Adalberto Fazzio

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1A

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  • Última atualização do currículo em 26/10/2018


Adalberto Fazzio, Professor Titular do Instituto de Física da USP, é natural de Sorocaba-SP. Bacharel e Mestre em Física pela Universidade de Brasília/UnB, nos anos de 1973 e 1975, respectivamente. Doutor em Física pela Universidade de São Paulo/USP em 1978. Em 1985, tornou-se Livre-Docente no Instituto de Física da USP e, desde 1991, é Professor Titular daquela Instituição. Atualmente, Aposentado da USP, é o Diretor do Laboratório Nacional de Nanotecnologia/CNPEM. Foi pesquisador visitante no National Renewable Energy Laboratory (EUA) e no Fritz-Häber-Institut (Berlim, Alemanha). É pesquisador I-A do CNPq. Ocupou os cargos de Secretário, Secretário-Geral, Vice-Presidente e Presidente da Sociedade Brasileira de Física (SBF) e, também, Conselheiro da SBF. Foi Chefe do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica, Vice-Diretor e Diretor do Instituto de Física da USP. É membro da Academia Brasileira de Ciências (ABC). Em 2006, recebeu a comenda da Ordem Nacional do Mérito Científico. No ano de 2008, foi nomeado pelo Ministro da Educação, membro do Conselho Superior da CAPES e Reitor da Universidade Federal do ABC, onde também foi Diretor do Centro de Ciências Naturais e Humanas. Em 2010, foi promovido à Classe da Grã-Cruz, na Ordem Nacional do Mérito Científico. Em março de 2011 foi nomeado, pelo Ministro da Ciência e Tecnologia, Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCT e Assessor Especial do Ministro. Em julho foi designado, pelo Ministro da Ciência, Tecnologia e Inovação, para o cargo de Secretário Adjunto da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCTI, exercido até 1º de novembro de 2013. Em outubro de 2013 foi eleito Membro da TWAS (The World Academy of Sciences). Em 2015, assumiu a Subsecretaria de Coordenação das Unidades de Pesquisa do MCTI. Sua área de atuação sempre esteve voltada para a Física da Matéria Condensada, dirigida primordialmente no entendimento de propriedades estruturais, magnéticas e de transporte em materiais. Atualmente trabalhando em propriedades de nanomateriais e isolantes topológicos. Com aproximadamente 300 publicações em revistas especializadas (8969 citações, Google; fator de impacto H = 49, Google), tem contribuído com importantes trabalhos no entendimento no campo da ciência de materiais, e uma participação bastante ativa na orientação de mestres e doutores. Seu grupo de pesquisa trabalhou no desenvolvimento de métodos e algoritmos computacionais, aplicados a materiais, procurando entender os processos de crescimentos, difusão atômica, interfaces, defeitos extensos e ações de campo externo (campo elétrico, campo magnético, pressões e temperaturas). (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Adalberto Fazzio
Nome em citações bibliográficas
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO

Endereço


Endereço Profissional
Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, Laboratório Nacional de Nanotecnologia.
Rua Giuseppe Máximo Scolfaro, 10000
Cidade Universitária
13083970 - Campinas, SP - Brasil
Telefone: (19) 35183103
URL da Homepage: http://cnpem.br/


Formação acadêmica/titulação


1975 - 1978
Doutorado em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Modelo Molecular para Sólidos Covalentes, Ano de obtenção: 1978.
Orientador: José Roberto Leite.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1973 - 1975
Mestrado em Física.
Universidade de Brasília, UnB, Brasil.
Título: Inclusão dos Orbitais d no Método CNDO/BW: Estudo das Ligações C-S e S-O,Ano de Obtenção: 1975.
Orientador: José David Mangueira Vianna.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1970 - 1972
Graduação em Física.
Universidade de Brasília, UnB, Brasil.


Pós-doutorado e Livre-docência


1985
Livre-docência.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Excitações e Ionizações de Metais de Transição em Semicondutores, Ano de obtenção: 1985.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1989 - 1990
Pós-Doutorado.
Max-Planck Institut, MPI, Alemanha.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1983 - 1984
Pós-Doutorado.
National Renewable Energy Laboratory, NREL, Estados Unidos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra


Atuação Profissional



Materials Research Society, MRS, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2014 - Atual
Vínculo: Membro, Enquadramento Funcional: Membro

Atividades

01/2014 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Materials Research Society, Materials Research Society.

Atividade realizada
Membro.

The World Academy of Sciences, TWAS, Itália.
Vínculo institucional

2013 - Atual
Vínculo: Fellow, Enquadramento Funcional: Fellow

Atividades

10/2013 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , The World Academy of Sciences, The World Academy of Sciences.

Atividade realizada
Fellow.

American Chemical Society, ACS, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2013 - Atual
Vínculo: Membro, Enquadramento Funcional: Membro

Atividades

12/2013 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , American Chemical Society, American Chemical Society.

Atividade realizada
Membro.

Indústrias Nucleares do Brasil, INB, Brasil.
Vínculo institucional

2011 - 2014
Vínculo: Membro, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho de Administração

Atividades

11/2011 - 03/2014
Conselhos, Comissões e Consultoria, Indústrias Nucleares do Brasil, .

Cargo ou função
Membro do Conselho de Administração.

Academia de Ciências do Estado de Sâo Paulo, ACIESP, Brasil.
Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Membro Titular, Enquadramento Funcional: Membro Titular

Atividades

07/2000 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Academia de Ciências do Estado de Sâo Paulo - SP - Brasil, Academia de Ciências do Estado de Sâo Paulo - SP - Brasil.

Atividade realizada
Membro Titular.

New York Academy of Sciences, NYAS, Estados Unidos.
Vínculo institucional

1987 - 1989
Vínculo: Membro da NYAS, Enquadramento Funcional: Membro da New York Academy of Sciences

Atividades

1987 - 1989
Outras atividades técnico-científicas , New York Academy of Sciences, New York Academy of Sciences.

Atividade realizada
Membro da New York Academy of Sciences.

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Vínculo institucional

1985 - Atual
Vínculo: Assessor Ad Hoc, Enquadramento Funcional: Assessor Ad Hoc

Atividades

01/1985 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo.

Atividade realizada
Assessor Ad Hoc.

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Vínculo institucional

1985 - Atual
Vínculo: Assessor Ad Hoc, Enquadramento Funcional: Assessor Ad Hoc

Atividades

01/1985 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.

Atividade realizada
Assessor Ad Hoc.

Universidade de Brasília, UnB, Brasil.
Vínculo institucional

1974 - 1975
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Colaborador I

Atividades

03/1974 - 03/1975
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Mecânica - 1º Sem/74
Física II - 2º Sem/74

Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

1991 - 2015
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1989 - 1991
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1987 - 1988
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1985 - 1987
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Livre-Docente, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1979 - 1985
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/2006 - Atual
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/2006
Fundamentos da Mecânica - 2º Sem/2006
Introdução à Física Atômica e Molecular (1/2 carga) - 1º Sem/2007
Introdução à Física do Estado Sólido - 2º Sem/2007
3/1979 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

03/1979 - 05/2015
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

Linhas de pesquisa
Propriedades de Transporte
03/1979 - 05/2015
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

03/1979 - 05/2015
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

03/2014 - 04/2015
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Diretor do Instituto de Física da USP.
01/1989 - 04/2015
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro da Congregação.
01/1986 - 04/2015
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro do Conselho do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
10/2006 - 10/2007
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Vice-Diretor do Instituto de Física da USP.
10/2006 - 10/2007
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro do Conselho Técnico-Administrativo do IFUSP.
03/2003 - 12/2005
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Moderna II - 1º Sem/2003
Física dos Materiais - 2º Sem/2003
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/2004
Física dos Materiais - 2º Sem/2004
Bônus Noturno - 1º Sem/2005
Física dos Materiais - 2º Sem/2005
03/2000 - 12/2002
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Física Computacional na Ciência de Materiais - 2º Sem/2002
Física do Estado Sólido - 2º Sem/2002
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/2000
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/2001
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/2002
10/1998 - 10/2002
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Vice-Diretor do Instituto de Física da USP.
10/1998 - 10/2002
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro do Conselho Técnico-Administrativo do IFUSP.
03/1997 - 12/2001
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Introdução à Física Atômica e Molecular - 2º Sem/1997
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/1998
Grupos e Tensores - 2º Sem/1998
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/1999
Física do Estado Sólido I - 2º Sem/1999
Introdução à Física Atômica e Molecular - 2º Sem/2001
01/1997 - 12/1999
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Vice-Presidente da Comissão de Pesquisa.
03/1992 - 07/1997
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/1992
Física do Estado Sólido I - 2º Sem/1992
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/1993
Física de Semicondutores - 1º Sem/1995
Física do Estado Sólido I - 2º Sem/1996
Física do Estado Sólido II - 1º Sem/1997
1993 - 1997
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro Suplente do Instituto de Física junto ao Conselho Universitário.
01/1992 - 12/1996
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro da Comissão de Pesquisa.
03/1991 - 12/1996
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Introdução à Estrutura Eletrônica de Materiais - Curso de Verão (a convite do Centro Acadêmico) - Março/1991
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/1994
Introdução à Física Atômica e Molecular - 2º Sem/1993
Introdução à Física Atômica e Molecular - 2º Sem/1994
Introdução à Física Moderna - 1º Sem/1991
Introdução à Física Atômica e Molecular - 1º Sem/1995
Introdução à Física Atômica e Molecular - 2º Sem/1995
02/1992 - 02/1996
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Chefe do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
3/1981 - 12/1991
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Física Molecular - Estrutura Eletrônica - 2º Sem/1981
Estado Sólido - 2º Sem/1982
Física de Semicondutores - 1º Sem/1986
Teoria de Grupos - 1º Sem/1987
Física de Semicondutores - 2º Sem/1990
Física do Estado Sólido - 2º Sem/1991
03/1986 - 12/1990
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Introdução à Física do Estado Sólido - 2º Sem/1986
Introdução à Física do Estado Sólido (Coordenador) - 2º Sem/1987
Estrutura da Matéria I (Coordenador) - 1º Sem/1988
Estrutura da Matéria II (Coordenador) - 2º Sem/1988
Estrutura da Matéria I (Coordenador) - 1º Sem/1989
Estrutura da Matéria II (Coordenador) - 2º Sem/1989
Introdução à Física Moderna (Coordenador) - 1º Sem/1990
01/1988 - 12/1989
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Membro da Comissão de Graduação.
1986 - 1986
Outras atividades técnico-científicas , Instituto de Física, Instituto de Física.

