Eliermes Arraes Meneses

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  • Última atualização do currículo em 14/03/2007


Possui graduação em Bacharel em Física pela Universidade de Brasília(1965), mestrado em Mestre Em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul(1970), doutorado em Doutor Em Ciências pela Universidade Estadual de Campinas(1973) e pós-doutorado pela University of Southern California(1975). Atualmente é Professor Adjunto Ms-5 da Universidade Estadual de Campinas e visitante da Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas:Semicondutor, Emissão, Impurezas. (Texto gerado automaticamente pela aplicação CVLattes)


Identificação


Nome
Eliermes Arraes Meneses
Nome em citações bibliográficas
MENESES, E. A.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin.
Cidade Universitária Zeferino Vaz
Cidade Universitária
13083-970 - Campinas, SP - Brasil
Telefone: (19) 37885467
Fax: (19) 37884146


Formação acadêmica/titulação


1971 - 1973
Doutorado em Doutor Em Ciências.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: Efeitos de Muitos Corpos no Espectro de emissão Radiativa de Sulfeto de Cádmio (CdS), Ano de obtenção: 1973.
Orientador: Rogério Cesar de Cerqueira Leite.
Palavras-chave: Semicondutor; Emissão; Impurezas.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
1968 - 1970
Mestrado em Mestre Em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: "DETECTORES E SEMICONDUTORES: TEORIA E CONSTRUCAO,Ano de Obtenção: 1970.
Orientador: FERNANDO ZAWiSLAK.
Palavras-chave: Detector; Emissao; Impurezas; Radiacao; Semicondutor; Semicondutores.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
1963 - 1965
Graduação em Bacharel em Física.
Universidade de Brasília, UNB, Brasil.


Pós-doutorado


1973 - 1975
Pós-Doutorado.
University of Southern California.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..


Atuação Profissional



Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

1989 - Atual
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: visitante, Carga horária: 12

Atividades

3/1989 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.


Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Vínculo institucional

1976 - Atual
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto Ms-5, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1976 - 1981
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: PROFESSOR Livre Docente MS-4, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1974 - 1975
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Professor Assistente Doutor, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1971 - 1973
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Professor assistente, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

3/1990 - Atual
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Chefe do Grupo de Propriedades Ópticas.
05/1987 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Linhas de pesquisa
FISICA
3/1987 - Atual
Extensão universitária , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.

Atividade de extensão realizada
CIENCIA DOS MATERIAIS: SEMICONDUTORES..
3/1975 - Atual
Extensão universitária , Diretoria Científica Parecer, Diretoria Científica.

Atividade de extensão realizada
DAR PARECER S/ PROJETOS..
5/1998 - 5/2000
Direção e administração, Reitoria, Fundação de Desenvolvimento da Unicamp.

Cargo ou função
Diretor Executivo.
6/1994 - 6/1998
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Diretoria.

Cargo ou função
DIRETOR DO INSTITUTO DE FISICA GLEB WATAGHIN UNICAMP.
3/1994 - 7/1994
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III (Coordenador)
3/1993 - 12/1993
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
3/1992 - 12/1992
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
3/1991 - 12/1991
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
3/1990 - 12/1990
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
5/1988 - 5/1990
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.

Cargo ou função
Chefe de Departamento.
03/1988 - 03/1990
Pesquisa e desenvolvimento .

3/1989 - 7/1989
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental I
8/1988 - 12/1988
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental I
8/1988 - 12/1988
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
3/1988 - 7/1988
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Físcia para Biologia
8/1987 - 12/1987
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1987 - 7/1987
Ensino, Propriedades Ópticas de Semicondutores, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
FISICA DE SEMICONDUTORES COM ENFASE EM TECNICAS EXPERI- // MENTAIS FI-311
3/1987 - 7/1987
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física para Biologia
3/1986 - 3/1987
Direção e administração, Reitoria, Pró Reitoria de Desenvolvimento.

Cargo ou função
Assessor Técnico.
8/1986 - 12/1986
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1986 - 7/1986
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física para Biologia
8/1985 - 12/1985
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1985 - 7/1985
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física para Biologia
04/1982 - 04/1985
Direção e administração, Reitoria, Pró Reitoria de Graduação.

Cargo ou função
SUPERINTENDENTE ENSINO DE GRADUACAO - PRO-REITOR DE GRADUACAO.
8/1984 - 12/1984
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1984 - 7/1984
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física para Biologia
8/1983 - 12/1983
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1983 - 7/1983
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física para Biologia
8/1982 - 12/1982
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física de Semicondutores
3/1982 - 7/1982
Ensino, Propriedades Ópticas de Semicondutores, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Propriedades Ópticas de Semicondutores
3/1982 - 7/1982
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Físcia para Biologia
Instrumentação para o Ensino de Física
3/1981 - 12/1981
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Instrumentação para o Ensino de Física
3/1977 - 3/1981
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .

Cargo ou função
Coordenador de Graduação.
3/1980 - 12/1980
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Instrumentação para o Ensino de Física
3/1979 - 12/1979
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Instrumentação para o Ensino de Física
3/1978 - 12/1978
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Instrumentação para o Ensino de Física
3/1977 - 12/1977
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral III
8/1976 - 12/1976
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental II
3/1976 - 7/1976
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental I
8/1975 - 12/1975
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral e Experimental II
3/1974 - 7/1974
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral I
8/1973 - 12/1973
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimetnal II
3/1973 - 7/1973
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental I
8/1972 - 12/1972
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Óptica Moderna
3/1972 - 7/1972
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV
3/1971 - 12/1971
Ensino, Engenharia Alimento/Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral IV

Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Vínculo institucional

1966 - 1971
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/1966 - 02/1971
Pesquisa e desenvolvimento .

