnO by Injecting Holes. IEEE Transactions on Nanotechnology , v. 11, p. 71-76, 2012. |
| 2. | PADILHA, J. E. ; AMORIM, R G ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Energetics and Stability of Vacancies in Carbon Nanotubes. Solid State Communications , v. 151, p. 482-486, 2011. |
| 3. | RIGO, V. A. ; MIWA, R. H. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Mn Dimers on Graphene Nanoribbons: An Ab Initio Study. Journal of Applied Physics , v. 109, p. 053715-1-053715-4, 2011. |
| 4. | MENEZES, V. M. ; ROCHA, A. R. ; ZANELLA, I ; MOTA, R ; FAZZIO, A. ; FAGAN, S B . Electronic Transport Properties of Ascorbic Acid and Nicotinamide Adsorbed on Single-Walled Carbon Nanotubes. Chemical Physics Letters (Print) , v. 506, p. 233-238, 2011. |
| 5. | PONTES, R B ; ROCHA, A. R. ; SANVITO, S. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Ab Initio Calculations of Structural Evolution and Conductance of Benzene-1,4-dithiol on Gold Leads. ACS Nano , v. 5, p. 795-804, 2011. |
| 6. | PADILHA, J. E. ; PONTES, R B ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons. International Journal of Quantum Chemistry , v. 111, p. 1379-1386, 2011. |
| 7. | ALMEIDA, J. M. ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Spin Filtering and Disorder-Induced Magnetoresistance in Carbon Nanotubes: Ab Initio Calculations. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 84, p. 085412-1-085412-6, 2011. |
| 8. | PADILHA, J. E. ; LIMA, M. P. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Bilayer Graphene Dual-Gate Nanodevice: An Ab Initio Simulation. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 84, p. 113412-1-113412-4, 2011. |
| 9. | MIWA, R. H. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Piezomagnetic Behavior of Co-Doped ZnO Nanoribbons. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 84, p. 155309-1-155309-5, 2011. |
| 10. | MIWA, R. H. ; SCHMIDT, T. M. ; SCOPEL, W. L. ; FAZZIO, A. . Doping of Graphene Adsorbed on the a-SiO2 Surface. Applied Physics Letters , v. 99, p. 163108-1-163108-3, 2011. |
| 11. | SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; FAZZIO, A. . Spin Texture and Magnetic Anisotropy of Co Impurities in Bi2Se3 Topological Insulators. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 84, p. 245418-1-245418-4, 2011. |
| 12. | LIMA, M. P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Adatoms in Graphene as a Source of Current Polarization: Role of the Local Magnetic Moment. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 84, p. 245411-1-245411-6, 2011. |
| 13. | WRASSE, E. O. ; BAIERLE, R. J. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Quantum Confinement and Spin-Orbit Interactions in PbSe and PbTe Nanowires: First-Principles Calculation. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 84, p. 245324-1-245324-6, 2011. |
| 14. | LIMA, M. P. ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Splitting of the Zero-Energy Edge States in Bilayer Graphene. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 81, p. 045430, 2010. |
| 15. | PODILA, R. ; QUEEN, W. ; NATH, A. ; ARANTES, J T ; SCHOENHALZ, A. L. ; FAZZIO, A. ; DALPIAN, G. M. ; HE, J. ; HWU, S. J. ; SKOVE, M. J. ; RAO, A. M. . Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured ZnO. Nano Letters , v. 10, p. 1383-1386, 2010. |
| 16. | SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; FAZZIO, A. . Ferromagnetic Coupling in a Co-doped Graphenelike ZnO Sheet. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 81, p. 195413-1-195413-4, 2010. |
| 17. | da Silva, Antonio J. R. ; PIQUINI, P ; ARANTES, J T ; BAIERLE, R. J. ; FAZZIO, A. . Mn-doped Cubic BN as an Atomiclike Memory Device: A Density Functional Study. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 81, p. 195432-1-195432-5, 2010. |
| 18. | HOBI JR., E. ; PONTES, R B ; FAZZIO, A. ; da Silva, Antonio J. R. . Formation of Atomic Carbon Chains from Graphene Nanoribbons. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 81, p. 201406-1-201406-4, 2010. |
| 19. | ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; Fazzio, A. ; SILVA, A. J. R. . Disorder-based Graphene Spintronics. Nanotechnology (Bristol) , v. 21, p. 345202, 2010. |
| 20. | ROCHA, A. R. ; ROSSI, M ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Realistic Calculations of Carbon-based Disordered Systems. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print) , v. 43, p. 374002, 2010. |
| 21. | LIMA, M. P. ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Mimicking Nanoribbon Behavior Using a Graphene Layer on SiC. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 82, p. 153402-1-153402-4, 2010. |
| 22. | SCHOENHALZ, A. L. ; ARANTES, J. ; FAZZIO, A. ; DALPIAN, G. M. . Surface and Quantum Confinement Effects in ZnO Nanocrystals. Journal of physical chemistry. C , v. 114, p. 18293-18297, 2010. |
| 23. | SCOPEL, W. L. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical Investigation of Hf and Zr Defects in c-Ge. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 21, p. 012206, 2009. |
| 24. | PONTES, R B ; FAZZIO, A. ; DALPIAN, G. M. . Barrier-Free Substitutional Doping of Graphene Sheets with Boron Atoms: Ab Initio Calculations. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 79, p. 033412, 2009. |
| 25. | RIGO, V. A. ; MARTINS, T B ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; MIWA, R. H. . Electronic, Structural, and Transport Properties of Ni-Doped Graphene Nanoribbons. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 79, p. 075435, 2009. |
| 26. | MARTINS, T B ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Organic Molecule Assembled Between Carbon Nanotubes: A Highly Efficient Switch Device. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 79, p. 115413-1-115413-4, 2009. |
| 27. | ARANTES, J T ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. ; Xiang, H.J. ; WEI, S H ; DALPIAN, G. M. . Effects of Side-Chain and Electron Exchange Correlation on the Band Structure of Perylene Diimide Liquid Crystals: A Density Functional Study. Journal of Physical Chemistry B , v. 113, p. 5376-5380, 2009. |
| 28. | LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Edge Effects in Bilayer Graphene Nanoribbons: Ab Initio Total-Energy Density Functional Theory Calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 79, p. 153401-1-153401-4, 2009. |
| 29. | SCHOENHALZ, A. L. ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. ; DALPIAN, G. M. . Surface Magnetization in Non-Doped ZnO Nanostructures. Applied Physics Letters , v. 94, p. 162503-1-162503-3, 2009. |
| 30. | FAGAN, S B ; MENEZES, V. ; ZANELLA, I ; MOTA, R. ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. . Electronic, Structural and Transport Properties of Nicotinamide and Ascorbic Acid Interacting with Carbon Nanotubes. Materials Research Society Symposium Proceedings , v. 1142, p. 15-25, 2009. |
| 31. | HOBI JR., E. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Temperature and Quantum Effects in the Stability of Pure and Doped Gold Nanowires. Physical Review Letters , v. 100, p. 056104, 2008. |
| 32. | ROSSATO, J ; BAIERLE, R. J. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . First-Principles Study of the Adsorption of Atomic and Molecular Hydrogen on BC2N Nanotubes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 77, p. 035129, 2008. |
| 33. | MIWA, R. H. ; MARTINS, T B ; FAZZIO, A. . Hydrogen Adsorption on Boron Doped Graphene: An Ab Initio Study. Nanotechnology (Bristol) , v. 19, p. 155708, 2008. |
| 34. | SILVA, L. B. ; FAGAN, S B ; MOTA, R ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of SO2 Molecules Interacting with Pristine and Transition Metal Covered Fullerenes as a Possible Route for Nanofilters. Journal of Physical Chemistry C , v. 112, p. 6677-6680, 2008. |
| 35. | Zanella, Ivana ; Fagan, Solange B. ; MOTA, R. ; Fazzio, A. . Electronic and Magnetic Properties of Ti and Fe on Graphene. Journal of Physical Chemistry C , v. 112, p. 9163-9167, 2008. |
| 36. | ROCHA, A. R. ; PADILHA, J. E. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Transport Properties of Single Vacancies in Nanotubes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 77, p. 153406, 2008. |
| 37. | ROCHA, A. R. ; ROSSI, M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Designing Real Nanotube-Based Gas Sensors (EDITOR'S SUGGESTION). Physical Review Letters , v. 100, p. 176803, 2008. |
| 38. | SCOPEL, W. L. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Amorphous HfO2 and Hf1-xSixO via a Melt-and-Quench Scheme using Ab Initio Molecular Dynamics. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 77, p. 172101, 2008. |
| 39. | Leao, C. R. ; FAZZIO, A. ; da Silva, Antonio J. R. . Confinement and Surface Effects in B and P Doping of Silicon Nanowires. Nano Letters , v. 8, p. 1866-1871, 2008. |
| 41. | Arantes, J. T. ; DALPIAN, G. M. ; Fazzio, A. . Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: A first-principles study. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 78, p. 045402, 2008. |
| 42. | MARTINS, T B ; Silva, Antônio J. R. da ; MIWA, R. H. ; Fazzio, A. . Sigma and Pi-Defects at Graphene Nanoribbon Edges: Building Spin Filters. Nano Letters , v. 8, p. 2293-2298, 2008. |
| 43. | MOTA, R ; FAGAN, S B ; FAZZIO, A. . First Principles Study of Titanium-Coated Carbon Nanotubes as Sensors for Carbon Monoxide Molecules. Surface Science , v. 601, p. 4102-4104, 2007. |
| 44. | ARANTES, J T ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Theoretical Investigation of a Mn-Doped Si/Ge Heterostructure. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 75, p. 075316-1-075316-4, 2007. |
| 45. | AMORIM, E P M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Short Linear Atomic Chains in Copper Nanowires. Nanotechnology (Bristol) , v. 18, p. 145701, 2007. |
| 46. | FAGAN, S B ; E J G dos Santos ; SOUZA FILHO, A. G. ; J Mendes Filho ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of 2,3,7,8-tetrachlorinated dibenzo-p-dioxin adsorption on single wall carbon nanotubes. Chemical Physics Letters , v. 437, p. 79, 2007. |
| 47. | ARANTES, J T ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Structural, Electronic, and Magnetic Properties of Mn-Doped Ge Nanowires by Ab Initio Calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 75, p. 115113, 2007. |
| 48. | LIMA, M. P. ; PEDROZA, L. S. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; VIEIRA, D. ; H J P Freire ; CAPELLE, K. . Simple Implementation of Complex Functionals: Scaled Self-Consistency. Journal of Chemical Physics , v. 126, p. 144107, 2007. |
| 49. | BAIERLE, R. J. ; SCHMIDT, T M ; FAZZIO, A. . Adsorption of CO and NO Molecules on Carbon Doped Boron Nitride Nanotubes. Solid State Communications , v. 142, p. 49, 2007. |
| 50. | LEÃO, C R ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Si Nanowires as Sensors: Choosing the Right Surface. Nano Letters , v. 7, p. 1172, 2007. |
| 51. | MIWA, R H ; SCHMIDT, T M ; FAZZIO, A. . EL2-Like Defects in InP Nanowires: An Ab Initio Total Energy Investigation. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 75, p. 165324, 2007. |
| 52. | ZANELLA, I ; FAGAN, S B ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Pristine and Si-Doped Capped Carbon Nanotubes Interacting with Nimesulide Molecules. Chemical Physics Letters , v. 439, p. 348, 2007. |
| 53. | MARTINS, T B ; MIWA, R H ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Transport Properties of Boron-Doped Graphene Nanoribbons. Physical Review Letters , v. 98, p. 196803, 2007. |
| 54. | SCOPEL, W. L. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Hf Defects in c-Si and their Importance for the HfO2/Si Interface: Density-Functional Calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 75, p. 193203, 2007. |
| 55. | AMORIM, R G ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da . Divacancies in Graphene and Carbon Nanotubes. Nano Letters , v. 7, p. 2459-2462, 2007. |
| 56. | ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigations of Ge Nanowires Grown Along the [110] and [111] Directions. Nanotechnology (Bristol) , v. 18, p. 295706, 2007. |
| 57. | NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Oxygen Clamps in Gold Nanowires. Physical Review Letters , v. 96, p. 01610, 2006. |
| 58. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Gold Nanowires and the Effect of Impurities. Nanoscale Research Letters , v. 1, p. 91, 2006. |
| 59. | FAGAN, S B ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Titanium Monomers and Wires Adsorbed on Carbon Nanotubes: A First Principles Study. Nanotechnology (Bristol) , v. 17, p. 1154, 2006. |
| 60. | KONING, M de ; ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Orientational Defects in Ice Ih: An Interpretation of Electrical Conductivity Measurements. Physical Review Letters , v. 96, p. 07550, 2006. |
| 61. | DALPIAN, G M ; WEI, S H ; GONG, X G ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Phenomenological Band Structure Model of Magnetic Coupling in Semiconductors. Solid State Communications , v. 138, p. 353, 2006. |
| 62. | SCHMIDT, T.m. ; VENEZUELA, P ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . Electronic and Magnetic Properties of Mn-Doped InP Nanowires from First Principles. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 73, p. 23533, 2006. |
| 63. | NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Density Functional Theory Method for Non-Equilibrium Charge Transport Calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics , v. 36, p. 799-807, 2006. |
| 64. | PONTES, R B ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of Benzene-1,4-dithiol on the Au(111) Surface and its Possible Role in Molecular Conductance. Journal of the American Chemical Society , v. 128, p. 8996, 2006. |
| 65. | SILVA, L B da ; FAGAN, S B ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Silicon Adsorption in Defective Carbon Nanotubes: A First Principles Study. Nanotechnology (Bristol) , v. 17, p. 4088, 2006. |
| 66. | ZANELLA, I ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . C59Si on the Monohydride Si(100):H-(2x1) Surface. Journal of Physical Chemistry B , v. 110, p. 10849, 2006. |
| 67. | SCHMIDT, T.m. ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . First Principles Calculations of As Impurities in the Presence of a 90º Partial Dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics , v. 36, p. 261, 2006. |
| 68. | BAIERLE, R J ; PIQUINI, P ; SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Hydrogen Adsorption on Carbon-Doped Boron Nitride Nanotube. Journal of Physical Chemistry B , v. 110, p. 21184-21188, 2006. |
| 69. | KONING, M de ; ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Structure and Energetics of Molecular Point Defects in Ice Ih. Physical Review Letters , v. 97, p. 155501-1-155501-4, 2006. |
| 70. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . Effects of Disorder on the Exchange Coupling in (Ga,Mn)As Diluted Magnetic Semiconductors. Brazilian Journal of Physics , v. 36, p. 813-816, 2006. |
| 71. | ZANELLA, I ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Electronic and Structural Properties of C59Si on the Monohydride Si(100) Surface. International Journal of Quantum Chemistry , v. 103, p. 557, 2005. |
| 72. | MIWA, R H ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. . Carbon Nanotube Adsorbed on Hydrogenated Si(001) Surfaces. Applied Surface Science , v. 244, p. 124, 2005. |
| 73. | ROSSATO, J ; BAIERLE, R J ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Vacancy Formation Process in Carbon Nanotubes: First-Principles Approach. Nano Letters , v. 5, p. 197, 2005. |
| 74. | PIQUINI, P ; BAIERLE, R J ; SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Formation Energy of Native Defects in BN Nanotubes: An Ab Initio Study. Nanotechnology (Bristol) , v. 16, p. 827, 2005. |
| 75. | MIWA, R H ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. . Substrate-Dependent Electronic Properties of an Armchair Carbon Nanotube Adsorbed on H/Si(001) - CAPA DA REVISTA. Applied Physics Letters , v. 86, p. 21311, 2005. |
| 76. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Bundling up Carbon NanotubesThrough Wigner Defects. Nano Letters , v. 5, p. 1045, 2005. |
| 77. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . Disorder and the Effective Mn-Mn Exchange Interaction in Ga1-xMnxAs Diluted Magnetic Semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 72, p. 12520, 2005. |
| 78. | HOBI JR, e ; SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Contaminants in Suspended Gold Chains: An Ab Initio Molecular Dynamics Study. Physical Review Letters , v. 95, p. 16960, 2005. |
| 79. | SCHMIDT, T.m. ; MIWA, R H ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. . Stability and Electronic Confinement of Free-Standing InP Nanowires: Ab Initio Calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 72, p. 19340, 2005. |
| 80. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Oxygen-Induced Atomic Desorptions in Oxynitrides: Density Functional Calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 72, p. 20531, 2005. |
| 81. | SILVA, e Z da ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Breaking of Gold Nanowires. Computational Materials Science , v. 30, p. 73, 2004. |
| 82. | ORELLANA, W ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Stability and Electronic Properties of Carbon Nanotubes Adsorbed on Si(001). Surface Science , v. 566, p. 728, 2004. |
| 83. | VENEZUELA, P ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Carbon in SixGe1-x: An Ab Initio Investigation. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 69, p. 11520, 2004. |
| 84. | SCOPEL, W L ; SILVA, A J R da ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. . Comparative Study of Defect Energetics in HfO2 and SiO2. Applied Physics Letters , v. 84, p. 1492, 2004. |
| 85. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Mn Atoms on the Si(100) Surface. Surface Science , v. 566, p. 688, 2004. |
| 86. | NOVAES, F D ; SILVA, e Z da ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities on the Breaking of Au Nanowires. Surface Science , v. 566, p. 367, 2004. |