Atividade realizada
Coordenador de Seminários de Física da Matéria Condensada do IFUSP.
3/1979 - 12/1985
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física II - 2º Sem/1979
Laboratório de Física I - 1º Sem/1980
Laboratório de Física II - 2º Sem/1980
Estrutura da Matéria - 1º Sem/1981
Estrutura da Matéria - 1º Sem/1982
Física IV (Eletricidade) - 2º Sem/1984
Física I (Coordenador) - 1º Sem/1985
1985 - 1985
Outras atividades técnico-científicas , Instituto de Física, Instituto de Física.

Atividade realizada
Coordenador de Seminários do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
1982 - 1982
Outras atividades técnico-científicas , Instituto de Física, Instituto de Física.

Atividade realizada
Coordenador de Seminários do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações, MCTI, Brasil.
Vínculo institucional

2015 - 2016
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Subsecretário, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Exerce o cargo na Subsecretaria de Coordenação das Unidades de Pesquisa (SCUP) do MCTI.

Vínculo institucional

2011 - 2013
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Secretário Adjunto
Outras informações
Foi designado pelo Ministro da Ciência, Tecnologia e Inovação, Aloizio Mercadante, Secretário Adjunto na Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCTI.

Vínculo institucional

2011 - 2011
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias
Outras informações
Foi nomeado pelo Ministro da Ciência e Tecnologia, Aloizio Mercadante, Coordenador-Geral de Micro e Nanotecnologias da Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCT e Assessor Especial.


Universidade Federal do ABC, UFABC, Brasil.
Vínculo institucional

2016 - 2017
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Sênior
Outras informações
Pesquisador dentro do Programa Professor Visitante Nacional Sênior - PVNS/CAPES

Vínculo institucional

2008 - 2010
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Reitor Pro Tempore
Outras informações
Publicado no D.O.U. em 08/08/2008 e empossado em 13/08/2008.

Vínculo institucional

2008 - 2008
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Diretor do CCNH
Outras informações
Diretor do Centro de Ciências Naturais e Humanas

Atividades

08/2008 - 02/2010
Direção e administração, Universidade Federal do ABC, .

Cargo ou função
Reitor.
02/2008 - 08/2008
Direção e administração, Centro de Ciências Naturais e Humanas, .

Cargo ou função
Diretor de Unidade.

Academia Brasileira de Ciências, ABC, Brasil.
Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Membro, Enquadramento Funcional: Membro Titular

Atividades

01/2005 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Academia Brasileira de Ciências/RJ, Academia Brasileira de Ciências/RJ.

Atividade realizada
Consultor da Área de Ciências Físicas.
06/2000 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , Academia Brasileira de Ciências/RJ, Academia Brasileira de Ciências/RJ.

Atividade realizada
Membro Titular.

American Physical Society, APS*, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Membro, Enquadramento Funcional: Membro

Atividades

03/2008 - Atual
Outras atividades técnico-científicas , American Physical Society, American Physical Society.

Atividade realizada
Membro.

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Membro do Conselho Superior, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho Superior

Atividades

01/2008 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, .

Cargo ou função
Membro do Conselho Superior.

Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas, CBPF, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - 2010
Vínculo: Membro do Conselho, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho Técnico-Científico

Atividades

07/2008 - 07/2010
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas, .

Cargo ou função
Membro do Conselho Técnico-Científico.

Sociedade Brasileira de Física, SBF, Brasil.
Vínculo institucional

2013 - Atual
Vínculo: Membro do Conselho, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho
Outras informações
Membro Titular do Conselho da Sociedade Brasileira de Física até julho/2017

Vínculo institucional

2007 - 2011
Vínculo: Membro do Conselho, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho
Outras informações
Membro Titular do Conselho da Sociedade Brasileira de Física

Vínculo institucional

2003 - 2007
Vínculo: Presidente, Enquadramento Funcional: Presidente
Outras informações
Presidente da Sociedade Brasileira de Física

Vínculo institucional

2001 - 2005
Vínculo: Membro do Conselho, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho
Outras informações
Membro Eleito do Conselho da Sociedade Brasileira de Física

Vínculo institucional

1999 - 2001
Vínculo: Vice-Presidente, Enquadramento Funcional: Vice-Presidente
Outras informações
Vice-Presidente da Sociedade Brasileira de Física

Vínculo institucional

1997 - 1999
Vínculo: Secretário Geral da SBF, Enquadramento Funcional: Secretário Geral

Vínculo institucional

1988 - 1993
Vínculo: Membro do Conselho, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho
Outras informações
Membro Eleito do Conselho da SBF

Vínculo institucional

1989 - 1991
Vínculo: Presidente da Com. Nac. Semic., Enquadramento Funcional: Presidente da Com. Nac. Semic.
Outras informações
Presidente da Comissão Nacional de Semicondutores junto a SBF (Coordenador)

Vínculo institucional

1987 - 1991
Vínculo: Secretário da SBF, Enquadramento Funcional: Secretário da SBF

Vínculo institucional

1990 - 1990
Vínculo: Membro de Comitê, Enquadramento Funcional: Membro de Comitê
Outras informações
Membro do Comitê Organizador do Documento "A Física no Brasil na Próxima Década" da Sociedade Brasileira de Física, área de Semicondutores.

Vínculo institucional

1986 - 1987
Vínculo: Membro da Comissão de Reuniões, Enquadramento Funcional: Membro da Comissão de Reuniões da SBF

Atividades

07/2013 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Membro Titular.
07/2007 - 07/2011
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Membro Titular do Conselho da Sociedade Brasileira de Física.
07/2005 - 07/2007
Direção e administração, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Presidente da Sociedade Brasileira de Física.
07/2005 - 07/2007
Direção e administração, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Presidente da Sociedade Brasileira de Física.
07/2001 - 07/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Membro Eleito do Conselho da Sociedade Brasileira de Física.
07/1999 - 07/2001
Direção e administração, Sociedade Brasileira de Física/SBF, .

Cargo ou função
Vice-Presidente.

(CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.
Vínculo institucional

2006 - 2009
Vínculo: Membro de Comitê, Enquadramento Funcional: Membro de Comitê
Outras informações
Membro do Comitê Editorial do CNPq

Vínculo institucional

2000 - 2001
Vínculo: Membro de Comitê, Enquadramento Funcional: Membro de Comitê
Outras informações
Membro do Comitê Multidisciplinar de Articulação do CNPq

Vínculo institucional

1999 - 2001
Vínculo: Presidente do Comitê Assessor, Enquadramento Funcional: Presidente do Comitê Assessor
Outras informações
Presidente do Comitê Assessor de Física/Astronomia

Atividades

05/2006 - 04/2009
Conselhos, Comissões e Consultoria, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico/CNPq, .

Cargo ou função
Membro do Comitê Editorial do CNPq.
01/2000 - 12/2001
Conselhos, Comissões e Consultoria, cnpq, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.

Cargo ou função
Membro do Comitê Multidisciplinar de Articulação do CNPq.
01/1999 - 12/2001
Conselhos, Comissões e Consultoria, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico/CNPq, .

Cargo ou função
Presidente do Comitê Assessor de Física/Astronomia.

Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, CNPEM, Brasil.
Vínculo institucional

2017 - Atual
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Diretor do LNNano, Carga horária: 40
Outras informações
Atuou como Diretor Geral pró-tempore, de Março a Junho de 2018.

Atividades

12/2017 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Laboratório Nacional de Nanotecnologia, .