Linhas de pesquisa
FISICA NUCLEAR
3/1970 - 11/1970
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Laboratório de Física Nuclear e Estado Sólido I e II
3/1969 - 11/1969
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Eletricidade e Magnetismo
Física Moderna
3/1968 - 11/1968
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral e Experimental I e II na parte de laboratório
3/1967 - 11/1967
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral e Experimental I e II na parte de laboratório
Equações de Maxwell e Relatividade para Professores de Ensino Secundário do Estado do Rio Grande do Sul
3/1966 - 11/1966
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral e Experimental I e II
Eletricidade e Magnetismo para Professores do Ensino Secundário do Estado do Rio Grande do Sul


Linhas de pesquisa


1.
CHEFE DO DEPTO. DE FISICA DO ESTADO SOLIDO E CIENCIAS DOS MATERIAIS
2.
FISICA
3.
Semicondutores
4.
Crescimento de Materiais
5.
FISICA NUCLEAR


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).


Idiomas


Inglês
Fala Bem, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.
Espanhol
Fala Bem, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Francês
Fala Bem, Lê Pouco, Escreve Pouco.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
MENESES, E. A.2006MENESES, E. A.; VASCONCELLOS, A. ; LAURETTO, E. A. ; LUZZI, R. . Statistical approach to fractal-structured system: An ilustration from the physics of semiconductor heterostructures. Chaos, Solitons and Fractals, Londres, v. 28, p. 8-19, 2006.

2.
PACHECO-SALAZAR, D. G.2006PACHECO-SALAZAR, D. G. ; LEITE, J. R. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; LI, S. F. ; AS, D. J. . Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC subtrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, p. 846-851, 2006.

3.
MENESES, E. A.2005MENESES, E. A.; PACHECO-SALAZAR, D. G. ; CERDEIRA, F. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, L. M. S. ; AS, D. J. . Growth and charcterization of cubic InGaN epilayer on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, Londres, v. 284, p. 379-387, 2005.

4.
MENESES, E. A.2005MENESES, E. A.; LAURETTO, E. A. ; DIAS, I. F. L. ; DUARTE, J. L. . A técnica de fotoluminescencia aplicada à investigação de imperfeições estruturais em poços quanticos de materiais semicondutores. Semina; ciecias Exatas e Tecnlogicas, londrina, v. 26, n.1, p. 23-38, 2005.

5.
MENESES, E. A.2004MENESES, E. A.; J. R. Fernandes ; CERDEIRA, F. ; SOARES, J. A. N. T. ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; AS, D. J. ; KOHLER, U. . Near band gap optical properties of cubic GaN with and without Carbon doping. Microelectronic Journal, Londres, v. 35, p. 73-77, 2004.

6.
MENESES, E. A.2004MENESES, E. A.; LAURETTO, E. A. ; VASCONCELLOS, A. ; LUZZI, R. . Characterization of nanometric quantum wells in semiconductor heterostructures by optical spectrocopy. International Journal of Modern Physics B, Londres, v. 18, p. 1743-1758, 2004.

7.
MENESES, E. A.2004MENESES, E. A.; OLIVERIA, J. B. B. ; TABATA, A. ; CARVALHO, M. M. G. ; LAURETTO, E. A. . Optical and structural properties of GaAs/GaInP quntum wells by by Chemical Beam Epitaxy. Brazilian Journal Physics, São paulo, v. 34, n.2B, p. 620-622, 2004.

8.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, EUA, v. 125, p. 205-208, 2003.

9.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Influence of illumination on quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si d-doped GaAs/InGaAs quantum wells. Journal of Physics. Condensed Matter, Inglaterra, v. 15, p. 121-132, 2003.

10.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, Inglaterra, v. 252, p. 208-212, 2003.

11.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, EUA, v. 93, n.10, p. 6279-6283, 2003.

12.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Residual carbon and carrier concentration in InGaP layers grown by chemical beam epitaxy . Thin Solid Films, Inglaterra, v. 429, p. 91-95, 2003.

13.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.. Optical and x-ray diffraction on the incorporation of Carbon as dopant in cubic GaN. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, New York/USA, v. 68, p. 15520-15520, 2003.

14.
MENESES, E. A.2003MENESES, E. A.; J. R. Fernandes ; CERDEIRA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; SOARES, J. A. N. T. ; SANTOS, A. M. ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; AS, D. J. ; KOHLER, U. . Optical and X-ray Diffraction Studies on the Incorporation of Carbon as a Dopant in Cubic GaN. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, New York, p. 15520-15521, 2003.

15.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Optical studies of correlation between interface disorder and the photoluminescence line shapes in InGaP/GaAs quantum wellls. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 32, n.2A, p. 314-317, 2002.

16.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Optical Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells. Physica Status Solidi. A, Applied Research, Alemanha, v. 192, n.1, p. 129-134, 2002.

17.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Optical Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells. Physica Status Solidi. A, Applied Research, Alemanha, v. 192, n.1, p. 129-134, 2002.

18.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Photoluminescence and Photoreflectance Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells. Phys Status Solidi C, Alemanha, v. 0, n.1, p. 528-531, 2002.

19.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si d-doped GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells. Physical Review B - Solid State, EUA, v. 65, p. 07532-07532, 2002.

20.
MENESES, E. A.2002MENESES, E. A.. Photoluminescence study of interfaces between heavily doped AlInAs:Si layers and InP(Fe) substrates. Journal of Applied Physics, EUA, v. 91, n.11, p. 8999-9004, 2002.

21.
MENESES, E. A.2001MENESES, E. A.. Ïnfluence of Al content on temperature dapendence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, Inglaterra, v. 21, p. 11-17, 2001.

22.
MENESES, E. A.2001MENESES, E. A.. Temperature dependence of excitonic transitions in AlxGa1-xAas/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, Inglaterra, v. 29, n.2, p. 225-231, 2001.

23.
MENESES, E. A.2001MENESES, E. A.. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, USA, v. 89, n.11, p. 6159-6164, 2001.