| 87. | MIRANDA, C R ; ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Vacancy-Like Defects in a-Si: A First Principles Study. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338340, p. 400, 2004. |
| 88. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of the Formation, Evolution, and Breaking of Gold Nanowires. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 69, p. 11541, 2004. |
| 89. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Substitutional Si Doping in Deformed Carbon Nanotubes. Nano Letters , v. 4, p. 975, 2004. |
| 90. | SILVA, C R S da ; JUSTO, J F ; FAZZIO, A. . On the Reversibility of Hydrogen Effects on the Properties of Amorphous Silicon Carbide. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338340, p. 299, 2004. |
| 91. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . An Ab Initio Study of Manganese Atoms and Wires Interacting with Carbon Nanotubes. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 16, p. 3647, 2004. |
| 92. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Initial Stages of Ge and Si Growth Near SB Monoatomic Steps on Si(100). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 70, p. 19330, 2004. |
| 93. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Diffusion-Reaction Mechanisms of Nitriding Species in SiO2. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 70, p. 12520, 2004. |
| 94. | SCOPEL, W L ; SILVA, A J R da ; ORELLANA, W ; FANTINI, M C A ; FAZZIO, A. . Theoretical and Experimental Studies of the Atomic Structure of Oxygen-Rich Amorphous Silicon Oxynitride Films. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , 2004. |
| 95. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Stabilization of Substitutional Mn in Silicon-Based Semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 70, p. 19320, 2004. |
| 96. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . First Principles Study of the Ferromagnetism in Ga1-xMnxAs Semiconductors. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 16, p. 8243, 2004. |
| 97. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Energetics and Structural Properties of Adsorbed Atoms and Molecules on Silicon-Doped Carbon Nanotubes. Materials Characterization , v. 50, p. 183, 2003. |
| 98. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of an Organic Molecule Interacting with a Silicon-Doped Carbon Nanotube. Diamond and Related Materials , v. 12, p. 861, 2003. |
| 99. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Oxidation at the Si/SiO2 Interface: Influence of the Spin Degree of Freedom. Physical Review Letters , v. 90, p. 01610, 2003. |
| 100. | NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities in the Large Au-Au Distances in Gold Nanowires. Physical Review Letters , v. 90, p. 03610, 2003. |
| 101. | SCHMIDT, T.m. ; BAIERLE, R J ; PIQUINI, P. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Native Defects in BN Nanotubes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 67, p. 11340, 2003. |
| 102. | FAGAN, S B ; SILVA, A J R da ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; FAZZIO, A. . Functionalization of Carbon Nanotubes Through the Chemical Binding of Atoms and Molecules. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 67, p. 03340, 2003. |
| 103. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Magnetic Properties of Iron Chains on Carbon Nanotubes. Microelectronics Journal , v. 34, p. 481, 2003. |
| 104. | MIWA, R H ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of Extended Defects and Their Interactions with Vacancies in SixGe1-x. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 67, p. 20531, 2003. |
| 105. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of an Iron Atom Interacting with Single-Wall Carbon Nanotubes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 67, p. 20541, 2003. |
| 106. | ORELLANA, W ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . First-Principles Calculations of Carbon Nanotubes Adsorbed on Si(001). Physical Review Letters , v. 91, p. 16680, 2003. |
| 107. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of a Possible MnxSi1-x Ferromagnetic Semiconductor. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 68, p. 11331, 2003. |
| 108. | SCOPEL, W L ; SILVA, A J R da ; ORELLANA, W ; PRADO, R J ; FANTINI, M C A ; FAZZIO, A. ; PEREYRA, I . Theoretical and Experimental Studies of the Atomic Structure of Oxygen-Rich Amorphous Silicon Oxynitride Films. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 68, p. 15533, 2003. |
| 109. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . Electronic Structure and Origin of Ferromagnetism in Ga1-xMnxAs Semiconductors. Physica. B, Condensed Matter , v. 340342, p. 874, 2003. |
| 110. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Fe and Mn Atoms Interacting with Carbon Nanotubes. Physica. B, Condensed Matter , v. 340342, p. 982, 2003. |
| 111. | JUSTO, J. F. ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . First-Principles Investigation of a-SiNx:H. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 65, p. 07320, 2002. |
| 112. | SILVA, C R S da ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Structural Order and Clustering in Annealed Alfa-SiC and Alfa-SiC:H. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 65, p. 10410, 2002. |
| 113. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Vacancy-Mediated Diffusion in Disordered Alloys: Ge Self-Diffusion in Si(1-x)Ge(x). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 65, p. 19330, 2002. |
| 114. | ANTONELLI, A ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Interaction of As Impurities with 30º Partial Dislocations in Si: An Ab Initio Investigation. Journal of Applied Physics , v. 91, p. 5892, 2002. |
| 115. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Influence of Spin State on Dynamical Processes of O2 in Alfa-Quartz. 2001 Mrs Workshop Series, p. 32, 2002. |
| 116. | SILVA, C R S da ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Structural Order and Clustering in Annealed a-SiC and a-SiC:H Films. 2001 Mrs Workshop Series, p. 30, 2002. |
| 117. | MOTA, F. B. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Defect Centers in a-SiNx: Electronic and Structural Properties. Brazilian Journal of Physics , v. 32, p. 436, 2002. |
| 118. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Arsenic Segregation, Pairing and Mobility on the Partial Dislocation in Silicon. Journal of Physics. B, Atomic, Molecular and Optical Physics , v. 14, p. 12761, 2002. |
| 119. | DALPIAN, G M ; VENEZUELA, P ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Calculations of Vacancies in SixGe1-x. Applied Physics Letters , v. 81, p. 3383, 2002. |
| 120. | DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical STM Images of Ge Monomers and Trimers on Si(100). Surface Science , v. 482485, p. 507, 2001. |
| 121. | SILVA, A J R da ; BAIERLE, R J ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Native Defects in Germanium. Physica. B, Condensed Matter , v. 302303, p. 364, 2001. |
| 122. | SCHMIDT, T. M. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Stacking Fault Effects in Pure and N-Type Doped GaAs. Applied Physics Letters , v. 78, p. 907, 2001. |
| 123. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . The Energetics of Dislocation Cores in Semiconductors and their Role on Dislocation Mobility. Physica. B, Condensed Matter , v. 302303, p. 398, 2001. |
| 124. | JUSTO, J. F. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Segregation of Dopant Atoms on Extended Defects in Semiconductors. Physica. B, Condensed Matter , v. 302303, p. 403, 2001. |
| 125. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; BAIERLE, R. J. ; PAIVA, G. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Stability Investigation and Thermal Behavior of a Hypothetical Silicon Nanotube. Journal of Molecular Structure. Theochem , v. 539, p. 101, 2001. |
| 126. | SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Ab Initio Calculations on the Compensation Mechanisms in InP. Solid State Communications , v. 117, p. 353, 2001. |
| 127. | DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of Monomers on Semiconductors and the Importance of the Surface Degrees of Freedom. Physical Review B - Solid State , v. 63, p. 20530, 2001. |
| 128. | SILVA, C R S da ; FAZZIO, A. . Formation and Structural Properties of the Amorphous-Crystal Interface in a Nanocrystalline System. Physical Review B - Solid State , v. 64, p. 75301, 2001. |
| 129. | DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Influence of Surface Degrees of Freedom on the Adsorption of Ge Ad-Atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, p. 19, 2001. |
| 130. | BAIERLE, R J ; FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of Silicon Doped Carbon Nanotubes. Physical Review B - Solid State , v. 64, p. 85413, 2001. |
| 131. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Dislocation Core Properties in Semiconductors. Solid State Communications , v. 118, p. 651, 2001. |
| 132. | SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Two-Atom Structures of Ge on Si(100): Dimers versus Adatom Pairs. Physical Review Letters , v. 87, p. 36104, 2001. |
| 133. | VENEZUELA, P ; SILVA, A J R da ; SILVA, C. ; DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. . Ab Initio Studies of the Si1-xGex Alloy and its Intrinsic Defects. Computational Materials Science, v. 22, p. 62, 2001. |
| 134. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . O2 Diffusion in SiO2: Triplet versus Singlet. Physical Review Letters , v. 87, p. 15590, 2001. |
| 135. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Determination of the Atomistic Structure of SixGe1-x Alloy. Physical Review B - Solid State , v. 64, p. 19320, 2001. |
| 136. | SILVA, e Z da ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . How do Gold Nanowires Break?. Physical Review Letters , v. 87, p. 25610, 2001. |
| 137. | SILVA, C R S da ; VENEZUELA, P ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of the Pressure Induced Cubic-Diamond-Beta-Sn Phase Transition in the Si0.5Ge0.5. Solid State Communications , v. 120, p. 369, 2001. |
| 138. | FAGAN, S B ; SARTOR, D. S. ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Energetics and Structural Investigation of Double-Walled Carbon and Silicon Nanotubes. Mrs Proceedings, v. 633, p. A1341, 2001. |
| 139. | MACHADO, M. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of Carbon Nanotubes Molecular Junction. Mrs Proceedings, v. 633, p. A1433, 2001. |
| 140. | FAZZIO, A. ; BAIERLE, R J ; FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da . Ab Initio Study of Si Doped Carbon Nanotubes: Electronic and Structural Properties. Mrs Proceedings, v. 675, p. W841, 2001. |
| 141. | ANTONELLI, A ; JUSTO, J F ; FAZZIO, A. . Dopant Interaction with a Dislocation in Silicon: Local and Non-Local Effects. Physica. B, Condensed Matter , v. 308310, p. 470, 2001. |
| 142. | FAZZIO, A. ; JANOTTI, A. ; SILVA, A J R da ; MOTA, R. . Microscopic Picture of the Single Vacancy in Germanium. Physical Review B - Solid State , v. 61, p. R2401, 2000. |
| 143. | FAGAN, S B ; BAIERLE, R. J. ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Calculations for a Hypothetical Material: Silicon Nanotubes. Physical Review B - Solid State , v. 61, p. 9994, 2000. |
| 144. | SILVA, A J R da ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; BAIERLE, R. J. ; MOTA, R. . Self-Interstitial Defect in Germanium. Physical Review B - Solid State , v. 62, p. 9903, 2000. |
| 145. | JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Dislocation Core Reconstruction in Zinc-Blende Semiconductors. Journal of Physics Condensed Matter, v. 12, p. 10039, 2000. |
| 146. | SCHMIDT, T.m. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . The Effect of a Stacking Fault on the Electronic Properties of Dopants in Gallium Arsenide. Journal of Physics Condensed Matter, v. 12, p. 10235, 2000. |
| 147. | JUSTO, J. F. ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride: Structural and Electronic Properties. Mat Res Soc Symp Proc, v. 538, p. 555, 1999. |
| 148. | JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. ; PIQUINI, P. . Concerted-Exchange Mechanism for Antistructure Pair Defects in GaAs. Solid State Communications , v. 110, p. 457, 1999. |
| 149. | MOTA, F. B. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Hydrogen Role on the Properties of Amorphous SIlicon Nitride. Journal of Applied Physics , v. 86, p. 1843, 1999. |
| 150. | ANTONELLI, A ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Point Defect Interactions with Extended Defects in Silicon. Physical Review B - Solid State , v. 60, p. 4711, 1999. |
| 151. | JANOTTI, A. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of Vacancy and Self-Interstitial Defects in Germanium. Physica. B, Condensed Matter , v. 273274, p. 575, 1999. |
| 152. | DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Initial Stages of Ge Growth on Si(100): Ad-Atoms, Ad-Dimers and Ad-Trimers. Physica. B, Condensed Matter , v. 273274, p. 589, 1999. |
| 153. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Effects of Extended Defects on the Properties of Intrinsic and Extrinsic Point Defects in Silicon. Physica. B, Condensed Matter , v. 273274, p. 473, 1999. |
| 154. | SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Intrinsic Doping in InP: Ab Initio Calculations of P(In) Antisites. Physica. B, Condensed Matter , v. 273274, p. 831, 1999. |
| 155. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Point Defect Interactions with Extended Defects in Silicon. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburg), v. 538, p. 419, 1999. |
| 156. | SCHMIDT, T.m. ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . P(In)(n) Antisite Clustering in InP. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 60, p. 16475, 1999. |
| 157. | VENEZUELA, P. P. M. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Group V Elements in Amorphous Silicon. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 227230, p. 372, 1998. |
| 158. | FAZZIO, A. ; JANOTTI, A. ; MOTA, R. ; PIQUINI, P. . Theoretical Study of Defects Complexes Related with Antisites in GaAs. Radiation Effects and Defects in Solids, v. 146, p. 65, 1998. |
| 159. | MOTA, F. B. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Structural Properties of Amorphous Silicon Nitride. Physical Review B - Solid State , v. 58, p. 8323, 1998. |
| 160. | MOTA, F. B. ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Structural and Electronic Properties of Silicon Nitride Materials. International Journal of Quantum Chemistry , v. 70, p. 973, 1998. |
| 161. | DUAN, W. ; PAIVA, G. ; WENTZCOVITCH, R. M. ; FAZZIO, A. . Optical Transitions in Ruby across the Corundum to Rh(2)O(3)(II) Phase Transformation. Physical Review Letters , v. 81, p. 3267, 1998. |
| 162. | PIQUINI, P. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Trends in Small GaAs Clusters. Nanostruct Mater, v. 10, p. 635, 1998. |
| 163. | MOTA, R. ; PIQUINI, P. ; TORRES, V. ; FAZZIO, A. . N-Vacancy Defects in c-BN and w-BN. Mater. Sci. Forum, v. 258263, p. 1275, 1997. |
| 164. | JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Theoretical Study of Antistructure Defects in GaAs. Mater. Sci. Forum, v. 258263, p. 975, 1997. |
| 165. | JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Defect Complexes in GaAs: First-Principles Calculations. Phys. Rev. B, v. 56, p. 13073, 1997. |
| 166. | JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Electronic and Structural Properties of Complex Defects in GaAs. Braz. J. of Physics, v. 27A, p. 110, 1997. |
| 167. | PIQUINI, P. ; MOTA, R. ; SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Theoretical Studies of Native Defects in Cubic Boron Nitride. Phys. Rev. B, v. 56, p. 3556, 1997. |
| 168. | VENEZUELA, P. P. M. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of N Impurity in Amorphous Germanium. Phys. Rev. Lett., v. 77, p. 546, 1996. |
| 169. | SILVA, A. F. ; DANTAS, N. S. ; MOTA, F. B. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Impurities States in the Narrow Band-Gap Semiconductor n-Type InSb. Sol. State Comm., v. 99, p. 295, 1996. |
| 170. | SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Metastability in Periodically Gama-Doped GaAs. Braz. J. of Physics, v. 26, p. 392, 1996. |
| 171. | PIQUINI, P. ; PINO JR, A. D. ; FAZZIO, A. . The Interaction of Atoms with GaAs [100] Surface Using Local Softness Model. Braz. J. of Physics, v. 26, p. 277, 1996. |
| 172. | SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Germanium Negative-U Center in GaAs. Phys. Rev. B, v. 53, p. 1315, 1996. |
| 173. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. . Metastability and Electronic Structure of Periodically n-Type and p-Type Gama-Doped Layer in GaAs. Mat. Sci. Forum, v. 196201, p. 421-424, 1995. |
| 174. | SCHMIDT, T. M. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Trends in the Metastability of DX-Centers. Mat. Sci. Forum, v. 196201, p. 273-278, 1995. |
| 175. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. . Electronic Structure of Periodically Si-Gama Doped GaAs. Int. J. Quantum Chem., v. 24, p. 203, 1995. |
| 176. | MOTA, R. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Metal-Insulator Transition in Fullerites: K(3)C(60) versus Na(3)C(60). Int. J. Quantum Chem., v. 29, p. 217, 1995. |
| 177. | SCHMIDT, T. M. ; VENEZUELA, P. P. M. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Carbon Doping of GaAs: Compensation Effects. Appl. Phys. Lett., v. 66, p. 2715, 1995. |
| 178. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. . Ab Initio Calculation of Electronic Properties of Periodically Si-Gama Doped GaAs. Phys. Rev. B, v. 51, p. 7898, 1995. |
| 179. | COUTINHO, K. ; CANUTO, S. ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Cluster Calculation of the Electronic Structure of K(3)C(60). Int. J. of Mod. Phys. B, v. 9, p. 95, 1995. |
| 180. | PIQUINI, P. ; FAZZIO, A. ; CANUTO, S. . Ab Initio Self-Consistent-Field Studies of the Structure, Energetics and Bonding of Small Gallium Arsenide Clusters. Z. Phys. D, v. 33, p. 125, 1995. |
