Mario Tosi Furtado

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  • Última atualização do currículo em 27/01/2014


Possui graduação em Física - Universite de Paris VII (1974), thèse 3eme cycle em Física, modalidade ciências dos materiais - Universite de Paris VII (1978) e doutorado em Física pela Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (1985). Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, tendo atuado principalmente nos seguintes temas: compostos iii-v, semicondutores, espectroscopia óptica, heteroestruturas quânticas, dispositivos optoeletrônicos, sistemas de comunicações ópticas e transmissão WDM de 10 e 40 Gb/s. Atuou recentemente como pesquisador da Fundação CPqD - Centro de Pesquisa e Desenvolvimento em Telecomunicações, onde realizou estudos de monitoração e antecipação tecnológica visando a identificação de oportunidades para a inovação e o atingimento de mercados do setor de telecomunicaçõ es. Envolveu-se na investigação das principais tendências tecnológicas das tecnologias da informação e comunicação (TICs). Mais recentemente, atuou como consultor na Associação Brasleira de Informática (ABINFO), na elaboração de projetos de P&D, visando aplicações em sistemas de iluminação e mostradores ou displays. Desde 2010, atua como pesquisador colaborador na pós-graduação na faculdade de energia elétrica na Unicamp. No biênio 2012-2013, foi professor do Centro Universitário Salesiano de São Paulo, em Campinas. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Mario Tosi Furtado
Nome em citações bibliográficas
FURTADO, M. T.


Formação acadêmica/titulação


1980 - 1985
Doutorado em Física.
Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, PUC-Rio, Brasil.
Título: Fotoluminescência em GaAs e GaAlAs entre 77 e 300 K, Ano de obtenção: 1985.
Orientador: Jean Pierre von der Weid.
Palavras-chave: semicondutores; fotoluminescência; propriedades ópticas; centros profundos; poços quânticos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
1975 - 1978
Mestrado em Física.
Université Paris Diderot, PARIS 7, França.
Título: Preparation et étude du fonctionement des dispositifs electroluminescents au GaN:Zn,Ano de Obtenção: 1978.
Orientador: D Calecki.
Palavras-chave: crescimento epitaxial; semicondutores; dispositivos optoeletrônicos; eletroluminscência.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Industria Eletro-Eletrônica.
1971 - 1974
Graduação em Física.
Université Paris Diderot, PARIS 7, França.




Formação Complementar


2005 - 2005
Formação de agentes de política industrial. (Carga horária: 16h).
Agência Brasileira de Desenvolvimento Industrial.
2004 - 2004
Gestão de projetos. (Carga horária: 40h).
Fundação Getulio Vargas - SP.
2003 - 2003
Project management office. (Carga horária: 16h).
Faculdade FIA de Administração e Negócios.
1991 - 1991
5th Brazilian School on Semiconductor Physics.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
1989 - 1989
4a Escola Brasileira de Física de Semicondutores. (Carga horária: 40h).
Universidade Federal de Minas Gerais.
1987 - 1987
3a Escola Brasileira de Física de Semicondutores. (Carga horária: 80h).
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
1987 - 1987
Semicondutores I: Caracterização de Heteroestrutur. (Carga horária: 40h).
Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, CNPEM, Brasil.
1985 - 1985
2a Escola Brasileira de Física de Semicondutores. (Carga horária: 80h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
1984 - 1984
Lasers Semicondutores e Dispositivos Optoeletrônic. (Carga horária: 40h).
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.


Atuação Profissional



Centro Universitário Salesiano São Paulo, UNISAL, Brasil.
Vínculo institucional

2012 - 2013
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.


Tosi Assessoria em Telecomunicãções Ltda, TOSI TELECOM, Brasil.
Vínculo institucional

2007 - 2009
Vínculo: Sócio, Enquadramento Funcional: Administrador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
A empresa é uma sociedade que tem como exploração o ramo de atividade de consultoria e assessoria em Tecnologias da Informação e Comunicação, telecomunicações e informática.