24.
FRIZZARINI, M.2000FRIZZARINI, M. ; SILVA, E. C. F. ; QUIVY, A. A. ; CAVALHEIRO, A. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . Temperature Dependence of The Hall Mobility in Multiple p-Type Si Delta-Doped GaAs Layers Grown on GaAs (311) A Substrates. Physical Review B - Solid State, Estados Unidos, v. 61, n.19, 2000.

25.
DIAS, I. F. L.2000DIAS, I. F. L. ; DUARTE, J. L. ; LAURETO, E. ; GELANO, R. V. ; MENESES, E. A. ; HARMAND, J. C. . Electrical and optical Characteristics of a Si Doped (Al)GaInAs Digital Alloy / AlInAs Distributed Bragg Mirrors on InP. Superlattices and Microstructures, Estados Unidos, 2000.

26.
LEVINE, A.1999LEVINE, A. ; SILVA, E. C. F. ; ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, E. M. ; SCOLFARO, L. M. ; LEITE, J. R. ; QUIVY, A. A. ; DIAS, I. F. L. ; LAURETO, E. ; DUARTE, J. L. ; OLIVERIA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA, A. G. . Band-edge Modifications due to Photogenerated Carriers in Single p-Type Delta-Doped GaAs layers. Physical Review B - Solid State, Estados Unidos, v. 59, n.7, p. 4634-4637, 1999.

27.
OLIVERIA, J. B. B.1999OLIVERIA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; SILVA, E. C. F. . Magneto Optical Studies of the Correlation Between Interface Mocroroughness Parameters and the Photoluminescence Line Shape in GaAl/GaAlAs Quantum Wells. Physical Review B - Solid State, Estdos Unidos, v. 60, n.3, p. 1519-1522, 1999.

28.
MENDONÇA, C. A. C.1998MENDONÇA, C. A. C. ; COTTA, M. A. ; MENESES, E. A. ; CARVALHO, M. M. G. . "Self-Assembled Islands On Strained Systems: Central Of Formation, Evolution And Spartial Distribution". Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Estados Unidos, v. 72, n.9, p. 12501-12505, 1998.

29.
MENDONÇA, C. A. C.1998MENDONÇA, C. A. C. ; LAURETO, E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; CARVALHO, M. M. G. ; MENESES, E. A. . "On The Optical Properties Of Inas/Inp Sytems: The Role Of Two-Dimesnional Structures And Three-Dimensional Islands". Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 72, n.9, p. 1015-1017, 1998.

30.
OLIVEIRA, J. B. B.1997OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; SILVA, E. C. F. . "New Results On Bound Excitons In Quantum Wells". Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 27, n.4, p. 194-197, 1997.

31.
COTTA, M. A.1997COTTA, M. A. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; CARVALHO, M. M. G. . "On The Onset Of Inas Islanding On Inp: Influence Of Surface Steps". Surface Science, Estados Unidos, v. 388, p. 84-91, 1997.

32.
ALMEIDA, C. R. M.1995ALMEIDA, C. R. M. ; PAULA, A. M. ; PLENTZ, F. O. ; MEDEIROS NETO, J. A. ; BARBOSA, L. C. ; ALVES, O. L. ; MENESES, E. A. ; RIOS, J. M. M. ; FRAGNITO, H. L. ; CRUZ, C. H. B. ; CESAR, C. L. . "Probing Of The Quantum Dot Size Distribution In Cdte-Doped Glasses By Photoluminescence Excitation Spectroscopy". Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 66, n.4, p. 439-441, 1995.

33.
PLENTZ, F.1995PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. ; MESEGUER, F. ; SANCHEZ-DEHESA, J. . "New Al(X)Ga(1-X)As Related Deep Luminescence Observed In Modulation Doped Quantum Wells". Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 77, n.11, p. 5946-5949, 1995.

34.
MENESES, E. A.1994MENESES, E. A.. Magnetic Field Induced Diode Effect In Quasi-Two-Dimensional Electron Gas Experiment. Applied Physics Letters, Estados Unidos, p. 0-0, 1994.

35.
NEVES, B. R. A.1994NEVES, B. R. A. ; ALVES, E. S. ; SAMPARIO, J. F. ; OLIVEIRA, A. G. ; MENESES, E. A. . Magnetotunneling Studies Of The Dimensionality Of The Emmiter Electron Gas Of Double Barrier Devices". Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 24, n.1, 1994.

36.
CESCHIN, A. M.1994CESCHIN, A. M. ; QUIVY, A. A. ; SILVA, E. C. F. ; SOARES, J. A. N. T. ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA, J. B. B. . Photoluminescence Studies On Delta-Doped InGaAs/GaAs Quantum Wells. Superlattices and Microstructures, Estados Unidos, v. 15, n.3, p. 333-337, 1994.

37.
SHIBLI, S. M.1993SHIBLI, S. M. ; MENDONCA, C. A. C. ; HENRIQUES, A. B. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MENESES, E. A. ; SILVA, E. C. F. ; LEITE, J. R. . Electronic Properties Of Multiple Si Delta-Doped GaAs Layers Grown By MBE and MEE. Journal of Crystal Growth, Estados Unidos, v. 127, p. 700-702, 1993.

38.
MENDONÇA, C. A. C.1993 MENDONÇA, C. A. C. ; PLENTZ, F. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. . Evidence Of A Two-Dimesnional To Three-Dimensional Transition In Si Delta-Doped GaAs Structures. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Estados Unidos, v. 48, p. 12316-12318, 1993.

39.
PLENTZ, F.1993 PLENTZ, F. ; MESEGUER, F. ; SANCHEZ-DEHESA, J. ; MESTRES, N. ; MENESES, E. A. . "Optical Control Of The 2deg Density In Modulation Doped Quantum Wells Studied By Magneto-Photoluminescence". Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Estados Unidos, v. 48, p. 1967-1969, 1993.

40.
SHIBLI, S. M.1992 SHIBLI, S. M. ; SCOLFARO, L. M. S. ; LEITE, J. R. ; MENDONCA, C. A. C. ; PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. . Hole Confinement Effects On Multiple Si Delta-Doping In GaAs. Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 60, n.23, p. 2895-2899, 1992.