| 181. | VENEZUELA, P. P. M. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Configurational and Electronic Properties of Amorphous Semiconductors. Braz. J. of Physics, v. 24, p. 942, 1994. |
| 182. | PIQUINI, P. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Structural and Electronic Studies of Ga(3)As(3), Ga(4)As(3) and Ga(3)As(4). Int. J. Quantum Chem., v. 28, p. 571, 1994. |
| 183. | FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. P. M. ; SCHMIDT, T. M. . Theoretical Calculations of Antisite and Antisite-Like Defects in GaP. Material Science Forum, v. 143, p. 991, 1994. |
| 184. | PIQUINI, P. ; FAZZIO, A. ; PINO JR, A. D. . Studies of the Local Reactivity of Surfaces Using Chemical Based Principles. Surface Science, v. 313, p. 41, 1994. |
| 185. | LIMA, G. A. R. ; KINTOP, J. A. ; FAZZIO, A. ; CANUTO, S. . Theoretical Investigation of the Electronic Structure and Absorption Spectra of Carbon Cluster Nanotubes. Nanostructured Materials, v. 4, p. 11, 1994. |
| 186. | CUNHA, C. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Role Played by N and N-N Impurities in Type-IV Semiconductors. Physical Review B - Solid State , v. 48, p. 17806, 1993. |
| 187. | LIMA, G. A. R. ; TORRES, V. ; FAZZIO, A. . The Effect of 3dn Impurities in the Yba2 Cu3 O7-gama Superconductor. Modern Physics Letters B, v. 7, p. 1449, 1993. |
| 188. | SCOLFARO, L. M. R. ; PINTANEL, R. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Electronic States Induced by a Ga Vacancy in the GaAs1-xPx Alloy. International Journal of Quantum Chemistry , v. 27, p. 217, 1993. |
| 189. | MOTA, R. ; FAZZIO, A. ; LIMA, G. A. R. . The Spin-Polaron Pairing and the X-Dependence of the Tc in (La1-xSrx)2CuO4. Modern Physics Letters B, v. 6, p. 1131, 1992. |
| 190. | FAZZIO, A. ; CUNHA, C. R. . Electronic and Structural Properties of N and N2 in Type-IV Semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry , v. 26, p. 667, 1992. |
| 191. | FAZZIO, A. ; CUNHA, C. R. ; CANUTO, S. . Ab-Initio Cluster Calculation of Hyperfine Interactions and Total-Energy Surfaces of N in Diamond, Silicon and Germanium. Material Science Forum, v. 83, p. 463, 1992. |
| 192. | SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Many-Electron on Structural Properties of sp Impurities in Semiconductors. Solid State Communications , v. 82, p. 83, 1992. |
| 193. | LIMA, G. A. R. ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Theoretical Investigation of the Optical Spectra of Superconducting YBa2Cu3O7. Solid State Communications , v. 78, p. 91, 1991. |
| 194. | LIMA, G. A. R. ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Investigation of the Many-Particle Spectrum of Superconductor YBa2Cu3O7. Bulletin Of Material Sciences, v. 14, p. 989, 1991. |
| 195. | CALDAS, M. J. ; DABROWSKI, J. ; FAZZIO, A. ; SCHEFFLER, M. . Anion-Antisite-Like Defects in III-V Compounds. Phys. Rev. Lett., v. 65, p. 2046, 1990. |
| 196. | MOTA, R. ; LIMA, G. A. R. ; FAZZIO, A. . Dynamic Spin Susceptibility in the Two-Band Model in High-Tc Superconductors. Progress In High Temperature Physics, v. 25, p. 696, 1990. |
| 197. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; DABROWSKI, J. ; SCHEFFLER, M. . Anion-Antisite Defects in GaAs: As and Sb. International Journal of Quantum Chemistry , v. S24, p. 563, 1990. |
| 198. | FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A ; PAULA JR, H. F. ; CANUTO, S. . Many-Electron Treatment for Chalcogen Complex in Silicon. Semiconductor Science and Technology , v. 5, p. 196, 1990. |
| 199. | PARTITI, C. S. M. ; PONTUSCHKA, W. M. ; FAZZIO, A. ; PICCINI, A. . Isothermal Annealing Kinetics of Irradiated Pyrene by Electron Paramagnetic Ressonance. Radiation Research, v. 122, p. 126, 1990. |
| 200. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . Native Defects and Transition Metal Impurities at Interstitial Sites in GaAs. International Journal of Quantum Chemistry , v. S23, p. 677, 1989. |
| 201. | LIMA, G. A. R. ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Metal-Semiconductor Transition in Cerium Hydrides. International Journal of Quantum Chemistry , v. S23, p. 709, 1989. |
| 202. | LIMA, G. A. R. ; MOTA, R. ; SARDELA, M. ; FAZZIO, A. . The Cr2+ Luminescence in GaAs as a Function of Hydrostatic Pressure. Solid State Communications , v. 69, p. 461, 1989. |
| 203. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Correlation Effects in Native Defect in GaAs. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 119, 1989. |
| 204. | MAKIUCHI, N. ; MACEDO, T. C. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Impurities in Gallium Arsenide and Phosphide: the 4d and 5d Series. Defects And Diffusion, v. 62-63, p. 145, 1989. |
| 205. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . Acceptor and Donor Levels of 3d Impurities at Interstitial Sites in GaAs. Brazilian Journal of Physics , v. 18, p. 174, 1988. |
| 206. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Charge Stabilization of Cr at Interstitial Sites in GaAs. Solid State Communications , v. 66, p. 1031, 1988. |
| 207. | MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; CANUTO, S. . Intra-d Excitations: Comparison Between Approaches for Impurities in Semiconductors. Physical Review B - Solid State , v. 37, p. 4770, 1988. |
| 208. | FAZZIO, A. ; MOTA, R. . On the Possibility of Negative-U System for Transition Metal Impurities in Semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry , v. S21, p. 73, 1987. |
| 209. | FAZZIO, A. . Progress in the Study of Transition Metal Impurities in III-V and II-VI Semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry , v. S21, p. 65, 1987. |
| 210. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . Theory of Interstitial Transition Atom in GaAs. Physical Review B - Solid State , v. 36, p. 7542, 1987. |
| 211. | AMARAL, O. A. V. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Analysis of Pseudo-Jahn-Teller Instability: O, S and N- in Silicon. Physical Review B - Solid State , v. 35, p. 6450, 1987. |
| 212. | MOTISUKE, P. ; CALDAS, M. J. ; IIKAWA, F. ; FAZZIO, A. ; PEREIRA NETO, J. R. . On the Evidence for the Effect of Local Symmetry on the Photoionization Spectrum of Fe2+ in InP. Materials Science Forum, v. 10-12, p. 687, 1986. |
| 213. | MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Excitation and Ionization of Mo and W in GaAs. Physical Review B - Solid State , v. 33, p. 2690, 1986. |
| 214. | CALDAS, M. J. ; FIGUEIREDO, S. K. ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of the Electrical and Optical Activity of Vanadium in GaAs. Physical Review B - Solid State , v. 33, p. 7102, 1986. |
| 215. | CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Many-Electron Treatment of the Off-Center Substitutional O in Si. Physical Review B - Solid State , v. R33, p. 4432, 1986. |
| 216. | ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Model of the Au-Fe Complex in Silicon. Physical Review B - Solid State , v. 32, p. 8085, 1985. |
| 217. | FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Electronic Structure of Copper, Silver and Gold Impurities in Silicon. Physical Review B - Solid State , v. 32, p. 934, 1985. |
| 218. | GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Defect-Molecule Parameters for the Divacancy in Silicon. Solid State Communications , v. 53, p. 841, 1985. |
| 219. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . Chemical Trends and Universalities in the Spectra of Transition Metal Impurities in Semiconductors. Journal Electronic Materials, v. 14a, p. 1035, 1985. |
| 220. | FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Many-Electron Multiplet Effects in the Spectra of 3d Impurities in Heteropolar Semiconductors. Phys. Rev. B, v. 30, p. 3430, 1984. |
| 221. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . A Universal Trend in the Binding Energies of Deep Impurities in Semiconductors. Applied Physics Letters , v. 45, p. 671, 1984. |
| 222. | FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . Many-Electron Multiplet Effects in the Optical Spectra of Transition Metal Monoxides. Solid State Communications , v. 52, p. 265, 1984. |
| 223. | FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Separation of One and Many-Electron Effects in the Excitation Spectra of 3d Impurities in Semiconductors. Physical Review B - Solid State , v. R29, p. 5999, 1984. |
| 224. | GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure Calculations of V2+O2 Complex in Silicon. Solid State Communications , v. 49, p. 537, 1984. |
| 225. | MAKIUCHI, N. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of a Single Neutral Ideal Phosphorus Vacancy in GaP. Journal Of Physics C, v. 17, p. 3423, 1984. |
| 226. | FAZZIO, A. ; PINO JR, A. D. . Multiplet Structure of GaAs: Mn, Fe. Brazilian Journal of Physics , p. 436, 1983. |
| 227. | MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . VGa and Cu in GaP Through the MS-a with Clusters of 29 Atoms. Brazilian Journal of Physics , p. 434, 1983. |
| 228. | MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Jahn-Teller Distortion in GaP:O-. Brazilian Journal of Physics , p. 433, 1983. |
| 229. | GOMES, V. M. S. ; CALDAS, M. J. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of the Si:O2 Complex. Brazilian Journal of Physics , p. 434, 1983. |
| 230. | LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . A New Model for the Si-A Center. Lecture Notes In Physics Springer Verlag, v. 175, p. 102, 1983. |
| 231. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Interaction Between Dangling Bonds in Vacancy-Defects in Silicon. Revista Brasileira de Física, v. 13, p. 90, 1983. |
| 232. | CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of Oxygen in Silicon. Physica B C, v. 116, p. 106, 1983. |
| 233. | FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . A Molecular Cluster Study of Complex Defect in Si: The Divacancy and the E Center. Physica B C, v. 116, p. 90, 1983. |
| 234. | MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of GaP:O Via the MS-Xa Method. Journal of Physics and Chemistry of Solids , v. 44, p. 349, 1983. |
| 235. | PINO JR, A. D. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure Calculation of Mn-Doped GaAs. Solid State Communications , v. 44, p. 369, 1982. |
| 236. | FAZZIO, A. ; BRESCANSIN, L. M. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Neutral and Negatively Charge Gallium Vacancies in GaP. Journal Of Physics C, v. 15, p. L1, 1982. |
| 237. | CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Multiple-Scattering Xa Molecular Cluster Model of Complex Defects in Semiconductors: Application to Si:P2 and Si:P2+ Systems. Physical Review B - Solid State , v. 25, p. 2603, 1982. |
| 238. | BRESCANSIN, L. M. ; FAZZIO, A. . MS-Xa Treatment for Negative Defects in GaSb. International Journal of Quantum Chemistry , v. S15, p. 457, 1981. |
| 239. | LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. ; LIMA, M. A. P. ; DIAS, A. ; ROSATO, A. . The Variational Cellular Method for Quantum Mechanical Applications: Calculations of the Ground and Excited States of F2 and Ne2 Molecules. International Journal of Quantum Chemistry , v. S15, p. 401, 1981. |
| 240. | LIMA, M. A. P. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Fe2 Molecule Using the Variational Cellular Method. Journal of Physics. B, Atomic, Molecular and Optical Physics , v. 14, p. L533, 1981. |
| 241. | BRESCANSIN, L. M. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Single Vacancies in GaSb. Physics Status Solid B, v. 105, p. 339, 1981. |
| 242. | FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Cu, Ni, Co and Fe Substitutional Impurities in Gallium Arsenide. Physical Review B - Solid State , v. 21, p. 4710, 1980. |
| 243. | CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of the Si-A Centre. Physics Status Solid B, v. 98, p. K109, 1980. |
| 244. | FAZZIO, A. ; PAVÃO, A. C. ; LEITE, J. R. . A Simple Way of Eliminating the a Exchange Parameter in the Multiple Scattering Method. Solid State Communications , v. 35, p. 329, 1980. |
| 245. | PAVÃO, A. C. ; BRAGA, M. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Multiple Scattering Mass Operator Method for Molecular Orbital Calculations. International Journal of Quantum Chemistry , v. XVIII, p. 1165, 1980. |
| 246. | FAZZIO, A. ; BRESCANSIN, L. M. ; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Oxigen-Doped Gallium Arsenide. Journal Of Physics C, v. 12, p. L831, 1979. |
| 247. | FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . Point Defects in Convalent Semiconductors: A Molecular Cluster Model. International Journal of Quantum Chemistry , v. S13, p. 349, 1979. |
| 248. | FERREIRA, L. G. ; FAZZIO, A. ; CLOSS, H. ; BRESCANSIN, L. M. . Study of the Muffin-Tin Approximation in the Multiple-Scattering Method. International Journal of Quantum Chemistry , v. XVI, p. 1021, 1979. |
| 249. | FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. ; SIQUEIRA, M. L. . Multiple Scattering-Xa Cluster Model of GaAs: Electronic States of Isolated Vacancies and Substitutional Impurities. Journal Of Physics C, v. 12, p. 3469, 1979. |
| 250. | FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. ; SIQUEIRA, M. L. . A Molecular Cluster Model of the Electronic Structure of IV and III-V Convalent Semiconductors: Application to GaAs. Journal Of Physics C, v. 12, p. 513, 1979. |
| 251. | FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. ; PAVÃO, A. C. ; SIQUEIRA, M. L. . Molecular Cluster Model of Convalent Semiconductors. Journal Of Physics C, v. 11, p. L175, 1978. |
| Livros publicados/organizados ou edições |
| 1. | VIANNA, José David M ; FAZZIO, A. ; CANUTO, Sylvio . Teoria Quântica de Moléculas e Sólidos - Simulação Computacional. 1ª. ed. São Paulo, SP: Editora Livraria da Física, 2004. v. 1. 401 p. |
| 2. | FAZZIO, A. ; WATARI, Kazunori . Introdução à Teoria de Grupos com Aplicações em Moléculas e Sólidos. 1ª. ed. Santa Maria, RS: Editora da Universidade Federal de Santa Maria, 1998. v. 1. 240 p. |
| 3. | FAZZIO, A. (Org.) ; CANUTO, S. (Org.) . Computer Simulation in Physics. , 1994. |
| Capítulos de livros publicados |
| 1. | Silva, E. Z. da ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Gold Nanowires. In: Klaus D. Sattler. (Org.). Handbook of Nanophysics: Nanotubes and Nanowires. : CRC Press, 2010, v. 4, p. -. |
| 2. | FAZZIO, A. . Alguns Aspectos da Nanoeletrônica Molecular. In: Antônio José Roque da Silva; Gil da Costa Marques; Hélio Dias; Sérgio F. Novaes. (Org.). Física - Tendências e Perspectivas. 1ª ed. São Paulo: Editora Livraria da Física, 2005, v. 1, p. 193-198. |
| 3. | FAZZIO, A. ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . The Role of Simulations in Nanoscience, A Case Study: Gold Nanowires. In: Ruben Aldrovandi; José Mariano Gago; Alberto Santoro. (Org.). Roberto Salmeron Festschrift: A Master and A Friend. Rio de Janeiro: Aiafex, 2003, v. , p. 115-124. |
| 4. | FAZZIO, A. . Do Átomo de Thomas-Fermi à Dinâmica Molecular Quântica. In: Mahir S. Hussein; Silvio R.A. Salinas. (Org.). 100 Anos de Física Quântica. São Paulo: Livraria da Física, 2001, v. , p. 205-. |
| 5. | FAZZIO, A. . Transition Metal Impurities in Semiconductors. In: J. D'Albuquerque e Castro; F.J. Paixão; S. Canuto. (Org.). Electronic Structure of Atoms, Molecules and Solids. : World Scientific, 1990, v. , p. -. |
| Textos em jornais de notícias/revistas |
| 1. | FAZZIO, A. ; MARTINS, T B ; SILVA, A J R da . Rabiscando a Eletrônica com o Grafeno. Ciência Hoje, p. 36 - 41, 01 mar. 2009. |
| 2. | FAZZIO, A. ; AMARAL, L. . MCT e MEC: O Paradigma Complementar. Folha de S. Paulo, São Paulo, SP, 11 jan. 2007. |
| 3. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando . Ciência Hoje, Rio de Janeiro, v. 36, p. 38 - 43, 01 maio 2005. |
| 4. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Os Avanços da Nanotecnologia. Discovery Magazine, São Paulo, p. 13 - 13, 01 abr. 2005. |
| 5. | FAZZIO, A. . 2005 - O Ano Mundial da Física. França Flash, São Paulo, p. 6 - 6, 01 abr. 2005. |
| 6. | FAZZIO, A. . Átomos de Ouro Entram no Circuito. Revista Pesquisa FAPESP, São Paulo, p. 28, 01 fev. 2002. |
| 7. | FAZZIO, A. . Brasileiros Rompem Fio Virtual de Ouro. Folha de S.Paulo, São Paulo, p. A11, 04 jan. 2002. |
| 8. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Na Idade das Nanoligas Metálicas. Ciência Hoje, São Paulo, SP, v. 39, p. 10 - 11. |
| Trabalhos completos publicados em anais de congressos |
| 1. | FAGAN, S B ; MENEZES, V. ; ZANELLA, I ; MOTA, R ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. . Electronic, Structural and Transport Properties of Nicotinamide and Ascorbic Acid Interacting with Carbon Nanotubes. In: 2008 MRS Fall Meeting, 2009, Boston, MA, EUA. 2008 MRS Fall Meeting Symposium JJ Proceedings, 2009. |
| 2. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Surface Degrees of Freedom on the Si(100) Surface. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Florianópolis, SC, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 3. | FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da . Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 4. | SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Theoretical Studies of Small Ge Structures on Si(100). In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 5. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . First Principles Calculations of O2 Diffusion in SiO2. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 6. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; BAIERLE, R J ; FAGAN, S B ; MOTA, R. . Effects of Silicon Doping on the Electronic and Structural Properties of Carbon Nanotubes. In: 2001 MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, California, EUA. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 7. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, California, EUA. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 8. | SILVEIRA, M. G. ; FAZZIO, A. ; KINTOP, J. A. ; PAIVA, G. ; SILVA, A J R da . Theoretical Study of Si Nanostructures Deposited on the Si(100). In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 9. | DALPIAN, G M ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical Study of the Adsorption of Ge Atoms at Single-Height Si(100) Steps. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 10. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 11. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . First Principles Calculations of O2 Diffusion in SiO2. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001. |
