Carlos Alberto Olivieri

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  • Última atualização do currículo em 01/06/2015


Possui graduação em Licenciatura Em Física pela Universidade Federal de São Carlos (1975), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1979) e doutorado em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1987). Atualmente é Professor Associado 1 da Universidade Federal de São Carlos. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: rbs, trim program, ion implantation, silicon e ion implatation, nitretação de ferro. Tem trabalhado em difusão científica e formação de professores (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Carlos Alberto Olivieri
Nome em citações bibliográficas
OLIVIERI, C. A.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal de São Carlos, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.
Rodovia Washington Luiz Km 235
Monjolinho
13565905 - Sao Carlos, SP - Brasil - Caixa-postal: 676
Telefone: (16) 33518222
Ramal: 220
Fax: (16) 33614835


Formação acadêmica/titulação


1983 - 1987
Doutorado em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Comportamento Térmico do Perfil de Bi Implantado em Sistemas Bi-Camada, Ano de obtenção: 1987.
Orientador: Fernando Cláudio Zawislak.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.
Palavras-chave: Implantação Iônica; RBS; Programa TRIM; Sistemas Bi-Camada; Tratamento Térmico.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1977 - 1979
Mestrado em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Medidas de Tempos de Relaxação de Centros F em Cristais de KCN,Ano de Obtenção: 1979.
Orientador: Horácio Carlos Panepucci.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: Centros F; Relaxação Spin-Rede; Ressonância Paramagnética Eletrônica; Monocristais de KCN.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1969 - 1975
Graduação em Licenciatura Em Física.
Universidade Federal de São Carlos, UFSCAR, Brasil.




Atuação Profissional



Universidade Federal de São Carlos, UFSCAR, Brasil.
Vínculo institucional

1979 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto IV, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

6/2006 - Atual
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Projeto Teia do Saber/Ciências: UFSCar - DRE Pirassununga.
3/2005 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

3/2005 - Atual
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Participação e Co coordenação do Projeto FINEP-MCT Ciências de Todos na UFSCar.
9/1979 - Atual
Ensino, Licenciatura Em Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Moderna 1 e Física Moderna 2
9/1979 - Atual
Ensino, Imagem e Som, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
A Física dos Sistemas de Áudio e Vídeo
9/1979 - Atual
Ensino, Cursos de Engenharias da Ufscar, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Físicas 1, 2, 3 e 4
Laboratório de Ensino de Física A
9/1979 - Atual
Ensino, Bacharelado e Licenciatura Em Biologia, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Princípios da Física
8/2005 - 12/2005
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Projeto Teia do Saber/ Ciências: UFSCar - DRE São Carlos.
8/2005 - 12/2005
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Projeto Teia do Saber/Ciências: UFSCar - DRE Pirassununga.
8/2004 - 9/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante do CCET na Comissão Assessora da Câmara de Extensão da UFSCar.
11/2003 - 6/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante dos Professores Adjuntos no Conselho Departamental do DF.
6/2003 - 6/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente do Representante dos Professores Adjuntos no Conselho Universitário.
4/2002 - 4/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante do Departamento de Física na Câmara de Extensão - UFSCar.
8/2004 - 12/2004
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Participação no Projeto Teia do Saber/Ciências: UFSCar-DRE São Carlos.
6/2001 - 6/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente do Representante dos Professores Adjuntos no Conselho Universitário.
2002 - 2003
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Produção Audiovisual para Ensino e Pesquisa de Ciências.
8/2002 - 11/2002
Extensão universitária , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Atividade de extensão realizada
Participação no Projeto Pró-Ciências da UFSCar.
1995 - 2001
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

10/1997 - 10/1998
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente do Representante dos Professores Adjuntos no Conselho Departamental do DF.
1993 - 1995
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente do Representante dos Docentes do CCET-UFSCar no Conselho de Ensino e Pesquisa.
4/1991 - 4/1993
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante dos Professores Adjuntos da UFSCar no Conselho Universitário.
8/1989 - 6/1991
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante dos Chefes de Departamentos do CCET-UFSCar no Conselho Universitário.
1988 - 1990
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Chefe do Departamento de Física.
1987 - 1990
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

1987 - 1990
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

1987 - 1988
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente de Chefe do Departamento de Física.
3/1983 - 3/1987
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

3/1983 - 3/1985
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

1982 - 1983
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Suplente de Chefe do Departamento de Física.
1981 - 1982
Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física.