41.
MENDONCA, C. A. C.1992MENDONCA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; PLENTZ, F. ; MICOVIC, M. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . Electronic Properties Of Si Delta-Doped GaAs Quantum Wells. Superlattices and Microstructures, Estados Unidos, v. 12, n.2, p. 257-260, 1992.

42.
MARTINS, J. M. V.1991MARTINS, J. M. V. ; MENDONCA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Effect Of Temperature On The Built In Electric Field In GaAs/GaAlAs: Si And Delta-Doped. Superlattices and Microstructures, v. 10, n.2, p. 239-242, 1991.

43.
MENDONCA, C. A. C.1990MENDONCA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Determination Of The Electric Field In The Ga1-xAlxAs/GaAs Heterojunctions. QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE PHYSICS III, Estados Unidos, v. 1286, p. 370-374, 1990.

44.
MENDONCA, C. A. C.1990MENDONCA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. Y. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Interband Transitions Of Delta-Doped Layers In P-Type Gaas. International Journal Quantum Chemistry, Estados Unidos, v. 24, p. 447-451, 1990.

45.
MENDONCA, C. A. C.1990MENDONCA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. . Hot Electrons In Delta-Doping Gaas (Si) Layers. Solid State Communications, Inglaterra, v. 75, n.9, p. 707-710, 1990.

46.
SCOLFARO, L. M. R.1990SCOLFARO, L. M. R. ; MENESES, E. A. ; MENDONCA, C. A. C. ; LEITE, J. R. ; MARTINS, J. M. V. . Electronic Structure Of Be-Doped Algaas. Material Science Forum, Estados Unidos, v. 65, p. 369-374, 1990.

47.
MENESES, E. A.1989MENESES, E. A.; PLENTZ, F. O. ; MENDONCA, C. A. C. . Emission of GaAs/GaAs1-xAlxAs Asymmetric Modulation-Doped Multiple Quantum Wells Under Different Excitation Conditions by Kr and Ar Lasers. Superlattices and Microstructures, Estados Unidos, v. 5, 1989.

48.
GOMES, V. M. S.1989GOMES, V. M. S. ; PINTANEL, R. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . Group-IV Impurity-Related Centers in GaAs. Materials Science Forum, Estados Unidos, v. 38/41, p. 833-838, 1989.

49.
MOL, A. W.1986MOL, A. W. ; MURIBECA, R. A. ; MENESES, E. A. . Stimulated Photoluminescence of CdSe. Solid State Communications, Inglaterra, v. 60, p. 423-425, 1986.

50.
MOL, A. W.1985MOL, A. W. ; MURIBECA, R. A. ; MENESES, E. A. . Exciton-Plasma Mott Transition in CdSe at 77K. Solid State Communications, Inglaterra, v. 53, p. 111-114, 1985.

51.
MENESES, E. A.1982MENESES, E. A.. Mott Transitions in Photoexcited ZnSe. Solid State Communications, Inglaterra, v. 41, p. 571-572, 1982.

52.
SIQUEIRA, M. A. A.1980SIQUEIRA, M. A. A. ; GHIZONE, C. G. ; VARGAS, J. I. ; MENESES, E. A. ; VARGAS, H. ; MIRANDA, L. C. M. . On the Use of the Photoacoustic Effect for Investigation of Phase Transitions in Solids. Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 51, 1980.

53.
MURIBECA, R. A.1980MURIBECA, R. A. ; MENESES, E. A. . Electron-Hole Liquid in GaS. Solid State Communications, Inglaterra, v. 37, p. 475-478, 1980.

54.
MENESES, E. A.1979MENESES, E. A.; BRAGA, E. S. . Photoexcited Hot Electrons in ZnSe at 2K. Physica Status Solidi. B, Basic Research, Alemanha, v. 93, p. K21, 1979.

55.
MENESES, E. A.1978 MENESES, E. A.. Undulation Spectra in GaSe9Te1 Associated With Acceptor Complexes. Journal of Physics C: Solid State Physics, Estados Unidos, v. 11, p. L679, 1978.

56.
CERDEIRA, F.1977CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; GOUSKOV, A. . Splitting and Correlations Between the Long Wavelenght Optical Phonons in Layer Compounds GaSe, GaTe and GaSe1-xTex. Physical Review B - Solid State, Estados Unidos, v. 16, p. 1648-1652, 1977.

57.
MENESES, E. A.1976MENESES, E. A.; JANUZZI, N. ; FREITAS, J. R. ; GOUSKOV, A. . Photoluminescence of Layered GaSe1-xTex Crystals. Physical State Solid B, Estados Unidos, v. 78, p. K35, 1976.

58.
MENESES, E. A.1975 MENESES, E. A.; JANUZZI, N. ; LUZZI, R. ; RAMOS, J. G. P. ; LEITE, R. C. C. . Many Body and Hot Phonon Effects in the Radiative Emission Spectrum of CdS Under Hogh Excitation. Physical Review B - Solid State, Estados Unidos, v. 11, p. 2213-2221, 1975.

59.
MENESES, E. A.1974MENESES, E. A.; RAMOS, J. G. P. ; LUZZI, R. . Dependence of Photoluminescence on Hot Excitations. Solid State Communications, Inglaterra, v. 15, p. 1773-1775, 1974.

60.
MENESES, E. A.1974MENESES, E. A.; RAMOS, J. G. P. ; LUZZI, R. . Dependence of Photoluminescence on Hot Excitations. Solid State Communications, Inglaterra, v. 15, p. 1773-1775, 1974.

61.
MENESES, E. A.1973MENESES, E. A.; LUZZI, R. . Many-Body Effects in the Radiative Emission Spectrum of Semiconductores. Solid State Communications, Inglaterra, v. 12, p. 447-450, 1973.

62.
MENESES, E. A.1973MENESES, E. A.; JANUZZI, N. ; LEITE, R. C. C. . Dependence of Hot Carriers Temperature on Lattice Temperature in CdS. Solid State Communications, Inglaterra, v. 13, p. 245-248, 1973.