| 12. | SILVA, A J R da ; BAIERLE, R. J. ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Electronic and Vibrational Properties of Native Defects in Ge. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 13. | SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Small Ge Structures on the Si(100) Surface. In: 19th European Conference on Surface Science, 2000, Madrid, Espanha. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 14. | FAZZIO, A. ; JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A . The Role of Core Reconstruction Energy on the Mobility of Dislocations in Semiconductors. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka, Japão. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 15. | SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Small Ge Structures on the Si(100) Surface. In: X Workshop on Computational Materials Science, 2000, Sardenha, Itália. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 16. | SILVA, A J R da ; VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, C. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Studies of the Si(1-x)Ge(x) Alloy and its Intrinsic Defects. In: X Workshop on Computational Materials Science, 2000, Sardenha, Itália. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 17. | JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . The Energetics of Dislocation Cores in Semiconductors and their Role on Dislocation Mobility. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 18. | JUSTO, J. F. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Segregation of Dopant Atoms on Extended Defects in Semiconductors. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 19. | FAGAN, S B ; SARTOR, D. S. ; PERIPOLLI, S. B. ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Stability Investigation and Thermal Behavior of Multi-Walled Carbon and Silicon Nanotubes. In: MRS Fall Meeting, 2000, Boston, Massachusetts, EUA. Proceedings da Conferência, 2000. |
| 20. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. . Periodically Si-Gama-Doped GaAs via Ab Initio Pseudopotential Theory. In: 18th International Conference on Defects in Semiconductors, 1995, Sendai. Proceedings da Conferência. Sendai, Japao, 1995. |
| Resumos publicados em anais de congressos |
| 1. | PADILHA, J. E. ; LIMA, M. P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . First Principle Simulations of Dual Gate Bilayer Graphene Field Effect Nanotransistors. In: APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, Texas, EUA. Anais da Conferência, 2011. |
| 2. | ROCHA, A. R. ; AMORIM, R G ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Ab Initio Simulations of the Electronic and Transport Properties of Nanotube Bundles used as Gas Sensors. In: APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, Texas, EUA. Anais da Conferência, 2011. |
| 3. | LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. . Noble Metals and Transition Metals Adsorbed on Graphene: The Pursuit of Graphene Spintronics. In: APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, Texas, EUA. Anais da Conferência, 2011. |
| 4. | AMORIM, R G ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Designing Realistic Gas Sensors using Carbon Nanotube Bundles: Ab Initio Simulations. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 5. | AMORIM, R G ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Ab Initio Simulation of Double-Wall Carbon Nanotubes with Crosslink Defects: Applications in Electromechanical Devices. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 6. | PADILHA, J. E. ; LIMA, M. P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . First Principle Simulations of Dual Gate Bilayer Graphene Field Effect Nanotransistors. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 7. | PONTES, R B ; PADILHA, J. E. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Electric Field Induces Doping in Graphene Bilayers on Hexagonal Boron Nitride Substrate. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 8. | SCOPEL, W. L. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Defects in Amorphous Hafnium Silicate. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 9. | SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; FAZZIO, A. . Adsorption of Impurities on the Bi2Se3 Topological Insulator from Ab Initio Calculations. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 10. | TORRES, A. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Efeitos Termoelétricos em Nanofitas de Grafeno. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu, PR. Anais da Conferência, 2011. |
| 11. | FAZZIO, A. . Atividades do Grupo SAMPA: Simulações de Nanosistemas de Carbono. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 12. | TORRES, A. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Efeitos Termoelétricos em Nanofitas de Grafeno. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 13. | MERA, C. A. ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. . Efeitos de Spin-Órbita na Interação entre Rutênio e Grafeno com Cálculos Ab Initio. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 14. | ALMEIDA, J. M. ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic Transport in Patterned Graphene. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 15. | FAUSTINO, L. M. ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. . Defeito Linear em Nanofitas de Grafeno: Cálculos Ab Initio. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 16. | ROCHA, L. S. ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. . Symmetry Breaking and Doping Effect in Bilayer Graphene on Metal Contacts. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 17. | LIMA, M. P. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adatoms in Graphene as a Source of Current Polarization: The Role of the Local Magnetic Moment. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 18. | PONTES, R. B. ; PADILHA, J. E. ; FAZZIO, A. . Bilayer Graphene on H-BN Substrate: Controlling Doping and Tuning the Bandgap by Electric Field. In: 6º Encontro da Rede Nacional de Pesquisa em Nanotubos & 3º Encontro do INCT de Nanomateriais de Carbono, 2011, Santa Maria-RS. Anais da Conferência, 2011. |
| 19. | FAZZIO, A. . Monolayer and Bilayer Graphene in Nanoelectronics: Ab Initio Investigations. In: XX International Materials Research Congress 2011 IMRC XX, 2011, Cancún, México. Anais da Conferência, 2011. |
| 20. | PONTES, R B ; HOBI JR., E. ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Formation of Atomic Carbon Chains from Graphene Nanoribbons. In: APS March Meeting 2010, 2010, Portland, Oregon, EUA. Anais da Conferência, 2010. |
| 21. | ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Is There Hope for Spintronics in One Dimensional Realistic Systems?. In: APS March Meeting 2010, 2010, Portland, Oregon, EUA. Anais da Conferência, 2010. |
| 22. | LIMA, M. P. ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Graphene Nanoribbons without cutting Graphene. In: APS March Meeting 2010, 2010, Portland, Oregon, EUA. Anais da Conferência, 2010. |
| 23. | SOUZA, A. M. ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. ; ROCHA, A. R. . Nitrogen-Rich Carbon Nanotubes used as Gas Sensors: Ab Initio Electronic Structure and Transport Calculations. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindoia, SP. Anais da Conferência, 2010. |
| 24. | LIMA, M. P. ; ROCHA, A. R. ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Graphene Nanoribbons without cutting Graphene. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindoia, SP. Anais da Conferência, 2010. |
| 25. | PONTES, R B ; HOBI JR., E. ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Formation of Atomic Carbon Chains from Graphene Nanoribbons. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindoia, SP. Anais da Conferência, 2010. |
| 26. | ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Designing Realistic Graphene-based Spintronics Devices. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindoia, SP. Anais da Conferência, 2010. |
| 27. | ROCHA, L. S. ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Efeito de Campo Elétrico e Adsorção de Átomos em Bicamadas de Grafeno: Cálculos Ab Initio. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 28. | SOUSA, José Eduardo Padilha de ; LIMA, M. P. ; Fazzio, A. . Algoritmo Multigrid para Solução da Equação de Poisson. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 29. | ALMEIDA, J. M. ; ROCHA, A. R. ; Fazzio, A. ; SILVA, A. J. R. . Magnetoresistance Effect in N-doped Carbon Nanotubes. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 30. | AMORIM, R G ; ROCHA, A. R. ; Fazzio, A. ; SILVA, A. J. R. . Investigando as Propriedades Eletrônicas e de Transporte de Materiais baseados em Carbono. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 31. | SCOPEL, W. L. ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Theoretical Study of the Amorphous Hf1-xSixO. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 32. | SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. ; SOUZA, A. M. ; ROCHA, A. R. . Gas Sensors Based on N-Doped Carbon Nanotubes: Ab Initio Electronic Transport Calculations. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 33. | PONTES, R B ; PADILHA, J. E. ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 34. | MARTINS, T B ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Grafeno sobre SiC Quimicamente Recoberto: Quebra de Ligações e Engenharia de Gap. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 35. | HOBI JR., E. ; PONTES, R B ; Fazzio, A. ; SILVA, A. J. R. . Formação de Cadeias 1D de Carbono: Um Estudo de Dinâmica Molecular Ab Initio. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 36. | TORRES, A. ; Fazzio, A. ; SILVA, A. J. R. . How to Differentiate Edge States of Graphene Nanoribbons with STM. In: XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2010, Brasília, DF. Anais da Conferência, 2010. |
| 37. | ARANTES, J T ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; WEI, S H ; DALPIAN, G. M. . Perylene Diimide Liquid Crystals: A Density Functional Study. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 38. | SCHOENHALZ, A. L. ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. ; DALPIAN, G. M. . Ferromagnetism Driven by Extended Defects in Nanostructured ZnO. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 39. | SILVA, A J R da ; ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; FAZZIO, A. . Disorder-Based Graphene Spintronics. In: 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ICFSI-12, 2009, Weimar, Alemanha. Anais da Conferência, 2009. |
| 40. | FAZZIO, A. ; LIMA, M. P. ; SILVA, A J R da . Edge Effects in Bilayer Graphene Nanoribbons. In: 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ICFSI-12, 2009, Weimar, Alemanha. Anais da Conferência, 2009. |
| 41. | MIWA, R. H. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. . Mn Adsorption on ZnO Thin Films. In: 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ICFSI-12, 2009, Weimar, Alemanha. Anais da Conferência, 2009. |
| 42. | ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Current Polarization in B-Doped Graphene Nanoribbons: Ab Initio Simulations. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 43. | LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Edge Effects in Bilayer Graphene Nanoribbons. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 44. | MARTINS, T B ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Hydrogen Saturation of Graphene Nanoribbons: Edge States Suppression and Gap Behavior. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 45. | PONTES, R B ; Silva, E. Z. da ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Transport Properties of Transition Metal Impurities on Gold Nanowires. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 46. | SILVA, A J R da ; ALMEIDA, J. ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. . Porphyrin-Like Defects in CNx Nanotubes. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, Pennsylvania, EUA. Anais da Conferência, 2009. |
| 47. | Silva, E. Z. da ; PONTES, R B ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Magnetic Co Impurity in Gold Nanowires. In: APS March Meeting 2008, 2008, New Orleans, Louisiana, EUA. Anais da conferência, 2008. |
| 48. | SILVA, A J R da ; HOBI JR., E. ; Fazzio, A. . Temperature Effects in the Stability of Pure and Doped Gold Nanowires. In: APS March Meeting 2008, 2008, New Orleans, Louisiana, EUA. Anais da conferência, 2008. |
| 49. | ROCHA, A. R. ; PADILHA, J. E. ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Transport Properties of Single Vacancies in Nanotubes. In: APS March Meeting 2008, 2008, New Orleans, Louisiana, EUA. Anais da conferência, 2008. |
| 50. | Fazzio, A. ; ROCHA, A. R. ; ROSSI, M ; SILVA, A J R da . Ab Initio Design of Reallistic Nanotube Sensors. In: APS March Meeting 2008, 2008, New Orleans, Louisiana, EUA. Anais da conferência, 2008. |
| 51. | SILVA, A J R da ; ROCHA, A. R. ; MARTINS, T B ; Fazzio, A. . Ab Initio Calculations of Electronic and Transport Properties of Disordered One-Dimensional Carbon Systems. In: 9th International Conference on Nanostructured Materials NANO 2008, 2008, Rio de Janeiro, RJ, Brasil. Anais da conferência, 2008. |
| 52. | Silva, E. Z. da ; PONTES, R B ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . Symmetry Controlled Spin Polarized Conductance in Au Nanowires. In: 9th International Conference on Nanostructured Materials NANO 2008, 2008, Rio de Janeiro, RJ, Brasil. Anais da conferência, 2008. |
| 53. | LEÃO, C R ; ROCHA, A. R. ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Routes for Semiconductor Nanowire-Based Sensors: An Ab Initio Investigation. In: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors ICPS 2008, 2008, Rio de Janeiro, RJ, Brasil. Anais da conferência, 2008. |
| 54. | Silva, E. Z. da ; PONTES, R B ; SILVA, A J R da ; Fazzio, A. . The Effect of a Magnetic Co Impurity in Gold Nanowires. In: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Águas de Lindóia, SP. Anais da conferência, 2008. |
| 55. | AMORIM, R G ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Defects in Bundles and Double Wall Carbon Nanotubes. In: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Águas de Lindóia, SP. Anais da conferência, 2008. |
| 56. | Varella, M. T. N. ; HOBI JR., E. ; Fazzio, A. ; SILVA, A J R da . Mixed Quantum-Classic Molecular Dynamics of Hydrogen-Dopped Gold Nanowires. In: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Águas de Lindóia, SP. Anais da conferência, 2008. |
| 57. | ROCHA, A. R. ; Fazzio, A. ; ROSSI, M ; SILVA, A J R da . Simulating Real Nanotube Gas Sensors. In: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Águas de Lindóia, SP. Anais da conferência, 2008. |
| 58. | ARANTES JR, J T ; DALPIAN, G. M. ; Fazzio, A. . Quantum Confinement Effects on Mn-Doped InAs Nanocrystals. In: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors ICPS 2008, 2008, Rio de Janeiro, RJ, Brasil. Anais da Conferência, 2008. |
| 59. | MENEZES, V. ; ZANELLA, I ; FAGAN, S B ; MOTA, R ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Pristine and Carboxylated Carbon Nanotubes Interacting with Nimesulide Molecules. In: XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2007, São Lourenço, MG. Anais da Conferência, 2007. |
| 60. | KONING, M de ; ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . First-Principles Study of Molecular Point Defects in Ice Ih. In: APS March Meeting 2007, 2007, Denver, Colorado, EUA. Anais da Conferência, 2007. |
| 61. | FAZZIO, A. ; PONTES, R B ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da . Adsorption and Conductance of BDT on the Au(111) Surface. In: APS March Meeting 2007, 2007, Denver, Colorado, EUA. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 62. | SILVA, A J R da ; ROSSI, M ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. . N-Doped Carbon Nanotubes and their Behavior as Ammonia Sensors. In: APS March Meeting 2007, 2007, Denver, Colorado, EUA. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 63. | MARTINS, T B ; MIWA, R H ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Boron Doped Graphene Nanoribbons. In: APS March Meeting 2007, 2007, Denver, Colorado, EUA. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 64. | ZANELLA, I ; FAGAN, S B ; MOTA, R ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Pristine and Si-Doped Capped Carbon Nanotubes Interacting with Nimesulide Molecules. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 65. | AMORIM, R G ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Study of Defects in Carbon Nanotubes. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 66. | HOBI JR, e ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . Temperature Effect in the Large Au-Au Distances in Gold Nanowires. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 67. | MARTINS, T B ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; MIWA, R H . Boron Doped Graphene Nanoribbons: Electronic, Magnetic and Transport Properties. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 68. | ARANTES, J T ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Theoretical Investigation of a Mn Doped Si/Ge Heterostructure. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 69. | MIWA, R H ; SCHMIDT, T M ; FAZZIO, A. . Formation of EL2-like Defects in InP Nanowires: An Ab Initio Study. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 70. | LEÃO, C R ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Surface and Interface Effects in Semiconductor Nanowires. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007, São Paulo, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 71. | SILVA, A J R da ; ROSSI, M ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. . N-Doped Carbon Nanotubes and their Behavior as Ammonia Sensors. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2007 Spring Meeting, 2007, Strasbourg, França. Proceedings da Conferência, 2007. |