Linhas de pesquisa


1.
Propriedades Estruturais e Eletrônicas de Materiais

Objetivo: Nanomateriais Superfícies Moléculas e Átomos Adsorvidos em Superfícies Defeitos Extensos Óxidos Amorfos.
Palavras-chave: Nanomateriais; Superfícies; Defeitos; Amorfos.
2.
Propriedades de Transporte

Objetivo: Nanofios Metálicos Nanotubos de Carbono.
Palavras-chave: Nanofios; Nanotubos.
3.
Desenvolvimento de Algoritmos

Objetivo: Método de Monte Carlo Dinâmica Molecular.
Palavras-chave: Monte Carlo; Dinâmica Molecular.
4.
Teoria do Funcional da Densidade

Objetivo: Implementação do Funcional Meta-GGA Estados Excitados.
5.
Propriedades eletrônicas e estruturais de isolantes topológicos.
6.
Propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte em materiais 2D.


Projetos de pesquisa


2017 - Atual
FAPESP/Projeto Temático: Interfaces em Materiais: Propriedades Eletrônicas, Magnéticas, Estruturais e de Transporte
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: US$ 500.00,00 + R$ 1.282.224,81 + R$ 337.901,52 (Reserva de Importação) . Alunos envolvidos: Mestrado(8) Doutorado (15) Pos-doc (15)..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2011 - 2016
FAPESP/Projeto Temático:
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: US$ 367.300,00 + R$ 669.181,88 +R$ 99.171,00 (Reserva de Importação) Período de Vigência: 1º de abril de 2011 a 31 de março de 2016.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Antônio José Roque da Silva - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2010 - 2012
CNPq/Universal:
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 25.700,00 Período de Vigência: 1º de outubro de 2010 a 15 de dezembro de 2012.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (4) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2007 - 2009
CNPq/Universal: Simulação de Nanoestruturas
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 38.776,40 Período de Vigência: 31 de dezembro de 2007 a 30 de dezembro de 2009 A área de pesquisa em nanociência tem a característica multidisciplinar e multitécnica, como tem sido amplamente divulgado, mas também uma necessidade expressiva de competência na identificação de problemas, de aplicações em que uma ou outra especialização é importante ou relevante. Ou seja, não dispensa a atividade de aplicação e desenvolvimento de técnicas altamente especializadas. Do ponto de vista da ciência básica, o estudo e previsão do comportamento da matéria no limite nanoscópico passa pela resolução teórica da Equação de Schrödinger para sistemas extremamente complexos. Com o avanço no desempenho dos computadores e o desenvolvimento de novos algoritmos para a solução dessa equação, atualmente é possível estudar de forma precisa fenômenos físicos em sistemas contendo centenas de átomos, em particular, através da teoria do funcional da densidade (DFT). A gama de problemas que o grupo de teoria do Departamento de Materiais e Mecânica do IFUSP tem estudado é enorme, indo de sistemas de pouca complexidade estrutural, como pequenas moléculas ou sólidos cristalinos, até o estudo de sistemas de interesse biológico com grande complexidade. Esses estudos fazem parte de uma nova era, na qual podemos predizer propriedades de novos materiais e também projetar materiais no computador. Além dos estudos dos sistemas em equilíbrio é também possível investigá-los fora do equilíbrio como, por exemplo, focalizando o transporte de carga em um dispositivo..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (7) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / Alexandre Reily Rocha - Integrante / Antônio José Roque da Silva - Integrante / Márcio Teixeira do Nascimento Varella - Integrante.
2006 - 2010
FAPESP/Projeto Temático: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas e Materiais Complexos
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 363.578,27 + US$ 134.938,06 Período de Vigência: 01/08/2006 a 31/07/2010 A área de pesquisa em nanociência tem característica multidisciplinar e multitécnica, como amplamente divulgado, mas também uma necessidade expressiva de competência na identificação de problemas e aplicações, em que uma ou outra especialização é importante. Com o avanço no desempenho dos computadores e o desenvolvimento de novos algoritmos para a solução da equação de Schrödinger, atualmente é possível estudar de forma precisa fenômenos físicos em sistemas contendo centenas de átomos, em particular, através da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). A gama de problemas que o grupo proponente tem estudado é enorme, indo de sistemas de pouca complexidade estrutural, como pequenas moléculas ou sólidos cristalinos, até o estudo de sistemas complexos, como amorfos e nanofios. Esses estudos fazem parte de uma nova era, na qual podemos predizer propriedades de novos materiais e também projetar materiais no computador. Além dos estudos dos sistemas em equilíbrio, é também possível investigá-los fora do equilíbrio como, por exemplo, focalizando no transporte de carga através de um dispositivo. Neste projeto temático damos continuidade a algumas sub-áreas contempladas no temático anterior (processo 01/13008-2 intitulado Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados), que está sendo executado com grande sucesso. Os principais tópicos que pretendemos estudar são: i) os fenômenos de transporte eletrônico em nanosistemas; ii) métodos de múltipla escala; iii) termodinâmica de nanoestruturas; iv) nanofios semicondutores; v) sistemas complexos, onde pretendemos estudar, em particular, transições de fase, HfO2, e o gelo; e vi) evolução dinâmica de nanofios metálicos..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / E Z da Silva - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2005 - 2010
CNPq/Rede Nano: Simulação e Modelagem de Nanoestruturas
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 877.834,64 Vigência: 01/10/2005 a 30/08/2010 O objetivo do presente projeto é criar uma rede de teóricos com vasta experiência e alta capacitação na área de simulação de materiais, com particular ênfase em métodos precisos baseados em uma metodologia de primeiros princípios. Essa rede formará um núcleo de referência que irá interagir com todas as outras redes experimentais, auxiliando no entendimento dos resultados experimentais já existentes, bem como propondo novos experimentos ou instigando novas áreas de pesquisa..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / R H Miwa - Integrante / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / P Venezuela - Integrante / P Piquini - Integrante / B Koiller - Integrante / D S Galvão - Integrante / E Z da Silva - Integrante / H Chacham - Integrante / K W Capelle - Integrante / M C dos Santos - Integrante / M J Caldas - Integrante / R W Nunes - Integrante / R B Capaz - Integrante / R Mota - Integrante / S Canuto - Integrante / T M Schmidt - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2005 - 2010
CAPES/PROCAD: Simulação Computacional Aplicada a Sistemas Nanoestruturados
Descrição: Coordenador Geral: Adalberto Fazzio - Montante: R$ 250.000,00 - Período de Vigência: 28 de dezembro de 2005 a 30 de novembro de 2010 Os grupos de pesquisa em Estrutura Eletrônica dos Materiais do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP), Instituto de Física da Universidade Federal de Uberlândia (InFis-UFU) e do Departamento de Física da Universidade Federal de Santa Maria (DeFis-UFSM) têm mantido trabalhos de colaboração científica desde 1995, com uma série de publicações científicas em periódicos indexados ("Qualis A" - CAPES). Esses trabalhos têm sido frutos da interação hoje existente entre estes grupos de pesquisa. No presente projeto, pretendemos manter e ampliar os trabalhos em cooperação visando: - constante melhoria/atualização da capacitação dos pesquisadores envolvidos; - dar oportunidades de intercâmbio entre os alunos de pós-graduação das três instituições citadas acima; - solidificar e incrementar os programas de pós-graduação das instituições associadas. Equipe Líder: USP - Coordenador: Adalberto Fazzio Equipe Associada: UFSM - Coordenador: Paulo Cesar Piquini Equipe Associada: UFU - Coordenador: Roberto Hiroki Miwa.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / R H Miwa - Integrante / P Piquini - Integrante.Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
2002 - 2006
Projeto Temático FAPESP: Simulação Computacional de Materiais Nanoestruturados
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: US$ 170.000,00 + R$ 205.848,00 Período de Vigência: 01/05/2002 a 30/04/2006.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / E Z da Silva - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 41 / Número de orientações: 3
2000 - 2005
CNPq/PRONEX: Métodos e Algoritmos de Escala-Múltipla para Materiais
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 250.000,00 Período de Vigência: 04/10/2000 a 03/10/2005.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / T.M. SCHMIDT - Integrante / S. CANUTO - Integrante / M.J. CALDAS - Integrante / R H Miwa - Integrante / A Antonelli - Integrante / A J R da Silva - Integrante / Fernando de Brito Mota - Integrante / P Venezuela - Integrante / L V C Assali - Integrante / E Z da Silva - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.


Outros Projetos


2008 - 2010
CNPq/COLCIENCIAS: Colaboração Brasíl-Colômbia
Descrição: Coordenador: Adalberto Fazzio Montante: R$ 37.000,00 Período de Vigência: 02 de junho de 2008 a 1º de junho de 2010 A Física de Novos Materiais: Spintronics e propriedades eletrônicas, magnéticas, e de transporte de semicondutores magnéticos diluídos e nanoestruturas magnéticas. Este subprojeto está relacionado com o estudo de diversas propriedades eletrônicas, magnéticas e de transportes de nanoestruturas semicondutoras magnéticas. Esta área de pesquisa é de importância fundamental para a indústria de microeletrônica e de dispositivos de leitura e gravação magnética. Além disto, os pesquisadores envolvidos neste projeto têm larga experiência de pesquisa nas áreas de nanoestruturas semicondutoras e de multicamadas metálicas magnéticas..
Situação: Concluído; Natureza: Outra.