Cargo ou função
Representante dos Docentes Assistentes na Câmara Departamental.

Instituto de Física e Química de São Carlos, USP/SÃO CARLOS, Brasil.
Vínculo institucional

1976 - 1979
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Auxiliar de Ensino, Carga horária: 12

Atividades

8/1976 - 9/1979
Pesquisa e desenvolvimento , Departamento de Física, Grupo de Ressonância Magnética.

8/1976 - 9/1979
Ensino, Física, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Laboratório de Ensino de Física 1
Laboratório de Ensino de Física 2
Laboratório de Ensino de Física 3


Linhas de pesquisa


1.
Elaboração e Análise de Contatos Elétricos em Semicondutores do Grupo III-V
2.
Estudos e Análises de Propriedades de Ferro e Aço Nitretados com Auger, RBS e XPS
3.
Estudos de Alcances e Comportamentos Térmicos de Ions Implantados em Sistemas Bi-Camada
4.
Estudos de Alcances de Ions Implantados em Silício Amorfizado
5.
Participação e Co coordenação do Projeto FINEP-MCT Ciências de Todos na UFSCar
6.
Estudos de Interfaces Metal-Semicondutores do Grupo III-V
7.
Ressonância Paramagnética Eletrônica de Centros de Cor em Monocristais Iônicos


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.


Idiomas


Inglês
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.
Francês
Compreende Pouco, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
E, Miola2000OLIVIERI, C. A.; E, Miola ; SOUZA, Sylvio Dionysio de ; NASCENTE, Pedro ; OLZONDIONYSIO, Maristela ; SPINELLI, Dirceu . Studies on Plasma-nitrided Iron by Scanning Electron Microscopy, Glancing Angle X-Ray Diffraction, and X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Journal of Vacuum Science and Technology. Part A. Vacuum, Surfaces and Films, v. 18, n.6, p. 2733, 2000.

2.
MIOLA, e J1999OLIVIERI, C. A.; MIOLA, e J ; SOUZA, S D ; NASCENTE, P A P ; DIONYSIO, M Olzon ; OLIVIERI, C A ; SPINELLI, D . Surface Characterization of Plasma-Nitrited Iron by X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Applied Surface Science, v. 144, n.1, p. 272-277, 1999.

3.
GALZERANI, J C1990OLIVIERI, C. A.; GALZERANI, J C ; OLIVEIRA, J B B ; CARDOSO, L P ; PRINCE, F C de ; PASA, A A ; OLIVIERI, C A . Characterization of AuGeNi Ohmic Contacts on n-GaAs Using Auger Electrical Measurements, Auger Electron Spectroscopy and X-Ray Diffractometry. Vacuum, v. 41, p. 807, 1990.

4.
GALZERANI, J C1989OLIVIERI, C. A.; GALZERANI, J C ; OLIVEIRA, J B B ; CARDOSO, L P ; PRINCE, F C de ; PASA, A A ; OLIVIERI, C A . Preparation and Characterization of n-GaAs/AuGeNi Ohmic Contacts. Proc Of The 4th Brasilian School Of Semiconductor Physics, p. 443-446, 1989.

5.
GALZERANI, J C1989OLIVIERI, C. A.; GALZERANI, J C ; OLIVEIRA, J B B ; OLIVIERI, C A ; PASA, A A ; PRINCE, F C de . Properties of Au-Zn Ohmic Contacts to p-GaSb. Journal of Applied Physics, v. 66, n.11, p. 5484, 1989.

6.
OLIVIERI, C. A.1988 OLIVIERI, C. A.. Thermal Behavior And Range Distribuition Of Bi Implanted Into The Al/V Bilayer Structures.. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 63, n.9, p. 4431-4434, 1988.

7.
GALZERANI, Jc1988OLIVIERI, C. A.; GALZERANI, Jc ; PASA, A A ; OLIVEIRA, J B B ; OLIVIERI, C A ; PRINCE, F C de . Espectroscopia Auger de Contatos AuGeNi e n-GaAs. Simpósio Brasileiro de Microscopia Eletrônica Desenvolvimento de Materiais, Brasil, p. 115-118, 1988.