Fundação Centro de Pesquisa e Desenvolvimento em Telecomunicações, CPqD, Brasil.
Vínculo institucional

2006 - 2009
Vínculo: Contrato prestação de serviços, Enquadramento Funcional: Pesquisador de Telecomunicações, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Realização de estudos de monitoração e antecipação tecnológica visando identificar oportunidades de inovação e atingimento de mercados. Identificação das principais tendências tecnológicas para o setor de telecomunicações, baseadas em estudos prospectivos realizados no Brasil e no mundo. Analisar as possibilidades de evolução das principais tecnologias de informação e comunicação (TICs) nos próximos anos. Analisar as relações das TICs com os aspectos políticos, econômicos e sociais. Elaboração de roteiros estratégicos para a atuação tecnológica do CPqD. Atuação na coordenação de estudos e projetos multidisciplinares de interesse estratégico para o CPqD e para o Conselho Gestor do Funttel. Avaliar tecnologias que serão relevantes para atender necessidade do quadro setorial brasileiro. Atuação na coordenação de estudos e projetos multidisciplinares de interesse estratégico para o CPqD, para o Conselho Gestor do Funttel e outras entidades governamentais. Representação do CPqD em redes de articulação com outras instituições de P&D e agentes do Governo. Elaboração de metodologias e ferramentas para o planejamento, acompanhamento e avaliação de projetos de P&D.

Vínculo institucional

2003 - 2006
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador de Telecomunicações, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Atividades de prospecção tecnológica na área de telecomunicações como membro integrante da Diretoria de Gestão da Inovação no CPqD

Vínculo institucional

1985 - 2002
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador de Telecomunicações, Carga horária: 40

Atividades

5/1985 - 6/2002
Pesquisa e desenvolvimento , Diretoria de Comunicações Ópticas e Infraestrutura de Redes, .


Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, PUC-Rio, Brasil.
Vínculo institucional

1979 - 1985
Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Auxiliar de ensino e pesquisa, Carga horária: 40

Atividades

8/1979 - 5/1985
Pesquisa e desenvolvimento .

Linhas de pesquisa
Materiais semicondutores
8/1979 - 5/1985
Ensino,

Disciplinas ministradas
Laboratório de Física I
Laboratório de Física IV
Física IV
Laboratório de Física Moderna I
Laboratório de Física Moderna II
Laboratório de física Moderna III

Laboratoire d Electronique Et Physique Appliquée Phillips, LEP, França.
Vínculo institucional

1976 - 1978
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Pesquisador temporário, Carga horária: 40

Atividades

4/1976 - 10/1978
Pesquisa e desenvolvimento .


Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, CNPEM, Brasil.
Vínculo institucional

1998 - 2000
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.


Telebras Telecomunicações Brasileiras, TELEBRAS, Brasil.
Vínculo institucional

1985 - 1987
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: pesquisador, Regime: Dedicação exclusiva.



Linhas de pesquisa


1.
Dispositivos eletroluminescentes

Objetivo: Crescimento epitaxial e caracterização por medidas ópticas e elétricas de camadas de GaN dopadas com Zn. O estudo tinha como objetivo a optimização do crescimento epitaxila visando a fabricação de dispositivos eletroluminescentes com emissão no espectro visível, principalmente o azul..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Setores de atividade: Fabricação de Material Eletrônico Básico; Fabricação de Fibras, Fios, Cabos e Filamentos Contínuos, Artificiais e Sintéticos.
Palavras-chave: compostos III-V; centros profundos; eletroluminscência; dispositivos optoeletrônicos.
2.
Materiais semicondutores

Objetivo: Caracterização por medidas de fotoluminescência de camadas epitaxiais de materiais semicondutores baseados nos compostos III-V binários e ternários, como GaAs e GaAlAs..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Setores de atividade: Fabricação de Material Eletrônico Básico; Fabricação de Fibras, Fios, Cabos e Filamentos Contínuos, Artificiais e Sintéticos.
Palavras-chave: semicondutores; compostos III-V; espectroscopia óptica; fotoluminescência.
3.
Dispositivos optoeletrônicos

Objetivo: Modelamento e caracterização de dispositivos optoeletrônicos baseados em heteroestruturas quânticas tensionadas de ligas de compostos III-V ternários e quaternàrios. Fabricação de lasers com compensação da tensão biaxial e multiplos poços quânticos..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Fabricação de Material Eletrônico Básico.
Palavras-chave: crescimento epitaxial; ganho óptico; lasers semicondutores; compostos III-V.
4.
Optoeletrônica

Objetivo: Caracterização por medidas ópticas e elétricas de camadas binárias, tenárias e quaternárias de diversos compostos da família dos semicondutores III-V, visando a fabricação de dispositivos optoeletrônicos emissores lasers e LED, e fotodetectores..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Setores de atividade: Fabricação de Material Eletrônico Básico; Desenvolvimento de Novos Materiais.
Palavras-chave: materiais semicondutores; compostos III-V; fotoluminescência; optoeletrônica.
5.
Fotônica