63.
ZAWISLAK, F. C.1973ZAWISLAK, F. C. ; ROGERS, J. D. ; MENESES, E. A. . Conversion Electron-Gama and Gama-Gama Direction Angular Correlations in Dy(160). Nuclear Physics, Estados Unidos, v. A211, p. 581-588, 1973.

64.
JANUZZI, N.1972JANUZZI, N. ; MENESES, E. A. ; LEITE, R. C. C. . Band Gap Reduction in CdS Due to High Density of Photo-Injected Carriers. Solid State Communications, Inglaterra, v. 10, p. 517-520, 1972.

65.
JANUZZI, N.1972JANUZZI, N. ; MENESES, E. A. ; LEITE, R. C. C. ; RAMOS, J. G. P. . Carrier Assisted Radiative Recombination of Free Excitations in GaSe. Solid State Communications, Inglaterra, v. 11, p. 1741-1744, 1972.

66.
ZAWISLAK, F. C.1968ZAWISLAK, F. C. ; ROGERS, J. D. ; MENESES, E. A. . Propriedades de Níveis Ímpares em Dy(160) com Técnicas de Correlações Angulares. Revista Mexicana de Físcia, México, v. 17, p. 125-128, 1968.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
LIMA, C. A. S. ; MENESES, E. A. ; MATTOS, J. C. V. ; BELLANDI, J. . Energia: Fontes Convencionais e Não Convencionais. 1a.. ed. CAMPINAS: MEC-DEM-UNICAMP, 1978. v. 2. 105p .

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
MENESES, E. A.. Near band edge optical properties of cubic GaN. In: 11th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2003, Fortaleza. Book of Abstract, 2003. v. 1. p. P2/19.

2.
MENESES, E. A.. Optimizatio of the interface of GaAs/GaInP quantum wells grown by metal orgnic chemical vapor deposition. In: 11th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2003, Fortaleza. Book of Abstract, 2003. v. 1. p. P2/43.

3.
MENESES, E. A.. Photoluminescence and photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. In: XXVI Encontro nacional de física da materia condensada, 2003, Caxambu. Resumos, 2003. v. 1. p. 347.

4.
MENESES, E. A.. Propriedades oticas e estruturais de poços quanticos em GaAs/GaInP crescidos por CBE. In: XXVI Encontro nacional de física da materia condensada, 2003, Caxambu. Resumos, 2003. v. 1. p. 376.

5.
MENESES, E. A.. Otimização da qualidade das interfaces de poços quanticos GaAs/GaInP crescidos p[or MOCVD. In: XXVI Encontro nacional de física da materia condensada, 2003, Caxambu. Resumos, 2003. v. 1. p. 370.

6.
MENESES, E. A.. Vibrational properties of cubic InGaN structures. In: 26nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgh. Proceending of 26nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002. v. 3. p. 100-1001.

7.
MENESES, E. A.. Espectroscopia Raman em poços quanticos de InGaN. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 347.

8.
LEVINE, A. ; SILVA, E. C. F. ; ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, E. M. ; SCOLFARO, M. R. ; LEITE, J. R. ; QUIVY, A. A. ; DIAZ, I. F. L. ; LAURETTO, E. A. ; DUARTE, J. L. ; OLIVERIA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA, A. G. . Optical Studies on the photogenerated carrier recombination path in Be Single p-Type Delta Doped GaAs Layers.. In: The 11th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1999, Red Sea. Proceedings of the 11th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1999.

9.
LEVINE, A. ; SILVA, E. C. F. ; ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, E. M. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; QUIVY, A. A. ; DIAS, I. F. L. ; LAURETO, E. ; DUARTE, J. L. ; OLIVERIA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA, A. G. . Optical Studies on the Photogenerated Carrier Recombination Path in Be Single p-Type Delta-Doped GaAs Layers. In: 11th Interntional Conference on Superlattices, 1999, Red Sea. Proceedings of the 11th Internation Conference on Superllatices, Microstructures and Microdevices, 1999.

10.
OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; SILVA, E. C. F. . "Optical Studies For Be Acceptors Confined In Flat Islands At Quantum Wells Interfaces". In: Shallow-Level Centers in Semiconductors, 1997, Amsterdam. Proceedings of the 7th International Conference on Shallow-Level Centers in Semicondctors. Singapore: World Scientific, 1997. p. 465-470.

11.
MENDONÇA, C. A. C. ; LAURETO, E. ; COTTA, M. A. ; BRASIL, M. J. S. P. ; CARVALHO, M. M. G. ; MENESES, E. A. . "Dependence Of The Electronic Properties Of Inas/Inp Systems On Surface Morphology". In: Material Research Society, 1997, San Francisco. Material Research Society - Spring Meeting. San Francisco, USA, 1997.

12.
OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. . "Optical And Magneto-Optical Studies Of Microroughness In Quantum Wells". In: High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 1996, Würzburg. Proceedings of the High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1996. p. 557-560.

13.
SILVA, E. C. F. ; QUIVY, A. A. ; PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. ; WEINERT, H. . "Experimental Observation Of The Mahan Exciton In N-Type Modulation Doped Gaalas/Gaas Quantum Well". In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1994, Vancouver. Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconducotrs. Singapore: World Cientific, 1994. p. 1336-1339.

14.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; SHIBLI, S. M. ; HENRIQUES, A. B. ; LEITE, J. R. ; OLIVERIA, J. B. B. ; PLENTZ, F. O. ; MENESES, E. A. . Hole Confinement Effects in Periodically Delta-Doped GaAs Layers. In: 21st International Conference on the Physics of Semiconductors, 1992. Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. Singapore: World Scientific, 1992. p. 1084-1088.

15.
CAMATA, R. P. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. . Temperature Dependence of Built-in Electric Fields in Delta Doping GaAs. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1991, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1991. p. 237-241.