8.
FICHTNER, P F P1987OLIVIERI, C. A.; FICHTNER, P F P ; BEHAR, Moni ; OLIVIERI, C A ; LIVI, R P ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C ; BIERSACK, J P ; FINK, D . Range Profiles Of 10 To 390 Kev Ions (29 Menor Ou Igual Z1 Menor Ou Igual 83) Implanted Into Amorphous Silicon.. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS B., v. 4, p. 481-487, 1987.

9.
FINK, D1986 OLIVIERI, C. A.; FINK, D ; BIERSACK, J P ; STADELE, M ; TJAN, K ; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P F P ; OLIVIERI, C A ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C . Range Profiles Of Ions In Double-Layer Structures.. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS B., v. 15, p. 71-74, 1986.

10.
BEHAR, Moni1986OLIVIERI, C. A.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P F P ; OLIVIERI, C A ; ZAWISLAK, F C ; FINK, D ; BIERSACK, J P . Implantation And Thermal Anneling Behavior Of Bi Implanted Into Al/Ti And Al/V Bilayer Structures.. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS B., v. 15, p. 78-80, 1986.

11.
FICHTNER, P F P1986OLIVIERI, C. A.; FICHTNER, P F P ; BEHAR, Moni ; OLIVIERI, C A ; LIVI, R P ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C . Large Z1 Range Effect For Eu, Yb And Au Ions Implanted In Amorphized Silicon.. RADIATION EFFECTS LETTERS., v. 87, p. 191-195, 1986.

12.
FICHTNER, P F P1986OLIVIERI, C. A.; FICHTNER, P F P ; BEHAR, Moni ; OLIVIERI, C A ; LIVI, R P ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C ; FINK, D ; BIERSACK, J P . Energy Dependence of the Z1-Range Oscillation Effect in Silicon. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 15, p. 58, 1986.

13.
OLIVIERI, C. A.1986 OLIVIERI, C. A.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P F P ; ZAWISLAK, F C ; FINK, D ; BIERSACK, J P . Implantation and Thermal Annealing Behaviour of Bi Implanted Into Al/V Bilayer Structure. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 15, p. 78, 1986.

14.
BEHAR, M1985OLIVIERI, C. A.; BEHAR, M ; FICHTNER, P F P ; OLIVIERI, C A ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C ; BIERSAC, J P ; FINK, D ; STADELE, M . Range Profiles Of 10 To 380 Kev Sn And Cs In Amorphous Silicon.. RADIATION EFFECT, v. 84, p. 167-178, 1985.

15.
BEHAR, Moni1985OLIVIERI, C. A.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P F P ; OLIVIERI, C A ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C ; BIERSACK, J P . Range Profiles Of Implanted Bi And Au In Amorphous Silicon.. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS B., v. 6, p. 453-458, 1985.

16.
OLIVIERI, C. A.1985 OLIVIERI, C. A.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P F P ; ZAWISLAK, F C ; FINK, D ; BIERSACK, J P . Depth Profile And Thermal Annealing Behavior Of Bi Implanted Into An Al/Ti Structure.. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 58, n.2, p. 659-662, 1985.

17.
FINK, D1985OLIVIERI, C. A.; FINK, D ; BIERSACK, J P ; CHEN, J C ; STADELE, M ; TJAN, K ; BEHAR, Moni ; OLIVIERI, C A ; ZAWISLAK, F C . Distribuitions Of Light Ions And Fooil Destruction After Irradiation Of Organic Polymers.. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS., v. 58, n.2, p. 668-676, 1985.

18.
BEHAR, M1985 OLIVIERI, C. A.; BEHAR, M ; BIERSACK, J P ; FICHTNER, P F P ; FINK, D ; OLIVIERI, C A ; ZAWISLAK, F C . CLRange Distribuitions Thermal Behavior Of Bi Implanted Into KCl And Al/KCl Bilayer Structures.. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS B., v. 14, p. 173-178, 1985.

19.
FICHTNER, Pf P1985OLIVIERI, C. A.; FICHTNER, Pf P ; BEHAR, Moni ; OLIVIERI, C A ; LIVI, R P ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C ; FINK, D ; BIERSACK, J P . Energy Dependence Of The Z1-Range Oscillation Effect In Silicon.. NUCLEAR INSTRUMENTSS AND METHODS B., v. 15, p. 58-0, 1985.