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.
3.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Geral.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.


Prêmios e títulos


2015
Professor Honoris Causa, Universidade Federal do ABC - UFABC.
2014
Menção Honrosa - Prêmio Prof. José Leite Lopes de Melhor Tese de Doutoramento - Dr. Leandro Seixas Rocha; Orientador: Adalberto Fazzio, Sociedade Brasileira de Física - SBF.
2013
Homenagem na cerimônia de inauguração da Galeria de Reitores da UFABC, Universidade Federal do ABC.
2013
Fellow, TWAS (The World Academy of Sciences - for the advancement of science in developing countries.
2010
Classe da Grã-Cruz na Ordem Nacional do Mérito Científico, Presidência da República do Brasil.
2006
Fellow, Institute of Physics (IoP).
2006
Comendador da Ordem Nacional do Mérito Científico, Presidência da República do Brasil.
2004
Menção Honorífica - Prêmio SBF de Melhor Tese de Doutoramento - Dr. Gustavo Martini Dalpian; Orientador: Adalberto Fazzio, Sociedade Brasileira de Física.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:290
Total de citações:7072
Fator H:44
A. Fazzio or Fazzio, A. or Adalberto Fazzio or Fazzio, Adalberto  Data: 25/10/2018

SCOPUS
Total de trabalhos:290
Total de citações:8969
FAZZIO,ADALBETO; FAZZIO,A  Data: 26/10/2018

Artigos completos publicados em periódicos

1.
TORREZ-BAPTISTA, ALVARO D.2018TORREZ-BAPTISTA, ALVARO D. ; FAZZIO, ADALBERTO ; ARANTES, JEVERSON T. . Nanoporous ZnO: Structural and electronic study under biaxial strain. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, v. 149, p. 91-97, 2018.

2.
ALVAREZ-QUICENO, J C2018ALVAREZ-QUICENO, J C ; DALPIAN, G M ; FAZZIO, A ; OSORIO-GUILLÉN, J M . Semiclassical transport properties of IrGa 3 : a promising thermoelectric material. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 30, p. 085701, 2018.

3.
LIMA, MATHEUS PAES2018LIMA, MATHEUS PAES ; FAZZIO, ADALBERTO ; DA SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE . Silicene-Based FET for Logical Technology. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, v. 39, p. 1-1, 2018.

4.
OLMOS-ASAR, JIMENA ANAHÍ2018OLMOS-ASAR, JIMENA ANAHÍ ; ROCHA LEÃO, CEDRIC ; FAZZIO, ADALBERTO . Band gap tuning of layered III-Te materials. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 124, p. 045104, 2018.

5.
ACOSTA, CARLOS MERA2018ACOSTA, CARLOS MERA ; LIMA, MATHEUS P. ; da Silva, Antônio J. R. ; Fazzio, A. ; LEWENKOPF, C. H. . Tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole Brillouin zone. PHYSICAL REVIEW B, v. 98, p. 0/0, 2018.

6.
LIMA, Matheus Paes2017LIMA, Matheus Paes ; PADILHA, JOSÉ EDUARDO ; PONTES, RENATO BORGES ; FAZZIO, ADALBERTO ; SILVA, ANTÔNIO JOSÉ ROQUE DA . Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene. Solid State Communications, v. 250, p. 70-74, 2017.

7.
PADILHA, J. E.2017PADILHA, J. E. ; MIWA, R. H. ; da Silva, Antonio J. R. ; Fazzio, A. . Two-dimensional van der Waals p-n junction of InSe/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 195143, 2017.

8.
MIWA, ROBERTO HIROKI2017MIWA, ROBERTO HIROKI ; SCOPEL, WANDERLÃ L. ; SOUZA, EVERSON S. ; PADILHA, JOSÉ EDUARDO ; FAZZIO, ADALBERTO . Nanodots of transition metal dichalcogenides embedded in MoS 2 and MoSe 2 : first-principles calculations. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 19, p. 26240-26247, 2017.

9.
OLMOS-ASAR, JIMENA A.2017OLMOS-ASAR, JIMENA A. ; LEÃO, CEDRIC ROCHA ; FAZZIO, ADALBERTO . Novel III-Te-graphene van der Waals heterojunctions for optoelectronic devices. RSC Advances, v. 7, p. 32383-32390, 2017.

10.
ALVAREZ QUICENO, JUAN CAMILO2017ALVAREZ QUICENO, JUAN CAMILO ; SCHLEDER, G. R. ; MARINHO JR, E ; FAZZIO, A. . Adsorption of $3d$, $4d$, and $5d$ transition metal atoms on $mathbf{ eta_{12}}$Borophene. JOURNAL OF PHYSICS. CONDENSED MATTER (ONLINE), v. 29, p. 305302, 2017.

11.
LIMA, MATHEUS PAES2017LIMA, MATHEUS PAES ; PADILHA, JOSÉ EDUARDO ; PONTES, RENATO BORGES ; FAZZIO, A. ; DA SILVA, A.J.R. . Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene. Solid State Communications, v. 250, p. 70-74, 2017.

12.
PADILHA, J. E.2017PADILHA, J. E. ; MIWA, R. H. ; DA SILVA, A.J.R. ; FAZZIO, A. . Two-dimensional van der Waals p-n junction of InSe/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 195143, 2017.

13.
SCHLEDER, GABRIEL R.2017SCHLEDER, GABRIEL R. ; FAZZIO, A. ; ARANTES, J. T. . Dynamic covalent bond from first principles: Diarylbibenzofuranone structural, electronic, and oxidation studies. JOURNAL OF COMPUTATIONAL CHEMISTRY, v. 38, p. 2675-2679, 2017.

14.
MIWA, ROBERTO HIROKI2017MIWA, ROBERTO HIROKI ; SCOPEL, WANDERLÃ L. ; SOUZA, EVERSON S. ; PADILHA, José Eduardo ; FAZZIO, A. . Nanodots of transition metal dichalcogenides embedded in MoS and MoSe : first-principles calculations. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. XX, p. XX, 2017.

15.
PADILHA, José Eduardo2017PADILHA, José Eduardo ; MIWA, R. H. ; DA SILVA, ANTONIO J. R. ; FAZZIO, A. . Two-dimensional van der Waals junction of InSe/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 195143, 2017.

16.
LIMA, MATHEUS PAES2017LIMA, MATHEUS PAES ; PADILHA, JOSÉ EDUARDO ; PONTES, R. B. ; FAZZIO, A. ; SILVA, ANTÔNIO JOSÉ ROQUE DA . Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene. Solid State Communications, v. 250, p. 70-74, 2017.

17.
COUTO, W R M2017COUTO, W R M ; Miwa, R H ; FAZZIO, A . Tuning the p-type Schottky barrier in 2D metal/semiconductor interface:boron-sheet on MoSe 2 , and WSe 2. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 29, p. 405002, 2017.

18.
ALVAREZ-QUICENO, J C2017ALVAREZ-QUICENO, J C ; Miwa, R H ; DALPIAN, G M ; FAZZIO, A . Oxidation of free-standing and supported borophene. 2D Materials, v. 4, p. 025025, 2017.

19.
PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; ABDALLA, L. B. ; DA SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Fully and partially iodinated germanane as a platform for the observation of the quantum spin Hall effect. Physical Review B, v. 93, p. 045135-1-045135-6, 2016.

20.
DE KONING, MAURICE2016DE KONING, MAURICE ; FAZZIO, ADALBERTO ; DA SILVA, ANTÔNIO JOSÉ ROQUE ; ANTONELLI, ALEX . On the nature of the solvated electron in ice I h. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 18, p. 4652-4658, 2016.

21.
PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; PONTES, R. B. ; SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; Fazzio, A. . A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. Scientific Reports, v. 6, p. 26123, 2016.

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MERA ACOSTA, C.2016MERA ACOSTA, C. ; BABILONIA, O. ; ABDALLA, L. ; Fazzio, A. . Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator. Physical Review B, v. 94, p. 041302, 2016.

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PADILHA, JOSÉ EDUARDO2016PADILHA, JOSÉ EDUARDO ; MIWA, ROBERTO ; FAZZIO, ADALBERTO . Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 18, p. 25491-25496, 2016.

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FREITAS, WALTER A.2016FREITAS, WALTER A. ; Fazzio, A. ; SCHMIDT, TOME M. . Topological states of nanoscale Bi2Se3 interfaced with AlN. Applied Physics Letters, v. 109, p. 131601-131601-4, 2016.

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PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; JANOTTI, A. ; Fazzio, A. ; DA SILVA, A. J. R. . Substrate-supported large-band-gap quantum spin Hall insulator based on III-V bismuth layers. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, p. 195424, 2016.

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de Koning, Maurice2016de Koning, Maurice ; FAZZIO, A. ; DA SILVA, ANTÔNIO JOSÉ ROQUE ; ANTONELLI, A. . On the nature of the solvated electron in ice I h. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 18, p. 4652-4658, 2016.

27.
PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; ABDALLA, L. B. ; DA SILVA, A.J.R. ; FAZZIO, A. . Fully and partially iodinated germanane as a platform for the observation of the quantum spin Hall effect. PHYSICAL REVIEW B, v. 93, p. 045135-1-045135-6, 2016.