16.
PLENTZ, F. O. ; MESEGUER, F. ; SANCHEZ-DEHESA, J. ; MESTRES, N. ; MENESES, E. A. . Magneto Optical Studies of Asymmetric Modulation Doped Multiple Quantum Well. In: 11th Gneral Conference of Condensed Matter Division, 1991, Exeter. Proceedings of the Gneral Conference of Condensed Matter Division, 1991.

17.
CARVALHO, R. P. ; BEZERRA, J. C. ; DIAZ, I. F. L. ; OLIVEIRA, A. G. ; MENDONÇA, C. A. C. ; RODRIGUES, P. A. M. ; PLENTZ, F. O. ; CRIVELENTI, V. L. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. . Molecular Beam Epitaxy of GaAs on Si Substrates. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1990, Belo Horizonte - MG. Proceedings of the 4th Brazilian School on Semiconducotr Physics. Singapore: World Scientific, 1990. p. 272-275.

18.
PLENTZ, F. O. ; MENDONCA, C. A. C. ; MENESES, E. A. . Excitation Effects In Asymetric Modulation Doped Multiple Quantum Wells. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1990. Proceedings of the 4th Brazilian School on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1990. p. 288-291.

19.
RODRIGUES, P. A. M. ; MENDONÇA, C. A. C. ; BERNUSSI, A. A. ; PLENTZ, F. ; LÓPEZ, C. V. ; CRIVELENTI, V. L. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. . Photoreflectance, photoluminescence and TRaman Scattering of MBE GaAs/AlxGa1-xAs Multiple Quantum Wells. In: 4th Brazilian School on Semiconducotor Physics, 1990, Belo Horizonte - MG. Proceedings of the 4th Brazilain School on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1990. p. 304-307.

20.
MENDONÇA, C. A. C. ; PLENTZ, F. O. ; MENESES, E. A. ; BEZERRA, J. C. ; DIAZ, I. F. L. ; DINIZ, R. P. ; CARVALHO, R. P. ; OLIVEIRA, A. G. . Photoluminescence and Hall Effect Characterization of Si-Doped GaAs Grown by MBE. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1990, Belo Horizonte - MG. Proceedings of the 4th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1990. p. 308-311.

21.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. R. . Determination of the Electric Field in the Ga1-xAlxAs/GaAs Heterojunctions from the Franz-Keldysh Oscillation by Photoreflectance Spectroscopy. In: Quantum Well and Superlattice Physics III, SPIE, 1990, San Diego. Proceedings of the SPIE, 1990. v. 1286. p. 370.

22.
BERNUSSI, A. A. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MOTISUKE, P. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. ; POLLAK, F. H. ; BASMAJI, P. ; DIAZ, I. F. L. . Photoreflectance of 2D Electron Gas: Observation of Quantum Franz-Keldysh Effect. In: 20th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1990. Proceedings of the 20th International Conference on the Physics of Semiconductors. Singapore: World Scientific, 1990. p. 1065-1068.

23.
PINTANEL, R. ; SCOLFARO, L. M. R. ; GOMES, V. M. S. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. . Centros relacionados com impurezas del grupo IV em GaAs. In: Acta Sexto Simpósio Chileno de Física, 1988, Santiago. Proceedings of the Acta Sexto Simpósio Chileno de Física, 1988. p. 146-151.

24.
MENESES, E. A.; MOTISUKE, P. ; MENESES, G. D. . Radiative Recombinations of Deep Centers in ZnSe. In: 16th International Conference on Physics of Semiconductors, 1983, Mompelier. Proceedings of the 16th International Conference on Physics of Semiconductors, 1983. p. 160-162.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
MENESES, E. A.. Optical properties of thin films of cubic GaN and InGaN. In: The Fifth International Conference on Low Dimensional Sructures and Devices, 2004, Cancun, Mayan Riviera. Book of Abnstracts. Cidade do Mexico: LDSD 2004, 2004. v. 1. p. 31-31.

2.
MENESES, E. A.. Optical and Structural Properties of Indium Nitride polycrystalline Films. In: 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 2004, Salvador. Nano Semi Mat - 3. Recife: Network/CNPq, 2004. v. 1. p. 86-88.

3.
MENESES, E. A.. Interface Roughness Effects on the Optical Properties of InGaP/GaAs Quantum Wells. In: Nano Semi Mat - 1, 2002, Recife. Rede NanoSemiMat/CNPq. Rccife: NetWork/CNPq, 2002. v. 1. p. 109-112.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
MENESES, E. A.. Optical Measurements on Cubic InGaN Layers Depesited on SiC Substrate. In: XXIX Encontro Nacional de Física da Materia Condensada, 2006, São Lourenço. Programa. São Paulo: SBF, 2006. v. Cd.

2.
MENESES, E. A.. Photoluminescence Measrements on Cubic InGaN layers Deposited on a SiC Substrate. In: The international Conference on Superlattice, Nano-Structures and Nano Devices, 2006, Instanbul. Program and Abstracs, 2006. v. Cd.

3.
MENESES, E. A.. Evidence of continuous transition from two to three cimensional Stranski-Krastanov growth mode in InP/InGaP heteroepitaxy. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Materia mCondensada, 2005, Santos/SP. Programa. São Paulo: SBF, 2005.

4.
MENESES, E. A.. Evidence of continuous transition from two to three dimensional Straski-Krastanov growth mode in InP/InGaP heteroepitaxy. In: The Fifth Intenational Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2004, Cancun, Mayan Riviera. Book of Abstracts. Cidade do Mexico: LDSD 2004, 2004. v. 1. p. 176-176.

5.
MENESES, E. A.. Energy gap and Stokes - like Shift in Cubic InGaN epitaxy layers. In: International Conference on Superlattice, nano Structures and Nano Devices, 2004, Cancun. Program & Abstracts. Cidade do Mexico: ICSNN 2004, 2004. v. 1. p. 70-70.

6.
MENESES, E. A.. Optical and structural properties of GaAs/GaInP quantum wells grown by chemical beam epitaxy. In: 11th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2003, Fortaleza. Book od Abstract, 2003. v. 1. p. P1/28.