| 72. | FAZZIO, A. ; ARANTES, J T ; LEÃO, C R ; SILVA, A J R da . A Theoretical Study of Si and Ge Nanowires. In: APS March Meeting 2006, 2006, Baltimore, Maryland, EUA, 2006. |
| 73. | SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; HOBI JR, e ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Oxygen Clamps in Gold Nanowires. In: APS March Meeting 2006, 2006, Baltimore, Maryland, EUA, 2006. |
| 74. | AMORIM, R G ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Defects in Carbon Nanotubes. In: APS March Meeting 2006, 2006, Baltimore, Maryland, EUA, 2006. |
| 75. | NOVAES, F D ; ROSSI, M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Charge Transport Through N-Doped Carbon Nanotubes: Microscopic Understanding of Carbon Nanotube Sensors. In: APS March Meeting 2006, 2006, Baltimore, Maryland, EUA, 2006. |
| 76. | FAZZIO, A. ; AMORIM, R G ; ROSSI, M ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da . Defects and Charge Transport in Carbon Nanotubes. In: 209th Electrochemical Society Meeting, 2006, Denver, Colorado, EUA, 2006. |
| 77. | FAZZIO, A. ; LEÃO, C R ; ARANTES, J T ; SILVA, A J R da . Electronic and Structural Properties of Si and Ge Nanowires. In: 209th Electrochemical Society Meeting, 2006, Denver, Colorado, EUA, 2006. |
| 78. | ZANELLA, I ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of C59Si and C60N on Si(100) Monohydride Surface. In: 209th Electrochemical Society Meeting, 2006, Denver, Colorado, EUA, 2006. |
| 79. | SILVA, A J R da ; AMORIM, R G ; ROSSI, M ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Defects and Charge Transport in Carbon Nanotubes. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-28, 2006, Viena, Áustria, 2006. |
| 80. | FAZZIO, A. ; ARANTES, J T ; SILVA, A J R da . Mn in GaAs and Ge Nanowires. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-28, 2006, Viena, Áustria, 2006. |
| 81. | PONTES, R B ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption and Conductance of BDT on the Au(111) Surface. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-28, 2006, Viena, Áustria, 2006. |
| 82. | SILVA, A J R da ; LEÃO, C R ; FAZZIO, A. . Si and SiGe Nanowires. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-28, 2006, Viena, Áustria, 2006. |
| 83. | PONTES, R B ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption and Conductance of BDT on the Au(111) Surface. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, 2006, Nice, França, 2006. |
| 84. | SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; HOBI JR, e ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Oxygen Clamps in Gold Nanowires. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, 2006, Nice, França, 2006. |
| 85. | SILVA, A J R da ; AMORIM, R G ; ROSSI, M ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Defects and Charge Transport in Carbon Nanotubes. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, 2006, Nice, França, 2006. |
| 86. | FAZZIO, A. ; ARANTES, J T ; LEÃO, C R ; SILVA, A J R da . Electronic and Structural Properties of Si and Ge Nanowires. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, 2006, Nice, França, 2006. |
| 87. | SCHMIDT, T M ; VENEZUELA, P ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . Magnetic Properties of InMnP Nanowires: An Ab Initio Study. In: European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, 2006, Nice, França, 2006. |
| 88. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Bundling up Carbon Nanotubes Through Wigner Defects. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos, SP, 2005. |
| 89. | KONING, M de ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Theoretical Studies of Ice: Defects on the Rocks. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos, SP, 2005. |
| 90. | SCOPEL, W L ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Oxygen Vacancies in the Amorphous Hafnium Oxide . In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos, SP, 2005. |
| 91. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . Disorder and the Effective Mn-Mn Exchange Interaction in Ga1-xMnxAs Diluted Magnetic Semiconductors. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos, SP, 2005. |
| 92. | HOBI JR, e ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . Ab Initio Molecular Dynamics Study of Pure and Contaminated Gold Nanowires. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos, SP, 2005. |
| 93. | SCHMIDT, T.m. ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . The Interaction of Point Defects with a 90º Partial Dislocation in Si. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, 2005, São José dos Campos, SP, 2005. |
| 94. | ARANTES, J T ; SILVA, A J R da ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Si/Ge Heterostructure Doped with Mn: An Ab Initio Study. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, 2005, São José dos Campos, SP, 2005. |
| 95. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Bundling up Carbon Nanotubes Through Wigner Defects. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles, California, EUA, 2005. |
| 96. | HOBI JR, e ; SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Ab Initio Molecular Dynamics Study of Pure and Contaminated Gold Nanowires. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles, California, EUA, 2005. |
| 97. | SCHMIDT, T.m. ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of Free-Standing InP Nanowires. In: 23rd European Conference on Surface Science - ECOSS-23, 2005, Berlim, Alemanha, 2005. |
| 98. | NOVAES, F D ; HOBI JR, e ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Rupture of Gold Nanowires with and without Impurity Atoms. In: 23rd European Conference on Surface Science - ECOSS-23, 2005, Berlim, Alemanha, 2005. |
| 99. | ZANELLA, I ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of c59Si on Si(100) Monohydride Surface. In: 23rd European Conference on Surface Science - ECOSS-23, 2005, Berlim, Alemanha, 2005. |
| 100. | ROSSI, M ; NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical Study of NH3 Sensors Based on CNx Nanotubes. In: XIII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2005, São Pedro, SP, 2005. |
| 101. | SCHMIDT, T.m. ; MIWA, R H ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. . On the Stability and the Electronic Confinement of Free-Standing InP Nanowires. In: XIII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2005, São Pedro, SP, 2005. |
| 102. | PONTES, R B ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of BDT on an Au(111) Surface. In: XIII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2005, São Pedro, SP, 2005. |
| 103. | MARTINS, T B ; SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; PONTES, R B ; FAZZIO, A. . Electron Transmission Through Metal Nanowires. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications - CLACSA-12, 2005, Angra dos Reis, RJ, Brasil, 2005. |
| 104. | AMORIM, E P M ; SILVA, e Z da ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Breaking of Copper Nanowires: A Computer Simulation. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications - CLACSA-12, 2005, Angra dos Reis, RJ, Brasil, 2005. |
| 105. | LEÃO, C R ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of Silicon Nanowires. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications - CLACSA-12, 2005, Angra dos Reis, RJ, Brasil, 2005. |
| 106. | PONTES, R B ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . On the Adsorption of Benzene-1,4-Dithiol on the Au(111) Surface and its Possible Role in Molecular Condutance. In: XII Latin American Congress of Surface and its Applications - CLACSA-12, 2005, Angra dos Reis, RJ, Brasil, 2005. |
| 107. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . Ab Initio Calculations of Mn-Mn Interactions in Ga1-xMnxAs Semiconductors. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 108. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . A Possible Route to Grow Substitutional TM in Si1-xGex Alloys. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 109. | ZANELLA, I ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of C59Si on the Monohydride Si(100) Surface. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 110. | PONTES, R B ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Electronic and Structural Properties of [Co(tpy-SH)2]. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 111. | LEÃO, S A ; SILVA, e Z da ; FARIA, J C ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Noble Metals Atoms on Carbon Nanotubes. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 112. | MIWA, R H ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. . Metal-Semiconducting Behavior of Metallic Carbon Nanotubes Adsorbed on Hydrogenated Si(001) Surfaces. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 113. | ROSSATO, J ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; FAZZIO, A. . Estudo de Vacância Induzida em Nanotubo. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 114. | ARANTES JR, J T ; SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of 90º Partial Dislocation in Silicon. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 115. | VENEZUELA, P ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Carbon in SixGe1-x: An Ab Initio Investigation. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG, 2004. |
| 116. | OLIVEIRA, L e ; SANTOS, R R dos ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Calculations of Mn-Mn Interactions in Ga1-xMnxAs Semiconductors. In: 2004 APS March Meeting, 2004, Montreal, Canadá, 2004. |
| 117. | ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Possible Route to Grow Substitutional TM in Si1-xGex Alloys. In: 2004 APS March Meeting, 2004, Montreal, Canadá, 2004. |
| 118. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities in Gold Nanowires. In: 2004 APS March Meeting, 2004, Montreal, Canadá, 2004. |
| 119. | SILVA, A J R da ; PONTES, R B ; FAZZIO, A. . A Study of Electronic and Structural Properties of the [Co(tpy-SH)2]. In: 2004 APS March Meeting, 2004, Montreal, Canadá, 2004. |
| 120. | ORELLANA, W ; FAZZIO, A. ; MIWA, R H . Metal-Semiconductor Behavior of Armchair Carbon Nanotubes Adsorbed on Partially-Hydrogenated Si(001) Surfaces. In: International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices - ICSNN04, 2004, Cancún, México, 2004. |
| 121. | ZANELLA, I ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . C59Si on the Monohydride Si(100) Surface. In: IX Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2004, Salvador, BA, 2004. |
| 122. | SILVA, L B da ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; FAGAN, S B . Estudo da Adsorção de Silício em Nanotubos de Carbono com Vacâncias. In: IX Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2004, Salvador, BA, 2004. |
| 123. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Diffusion-Reaction Mechanisms of Nitriding Species in SiO2. In: IX Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2004, Salvador, BA, 2004. |
| 124. | FAZZIO, A. . Metal-Semiconducting Behavior of Carbon Nanotubes Adsorbed on Si(100). In: TNT 2004 'Trends in Nanotechnology', 2004, Segovia, Espanha, 2004. |
| 125. | MIWA, R H ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. . Metal-Semiconducting Behavior of Carbon Nanotubes Adsorbed on Hydrogenated Si(001) Surfaces. In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2004, Foz do Iguaçu, PR, 2004. |
| 126. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of Iron Dimers and Trimers Interacting with Carbon Nanotubes. In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2004, Foz do Iguaçu, PR, 2004. |
| 127. | FAZZIO, A. . Carbon Nanotube Adsorbed on Hydrogenated Si(001) Surfaces. In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2004, Foz do Iguaçu, PR, 2004. |
| 128. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; OLIVEIRA, L e ; SANTOS, R R dos . Theoretical Studies of Mn in GaAs and Type-IV Semiconductors. In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2004, Foz do Iguaçu, PR, 2004. |
| 129. | SILVA, A J R da ; FARIA, J C ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Gold Atoms on Carbon Nanotubes. In: 2003 Nanotechnology Conference and Trade Show (NanoTech 2003), 2003, San Francisco, California, EUA, 2003. |
| 130. | SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities in the Breaking of Gold Nanowires. In: 2003 Nanotechnology Conference and Trade Show (NanoTech 2003), 2003, San Francisco, California, EUA, 2003. |
| 131. | SILVA, A J R da ; NOVAES, F D ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities in the Breaking of Gold Nanowires. In: Annual APS March Meeting 2003, 2003, Austin, Texas, EUA, 2003. |
| 132. | SCOPEL, W L ; FANTINI, M C A ; PRADO, R J ; ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; PEREYRA, I . Experimental and Theoretical Local Structure of Oxygen-Rich Amorphous Silicon Oxynitride. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 133. | MIWA, R H ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. . Stacking Faults and Vacancies in SixGe1-x. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 134. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Si and Ge in Monoatomic Si(100) Steps. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 135. | MOTA, F. B. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Beta-Si3N4 (001) Surface: Electronic and Structural Properties. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 136. | SILVA, A J R da ; FARIA, J C ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Gold Atoms on Carbon Nanotubes. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 137. | ORELLANA, W ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Carbon Nanotube on Si(100): Structural and Electronic Properties. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 138. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Energetic of Nitridation Processes in SiO2. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 139. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; FAGAN, S B ; MOTA, R. . First-Principles Study of Transition Metal Atoms Interacting with Single-Wall Carbon Nanotubes. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza, CE, Brazil, 2003. |
| 140. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Energetic and Structural Properties of N Incorporation in SiO2. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 358. |
| 141. | MIRANDA, C R ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Vacancies in Amorphous Silicon: A First Principles Study. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 358. |
| 142. | SCHMIDT, T.m. ; ARANTES JR, J T ; FAZZIO, A. . The Electrostatic Potential of the 90º Partial Dislocation and its Interaction with Point Defects in Si. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 357. |
| 143. | ROSSATO, J ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; FAZZIO, A. . Effects of Structural Deformations in Carbon Nanotubes. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 337. |
| 144. | BAIERLE, R J ; PIQUINI, P ; SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Natives Defects in BN-Nanotubes. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 336. |
| 145. | ORELLANA, W ; FAZZIO, A. ; MIWA, R H . Carbon Nanotube on Si(001): Structural and Electronic Properties. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 335. |
| 146. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Mn Adsorption on Si(100): Structural, Electronic and Magnetic Properties. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 334. |
| 147. | FARIA, J C ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Adsorption of Gold Atoms on Carbon Nanotubes. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 321. |
| 148. | NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SILVA, e Z da . Effect of Impurities in the Large Au-Au Distances in Gold Nanowires. In: XXVi Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, MG. Livro de Resumos, 2003. p. 299. |
| 149. | SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; SANTOS, R R dos ; OLIVEIRA, L e . First-Principles Study of Mn Interstitial and Nature of Hole-Mediated Ferromagnetism in Ga1-xMnxAs. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), 2003, Aarhus, Dinamarca. Book of Abstracts I (Oral), 2003. v. I. |
| 150. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Fe and Mn Atoms Interacting with Carbon Nanotubes. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), 2003, Aarhus, Dinamarca. Book of Abstracts I (Oral), 2003. v. I. |
| 151. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Mn Impurities in Si: Stability on Bulk and on Surface. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), 2003, Aarhus, Dinamarca. Book of Abstracts II (Poster), 2003. v. II. |
| 152. | MIRANDA, C R ; ANTONELLI, A ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Vacancies in Amorphous Silicon: A First Principles Study. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), 2003, Aarhus, Dinamarca. Book of Abstracts II (Poster), 2003. v. II. |
| 153. | SCHMIDT, T.m. ; ARANTES, J T ; FAZZIO, A. . The Interaction of Point Defects with a 90º Partial Dislocation in Si. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), 2003, Aarhus, Dinamarca. Book of Abstracts II (poster), 2003. v. II. |
| 154. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities in Gold Nanowires. In: Euroconference on Spin and Charge Transport in Nanostructures, 2003, Minho, Portugal, 2003. |
| 155. | ORELLANA, W ; MIWA, R H ; FAZZIO, A. . Carbon Nanotube Adsorbed on Si(001). In: 22nd European Conference on Surface Science - ECOSS-22, 2003, Praga, República Tcheca, 2003. |
| 156. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Effect of Impurities on the Breaking of Au Nanowires. In: 22nd European Conference on Surface Science - ECOSS-22, 2003, Praga, República Tcheca, 2003. |
| 157. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adsorption and Incorporation of Mn on Si(100). In: 22nd European Conference on Surface Science - ECOSS-22, 2003, Praga, República Tcheca, 2003. |