20.
BEHAR, M1984OLIVIERI, C. A.; BEHAR, M ; BIERSACK, J P ; FICHTNER, P F P ; FINK, D ; LEITE FILHO, C V de B ; OLIVIERI, C A ; PATNAIK, B K ; SOUZA, J P de ; ZAWISLAK, F C . Range And Range Straggling Of 15 To 350 Kev Ga In Amorphous Silicon.. RADIATION EFFECT LETTER, v. 85, p. 117-122, 1984.

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
OLIVIERI, C. A.; PIERSON, Alice . Resenha sobre a Coleção Física: Um Outro Lado. A Física na Escola, , v. 4, p. 32 - 32, 12 maio 2003.

2.
OLIVIERI, C. A.; SALVADOR, José Antônio ; Interdisciplinaridade em Programas de Educação Continuada. A Física na Escola, , v. 4, p. 12 - 14, 12 maio 2003.

3.
OLIVIERI, C. A.. Resenha sobre o livro Um Guia para Formação de Professores de Ciências. A Física na Escola, , v. 5, p. 35 - 35.

4.
OLIVIERI, C. A.. Resenha sobre o livro Albert Einstein e Seu Universo Inflável. A Física na Escola, , v. 5, p. 35 - 36.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
OLIVIERI, C. A.; MIOLA, e J ; NASCENTE, P A P ; SOUZA, S D ; DIONYSIO, M Olzon ; OLIVIERI, C A ; SPINELLI, D . Caracterização de Ferro Nitretado por Plasma. In: XXI ENFMC, 1998, Caxambu, 1998.

2.
OLIVIERI, C. A.; MIOLA, e J ; SOUZA, S D ; NASCENTE, P A P ; DIONYSIO, M Olzon ; OLIVIERI, C A ; SPINELLI, D . Surface Characterization of Plasma-Nitreted Iron By X-Ray Photoelectron Spectroscopy. In: 14th International Vacuum Congress / 10th International Conference on Solid Surfaces, 1998, Birminghan, 1998.

3.
OLIVIERI, C. A.. Estudos de Interfaces Metal-Semicondutor. In: X ENFMC, 1987, 1987.

4.
OLIVIERI, C. A.. Medidas de Perfis Longitudinais de Ions Implantados no Polímero AZ 111. In: VIII Reunião de Trabalho de Física nuclear, 1985, São Lourenço, 1985.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
OLIVIERI, C. A.. Comportamento Térmico do Perfil do Bi Implantado em Sistemas Bi-Camada. In: X ENFMC, 1987, Caxambu, 1987.

2.
OLIVIERI, C. A.. Implantação de Au em GaAs: Medida da Distribuição Espacial e Sua Evolução com Tratamentos Térmicos. In: X ENFMC, 1987, Caxambu, 1987.

3.
OLIVIERI, C. A.. Implantação de Bi em Sistemas Bi-Camada. In: VIII Reunião de Trabalho de Física Nuclear, 1985, São Lourenço, 1985.

4.
OLIVIERI, C. A.. Penetração de Ions Energéticos (10 a 400 KEv) em Sólidos. In: VIII Reunião de tTrabalho de Física Nuclear, 1985, São Lourenço, 1985.

5.
OLIVIERI, C. A.. Medidas de Tempos de Relaxação Spin-Rede de Centros F em Cristais de KCN. In: XXX Reunião Anual da SBPC, 1978, São Paulo, 1978.


Produção técnica
Trabalhos técnicos
1.
OLIVIERI, C. A.. PNLD 2014 - Ciências. 2012.

2.
OLIVIERI, C. A.. PNLD 2013 - Ciências. 2011.

3.
OLIVIERI, C. A.. PNLD 2012 - Física. 2010.

4.
OLIVIERI, C. A.. PNLD 2011 - Ciências. 2009.

5.
OLIVIERI, C. A.. PNLD 2010 - Ciências. 2008.

6.
OLIVIERI, C. A.. PNLEM 2007 - Física. 2005.



Bancas




Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
OLIVIERI, C. A.; TABACH, Marcel; GRAEFF, Carlos. Comissão Julgadora do Concurso de Títulos e Provas para professor Adjunto-DE UFSCar-Campus Sorocaba. 2005. Universidade Federal de São Carlos.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
XVIII Simpósio Nacional de Ensino de Física.Tubos Sonoros: Uma Crítica aos Livros Didáticos e ao Senso Comum. 2009. (Simpósio).




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