7.
MENESES, E. A.. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In: XXVI Encontro nacional de física da materia condensada, 2003, Caxambu. Resumos, 2003. v. 1. p. 348.

8.
MENESES, E. A.. Interface effects for InP dot necleation on InGaP structural and optical investigation. In: XXVI Encontro nacional de física da materia condensada, 2003, Caxambu. Resumos, 2003. v. 1. p. 369.

9.
MENESES, E. A.. Interface effects for InP dot nucleation on InGaP: Structural and optical investigation. In: 1st International Meeting on Applied Physics, APHYS-2003, 2003, Badajoz. Book of Abstracts. Badajoz: APHYS-2003, 2003. v. 1. p. 421-421.

10.
MENESES, E. A.. Photoluminescence study of interfaces between heavily doped AlInAs:Si layers andInP(Fe) substrates. In: XXV Encontro nacional de física da materia condensada, 2002, Caxambu. Resumos, 2002. v. 1. p. 473.

11.
MENESES, E. A.. Optical studies of correlation between interface disorder and the photoluminescence line shapes in InGaP/GaAs quantum welll. In: 10th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2001, Guarujá. Program & Abstract, 2001. v. 1. p. Tu41.

12.
MENESES, E. A.. Temperature dependence of band gap in cubic GaN from photoluminescence measurements. In: 10th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2001, Guarujá. Program & Abstract, 2001. v. 1. p. Th63.

13.
MENESES, E. A.. Pholuminescence and Photoreflectance study of interface between heavily doped AlInAs:Si and InP(Fe) substrates. In: 10th Brazilian Workshop on Semicondoctor Physics, 2001, Guarujá. Program & Abstract, 2001. v. 1. p. Tu44.

14.
MENESES, E. A.. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs(100) grown by RF-MBE. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 325.

15.
MENESES, E. A.. Investigação de interfaces em poços quanticos de GaAs/InGaP crescidos por CBE. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 355.

16.
MENESES, E. A.. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 321.

17.
MENESES, E. A.. Light emission process i8n GaN/InGaN/GaN quantum wells. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 345.

18.
MENESES, E. A.. The effect of illumunation on the electronic structure of Si delta doped InGaAs/GaAs quantum well. In: XXIV Encontro nacional de física da materia condensada, 2000, Caxambu. Resumos, 2000. v. 1. p. 336.

Resumos publicados em anais de congressos (artigos)
1.
MENESES, E. A.2006MENESES, E. A.; PACHECO-SALAZAR, D. G. ; LEITE, J. R. ; CERDEIRA, F. ; LI, S. F. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on SiC substrate. Semiconductor Science Technologic, Londres, v. 21, p. 846-851, 2006.

2.
MENESES, E. A.2005MENESES, E. A.; LI, S. F. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. ; PACHECO-SALAZAR, D. G. ; SCOLFARO, L. M. R. ; LEITE, J. R. ; CERDEIRA, F. . Strong room temperature 510 nm emission cubic InGaN/GaN multiple quantum wells. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Londres, v. E8, p. 15.1-15.8, 2005.

Demais trabalhos
1.
MENESES, E. A.; LAURETTO, E. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; PUDENSI, M. A. ; CARVALHO, M. M. G. ; MENDONÇA, C. A. C. . "Estudo das Propriedades Ópticas do Inp Crescido Por Cbe". 1996 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

2.
MENESES, E. A.; OLIVEIRA, J. B. B. ; SILVA, E. C. F. . "Estudo de Micro-Rugosidades Em Poços Quânticos". 1996 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

3.
MENESES, E. A.; OLIVERIA, J. B. B. ; SILVA, E. C. F. . "Aceitadores Confinados Em Ilhas Em Interfaces de Poços Quânticos de Gaas/Ga(0.7)Al(0.3)As". 1996 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

4.
OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; SILVA, E. C. F. . "Novos Resultados Para Éxcitons Ligados Em Poços Quânticos". 1996 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

5.
MENESES, E. A.; OLIVEIRA, J. B. B. ; SILVA, E. C. F. ; QUIVY, A. A. . "Optical Measurements Results For Confined Acceptors In Gaas/Al.3ga.7as Qauntum Well". 1995 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

6.
MENESES, E. A.; LEVINE, A. ; QUIVY, A. A. ; SILVA, E. C. F. ; DIAZ, I. F. L. ; LAURETTO, E. ; OLIVEIRA, J. B. B. . "Studies Of The Radiative Recombination Processes In Be - Delta-Doped Gaas Structures". 1995 (Trabalho apresentado em Conferência) .

7.
MENESES, E. A.; TABATA, A. ; MARTI, A. ; CESCHIN, L. M. R. ; SCOLFARO, A. A. ; QUIY, E. C. F. ; SILVA, R. ; ENDERLEIN, J. R. ; LEITE, J. B. B. ; OLIVEIRA, E. ; LAURETTO, E. A. . "Photoluminescence Line Shape Analysis Of In.15 Ga.85 As/Gaas Delta-Doped Quantum Well". 1995 (Trabalho apresentado em Conferência) .

8.
MENESES, E. A.; OLIVEIRA, C. R. M. ; PAULA, A. M. ; PLENTZ, F. ; A FILHO, F. ; MEDEIROS NETO, L. C. ; ALVES, O. L. ; ALVES, E. A. ; RIOS, J. M. M. ; FRAGNITO, C. H. B. ; CRUZ, C. L. . "Photoluminescence Exciton Spectroscopy As A Probe Of The Quantum Dot Size Distribution In Cdte-Doped Glasses". 1994 (Trabalho apresentado em Conferência Internacional) .

9.
MENESES, E. A.; SOUZA, C. F. ; CARVALHO, W. ; G JÚNIOR, M. M. ; PUDENSI, E. A. . "Aplicação de Simulação de Curvas de Difração de Raios X Em Múltiplos Poços Quânticos (Mqw) de Ingaas/Gaas Crescidos Por Cbe". 1994 (Trabalho apresentado em Conferência) .