| 158. | FARIA, J C ; CARVALHO, M R ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Gold on Carbon Nanotubes. In: XII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2003, Caxambu, MG, Brasil, 2003. |
| 159. | PONTES, R B ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Study of Electronic and Structural Properties of the [Co(Tpy-SH)2]. In: XII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2003, Caxambu, MG, 2003. |
| 160. | ZANELLA, I ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Electronic and Structural Properties of C59Si on a Hydrogenated Si(100) Surface. In: XII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2003, Caxambu, MG, 2003. |
| 161. | SCOPEL, W L ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Structural and Electronic Properties of the Amorphous HFO2. In: XII Simpósio Brasileiro de Química Teórica - SBQT, 2003, Caxambu, MG, 2003. |
| 162. | ANTONELLI, A ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Effects of Dislocations on the Segregation and Diffusion of As Impurities in Si. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 163. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Spin Effects on the Oxidation Process in SiO2. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 164. | DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Adsorption of Si and Ge on Si(100) Terraces and Steps. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 165. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Vacancy-Mediated Diffusion in Disordered Alloys: Ge Self-Diffusion in Si1-xGex. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 166. | MOTA, R. ; FAGAN, S B ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Functionalization of Carbon Nanotubes Through the Binding of Atoms and Molecules to a Silicon Substitutional Impurity. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 167. | SILVA, e Z da ; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Computer Simulations of Gold Nanowires. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS26, 2002, Edinburgh, Escócia, 2002. |
| 168. | MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . First Principles Investigations of Electronic and Structural Properties of the Beta-Si3N4(001) Surface. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 169. | DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. . Si Incorporation in Si(100) Steps. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 170. | DALPIAN, G M ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical STM Images of Ge Adsorption on Si(100). In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 171. | SCOPEL, W L ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; FANTINI, M C A . Propriedades Químicas e Estruturais de Óxido e Oxi-Nitreto de Silício Amorfo Hidrogenado. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 172. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Spin Effects on the Oxidation Process in SiO2. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 173. | PERIPOLLI, S. B. ; MOTA, R. ; SILVA, C R S da ; FAZZIO, A. . The Role Played by Vacancies in the Silicon Crystal-Amorphous Transition. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 174. | DALPIAN, G M ; VENEZUELA, P ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Vacancies in Si1-xGex. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 175. | VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Vacancy-Mediated Diffusion in Disordered Alloys: Ge Self-Diffusion in Si1-xGex. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 176. | PONTES, R B ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Estudo Ab Initio da Liga Si1-xGex sob Pressão. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 177. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Adsorption of Atoms and Molecules on Silicon-Doped Carbon Nanotubes. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 178. | FAGAN, S B ; MOTA, R. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Iron Atoms Interacting with Carbon Nanotubes. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 179. | SILVA, I. Z. ; PIQUINI, P. C. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Interaction Between Oxygen Molecules and Carbon Nanotubes. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 180. | SILVA, C R S da ; JUSTO, J. F. ; FAZZIO, A. . Structural Order and Clustering in Annealed a-SiC and a-SiC:H and its Interface with Crystalline Si. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 181. | NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . Cálculos Ab Initio de um Nanofio de Ouro. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu, MG, 2002. |
| 182. | SCOPEL, W L ; ORELLANA, W ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; FANTINI, M C A . Short-Range Order Structure of Oxygen-Rich a-SiOxNy Films. In: VIII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2002, Juiz de Fora, MG, 2002. |
| 183. | NOVAES, F D ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . Cálculos Ab Initio de um Nanofio de Ouro. In: VIII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2002, Juiz de Fora, MG, 2002. |
| 184. | SILVA, I. Z. ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. ; PIQUINI, P. C. . Interaction Between Oxygen Molecules and Carbon Nanotubes. In: VIII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2002, Juiz de Fora, MG, 2002. |
| 185. | FARIA, J C ; SILVA, e Z da ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Gold Atoms Adsorbed on Carbon Nanotubes. In: VIII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2002, Juiz de Fora, MG, 2002. |
| 186. | ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Spin Effects on the Oxidation Process at the Si/SiO2 Interface. In: VIII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2002, Juiz de Fora, MG, 2002. |
| 187. | FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A ; JUSTO, J. F. . Effects of Extended Defects on the Properties of Intrinsic and Extrinsic Point Defects in Silicon. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors, 1999, Berkeley, California. Proceedings da Conferência, 1999. |
| 188. | FAZZIO, A. ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da . Electronic and Structural Properties of Vacancy and Self-Interstitial Defects in Germanium. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors, 1999, Berkeley, California. Proceedings da Conferência, 1999. |
| 189. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R H ; MOTA, R. . Intrinsic Doping in Inp: Ab Initio Calculation of InP Antisite Defect. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors, 1999, Berkeley, California. Proceedings da Conferência, 1999. |
| 190. | FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da ; JANOTTI, A. ; DALPIAN, G M . Initial Stages of Ge Growth on Si(100): AD-Atoms, AD-Dimers and Three-Atom Clusters. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors, 1999, Berkeley, California. Proceedings da Conferência, 1999. |
| 191. | FAZZIO, A. ; MOTA, F. B. ; JUSTO, J. F. . Structural and Electronic Properties of a-SiN. In: Quantum Chemistry Symposium - Sanibel Symposia, 1998, St. Augustine, Flórida. Proceedings da Conferência. St. Augustine, Florida, EUA, 1998. |
| 192. | FAZZIO, A. ; DUAN, W. ; PAIVA, G. ; WENTZCOVITCH, R. M. . Ruby Fluorescence at Ultra High Pressures. In: APS - March Meeting, 1998, Los Angeles, California. Proceedings da Conferência. Los Angeles, California, EUA, 1998. |
| 193. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T.m. ; MIWA, R H ; MOTA, R. . [P_In]N Antisite Clustering in InP: Structural and Electronic Properties. In: 8th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 1998, Montpellier. Proceedings da Conferência, 1998. |
| 194. | FAZZIO, A. ; JANOTTI, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Theoretical Study of Selected Complex Defects in GaAs. In: International Workshop on Challenges in Predictive Process Simulation, 1997, Wandlitz. Proceedings da Conferência. Wandlitz, Alemanha, 1997. |
| 195. | FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. P. M. . Ab Initio Study of Group V Elements in Amorphous Silicon. In: 17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1997, Budapest. Proceedings da Conferência. Budapest, Hungria, 1997. |
| 196. | JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Theoretical Study of Antistructure Defects in GaAs. In: 19th International Conference of Defects in Semiconductors, 1997, Aveiro. Material Science Forum. Aveiro, Portugal, 1997. |
| 197. | MOTA, R. ; PIQUINI, P. ; TORRES, V. ; FAZZIO, A. . N-Vacancy in c-BN and w-Bn. In: 19th International Conference of Defects in Semiconductors, 1997, Aveiro. Material Science Forum. Aveiro, Portugal, 1997. |
| 198. | FAZZIO, A. ; JANOTTI, A. ; PIQUINI, P. ; MOTA, R. . Complex-Defects Related with Electrical Isolation by Ion-Irradiation in n-GaAs: A Theoretical Study. In: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Águas de Lindóia, SP. Brazilian Journal of Physics. Aguas de Lindoia, SP, Brazil, 1997. |
| 199. | FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. P. M. . Ab Initio Study of Group V Elements in Amorphous Silicon and Germanium. In: 7th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 1996, Amsterdam. Proceedings da Conferência, 1996. p. 471. |
| 200. | FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. P. M. . Theoretical Investigation of 3d(^n) and 4d(^n) Impurities in GaN. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlim. Proceedings da Conferencia. Berlim, Alemanha : World Scientific, 1996. p. 2865. |
| 201. | SCHMIDT, T. M. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Trends in the Metastability of DX-Centers. In: 18th International Conference on Defects in Semiconductors, 1995, Sendai. Mat. Sci. Forum. Sendai, Japao, 1995. v. 196201. p. 273-278. |
| 202. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T. M. . Ab Initio Calculation of Electronic Properties of Periodically Si-Gama Doped GaAs. In: Sanibel Symposium, 1995, Flórida. Phys. Rev. B. Florida, EUA, 1995. v. 51. p. 7898. |
| 203. | FAZZIO, A. ; LIMA, G. A. R. ; KINTOP, J. A. ; CANUTO, S. . Electronic Structure and Absorption Spectra of Buckytubes. In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1994, Vancouver. Proceedings da Conferência. Vancouver, Canada, 1994. |
| 204. | PIQUINI, P. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Structural and Electronic Studies of Ga(3)As(3), Ga(4)As(3) and Ga(3)As(4). In: Sanibel Symposium, 1994, Flórida. Int. J. Quant. Chem.. Florida, EUA, 1994. v. 28. p. 571. |
| 205. | FAZZIO, A. ; LIMA, G. A. R. ; KINTOP, J. A. ; CANUTO, S. . Electronic Structure and Absorption Spectra of Carbon Nanotubes. In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1994, Vancouver. Proceedings da Conferência, 1994. v. 3. p. 2073. |
| 206. | FAZZIO, A. ; SCHMIDT, T.m. ; VENEZUELA, P. P. M. ; CALDAS, M. J. . Electronic and Structural Properties of GeGa Impurity in GaAs. In: 21st Int. Conf. Phys. of Semic., 1992, Beijing, China. Proceedings da Conferência, 1992. |
| 207. | CANUTO, S. ; SILVA, A. F. ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Absorption of Infrared Radiation by Donor-Pair and Donor-Triad Molecules in Sb-Doped Germanium. In: Current Research on Semiconductor Physics, 1991. Current Research on Semiconductor Physics. p. 519. |
| 208. | SCHMIDT, T.m. ; FAZZIO, A. . Defect-Molecule Model Revisited: Structural Properties of sp Impurities in Semiconductors. In: Current Research on Semiconductor Physics, 1991. Current Research on Semiconductor Physics. p. 540. |
| 209. | CANUTO, S. ; FERREIRA, A. ; FAZZIO, A. . Absorption of Infrared Radiation and Dielectric Function by Donor-Triad Molecules. In: Festschrift in honor of Rogério Cerqueira Leite's 60th Birthday: July 14th, 1991, 1991. Festschrift in honor of Rogério Cerqueira Leite's 60th Birthday: July 14th, 1991. p. 255. |
| 210. | CALDAS, M. J. ; DABROWSKI, J. ; FAZZIO, A. ; SCHEFFLER, M. . Electronic Structure of Native Defects in III-V Compound. In: 20th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1990, Thessaloniki, Grécia. Proceedings da Conferência, 1990. p. 469. |
| 211. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . The Role Played by Interstitial 3d Transition-Metal Atoms in GaAs. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics. |
| 212. | MAKIUCHI, N. ; MACEDO, T. C. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Study of 4d and 5d Impurities in GaAs. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics. |
| 213. | MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Charge State Stability of Transition Metals in Semiconductors: 'Negative U'. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics. |
| 214. | ANTONELLI, A ; AMARAL, O. A. V. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Correlation Effects and Structural Stability in Si: O, S and N-. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics. |
| 215. | SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of 3dn Interstitial Impurities in GaAs: Tetrahedral and Hexagonal Sites. In: 19th Int. Conf. on Phys. of Semic., 1988, Varsóvia, Polônia. Proceedings da Conferência, 1988. |
| 216. | CALDAS, M. J. ; SARDELA, M. ; FAZZIO, A. . Effect of Pressure on Intra-d Transition. In: International Conference on Defects in Insulating Crystals, 1988, Parma, Itália. Proceedings da Conferência, 1988. |
| 217. | IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Spectral Distribution of Photoionization Cross Section of Fe2+ in InP. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics. v. I. p. 299. |
| 218. | CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . Group IB Impurities in Silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics. v. I. p. 267. |
| 219. | FAZZIO, A. . Transition-Metal Impurities in III-V and II-VI Semiconductors. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics. v. I. p. 116. |
| Artigos aceitos para publicação |
| 1. | PADILHA, J. E. ; PONTES, R. B. ; FAZZIO, A. . Bilayer Graphene on h-BN Substrate: Investigating the Breakdown Voltage and Tuning the Bandgap by Electric Field. Journal of Physics. Condensed Matter (Print) , 2012. |
| Apresentações de Trabalho |
| 1. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Nanotransistores. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 2. | Fazzio, A. . Palestra: "Indicadores de Inovação". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 3. | FAZZIO, A. . Palestra Convidada: Electronic and Transport Properties of Bilayer Graphene. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 4. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda: Nanotecnologia e a Sociedade. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 5. | FAZZIO, A. . Palestra: "Da Galena ao Grafeno : A Busca por um Transistor". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 6. | FAZZIO, A. . Palestra Convidada: "João: O homem que ganhou dois prêmios Nobel em Física". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 7. | FAZZIO, A. . Palestra:. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 8. | FAZZIO, A. . Colóquio: "Nano na Estratégia Nacional de Ciência e Tecnologia". 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 9. | FAZZIO, A. . Invited Speaker: Nanotechnology Academic and Industrial Activities in Brazil". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 10. | FAZZIO, A. . Conferência de Abertura: A Política de Nanotecnologia no Brasil. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 11. | FAZZIO, A. . A Física do Grafeno: Bilayer como Dispositivo Eletrônico. 2011. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 12. | Fazzio, A. . Palestra: Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Nanotubos e Nanofitas de Carbono. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 13. | Fazzio, A. . Palestra: Renovação da Universidade Brasileira. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 14. | Fazzio, A. . Mesa Redonda: O Significado da Extensão Universitária nas Instituições Públicas do Estado de São Paulo. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 15. | Fazzio, A. . Colóquio: Rabiscando o Grafeno. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 16. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Na Busca de um Nanotransistor ... Grafeno. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 17. | Fazzio, A. . Mesa Redonda: Programa Latino-Americano de Física. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 18. | Fazzio, A. . Palestra: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 19. | Fazzio, A. . Colóquio: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 20. | Fazzio, A. . Colóquio: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 21. | Fazzio, A. . Conferência: A Renovação da Universidade: Multidisciplinaridade e Cidadania. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 22. | Fazzio, A. . Da Galena ao Grafeno: A Rota dos Prêmios Nobel. 2010. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 23. | Fazzio, A. . 100 Anos de Bardeen. 2010. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 24. | Fazzio, A. . Mesa Redonda: Panorama da Nanotecnologia no Brasil. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 25. | Fazzio, A. . Palestra: Graphene: ... to Create a Bandgap. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 26. | Fazzio, A. . Palestra: Da Galena ao Grafeno: Uma Rota para o Prêmio Nobel. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 27. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Simulação de um Nanotransistor de Grafeno via Cálculo Ab Initio. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 28. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Ab Initio Study of Electronic Transport in Gated Bilayer Graphene. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 29. | FAZZIO, A. . Colóquio: João, brilhante para os físicos e João ninguém para os outros: 100 anos de Bardeen. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 30. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 31. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 32. | Fazzio, A. . Colóquio: Rabiscando com o Grafeno. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 33. | Fazzio, A. . Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 34. | Fazzio, A. . Palestra Paralela: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 35. | Fazzio, A. . Colóquio: Desenhando um Sensor de Gases (Real). 2008. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 36. | Fazzio, A. . Mesa Redonda: A Física no Brasil e suas Perspectivas. 2008. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 37. | FAZZIO, A. . Palestra: "Simulação Computacional Aplicada aos Materiais". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 38. | FAZZIO, A. . Colóquio: "A Física e o Físico no B rasil". 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 39. | FAZZIO, A. . Palestra: "Simulação Computacional: Novos Materiais e Novos Desafios". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 40. | FAZZIO, A. . Palestra Convidada: "Electronic, Structural and Transport Properties of Defects on Carbon Nanotubes and Graphenes". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 41. | FAZZIO, A. . Palestra: "Deus e o Diabo na Nanotecnologia". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 42. | FAZZIO, A. . "Aplicações da Ciência - Nanotecnologia". 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 43. | FAZZIO, A. . Palestra Convidada: "Defects in Carbon Nanotubes and Graphene Nanoribbons". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 44. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda (Coordenador): "A Inovação na América Latina". 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 45. | FAZZIO, A. . Palestra: "Materiais, Energia e Meio Ambiente: Novos Materiais: seu impacto na inovação e no ambiente". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 46. | FAZZIO, A. . Conferência: "Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Nanomateriais: Simulação Computacional". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 47. | FAZZIO, A. . Nanotubos, Nanofitas e Nanofios: Propriedades Eletrônicas e de Transporte . 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 48. | FAZZIO, A. . Colóquio - Simulação Computacional em Materiais. 2006. (Apresentação de Trabalho/Comunicação). |