Objetivo: Sistemas de comunicações ópticas WDM de altas taxas de ternsmissão de 10 Gb/s e 40 Gb/s. Caracetrização de de enlaces de fibras com compensação da dispersão e amplificação Raman visando o aumento da banda em redes ópticas. Estudo do chaveamento fotônico visando o aumento do transporte do tráfego e a capacidade em redes ópticas..
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações / Especialidade: Sistemas de Telecomunicações.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Correio e Telecomunicações; Desenvolvimento Urbano.
Palavras-chave: Chaveamento fotônico; Comunicações ópticas; dispersão cromática; Pacotes ópticos; Sistemas de transmissão DWDM; 40 Gb/s.
6.
Prospecção tecnológica

Objetivo: Realização de estudos de monitoração e antecipação tecnológica visando identificar oportunidades de inovação e atingimento de mercado. Identificação das principais tendências tecnológicas para o setor de telecomunicações, baseadas em estudos prospectivos realizados no Brasil e no mundo. Analisar as possibilidades de evolução das principais tecnologias de informação e comunicação (TICs) nos próximos anos. Analisar as relações das TICs com os aspectos políticos, econômicos e sociais. Elaboração de roteiros estratégicos para a atuação tecnológica do CPqD. Atuação na coordenação de estudos e projetos multidisciplinares de interesse estratégico para o CPqD e para o Conselho Gestor do Funttel. Avaliar tecnologias que serão relevantes para atender necessidade do quadro setorial brasileiro. Atuação na coordenação de estudos e projetos multidisciplinares de interesse estratégico para o CPqD, para o Conselho Gestor do Funttel e outras entidades governamentais. Representação do CPqD em redes de articulação com outras instituições de P&D e agentes do Governo. Elaboração de metodologias e ferramentas para o planejamento, acompanhamento e avaliação de projetos de P&D. .
Grande área: Ciências Humanas / Área: Ciência Política.
Grande Área: Ciências Humanas / Área: Ciência Política / Subárea: Políticas Públicas.
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações.
Setores de atividade: Informacao e Gestao C&T; Correio e Telecomunicações.
Palavras-chave: politicas publicas; gestão de projetos; telecomunicações.


Projetos de pesquisa


2004 - 2009
Projeto Cenários Tecnológicos de Telecomunicações
Descrição: Conjunto de estudos de prospecção tecnológica para servir como suporte à tomada de decisões no setor de telecomunicações. Estes estudos indicarão oportunidades de pesquisa e desenvolvimento tecnológico no país, avaliando o potencial de sua produção local e a sua relação com os aspectos econômicos e sociais do brasil..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2003 - 2004
Projeto KyaTera
Descrição: Laboratório associado ao Programa TIDIA (Information Technology in the Development of Advanced Internet) da Fapesp, de redes ópticas DWDM e TDM, operando em altas taxas de transmissão de 40 Gb/s, com compensação da dispersão e PMD, e interfaces eletro-ópticas de 40 Gb/s..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2000 - 2002
Sistemas de Pacotes Ópticos em Redes WDM
Descrição: Projeto de P&D em sistemas de pacotes ópticos para redes de comunicações ópticas multiplexadas por divisão de comprimento de onda WDM (Wavelegth Division Multiplexing)..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
1995 - 1996
Projeto Transceptor de Alta Velocidade
Descrição: P&D de dispositivos optoletrônicos baseados em hetroestruturas quânticas visando a integração de um laser e um modulador num transceptor de alta velocidade para aplicação em sistemas de comunicações ópticas..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
1992 - 1994
Pesquisa Aplicada em Integração Optoeletrônica
Descrição: P&D de componentes e dispositivos opteletronicos com viabilidade de integração num mesmo chip. O projeto dividiu-se nos subprojetos de circuito opeletrônico integrado OEIC com um fotodetetor e um amplificador transimpedancia, a integração fotonica e um dispositivo laser baseado em heteroestrutura quântica..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
1988 - 1991
Laser e fotodetecor de fosfeto de indio
Descrição: P&D de dispositivos optoeletrônicos baseados nas ligas ternárias e quaternárias dos compostos III-V do fosfeto de indio. O projeto abordou o crescimento epitaxial na fase liquida LPE e na fase vapor de organometálicos MOCVD, e a caracterização de heteroestrutras quanticas e quaternárias..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
1985 - 1987
Laser de Arseneto de Galio
Descrição: Pesquisa e desenvolvimento de dispositivos lasers semicondutores para aplicação em sistemas de comunicações ópticas na região do espectro infra-vermelho em 0,8 micrometros..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.