28.
DE KONING, MAURICE2016DE KONING, MAURICE ; FAZZIO, A. ; DA SILVA, A.J.R. ; ANTONELLI, ALEX . On the nature of the solvated electron in ice I h. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 18, p. 4652-4658, 2016.

29.
PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; DA SILVA, A.J.R. . Substrate-supported large-band-gap quantum spin Hall insulator based on III-V bismuth layers. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, p. 195424, 2016.

30.
PADILHA, José Eduardo2016PADILHA, José Eduardo ; MIWA, ROBERTO ; FAZZIO, A. . Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 18, p. 25491-25496, 2016.

31.
PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; PONTES, R. B. ; SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; FAZZIO, A. . A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. Scientific Reports, v. 6, p. 26123, 2016.

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PADILHA, J. E.2016PADILHA, J. E. ; PONTES, R. B. ; SCHMIDT, T. M. ; MIWA, R. H. ; FAZZIO, A. . A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. Scientific Reports, v. 6, p. 26123, 2016.

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35.
TORRES, ALBERTO2015TORRES, ALBERTO ; PONTES, RENATO BORGES ; DA SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE ; FAZZIO, ADALBERTO . Tuning the Thermoelectric Properties of a Single-Molecule Junction by Mechanical Stretching. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 17, p. 5386-5392, 2015.

36.
PADILHA, J. E.2015PADILHA, J. E. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . van der Waals Heterostructure of Phosphorene and Graphene: Tuning the Schottky Barrier and Doping by Electrostatic Gating. Physical Review Letters (Print), v. 114, p. 066803-1-066803-5, 2015.

37.
LIU, QIHANG2015LIU, QIHANG ; ZHANG, XIUWEN ; ABDALLA, L. B. ; FAZZIO, ADALBERTO ; ZUNGER, ALEX . Switching a Normal Insulator into a Topological Insulator via Electric Field with Application to Phosphorene. Nano Letters (Print), v. 15, p. 1222-1228, 2015.

38.
MIWA, R. H.2015MIWA, R. H. ; KAGIMURA, R. ; LIMA, MATHEUS P. ; Fazzio, A. . Valley Hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: An ab initio investigation. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 91, p. 205442-1-205442-9, 2015.

39.
SEIXAS, L.2015SEIXAS, L. ; WEST, D. ; Fazzio, A. ; ZHANG, S. B. . Vertical twinning of the Dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. Nature Communications, v. 6, p. 7630, 2015.

40.
ABDALLA, L B2015ABDALLA, L B ; PADILHA JOSÉ, E ; SCHMIDT, T M ; MIWA, R H ; FAZZIO, A . Topological phase transitions of (Bi x Sb 1− x ) 2 Se 3 alloys by density functional theory. Journal of Physics. Condensed Matter (Print), v. 27, p. 255501, 2015.

41.
PADILHA, José Eduardo2015PADILHA, José Eduardo ; FAZZIO, A. ; DA SILVA, ANTÔNIO J.'R. . van der Waals Heterostructure of Phosphorene and Graphene: Tuning the Schottky Barrier and Doping by Electrostatic Gating. Physical Review Letters (Print), v. 114, p. 066803, 2015.

42.
SEIXAS, L.2015SEIXAS, L. ; WEST, D. ; FAZZIO, A. ; ZHANG, S. B. . Vertical twinning of the Dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. Nature Communications, v. 6, p. 7630, 2015.

43.
MIWA, R. H.2015MIWA, R. H. ; KAGIMURA, R. ; LIMA, M. P. ; FAZZIO, A. . Valley Hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: An ab initio investigation. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 91, p. 205442, 2015.

44.
ABDALLA, L B2015ABDALLA, L B ; PADILHA JOSÉ, E ; SCHMIDT, T. M. ; Miwa, R H ; FAZZIO, A. . Topological phase transitions of (Bi x Sb 1− x ) 2 Se 3 alloys by density functional theory. Journal of Physics. Condensed Matter (Print), v. 27, p. 255501, 2015.

45.
TORRES, ALBERTO2014TORRES, ALBERTO ; LIMA, MATHEUS P. ; Fazzio, A. ; DA SILVA, ANTÔNIO J. R. . Spin caloritronics in graphene with Mn. Applied Physics Letters, v. 104, p. 072412-072412-4, 2014.

46.
WRASSE, ERNESTO OSVALDO2014WRASSE, ERNESTO OSVALDO ; TORRES, ALBERTO ; BAIERLE, ROGÉRIO JOSÉ ; FAZZIO, ADALBERTO ; SCHMIDT, TOME MAURO . Size effects induced high thermoelectric figure of merit in PbSe and PbTe nanowires. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print), v. 16, p. 8114-8118, 2014.

47.
ACOSTA, C. M.2014ACOSTA, C. M. ; LIMA, M. P. ; MIWA, R. H. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Topological phases in triangular lattices of Ru adsorbed on graphene: Ab initio calculations. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 89, p. 155438-1-155438-8, 2014.

48.
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FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1987FAZZIO, A.. Progress in the Study of Transition Metal Impurities in III-V and II-VI Semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry, v. S21, p. 65, 1987.

291.
SCOLFARO, L. M. R.1987SCOLFARO, L. M. R. ; FAZZIO, A. . Theory of Interstitial Transition Atom in GaAs. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 36, p. 7542, 1987.

292.
AMARAL, O. A. V.1987AMARAL, O. A. V. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . Analysis of Pseudo-Jahn-Teller Instability: O, S and N- in Silicon. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 35, p. 6450, 1987.

293.
MOTISUKE, P.1986MOTISUKE, P. ; CALDAS, M. J. ; IIKAWA, F. ; FAZZIO, A. ; PEREIRA NETO, J. R. . On the Evidence for the Effect of Local Symmetry on the Photoionization Spectrum of Fe2+ in InP. Materials Science Forum, v. 10-12, p. 687, 1986.

294.
MAKIUCHI, N.1986MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Excitation and Ionization of Mo and W in GaAs. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 34, p. 2690, 1986.

295.
CALDAS, M. J.1986CALDAS, M. J. ; FIGUEIREDO, S. K. ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of the Electrical and Optical Activity of Vanadium in GaAs. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 33, p. 7102, 1986.

296.
CANUTO, S.1986CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Many-Electron Treatment of the Off-Center Substitutional O in Si. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 33, p. 4432, 1986.

297.
ASSALI, L. V. C.1985ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Model of the Au-Fe Complex in Silicon. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 32, p. 8085, 1985.

298.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1985FAZZIO, A.; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Electronic Structure of Copper, Silver and Gold Impurities in Silicon. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 32, p. 934, 1985.

299.
GOMES, V. M. S.1985GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Defect-Molecule Parameters for the Divacancy in Silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841, 1985.

300.
CALDAS, M. J.1985CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . Chemical Trends and Universalities in the Spectra of Transition Metal Impurities in Semiconductors. Journal Electronic Materials, v. 14a, p. 1035, 1985.

301.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1984FAZZIO, A.; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Many-Electron Multiplet Effects in the Spectra of 3d Impurities in Heteropolar Semiconductors. Phys. Rev. B, v. 30, p. 3430, 1984.

302.
CALDAS, M. J.1984CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. ; ZUNGER, A. . A Universal Trend in the Binding Energies of Deep Impurities in Semiconductors. Applied Physics Letters, v. 45, p. 671, 1984.

303.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1984FAZZIO, A.; ZUNGER, A. . Many-Electron Multiplet Effects in the Optical Spectra of Transition Metal Monoxides. Solid State Communications, v. 52, p. 265, 1984.

304.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1984FAZZIO, A.; CALDAS, M. J. ; ZUNGER, A. . Separation of One and Many-Electron Effects in the Excitation Spectra of 3d Impurities in Semiconductors. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 29, p. 5999, 1984.

305.
GOMES, V. M. S.1984GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure Calculations of V2+O2 Complex in Silicon. Solid State Communications, v. 49, p. 537, 1984.

306.
MAKIUCHI, N.1984MAKIUCHI, N. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of a Single Neutral Ideal Phosphorus Vacancy in GaP. Journal Of Physics C, v. 17, p. 3423, 1984.

307.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1983FAZZIO, A.; PINO JR, A. D. . Multiplet Structure of GaAs: Mn, Fe. Brazilian Journal of Physics, p. 436, 1983.

308.
MAKIUCHI, N.1983MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . VGa and Cu in GaP Through the MS-a with Clusters of 29 Atoms. Brazilian Journal of Physics, p. 434, 1983.

309.
MAKIUCHI, N.1983MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Jahn-Teller Distortion in GaP:O-. Brazilian Journal of Physics, p. 433, 1983.

310.
GOMES, V. M. S.1983GOMES, V. M. S. ; CALDAS, M. J. ; ASSALI, L. V. C. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of the Si:O2 Complex. Brazilian Journal of Physics, p. 434, 1983.

311.
LEITE, J. R.1983LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . A New Model for the Si-A Center. Lecture Notes in Physics, v. 175, p. 102, 1983.