| 49. | FAZZIO, A. . A Física no Brasil e para o Brasil. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 50. | FAZZIO, A. . Dispositivos Moleculares. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 51. | FAZZIO, A. . Palestra Convidada - Structural, Electronic and Transport Properties in Nanostructures. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 52. | FAZZIO, A. . Deus e o Diabo na Nanotecnologia. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 53. | FAZZIO, A. . Transporte em Nanoestruturas. 2006. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 54. | FAZZIO, A. . Nanoeletrônica e Tecnologia de Displays. 2006. (Apresentação de Trabalho/Simpósio). |
| 55. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda: Os Desafios da Pós-Graduação em Física no Brasil. 2006. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 56. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda: Curso de Física no Brasil. 2006. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 57. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda: Pesquisa na Amazônia - Perspectivas e Estratégias. 2006. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 58. | FAZZIO, A. . Nanotecnologia Hoje. 2006. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 59. | FAZZIO, A. . Física para o Brasil - Conferência de Abertura do Ano Mundial da Física. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 60. | FAZZIO, A. . Reforma Universitária - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 61. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 62. | FAZZIO, A. . Física dos Materiais. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 63. | FAZZIO, A. . Ano Mundial da Física - A Física para o Brasil. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 64. | FAZZIO, A. . Nanofios e Nanotubos - Dispositivos do Futuro?. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 65. | FAZZIO, A. . Semicondutores Ferromagnéticos. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 66. | FAZZIO, A. . A Nanotecnologia e a Nanociência. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 67. | FAZZIO, A. . A Nanociência como uma Fronteira. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 68. | FAZZIO, A. . Einstein e a Nanociência. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 69. | FAZZIO, A. . Semicondutores Magnéticos Diluídos. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 70. | FAZZIO, A. . Defeitos em Gelo Ih. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 71. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 72. | FAZZIO, A. . Colóquio - A Nano, a USP e o nosso IFUSP. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 73. | FAZZIO, A. . Colóquio - A Física no Brasil. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 74. | FAZZIO, A. . Simulações Computacionais em Materiais: Nanotubos de Carbono e Nanotubos de Ouro. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 75. | FAZZIO, A. . Física para o Brasil - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 76. | FAZZIO, A. . Discurso de Posse para Saudar os Novos Acadêmicos da Academia Brasileira de Ciências. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 77. | FAZZIO, A. . O Ano Mundial da Física. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 78. | FAZZIO, A. . A Física para o Brasil - Pensando o Futuro. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 79. | FAZZIO, A. . Os Nanotubos de Carbono e o Futuro na Nanociência. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 80. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia Hoje. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 81. | FAZZIO, A. . Einstein e a Nanotecnologia. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 82. | FAZZIO, A. . Colóquio - Física e Tecnologia. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 83. | FAZZIO, A. . Ciência, Indústria e Sociedade - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 84. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda - 100 Años de Fisica en America Latina. Perspectivas para el Mediano Plazo. Agendas y Estrategias para el Desarrollo de la Ciencia en la Universidad en este Nuevo Siglo . 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 85. | FAZZIO, A. . Invited Talk - Mn-Mn Interaction in Diluted Magnetic Semiconductors: An Ab Initio Calculation. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 86. | FAZZIO, A. . A História da Descoberta dos Nanotubos de Carbono e Suas Aplicações. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 87. | FAZZIO, A. . Física: Tendências e Perspectivas - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 88. | FAZZIO, A. . Colóquio - Einstein e a Nanociência. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 89. | FAZZIO, A. . Colóquio - Nanotecnologia: Na Fronteira do Conhecimento. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 90. | FAZZIO, A. . Desordem e Interação Efetiva de Exchange Mn-Mn em Semicondutores Magnéticos Diluídos. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 91. | FAZZIO, A. . A Profissionalização da Física - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 92. | FAZZIO, A. . Palestra de Abertura - A Física no Brasil. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 93. | FAZZIO, A. . Física Molecular no Brasil, Pensando o Futuro - Mesa Coordenada (Expositor). 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 94. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 95. | FAZZIO, A. . Física no Brasil: Recursos Humanos - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 96. | FAZZIO, A. . Nanotecnologia. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 97. | FAZZIO, A. . A Importância da Física para a Sociedade Brasileira. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 98. | FAZZIO, A. . Física para o Brasil. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 99. | FAZZIO, A. . New Materials and Nanoscopic Science and Technology in Latin-America - Mesa Redonda. 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 100. | FAZZIO, A. . Electronic Properties of Free-Standing Semiconductors Nanowires. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 101. | FAZZIO, A. . Inovação e Política Industrial - Mesa Redonda (Coordenador). 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 102. | FAZZIO, A. . Financiamento da Pesquisa na América Latina - Mesa Redonda . 2005. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 103. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional em Física de Materiais. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 104. | FAZZIO, A. . A Possible Route to Grow a Si(1-x)Ge(x): Mn Based Diluted Magnetic Semiconductor. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 105. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional em Nanomateriais. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 106. | FAZZIO, A. . Física para o Brasil. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 107. | FAZZIO, A. . Semicondutores Semimagnéticos. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 108. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 109. | FAZZIO, A. . Política de Nanociência e Nanotecnologia. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 110. | FAZZIO, A. . Cálculos Ab Initio em Ligas Semicondutoras Magnéticas. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 111. | FAZZIO, A. . Nanotecnologia: Nova Fronteira do Conhecimento. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 112. | FAZZIO, A. . Funcionalização de Nanotubos de Carbono em Superfície de Silício. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 113. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 114. | FAZZIO, A. . Mesa Redonda: 'Física Molecular, Ciência de Materiais e Biofísica: Estado da Arte e Perspectivas'. 2004. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 115. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional de Materiais via Cálculos de Primeiros Princípios. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 116. | FAZZIO, A. . Atividades da Sociedade Brasileira de Física no Ano Mundial da Física. 2004. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 117. | FAZZIO, A. . Correções de Auto-Interação na DFT. 2004. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 118. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados. 2003. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 119. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional: Nanofios de Ouro e Nanotubos de Carbono. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 120. | FAZZIO, A. . Nanotubos de Carbono na Superfície Si(100) e Nanofios de Ouro. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 121. | FAZZIO, A. . Nanociência no Brasil. 2003. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 122. | FAZZIO, A. . Política Científica e as Atividades da Sociedade Brasileira de Física. 2003. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 123. | FAZZIO, A. . Simulações Computacionais em Materiais: Nanotubos de Carbono e Nanofios de Ouro. 2003. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 124. | FAZZIO, A. . Natureza do Manganês em Semicondutores. 2003. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 125. | FAZZIO, A. . Adsorção e Dopagem de Nanotubos de Carbono. 2002. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 126. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional: Nanotubos de Carbono e Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 127. | FAZZIO, A. . Nanoeletrônica: em que os físicos podem contribuir (se o governo não atrapalhar). 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 128. | FAZZIO, A. . Simulações Computacionais em Materiais: Nanotubos de Carbono e Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 129. | FAZZIO, A. . Nanoeletrônica: em que os físicos podem contribuir. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 130. | FAZZIO, A. . Simulação Computacional em Materiais: Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 131. | FAZZIO, A. . Simulações Computacionais em Materiais: Nanotubos de Carbono e Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 132. | FAZZIO, A. . A Eletrônica no Século XXI. 2002. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 133. | FAZZIO, A. . Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 134. | FAZZIO, A. . Nanofios de Ouro. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 135. | FAZZIO, A. . Influência do Grau de Liberdade do Spin na Oxidação Si/SiO2. 2002. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 136. | FAZZIO, A. . Nanociência e Nanotecnologia. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 137. | FAZZIO, A. . Nanociências: Pesquisa e Política Científica. 2002. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 138. | FAZZIO, A. . Projetando Materiais: Os Alquimistas Virtuais Estão Chegando. 2001. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 139. | FAZZIO, A. . Nanotubos de Carbono: Os Diamantes do Futuro. 2001. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 140. | FAZZIO, A. . Projetando Materiais: Os Alquimistas Virtuais Estão Chegando. 2001. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 141. | FAZZIO, A. . Nanotubos de Carbono Dopados com Silício. 2001. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 142. | FAZZIO, A. . Defeitos em SiNx(X = 0.5 - 1.8). 2000. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 143. | FAZZIO, A. . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando. 2000. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 144. | FAZZIO, A. . Estágio Inicial de Crescimento do Germânio sobre Silício. 2000. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 145. | FAZZIO, A. . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando. 2000. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 146. | FAZZIO, A. . Física e os Físicos no Brasil. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 147. | FAZZIO, A. . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 148. | FAZZIO, A. . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 149. | FAZZIO, A. . Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Nitreto de Silício. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 150. | FAZZIO, A. . Novos Materiais e o Prêmio Nobel de Química. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 151. | FAZZIO, A. . Estágios Iniciais de Crescimento de Ge em Si(100). 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 152. | FAZZIO, A. . Prêmio Nobel de Química e sua Relação com a Física da Matéria Condensada. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 153. | FAZZIO, A. . Dinâmica Molecular com Pressões Variáveis: Rubi sob Pressão. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 154. | FAZZIO, A. . Propriedades Estruturais e Eletrônicas de Semicondutores Amorfos. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 155. | FAZZIO, A. . Prêmio Nobel de Química e sua Relação com a Física da Matéria Condensada. 1999. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 156. | FAZZIO, A. . Aplicações Recentes do Método Funcional da Densidade. 1998. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| 157. | FAZZIO, A. . Abordagem Histórica da Teoria do Funcional da Densidade. 1998. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 158. | FAZZIO, A. . Arquitetura de Materiais: A Física do Carbono. 1997. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 159. | FAZZIO, A. . Cálculo Ab Initio em Semicondutores Amorfos. 1997. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra). |
| 160. | FAZZIO, A. . Arquitetura de Novos Materiais. 1997. (Apresentação de Trabalho/Outra). |
| 161. | FAZZIO, A. . Defeitos Provocados por Irradiação em Semicondutores: Um Enfoque Teórico. 1997. (Apresentação de Trabalho/Seminário). |
| Produção técnica |
| Demais tipos de produção técnica |
| 1. | FAZZIO, A. . Surpresas na Física do Estado Sólido. 2011. (Curso de curta duração ministrado/Outra). |
| 2. | Fazzio, A. . Participação: Programa "Tô Sabendo Revista". 2010. (Programa de rádio ou TV/Outra). |
| 3. | FAZZIO, A. . Dispositivos Moleculares: A Big-Ciência da Nano-Física. 2002. (Curso de curta duração ministrado/Outra). |
| 4. | FAZZIO, A. . Nanotubos: Os Diamantes Negros do Futuro. 2001. (Curso de curta duração ministrado/Outra). |
| Participação em bancas examinadoras |
| Dissertações |
| 1. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Leandro Barros da Silva. Estudo de Primeiros Princípios da Interação de Monóxido de Carbono com Nanotubos de Carbono Semicondutores. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria. |
| 2. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Joelmo Jesus de Oliveira. Cálculo de Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Materiais Hipotéticos via Método Ab Initio. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia. |
| 3. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Hélio Tsuzuki. As Funções Potencial Eletrônico e Momento de Dipolo do Monóxido de Carbono (X1Sigma+) e do Óxido Nítrico (X2Pi): Um Estudo com o Método MCSCF. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia. |
| 4. | MIRANDA, C. R.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Caetano Rodrigues Miranda. Entropia Vibracional em Ligas Metálicas - Determinação de Parâmetros Termodinâmicos em Ligas Metálicas via Ligação Adiabática e Dinâmica Molecular. 1999. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 5. | GADELHA, A. L.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Alexandre Leite Gadelha. Quebra Espontânea de Simetria, Superfluidez e Cosmologia. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| Teses de doutorado |
| 1. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Wiliam Victor Trujillo Herrera. Nanoclusters Magnéticos em Filmes Metálicos não Magnéticos (Fe/Ag) e Supercondutores (Co/Bi). 2011. Tese (Doutorado em Doutorado em Física-CBPF) - Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas. |