Projetos de desenvolvimento


1998 - 2000
Projeto Laser da Alta Potencia com Emissão em 800 a 1000 nm
Descrição: Projeto de P&D em lasers de alta potencia com emissão na região espectral no infra-vermelho, de 800 até 1000 nm, baseados em heteroestruturas tensionadas dos materiais compostos III-V, GaAs/InGaAsP/InGaP. Projeto ralizado no âmbito do convênio da LNLS/ABTLuS e a Fundação CPqD..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.


Revisor de periódico


2005 - Atual
Periódico: Cadernos CPqD Tecnologia
1995 - 2000
Periódico: Revista de Física Aplicada e Instrumentação


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
3.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações/Especialidade: Sistemas de Telecomunicações.
4.
Grande área: Ciências Humanas / Área: Ciência Política / Subárea: Políticas Públicas/Especialidade: Técnicas de Antecipação.
5.
Grande área: Ciências Humanas / Área: Ciência Política / Subárea: Políticas Públicas.
6.
Grande área: Ciências Humanas / Área: Ciência Política.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Francês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
GALDINO, L.2013GALDINO, L. ; MARANHAO NETO, J. ; FURTADO, M. T. ; BONANI, L. H. ; SIMOES, F. D. ; MOSCHIM, E. . Evolution of hybrid WDM/OCDM technology in OBS networks with optical code and wavelength conversion. Photonic Network Communications, v. 25, p. 47, 2013.

2.
FURTADO, M. T.2012FURTADO, M. T.. Modelo adiabático da atmosfera terrestre compatível com o aquecimento global e o efeito estufa. Revista Brasileira de Ensino de Física (Online), v. 34, p. 3310-2, 2012.

3.
ROCHA, M. L.2006ROCHA, M. L. ; FURTADO, M. T. ; BARROS, M. R. X. ; ROSSI, S. M. ; SIMOES, F. D. ; ARRADI, R. ; HORIUCHI, M. R. . Impact of 10 Gb/s legacy equipment on 40 Gb/s transmission in metropolitan networks. Journal of Microwaves and Optoelectronics, v. 5, p. 111-126, 2006.

4.
FURTADO, M. T.2005FURTADO, M. T.; ROCHA, M. L. ; ROSSI, S. M. ; BARROS, M. R. X. ; ROSOLEM, J. B. ; HORIUCHI, M. R. ; ARRADI, R. . Effective penalty reduction in an L-band WDM system using hybrid amplifier with a dispersion compensating module. Journal of Optical Communications, Alemanha, v. 26, n.2, p. 50-55, 2005.

5.
FURTADO, M. T.2005FURTADO, M. T.; ROCHA, M. L. ; HORIUCHI, M. R. ; BARROS, M. R. X. ; ROSSI, S. M. ; SIMOES, F. D. ; ARRADI, R. . Transmissão 4x40 Gb/s por diferentes tipos de fibra e resíduos de dispersão com aproveitamento do legado tecnológico de 10 Gb/s. Revista IEEE América Latina, v. 3, n.4, p. 323-331, 2005.

6.
FURTADO, M. T.2005FURTADO, M. T.; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; LOURAL, C. A. . Prospecção tecnológica e principais tendências em telecomunicações. Cadernos CPQD Tecnologia, v. 1, p. 7-27, 2005.

7.
ROCHA, M. L.2004ROCHA, M. L. ; FURTADO, M. T. ; HORIUCHI, M. R. ; ROSOLEM, J. B. ; SIMOES, F. D. ; BARROS, M. R. X. ; ROSSI, S. M. . 40 Gb/s short reach transmission in normal dispersion regime using an erbium doped waveguide amplifier. Microwave and Optical Technology Letters, Estados Unidos, v. 43, n.5, p. 419-423, 2004.

8.
BARBOSA, F. R.2002BARBOSA, F. R. ; SACHS, A. C. ; FURTADO, M. T. ; ROSOLEM, J. B. . Optical packet switching: generation, transmission and recovery demonstration using a frequency tone header. Revista da Sociedade Brasileira de Telecomunicações, v. 17, n.1, p. 26-29, 2002.