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CALDAS, M. J.1983CALDAS, M. J. ; FAZZIO, A. . Interaction Between Dangling Bonds in Vacancy-Defects in Silicon. Revista Brasileira de Física, v. 13, p. 90, 1983.

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CALDAS, M. J.1983CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of Oxygen in Silicon. Physica B+C, v. 116, p. 106-111, 1983.

314.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1983FAZZIO, A.; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . A Molecular Cluster Study of Complex Defect in Si: The Divacancy and the E Center. Physica B+C, v. 116, p. 90, 1983.

315.
MAKIUCHI, N.1983MAKIUCHI, N. ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of GaP:O Via the MS-XAlfa Method. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 44, p. 349, 1983.

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317.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1982FAZZIO, A.; BRESCANSIN, L. M. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Neutral and Negatively Charge Gallium Vacancies in GaP. Journal Of Physics C, v. 15, p. L1, 1982.

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BRESCANSIN, L. M.1981BRESCANSIN, L. M. ; FAZZIO, A. . MS-XAlfa Treatment for Negative Defects in GaSb. International Journal of Quantum Chemistry, v. S15, p. 457, 1981.

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321.
LIMA, M. A. P.1981LIMA, M. A. P. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Fe2 Molecule Using the Variational Cellular Method. Journal of Physics. B, Atomic Molecular and Optical Physics (Print), v. 14, p. L533, 1981.

322.
BRESCANSIN, L. M.1981BRESCANSIN, L. M. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of Single Vacancies in GaSb. Physica Status Solidi. B, Basic Research, v. 105, p. 339, 1981.

323.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1980FAZZIO, A.; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Cu, Ni, Co and Fe Substitutional Impurities in Gallium Arsenide. Physical Review. B. Solid State. (Cessou em 1978. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 21, p. 4710, 1980.

324.
CALDAS, M. J.1980CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of the Si-A Centre. Physica Status Solidi. B, Basic Research, v. 98, p. K109, 1980.

325.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1980FAZZIO, A.; PAVÃO, A. C. ; LEITE, J. R. . A Simple Way of Eliminating the Alfa Exchange Parameter in the Multiple Scattering Method. Solid State Communications, v. 35, p. 329, 1980.

326.
PAVÃO, A. C.1980PAVÃO, A. C. ; BRAGA, M. ; FAZZIO, A. ; LEITE, J. R. . Multiple Scattering Mass Operator Method for Molecular Orbital Calculations. International Journal of Quantum Chemistry, v. 18, p. 1165, 1980.

327.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1979FAZZIO, A.; BRESCANSIN, L. M. ; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . Electronic Structure of Oxigen-Doped Gallium Arsenide. Journal Of Physics C, v. 12, p. L831, 1979.

328.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1979FAZZIO, A.; CALDAS, M. J. ; LEITE, J. R. . Point Defects in Convalent Semiconductors: A Molecular Cluster Model. International Journal of Quantum Chemistry, v. S13, p. 349, 1979.

329.
FERREIRA, L. G.1979FERREIRA, L. G. ; FAZZIO, A. ; CLOSS, H. ; BRESCANSIN, L. M. . Study of the Muffin-Tin Approximation in the Multiple-Scattering Method. International Journal of Quantum Chemistry, v. 16, p. 1021, 1979.

330.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1979FAZZIO, A.; LEITE, J. R. ; SIQUEIRA, M. L. . Multiple Scattering-XAlfa Cluster Model of GaAs: Electronic States of Isolated Vacancies and Substitutional Impurities. Journal Of Physics C, v. 12, p. 3469, 1979.

331.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1979FAZZIO, A.; LEITE, J. R. ; SIQUEIRA, M. L. . A Molecular Cluster Model of the Electronic Structure of IV and III-V Covalent Semiconductors: Application to GaAs. Journal Of Physics C, v. 12, p. 513, 1979.

332.
FAZZIO, A.;Fazzio, A.;Fazzio A;A Fazzio;A. Fazzio;FAZZIO, A;FAZZIO, ADALBERTO1978FAZZIO, A.; LEITE, J. R. ; PAVÃO, A. C. ; SIQUEIRA, M. L. . Molecular Cluster Model of Covalent Semiconductors. Journal Of Physics C, v. 11, p. L175, 1978.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
FAZZIO, A.; WATARI, Kazunori . Introdução à teoria de Grupos com Aplicações em Moléculas e Sólidos. 2. ed. Santa Maria - RS: Universidade federal de Santa Maria, 2009.

2.
VIANNA, José David M ; FAZZIO, A. ; CANUTO, Sylvio . Teoria Quântica de Moléculas e Sólidos - Simulação Computacional. 1ª. ed. São Paulo, SP: Editora Livraria da Física, 2004. v. 1. 401p .

3.
FAZZIO, A.; WATARI, Kazunori . Introdução à Teoria de Grupos com Aplicações em Moléculas e Sólidos. 1ª. ed. Santa Maria, RS: Editora da Universidade Federal de Santa Maria, 1998. v. 1. 240p .

4.
FAZZIO, A.; CANUTO, S. (Org.) . Computer Simulation in Physics. , 1994.

5.
FAZZIO, A.; LEITE, J. R. (Org.) ; CHAVES, A. (Org.) . V Brazilian School on the Semiconductor Physics. 1. ed. World Scientific, 1992. 563p .

6.
VIANNA, J. D. M. (Org.) ; FAZZIO, A. (Org.) ; BRESCANSIN, L. (Org.) ; CANUTO, S. (Org.) . I Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. 1. ed. Brasília, DF: Editora Universidade de Brasília, 1989. 587p .

7.
HIPOLITO, O. (Org.) ; MARQUES, G. E. (Org.) ; FAZZIO, A. (Org.) . Current Topics on Semiconductors Physics. 1. ed. World Scientific, 1988. 266p .

Capítulos de livros publicados
1.
Silva, E. Z. da ; SILVA, A. J. R. ; Fazzio, A. . Gold Nanowires. In: Klaus D. Sattler. (Org.). Handbook of Nanophysics: Nanotubes and Nanowires. : CRC Press, 2010, v. 4, p. -.

2.
FAZZIO, A.. Alguns Aspectos da Nanoeletrônica Molecular. In: Antônio José Roque da Silva; Gil da Costa Marques; Hélio Dias; Sérgio F. Novaes. (Org.). Física - Tendências e Perspectivas. 1ªed.São Paulo: Editora Livraria da Física, 2005, v. 1, p. 193-198.

3.
FAZZIO, A.; NOVAES, F D ; SILVA, A J R da ; SILVA, e Z da . The Role of Simulations in Nanoscience, A Case Study: Gold Nanowires. In: Ruben Aldrovandi; José Mariano Gago; Alberto Santoro. (Org.). Roberto Salmeron Festschrift: A Master and A Friend. Rio de Janeiro: Aiafex, 2003, v. , p. 115-124.

4.
FAZZIO, A.. Do Átomo de Thomas-Fermi à Dinâmica Molecular Quântica. In: Mahir S. Hussein; Silvio R.A. Salinas. (Org.). 100 Anos de Física Quântica. São Paulo: Livraria da Física, 2001, v. , p. 205-.

5.
FAZZIO, A.. Transition Metal Impurities in Semiconductors. In: J. D'Albuquerque e Castro; F.J. Paixão; S. Canuto. (Org.). Electronic Structure of Atoms, Molecules and Solids. : World Scientific, 1990, v. , p. -.

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
JARD, S. ; Fazzio, A. . Artigo 'Homenagem ao Prof. Adalberto Fazzio'. Jornal da Ciência e-mail 4837, 18 out. 2013.

2.
PLENTZ, F. ; FAZZIO, A. . Considerações sobre o Programa Brasileiro de Nanotecnologia. Ciência & Cultura, São Paulo, SP, p. 23 - 27, 01 jul. 2013.

3.
FAZZIO, A.. Destaque no Artigo 'Nanotecnologia entra na pauta do dia na Câmara dos Deputados'. Jornal da Ciência e-mail 4644, 14 dez. 2012.

4.
Fazzio, A.; SILVA, A. J. R. . Destaque do nosso trabalho no artigo 'Ourivesaria em Átomos'. Pesquisa FAPESP (Impresso), São Paulo, p. 127 - 131, 01 maio 2012.

5.
FAZZIO, A.. Destaque do nosso trabalho no artigo 'Magia Superficial - Isolante Topológico'. Pesquisa FAPESP (Impresso), São Paulo, , v. 192, p. 44 - 47, 01 fev. 2012.

6.
Fazzio A; SILVA, S. J. . Universidade do Século 21. Folha de S. Paulo, São Paulo, 06 jan. 2010.

7.
FAZZIO, A.; MARTINS, T B ; SILVA, A J R da . Rabiscando a Eletrônica com o Grafeno. Ciência Hoje, p. 36 - 41, 01 mar. 2009.

8.
FAZZIO, A.; SILVA, A. J. R. . Destaque do nosso trabalho no artigo 'Impurezas Bem-Vindas'. Pesquisa FAPESP (Impresso), São Paulo, , v. 153, 01 nov. 2008.