| 2. | Fazzio, A.. Participação em banca de Vagner Alexandre Rigo. Estudo Teórico de Nanofitas de Grafeno Dopadas com Ni e Mn. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria. |
| 3. | Fazzio, A.. Participação em banca de Rafael Carvalho Barreto. Simulação de Propriedades Estruturais e Eletrônicas de Agregados, Líquidos Regulares e Supercríticos. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Física da USP. |
| 4. | Fazzio, A.. Participação em banca de Marcos Dionizio Moreira. Cálculos de Primeiros Princípios em Nanofios Semicondutores. 2009. Tese (Doutorado em Doutorado em Física - Instituto de Física/UFF) - Universidade Federal Fluminense. |
| 5. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Daniel Grimm. Estudos do Transporte em Nanoestruturas Moleculares Quasi Unidimensionais a partir de Experimentos e Modelos Teóricos. 2008. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal Fluminense. |
| 6. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Hebert Luís Rossetto. Contribuições para a Ciência e Engenharia dos Materiais Cimentícios: Processamento, Durabilidade e Resistência Mecânica. 2007. Tese (Doutorado em Fisica (Sc)) - Universidade de São Paulo. |
| 7. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Pablo Munayco Solorzano. Nanopartículas de Fe em Filmes de Metais Não Magnéticos Ag, Cd e Zn. 2006. Tese (Doutorado em Física) - Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas. |
| 8. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Marcelo Pereira Machado. Estudos de Primeiros Princípios de Nanocones de BN com 240º de Disclinação: Uma Nova Proposta. 2005. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria. |
| 9. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Jorge Alberto Manso Raimundo da Rocha. Modelo de Orbitais Moleculares para Supercondutores. 2005. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco. |
| 10. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Ana Cláudia Monteiro Carvalho. Estrutura Eletrônica de Nanotubos de Nitreto de Carbono. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 11. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Ivan Jankov. Modificação de Superfícies Metálicas via Implantação Iônica para Tochas de Plasma e outras Aplicações. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 12. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Rosângela de Paiva. Propriedades Eletrônicas e Magnéticas de Ligas Semicondutoras Magnéticas Diluídas e de Nitretos de Metais de Transição. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais. |
| 13. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Simone Silva Alexandre. Nanoestruturas por Primeiros Princípios. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais. |
| 14. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Cláudio Radtke. Crescimento Térmico de Filmes Dielétricos sobre SiC e Caracterização das Estruturas Formadas. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul. |
| 15. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Caetano Rodrigues Miranda. Da Ordem à Desordem: Uma Visão da Ciência dos Materiais Computacional. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 16. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Márcia Tsuyama Escote. Estudo da Transição Metal-Isolante em Óxidos de Terra-Rara e Níquel. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 17. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Varlei Rodrigues. Efeitos do Arranjo Atômico na Condutância Quântica de Nanofios Metálicos. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 18. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Cássio Stein Moura. Defeitos Pontuais nos Compostos Intermetálicos ZrNi e Zr2Ni Estudados por Dinâmica Molecular. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul. |
| 19. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Wanderlã Luis Scopel. Estudo das Propriedades Químicas, Morfológicas e Estruturais de Oxinitreto de Silício Depositado por PECVD. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 20. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Marcelo Ferreira da Silva. Teoria do Funcional da Densidade e Magnetismo no Modelo de Hubbard. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 21. | FAZZIO, A.. Participação em banca de Pablo Guillermo Gonzales Ormeño. Determinação dos Diagramas de Fases do Sistema Fe-Al-Mo Cúbico de Corpo Centrado por Cálculos de Primeiros Princípios. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 22. | AZEVEDO, D. L.; FAZZIO, A.. Participação em banca de David Lima Azevedo. Configurações Eficientes em Espalhamentos de Elétrons ou Pósitrons por Moléculas. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 23. | REIS, F. T.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Françoise Toledo Reis. Fotocondutividade Dependente da Temperatura em Filmes Finos de Germânio Amorfo Hidrogenado Dopado com Gálio e Arsênio. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 24. | TELES, L. K.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Lara Kühl Teles. Propriedades Estruturais, Eletrônicas e Termodinâmicas dos Nitretos do Grupo III e de suas Ligas. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 25. | BRANÍCIO, P. S.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Paulo Sérgio Branício. Estudo das Propriedades Estruturais, Mecânicas e Vibracionais da Liga Ga1-xInxAs e das Deformações de Nanofios de Níquel sob Strain Uniaxial por Dinâmica Molecular. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos. |
| 26. | SOUZA, S. S.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Saulo Soares de Souza. Análise de Modelos de Defeitos Dipolares no Espinélio MgAl2O4 através da Técnica de Simulação Computacional Estática. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 27. | RIBEIRO, F. J.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Fábio de Jesus Ribeiro. Efeitos de Campos Externos sobre Estados de Impurezas em Nanoestruturas Semicondutoras. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal Fluminense. |
| 28. | SANTOS, W. P.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Waldir Pereira dos Santos. Espalhamento Elétron (Buraco)-Fônon em Poços Quânticos sob a Ação de Campos Externos. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de Brasília. |
| 29. | MAZZONI, M. S. C.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Mário Sérgio de Carvalho Mazzoni. Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Nanotubos de Carbono. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais. |
| 30. | GHOSH, A.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Angsula Ghosh. O Modelo BCS Renormalizado e Supercondutores de Alta Temperatura. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. |
| 31. | BRUNSTEIN, A.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Adriana Brunstein. Comportamento Crítico e Transições de Fases Dinâmicas em Autômatos Celulares Probabilísticos. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 32. | CRUZ, D. Z. N.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Daniela Zanchet Nelson Cruz. Nanopartículas de Ouro Coloidais: Estudo de Modificações Estruturais e Formação de Supercristais Auto-Organizados. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas. |
| 33. | ANJOS, V. C.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Virgílio de Carvalho dos Anjos. Excitações Coletivas e de Partícula Independente em Sistemas Multicamadas de GaAs Delta-Dopadas. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 34. | MIWA, R. H.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Roberto Hiroki Miwa. Adsorção de Moléculas de As2 sobre as Superfícies GaAs(001): {Te, Se e S} e a Formação das Interfaces GaAs/Te/InAs e GaAs/Si(Ge)/AlAs. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 35. | BAIERLE, R. J.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Rogério José Baierle. Propriedades Estruturais e Óticas de Nanopartículas de Silício. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 36. | KINTOP, J. A.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Jorge Alberto Kintop. Método Semi-Empírico Magnético (SEMM-LAO) com Aplicações em Fullerenos. 1997. Tese (Doutorado em Química (Físico-Química)) - Universidade de São Paulo. |
| 37. | CUNHA, C. R. M.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Carlos Roberto Martins da Cunha. Forças Intermoleculares: Propriedades Estruturais e Eletrônicas de Clusters de van de Waals. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 38. | MUÑOZ, W. M. O.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Walter Manuel Orellana Muñoz. Estrutura Eletrônica de Impurezas Simples e Complexas envolvendo Átomos Leves em GaAs. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| 39. | WAKI, M.; FAZZIO, A.. Participação em banca de Mariza Waki. Perfil de Potencial e Corrente de Tunelamento em Pontos Quânticos. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo. |
| Participação em bancas de comissões julgadoras |
| Professor titular |
| 1. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público para Provimento de uma Vaga de Professor Titular. 2011. Universidade Federal do Rio de Janeiro. |
| 2. | Fazzio, A.. Banca Examinadora do Concurso para Professor Titular. 2010. Universidade Federal de Minas Gerais. |
| 3. | Fazzio, A.. Banca Julgadora do Processo de Promoção para Professor Titular. 2010. Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro. |
| 4. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso de Títulos e Provas para Provimento de um Cargo de Professor Titular. 2004. Universidade de São Paulo. |
| 5. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Titular). 2003. Universidade de Brasília. |
| 6. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Titular). 2001. Universidade de São Paulo. |
| 7. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Titular). 1999. Universidade Federal da Bahia. |
| 8. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Titular). 1997. Universidade Federal de Minas Gerais. |
| Concurso público |
| 1. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público para Admissão de Professor de Nível Superior. 2011. Universidade Federal de Uberlândia. |
| 2. | Fazzio, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público de Títulos e Provas para Provimento de um Cargo de Professor Doutor. 2010. Instituto de Física de São Carlos/USP. |
| 3. | Fazzio, A.. Banca Examinadora do Concurso para Provimento de uma Vaga de Professor Adjunto. 2010. Universidade Federal de Pernambuco. |
| 4. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público de Títulos e Provas para Provimento de um Cargo de Professor Doutor. 2006. Universidade de São Paulo. |
| 5. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público de Títulos e Provas para Provimento de um Cargo de Professor Doutor. 2006. Universidade Federal Fluminense. |
| 6. | FAZZIO, A.. Concurso Público de Provas e Títulos para a Carreira do Magistério Superior na Classe de Professor Adjunto I. 2005. Universidade Federal Fluminense. |
| 7. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso Público para Provimento de um Cargo de Professor Titular. 2005. Universidade de São Paulo. |
| 8. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora do Concurso para o Magistério Superior para o Cargo de Professor Adjunto. 2004. Universidade Federal da Bahia. |
| 9. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora do Concurso Público para o Cargo de Professor Adjunto. 2004. Universidade Federal de Uberlândia. |
| 10. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora do Concurso Público para o Cargo de Professor Adjunto. 2004. Universidade Estadual de Feira de Santana. |
| 11. | FAZZIO, A.. Processo Seletivo do Concurso Público para Provimento de uma Vaga para Pesquisador Titular I. 2004. Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas. |
| 12. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 2002. Universidade Federal Fluminense. |
| 13. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Livre-Docente). 2002. Universidade de São Paulo. |
| 14. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 2002. Universidade Federal de Goiás. |
| 15. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Livre-Docente). 2000. Universidade Estadual de Campinas. |
| 16. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 1998. Universidade Federal da Bahia. |
| 17. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Doutor). 1998. Universidade de São Paulo. |
| 18. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 1997. Universidade Federal do Rio de Janeiro. |
| 19. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Doutor). 1997. Universidade de São Paulo. |
| 20. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 1997. Universidade Estadual de Campinas. |
| 21. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Professor Adjunto). 1997. Universidade Estadual de Campinas. |
| Livre docência |
| 1. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Concurso para Obtenção do Título de Livre-Docência do Dr. Andrés Vercik. 2009. Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos da USP/Pirassununga-SP. |
| 2. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora do Concurso de Livre-Docência do Prof. Dr. Guo-Qiang Hai. 2003. Universidade de São Paulo. |
| 3. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Livre-Docência). 2002. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. |
| 4. | FAZZIO, A.. Banca Examinadora (Livre-Docência). 1999. Universidade de São Paulo. |
| Outras participações |
| 1. | Fazzio, A.. Comissão de Especialistas para Julgamento dos Candidatos à Bolsa de Reconhecimento Acadêmico Zeferino Vaz 2009. 2009. Universidade Estadual de Campinas. |
| 2. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do III Prêmio Destaque na Iniciação Científica. 2005. Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. |
| 3. | FAZZIO, A.. Banca para o Exame de Promoção para Pesquisador III. 2005. Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas. |
| 4. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora dos trabalhos do Seminário de Iniciação Científica do INPE - SICINPE'2003. 2003. Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais. |
| 5. | FAZZIO, A.. Comissão Julgadora do Processo Seletivo para Professor Doutor. 2003. Universidade Estadual de Campinas. |
| Participação em eventos |
| 1. | IX Semana de Recepção aos Calouros 2007 do IFUSP.Palestra: "Tem Física no Nosso Caminho". 2007. (Outra). |
| 2. | IX Semana de Recepção aos Calouros 2007 do Instituto de Física de São Carlos.Palestra: "Simulação Computacional Aplicada aos Materiais". 2007. (Outra). |
| 3. | I Encontro do Instituto do Milênio de Nanotecnologia.Palestra: Propriedades Eletrônicas, Magnéticas, Estruturais e de Transporte de Nanocoisas. 2006. (Encontro). |
| Orientações em andamento |
| Dissertação de mestrado |
| 1. | Carlos Augusto Mera Acosta. Inclusão do Efeito de Spin-Órbita no Código Computacional SIESTA e no Transporte Eletrônico. Início: 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Física da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador). |
| 2. | Leandro Mondevaim Faustino. Contatos Metálicos: Grafeno/Ni e Grafeno/Cu. Início: 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Física da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador). |
| Tese de doutorado |
| 1. | Leonardo Batoni Abdalla. Propriedades Eletrônicas de Transporte em Isolantes Topológicos. Início: 2011. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Física da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador). |
| 4. | José Eduardo Padilha de Sousa. Inclusão de Efeitos Magnéticos em Problemas de Transporte. Início: 2008. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Física da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador). |
| Supervisão de pós-doutorado |
| 1. | Matheus Paes Lima. Início: 2011. Instituto de Física da USP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. |
| Supervisões e orientações concluídas |
| Dissertação de mestrado |
| 3. | Gustavo Martini Dalpian. Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge sobre Si(100). 2000. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 4. | Karina de Oliveira Barbosa. Centro DX Revisitado. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 5. | Jonatan Joao da Silva. Semicondutores Amorfos do Grupo IV via Simulacao de Monte Carlo. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 6. | Gilberto de Paiva. Estabilidade Termica de Fullerenos e Nanotubos de Carbono.
1996.
Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 7. | Pedro Paulo de Mello Venezuela. Defeitos de Antisítio e Tipo Antisítio em GaP. 1993. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 8. | Carlos Roberto Martins da Cunha. Propriedades Estruturais e Eletrônicas de N e N2 em Semicondutores Tipo IV. 1992. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 9. | Fábio Bretas de Freitas. Dinâmica Molecular via Formalismo de Hartree-Fock-Roothaan no Esquema de Car-Parrinello. 1991. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 10. | Tome Mauro Schmidt. Cálculo de Efeitos de Muitos Elétrons para Estados Excitados de Defeitos SP POT.3 em Semicondutores. 1990. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 11. | Antônio Cesar Ferreira. Correção do Potencial Muffin-Tin: Antisítio em GaAs. 1990. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 12. | Francisco de Paula Camargo. Pseudo Jahn-Teller versus Reconstrução Química: Oxigênio em Silício. 1990. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 13. | Hélio Ferreira de Paula Júnior. Pares de Impurezas Calcogênicas em Silício. 1988. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 14. | Mauro Roberto Sardela Júnior. Propriedades Ópticas dos Semicondutores Semimagnéticos sob Pressão Hidrostática. 1987. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 15. | Sérgio Kaisserlian de Figueiredo. Correção de Auto-Interação no MS-Xalfa. 1987. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Adalberto Fazzio. |
| 16. | Antonio Newton Borges. Divacância em Silício via CNDO/BW. 1983. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Adalberto Fazzio. |
| Tese de doutorado |
| 1. |