9.
PEREIRA JR, M. F.2002PEREIRA JR, M. F. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . Many particle theory for the luminescence, characterization and simulation of quantum well structures. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 32, n.2A, p. 386-388, 2002.

10.
CARVALHO JR, W.2000CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . Impact of growth rate on the quality of ZNS-MQW InGaAsP/InP laser structures grown by LP-MOVPE. Journal of Electronic Materials, Estados Unidos, v. 29, n.01, p. 62-68, 2000.

11.
CARVALHO JR, W.1999CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. . Morphological, optical and structural properties of zero-netstrained InGaAsP/InP structures grown by LP-MOVPE for 1.55um laser aplications. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 29, n.04, p. 839-842, 1999.

12.
BERNUSSI, A. A.1999BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . Strain and relaxation processes in InGaAsP/InP single quantum wells grown by LP-MOVPE. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 29, n.04, p. 746-750, 1999.

13.
BERNUSSI, A. A.1999BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . Photoluminescence microscopy imaging of tensile strained InGaAsP/InP quantum wells grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 86, n.01, p. 402-407, 1999.

14.
CARVALHO JR, W.1999CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . Strained InGaAsP/InP quantum well heterostructures grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Materials Research, Brasil, v. 2, n.2, p. 49-57, 1999.

15.
FURTADO, M. T.1998FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . High quality strained InGaAsP/InGaAsP/InP multiquantum well lasers for 1.55um emission grown by MOVPE. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, Brasil, v. 13, n.3, p. 50-59, 1998.

16.
FURTADO, M. T.1997FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; MACHADO, A. M. ; JOMORI, K. . Differential gain analysis of InGaAs/InGaAsP/InP multiquantum well lasers with 1.55um emission wavelength. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 27, n.4, p. 456-463, 1997.

17.
FURTADO, M. T.1997FURTADO, M. T.; MANGANOTE, E. J. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. ; STEINHAGEN, F. ; JANNING, H. ; BURKHARD, H. . InGaAs/AlGaInAs/InP laser with compressively strained multiquantum well layers for high speed modulation bandwidth. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 27, n.4, p. 411-416, 1997.

18.
FURTADO, M. T.1996FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; COGHI, C. M. A. ; MANGANOTE, E. J. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. . Evaluation of the differential gain in 1.55um multiquantum well lasers from the threshold current density. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, Brasil, v. 11, n.4, p. 142-150, 1996.

19.
LOURAL, M. S. S.1996LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; SACILOTTI, M. A. . Investigation of interface grading in MOVPE grown GaAs/GaAlAs quantum well heterostructures using photoluminescence measurements. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, Brasil, v. 11, n.2, p. 84-96, 1996.

20.
LOURAL, C. A.1994LOURAL, C. A. ; FURTADO, M. T. . Interconexões ópticas: conceitos e aplicações. Revista Telebrás, Brasil, v. 18, n.61, p. 110-129, 1994.

21.
FURTADO, M. T.1994FURTADO, M. T.. Modelling of 1.55um InGaAs/InP multiquantum well lasers. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 24, n.1, p. 466-472, 1994.

22.
FURTADO, M. T.1994FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. . Analytical expressions for interdiffusion coefficients in quantum well heterostructures. Brazilian Journal of Physics, Brasil, v. 24, n.1, p. 209-213, 1994.

23.
FURTADO, M. T.1993FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. . Direct evaluation of interdiffusion coefficients in quantum well heterostructures using photoluminescence. Superlattices and Microstructures, Reino Unido, v. 14, n.1, p. 21-25, 1993.

24.
FURTADO, M. T.1992FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SATO, E. A. ; SACILOTTI, M. A. . Impurity induce disorder in strained InGaAs/GaAs quantum wells by Zn diffusion and thermal annealing. Semiconductor Science and Technology, Grâ-Bretanha, v. 7, p. 744-751, 1992.

25.
SACILOTTI, M.1992SACILOTTI, M. ; MOTISUKE, P. ; MONTEIL, Y. ; ABRAHAM, P. ; IIKAWA, F. ; MONTES, C. ; FURTADO, M. T. ; HORIUCHI, L. ; LANDERS, R. ; MORAIS, J. ; CARDOSO, L. ; DECOBERT, J. ; WALDMAN, B. . Growth and characterization of type-II/type-I AlGaInAs/InP interfaces. Journal of Crystal Growth, Holanda, v. 124, p. 589-595, 1992.