9.
FAZZIO, A.; AMARAL, L. . MCT e MEC: O Paradigma Complementar. Folha de S. Paulo, São Paulo, SP, 11 jan. 2007.

10.
FAZZIO, A.. 'Um Nano da Nano'. Revista USP, São Paulo, p. 96 - 99, 01 jun. 2005.

11.
FAZZIO, A.; SILVA, A J R da . Os Alquimistas (Virtuais) Estão Chegando. Ciência Hoje, Rio de Janeiro, , v. 36, p. 38 - 43, 01 maio 2005.

12.
FAZZIO, A.; SILVA, A J R da . Os Avanços da Nanotecnologia. Discovery Magazine, São Paulo, p. 13 - 13, 01 abr. 2005.

13.
FAZZIO, A.. 2005 - O Ano Mundial da Física. França Flash, São Paulo, p. 6 - 6, 01 abr. 2005.

14.
FAZZIO, A.. Destaque do nosso trabalho no artigo 'As Impurezas do Ouro'. Pesquisa FAPESP (Impresso), São Paulo, 01 mar. 2003.

15.
FAZZIO, A.. Átomos de Ouro Entram no Circuito. Revista Pesquisa FAPESP, São Paulo, p. 28, 01 fev. 2002.

16.
FAZZIO, A.. Brasileiros Rompem Fio Virtual de Ouro. Folha de S.Paulo, São Paulo, p. A11, 04 jan. 2002.

17.
FAZZIO, A.; SILVA, A J R da . Na Idade das Nanoligas Metálicas. Ciência Hoje, São Paulo, SP, , v. 39, p. 10 - 11.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
FAGAN, S B ; MENEZES, V. ; ZANELLA, I ; MOTA, R ; ROCHA, A. R. ; FAZZIO, A. . Electronic, Structural and Transport Properties of Nicotinamide and Ascorbic Acid Interacting with Carbon Nanotubes. In: 2008 MRS Fall Meeting, 2009, Boston, MA, EUA. Materials Research Society Symposium Proceedings, 2009. v. 1142. p. 15.

2.
DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Surface Degrees of Freedom on the Si(100) Surface. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Florianópolis, SC, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001.

3.
FAZZIO, A.; VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da . Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001.

4.
SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Theoretical Studies of Small Ge Structures on Si(100). In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001.

5.
ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . First Principles Calculations of O2 Diffusion in SiO2. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, WA, EUA. Proceedings da Conferência, 2001.

6.
FAZZIO, A.; SILVA, A J R da ; BAIERLE, R J ; FAGAN, S B ; MOTA, R. . Effects of Silicon Doping on the Electronic and Structural Properties of Carbon Nanotubes. In: 2001 MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, California, EUA. Proceedings da Conferência, 2001.

7.
VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, California, EUA. Proceedings da Conferência, 2001.

8.
SILVEIRA, M. G. ; FAZZIO, A. ; KINTOP, J. A. ; PAIVA, G. ; SILVA, A J R da . Theoretical Study of Si Nanostructures Deposited on the Si(100). In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001.

9.
DALPIAN, G M ; VENEZUELA, P ; FAZZIO, A. ; SILVA, A J R da . Theoretical Study of the Adsorption of Ge Atoms at Single-Height Si(100) Steps. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001.

10.
VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001.

11.
ORELLANA, W ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . First Principles Calculations of O2 Diffusion in SiO2. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá, SP, Brasil. Proceedings da Conferência, 2001.

12.
SILVA, A J R da ; BAIERLE, R. J. ; MOTA, R. ; FAZZIO, A. . Electronic and Vibrational Properties of Native Defects in Ge. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000.

13.
SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Small Ge Structures on the Si(100) Surface. In: 19th European Conference on Surface Science, 2000, Madrid, Espanha. Proceedings da Conferência, 2000.

14.
FAZZIO, A.; JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A . The Role of Core Reconstruction Energy on the Mobility of Dislocations in Semiconductors. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka, Japão. Proceedings da Conferência, 2000.

15.
SILVA, A J R da ; DALPIAN, G M ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Small Ge Structures on the Si(100) Surface. In: X Workshop on Computational Materials Science, 2000, Sardenha, Itália. Proceedings da Conferência, 2000.

16.
SILVA, A J R da ; VENEZUELA, P ; DALPIAN, G M ; SILVA, C. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Studies of the Si(1-x)Ge(x) Alloy and its Intrinsic Defects. In: X Workshop on Computational Materials Science, 2000, Sardenha, Itália. Proceedings da Conferência, 2000.

17.
JUSTO, J. F. ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A. . The Energetics of Dislocation Cores in Semiconductors and their Role on Dislocation Mobility. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000.

18.
JUSTO, J. F. ; SCHMIDT, T. M. ; FAZZIO, A. ; ANTONELLI, A . Segregation of Dopant Atoms on Extended Defects in Semiconductors. In: 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, 2000, Hyogo, Japão. Proceedings da Conferência, 2000.

19.
FAGAN, S B ; SARTOR, D. S. ; PERIPOLLI, S. B. ; MOTA, R. ; BAIERLE, R J ; SILVA, A J R da ; FAZZIO, A. . Stability Investigation and Thermal Behavior of Multi-Walled Carbon and Silicon Nanotubes. In: MRS Fall Meeting, 2000, Boston, Massachusetts, EUA. Proceedings da Conferência, 2000.

20.
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287.
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FAZZIO, A.. Transição Metal-Isolante em Fullerenos Dopados com Metais Alcalinos. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1995.

290.
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291.
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299.
FAZZIO, A.. Absorção Óptica de Sistemas Semicondutores Duplamente Dopados. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1994.

300.
FAZZIO, A.. The Electronic Structure of Superconducting K3C60. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1994.

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FAZZIO, A.. Studies of the Local Reactivity of Surfaces Using Chemical Based Principles. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1994.

302.
FAZZIO, A.. Estudo do Confinamento de Elétrons em *-Doped de Si em GaAs por um Cálculo de Primeiros Princípios. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1994.

303.
FAZZIO, A.. Estudo do Confinamento de Elétrons em *-Doped de Si em GaAs por um Cálculo de Primeiros Princípios. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1994.

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FAZZIO, A.. Estudo Teórico de Metal de Transição Intersticial em GaAs. In: X Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1987, Caxambu, MG. Anais da Conferência, 1987.

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FAZZIO, A.. Transition-Metal Impurities in III-V and II-VI Semiconductors. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1985. Current Research on Semiconductor Physics. v. I. p. 116.

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ZUNGER, A. ; FAZZIO, A. ; CALDAS, M. J. . Substitutional and Interstitial Cu, Ag and Au Impurities in Silicon. In: APS March Meeting 1985, 1985, Baltimore, Maryland, EUA. Anais da Conferência, 1985.

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FAZZIO, A.; LEITE, J. R. ; CALDAS, M. J. . A Molecular Cluster Study of Complex Defects in Si: The Divacancy and the E Center. In: XII International Conference on Defects in Semiconductors, 1982, Amsterdam, Holanda. Anais da Conferência, 1982.

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Artigos aceitos para publicação
1.
Pontes, Renato B. ; MIWA, ROBERTO H. ; DA SILVA, ANTÔNIO J. R. ; FAZZIO, ADALBERTO ; PADILHA, JOSÉ E. . Layer-dependent band alignment of few layers of blue phosphorus and their van der Waals heterostructures with graphene. PHYSICAL REVIEW B, 2018.

Apresentações de Trabalho
1.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Propriedades Eletrônicas de Materiais-2D: Na busca do Efeito Hall Quântico de Spin?. 2016. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

2.
FAZZIO, A.. Colóquio: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2016. (Apresentação de Trabalho/Outra).

3.
FAZZIO, A.. Invited Speaker: ?Brazilian Nanotechnology Initiative?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

4.
Fazzio, A.. Palestra: ?Nanotecnologia como Geradora da Inovação e a Universidade como o Ambiente para a Invenção?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

5.
FAZZIO, A.. Colóquio: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

6.
FAZZIO, A.. Colóquio: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

7.
FAZZIO, A.. Palestra de Abertura: ?A Nanotecnologia como Plataforma para Inovação Tecnológica?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

8.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Os Institutos de Pesquisa do MCTI e seu Potencial para Parcerias com a UFABC?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

9.
FAZZIO, A.. Palestra: ?O Programa Brasileiro em Nanotecnologia?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

10.
FAZZIO, A.. Aula Magna: ?A Inovação Tecnológica e as Universidades Brasileiras?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

11.
FAZZIO, A.. Colóquio: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

12.
FAZZIO, A.. Invited Speaker: ?Topological Phases in 2D-Graphene-likes Materials?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

13.
FAZZIO, A. Topological Phases in Triangular Lattices of Ru Adsorbed on Graphene. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

14.
FAZZIO, A. 3D-Interface between TI/Semiconductor. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

15.
FAZZIO, A. Invited Speaker: ?Electronic Properties of Interface between Topological Insulator (Bi2Se3) and Semiconductor (GaAs)?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

16.
FAZZIO, A. Invited Speaker: 'Interaction of the Helical Dirac Cone of a Topological Insulator Bi2Se3 with GaAs Semiconductor'. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