10.
MENESES, E. A.; LAURETTO, E. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; DIAS, L. F. I. ; DUARTE, J. L. . "Fotoluminescencia de Gases de Buracos Bidimensionais Em Gaas Com Dopagem Planar Tipo P". 1994 (Trabalho apresentado em Conferência) .



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
The International Conference on Super Latttice. Nano Structure and Naodevices. The International Conference on Super Latttice. Nano Structure and Naodevices. 2006. (Congresso).

2.
1st International Meeting on Applied Physics.1st International Meeting on Applied Physics. 2003. (Encontro).

3.
The 11th International conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. The 11th International conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1999. (Congresso).

4.
" 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors. 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors. 1994. (Congresso).

5.
" 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1994. (Congresso).

6.
" 4th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices.. 4th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Trieste, Italy,. 1988. (Congresso).

7.
" Fifteenth International Conference on Defects in Semiconductors. Fifteenth International Conference on Defects in Semiconductors. 1988. (Congresso).

8.
" 17th International Conference on the Physics of Semiconductors. 17th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1984. (Congresso).

9.
" First International Conference on Spectroscopy Shallow Semiconductors (SSCS/84).. First International Conference on Spectroscopy Shallow Semiconductors (SSCS/84). . 1984. (Congresso).

10.
" 16th International Conference on the Physics of Semiconductors. 16th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1982. (Congresso).

11.
" International Conference of Luminescence. International Conference of Luminescence. 1981. (Congresso).

12.
" Third International Conference on Light Scattering in Solids. Third International Conference on Light Scattering in Solids. 1975. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
André Gasoto. Estudo de Interface em Pontos quanticos de InP embebidos em InGaP. Início: 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Andre Gazoto. Propriedades Óticas e Estrutural de Pontos Quânticos de InP Embebidos em InGaP. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

2.
Celso de Araujo Duarte. Processos de Recombinação em Pontos Quanticos em amostras com diferentes Espessuras de Camadas de InAs Utilizando a Técnica de Fotoluminescencia. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

3.
E. Laureto. Estudo das Propriedades Ópticas do InP Crescido Por CBE: O Efeito da Impureza Isoeletrônica de As. 1995. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

4.
Álvaro Guedes Soares. "Magneto Transporte Em Sistemas Semicondutores Com Gás de Elétrons Bidimensional". 1994. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

5.
FLAVIO ORLANDO PLENTZ FILHO. Efeito da Excitacão No Espectro de Emissão de Múltiplos Pocos Quânticos (GaAs/AlxGa1-xAs) Com Dopagem. 1988. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

6.
C.A.C. MENDONCA. Caracterizacao Optica de Epitaxia MBE- GaAs e Exciton Ligado Ao Aceitador de Estanho Em LPE - GaAs: Sn. 1987. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

7.
CARMEM LUCIA NOVIS CARDOSO. Fotoluminescencia de GaAs Dopado Com Estanho (Sn) A Baixas Temperaturas. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

8.
ANDERSON W. MOLL. Estudos de Impurezas Profundas Em Seleneto de Cadmio A 77k. 1983. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

9.
ANTONIO CARLOS BURITI. Estudo de Impurezas Profundas Em Seleneto de Zinco (ZnSe). 1983. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

10.
R A Muribeca. Liquido de Eletrons e Buracos Em Sulfeto de Galio (GaS). 1980. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

Tese de doutorado
1.
Odile Noriega. Propriedadesóticas de Nitretos GaN, InGaN e AlGaN na estrutura cúbica. 2005. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Coorientador: Eliermes Arraes Meneses.

2.
David Gregorio Pacheco Salazar. Crescimento e Caracterização de GaN dopado com Carbono e de ligas InGaN não dopadas na fase Cúbica. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, . Coorientador: Eliermes Arraes Meneses.

3.
E. Lauretto. Influencia das Interfaces sobre as Propriedades öticas de Poços Quanticos de GaInAs/GaAs.. 2002. 75 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

4.
J.B.B. OLIVEIRA. Propriedades Ópticas de Éxcitons e Aceitadores de Be Confinados Em Múltiplos Poços Quânticos de GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)AsA. 1995. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

5.
C.A.C. MENDONCA. Estudo de Confinamento de Buracos Em Estruturas Comdopagens Planar. 1993. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.

6.
FLAVIO ORLANDO PLENTZ FILHO. Magneto-Optica Em Pocos Quanticos Com Dopagem Modulada. 1993. Tese (Doutorado em Físcia) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Eliermes Arraes Meneses.



Outras informações relevantes


  Membro da Coordenadoria de Graduação do Instituto de Física - UNICAMP, 1976.
  Coordenador de Graduação do Instituto de Física - UNICAMP, de 1977 a 1981.
  Membro da Comissão de Pós-Graduação do Instituto de Física - UNICAMP, 1982.
  Superintendente para Assuntos Acadêmicos de Graduação - UNICAMP, 1982 e 1985.
  Assessor Técnico da Pró-Reitoria de Desenvolvimento - UNICAMP, 1986 e 1987.
  Chefe do Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais - UNICAMP, 1988.
  Chefe do Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais - UNICAMP, 1989.
  Coordenador do Grupo de Propriedades Ópticas de Materiais - UNICAMP, 1990 - 1994.
  Coordenador do Laboratório de Semicondutores Avançados - UNICAMP. 
  Assessor Ad Hoc das seguintes agências de financiamento: 
  Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo 
  Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais 
  Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Pernambuco 
  Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Maranhão 
  CNPq 
  FINEP (PADCT) 
  CAPES 
  FAEP 
  The Third World Academy of Sciences, Trieste - Italy.
  Diretor do Instituto de Física  Gleb Wataghin  - UNICAMP, 1994 / 1998.
  Diretor Executivo da Fundação para Desenvolvimento da Unicamp ( FUNCAMP ), 1998 / 2000. 



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