17.
FAZZIO, A. Invited Lecture: ?Electronic Properties of Interface between Topological Insulator (Bi2Se3) and Semiconductor (GaAs)?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

18.
FAZZIO, A. Colóquio: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

19.
FAZZIO, A.. Invited Speaker: 'Electronic Properties of 3D-Topological Insulators'. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

20.
FAZZIO, A.. Palestra: Centro Latino-Americano de Nanotecnologia: Uma Proposta. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

21.
FAZZIO, A.. Mesa-Redonda (Palestrante): Políticas de Educação Superior para o Desenvolvimento Nacional. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

22.
FAZZIO, A.. Mesa-Redonda (Coordenador): Aplicações da Nanotecnologia. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

23.
FAZZIO, A.. Palestra: O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

24.
FAZZIO, A.. Palestra: Deus e o Diabo na Nanotecnologia. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

25.
FAZZIO, A.. Palestra: A interdisciplinaridade, a invenção e a inovação: A Universidade Adaptada. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

26.
FAZZIO, A.. Palestra: A Universidade e a Inovação Tecnológica. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

27.
FAZZIO, A.. Colóquio: O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

28.
FAZZIO, A.. Colóquio: ?The Flat World of the Topological Insulators?. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

29.
FAZZIO, A.. Palestra: Isolantes Topológicos via Cálculos de Primeiros Princípios. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

30.
FAZZIO, A.. Mesa-Redonda (Chair): O Papel do Físico. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

31.
Fazzio, A.. Invited Speaker: 'Electronic, Magnetic and Transport Properties of Graphene and Related Materials'. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

32.
FAZZIO, A.; PADILHA, J. E. ; LIMA, M. P. ; SILVA, A. J. R. . Invited Talk: 'Electronic and Structural Properties of 2D-Materials: Si, Ge and SixGe1-x'. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

33.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: ?Modelos de Universidade: para além dos limites da disciplinaridade?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

34.
Fazzio, A.. Palestra de Abertura: ?Efeito Hall Quântico de Spin: Grafeno, Siliceno, Germaneno e Ligas?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

35.
Fazzio, A.. Palestra: ?O João que foi agraciado com dois prêmios Nobel em Física?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

36.
Fazzio, A.. Conferência de Abertura: ?A Interdisciplinaridade, a Invenção e a Inovação: a Universidade Adaptada?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

37.
Fazzio, A.. Painel (Palestrante): 'Universidade do Futuro'. 2013. (Apresentação de Trabalho/Outra).

38.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Projeto ?Ciência sem Fronteiras??. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

39.
FAZZIO, A.. ?Inovação ?e pur si muove? com a Nanotecnologia?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

40.
FAZZIO, A.. ?A Importância dos Institutos de Pesquisa Tecnológica para as Empresas?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

41.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Ações para o Desenvolvimento Tecnológico e da Inovação?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

42.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Iniciativa Brasileira em Nanotecnologia?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

43.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Como Fortalecer a Relação entre IES e Empresa? A necessidade do diálogo para a elaboração de projetos comuns, buscando a melhoria da qualidade e ampliação da empregabilidade?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

44.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Topological Insulators: An Abitio Calculation?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

45.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Nanoestruturas baseadas em Carbono?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

46.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: ?O Mundo Plano dos Isolantes Topológicos?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

47.
FAZZIO, A.. Palestra Temática: ?Isolantes Topológicos: Um Estudo via DFT?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

48.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: ?Isolante Topológico: Novo Estado da Matéria Quântica?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

49.
Fazzio, A.. Sessão Plenária: ?The Flatland of the Topological Insulator?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

50.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: ?Initiatives in Nanoscience and Nanotechnology in Brazil?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

51.
Fazzio, A.. Palestra: 'Atual Situação da Nanotecnologia no Brasil'. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

52.
Fazzio, A.. Mesa-Redonda: Nanotecnologia no Brasil ? Conceito, Cenário e Perspectivas. 2012. (Apresentação de Trabalho/Outra).

53.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Assessing the Economic Impact of Nanotechnology: Brazil?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

54.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Sistema de Laboratório do SisNano?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

55.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Iniciativas de Nanotecnologia no Brasil?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

56.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Overview of the Brazilian Nanoscience & Nanotechnology Initiative?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

57.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Overview of the Brazilian Nanoscience & Nanotechnology Initiative?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

58.
FAZZIO, A.. Palestra: ?Overview of the Brazilian Nanoscience & Nanotechnology Initiative?. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

59.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Nanotransistores. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

60.
Fazzio, A.. Palestra: "Indicadores de Inovação". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

61.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: Electronic and Transport Properties of Bilayer Graphene. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

62.
FAZZIO, A.. Mesa Redonda: Nanotecnologia e a Sociedade. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).

63.
FAZZIO, A.. Palestra: "Da Galena ao Grafeno : A Busca por um Transistor". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

64.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: "João: O homem que ganhou dois prêmios Nobel em Física". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

65.
FAZZIO, A.. Palestra:. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

66.
FAZZIO, A.. Colóquio: "Nano na Estratégia Nacional de Ciência e Tecnologia". 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).

67.
FAZZIO, A.. Invited Speaker: ?Nanotechnology Academic and Industrial Activities in Brazil". 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

68.
FAZZIO, A.. Conferência de Abertura: A Política de Nanotecnologia no Brasil. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

69.
FAZZIO, A.. A Física do Grafeno: Bilayer como Dispositivo Eletrônico. 2011. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

70.
Fazzio, A.. Palestra: Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Nanotubos e Nanofitas de Carbono. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

71.
Fazzio, A.. Palestra: Renovação da Universidade Brasileira. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

72.
Fazzio, A.. Mesa Redonda: O Significado da Extensão Universitária nas Instituições Públicas do Estado de São Paulo. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

73.
Fazzio, A.. Colóquio: Rabiscando o Grafeno. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

74.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Na Busca de um Nanotransistor ... Grafeno. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

75.
Fazzio, A.. Mesa Redonda: Programa Latino-Americano de Física. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

76.
Fazzio, A.. Palestra: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

77.
Fazzio, A.. Colóquio: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

78.
Fazzio, A.. Colóquio: Da Galena ao Grafeno: Na Busca de um Nanotransistor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

79.
Fazzio, A.. Conferência: A Renovação da Universidade: Multidisciplinaridade e Cidadania. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

80.
Fazzio, A.. Da Galena ao Grafeno: A Rota dos Prêmios Nobel. 2010. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

81.
Fazzio, A.. 100 Anos de Bardeen. 2010. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

82.
Fazzio, A.. Mesa Redonda: Panorama da Nanotecnologia no Brasil. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

83.
Fazzio, A.. Palestra: Graphene: ... to Create a Bandgap. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

84.
Fazzio, A.. Palestra: Da Galena ao Grafeno: Uma Rota para o Prêmio Nobel. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

85.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Simulação de um Nanotransistor de Grafeno via Cálculo Ab Initio. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

86.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Ab Initio Study of Electronic Transport in Gated Bilayer Graphene. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

87.
FAZZIO, A.. Colóquio: João, brilhante para os físicos e João ninguém para os outros: 100 anos de Bardeen. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra).

88.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

89.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

90.
Fazzio, A.. Colóquio: Rabiscando com o Grafeno. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra).

91.
Fazzio, A.. Palestra Convidada: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

92.
Fazzio, A.. Palestra Paralela: Disordered-based Graphene Spintronics. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

93.
Fazzio, A.. Colóquio: Desenhando um Sensor de Gases (Real). 2008. (Apresentação de Trabalho/Outra).

94.
Fazzio, A.. Mesa Redonda: A Física no Brasil e suas Perspectivas. 2008. (Apresentação de Trabalho/Outra).

95.
FAZZIO, A.. Palestra: 'Simulação Computacional Aplicada aos Materiais'. 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

96.
FAZZIO, A.. Colóquio: "A Física e o Físico no B rasil". 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra).

97.
FAZZIO, A.. Palestra: "Simulação Computacional: Novos Materiais e Novos Desafios". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

98.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: "Electronic, Structural and Transport Properties of Defects on Carbon Nanotubes and Graphenes". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

99.
FAZZIO, A.. Palestra: "Deus e o Diabo na Nanotecnologia". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

100.
FAZZIO, A.. "Aplicações da Ciência - Nanotecnologia". 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

101.
FAZZIO, A.. Palestra Convidada: "Defects in Carbon Nanotubes and Graphene Nanoribbons". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

102.
FAZZIO, A.. Mesa Redonda (Coordenador): "A Inovação na América Latina". 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra).

103.
FAZZIO, A.. Palestra: "Materiais, Energia e Meio Ambiente: Novos Materiais: seu impacto na inovação e no ambiente". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

104.
FAZZIO, A.. Conferência: "Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Nanomateriais: Simulação Computacional". 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

105.
FAZZIO, A.. ?Nanotubos, Nanofitas e Nanofios: Propriedades Eletrônicas e de Transporte?. 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

106.
Fazzio, A.. Palestra: 'Tem Física no Nosso Caminho'. 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

107.
FAZZIO, A.. Colóquio - Simulação Computacional em Materiais. 2006. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).