26.
FURTADO, M. T.1991FURTADO, M. T.; SATO, E. A. ; SACILOTTI, M. A. . Enhancement of compositional disordering in strained InGaAs/GaAs quantum wells by Zn diffusion. Superlattices and Microstructures, Grâ-Bretanha, v. 10, n.2, p. 225-230, 1991.

27.
DECOBERT, J.1990DECOBERT, J. ; HORIUCHI, L. K. ; MACHADO, A. ; LOURAL, M. S. ; LAMAS, A. ; FURTADO, M. T. ; BRANDÃO, J. C. M. ; SACILOTTI, M. . Otimização de um sistema MOCVD para crescimento de semicondutores com interfaces abruptas. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Brasil, v. 9, n.2, p. 104-108, 1990.

28.
FURTADO, M. T.1989FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SACHS, A. C. ; SHIEH, P. J. . Band offset in GaAlAs and InGaAs:InP heterojunctions by electrochemical CV profiling. Superlattices and Microstructures, Grâ-Bretanha, v. 5, n.4, p. 507-510, 1989.

29.
FURTADO, M. T.1987 FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SACHS, A. C. . Measurement of conduction band offsets in GaAlAs:GaAlAs heterojunctions by electrochemical C-V profiling. Journal of Applied Physics, Estados Unidos, v. 62, n.12, p. 4926-4928, 1987.

30.
FURTADO, M. T.1985 FURTADO, M. T.; WEID, J. P. V. D. . Photoluminescence measurements of the 1.55eV band of Ge doped AlGaAs. Solid State Communications, Grã-Bretanha, v. 54, n.3, p. 233-237, 1985.

31.
FURTADO, M. T.1983FURTADO, M. T.; JACOB, G. . Study on the influence of annealing effects in GaN VPE. Journal of Crystal Growth, Holanda, v. 64, p. 257-267, 1983.

32.
FURTADO, M. T.1979FURTADO, M. T.; BOULOU, M. ; JACOB, G. ; BOIS, D. . Recombination mechanism in GaN:Zn. Journal of Luminescence, Holanda, v. 18/19, p. 767-770, 1979.

33.
JACOB, G.1978JACOB, G. ; BOULOU, M. ; FURTADO, M. T. ; BOIS, D. . Gallium nitride emitting devices: preparation and properties. Journal Of Electronic Materials, Estados Unidos, v. 7, n.4, p. 499-514, 1978.

34.
FURTADO, M. T.1977FURTADO, M. T.; BOULOU, M. ; JACOB, G. . Light-emitting diodes based on GaN. Philips Technical Review, Eindhoven, v. 37, n.9/10, p. 237-240, 1977.

35.
JACOB, G.1977JACOB, G. ; BOULOU, M. ; FURTADO, M. T. . Effect of growth parameters on the properties of GaN:Zn epilayers. Journal of Crystal Growth, Holanda, v. 42, p. 136-143, 1977.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
FURTADO, M. T.. Modelo adiabático da atmosfera terrestre. 1. ed. Saarbrucken: Novas edições acadêmicas, 2013. v. 1. 46p .

Capítulos de livros publicados
1.
FURTADO, M. T.; BORDEAUXRÊGO, A. C. ; LOURAL, C. A. . Tendências Tecnológicas nas Telecomunicações. In: Luiz Antonio Cruz Caruso. (Org.). Setor de Telecomunicações - Série de Estudos Setoriais. Brasília: CNI/SENAI, 2005, v. 4, p. 35-79.

2.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. . Impurity induced disorder in InGaAs/GaAs quantum well heterostructures. In: Hans Neber-Aeschbacher. (Org.). Defect and Diffusion Forum. Uetikon-Zuerich: Trans Tech Publications, 1995, v. 127-12, p. 9-38.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
GALDINO, L. ; MARANHAO NETO, J. ; FURTADO, M. T. ; MOSCHIM, E. ; BONANI, L. H. ; DURAND, F. R. . Impact of MAI on the performance of WDM/OCDM OBS networks using 2D wavelength hopping and time spreading optical codes. In: 34th Sarnoff Symposium, 2011, Princeton. IEEE Microwave Magazine, 2011. p. 1-5.

2.
GALDINO, L. ; MARANHAO NETO, J. ; FURTADO, M. T. ; MOSCHIM, E. ; BONANI, L. H. ; DURAND, F. R. . Sparse partial optical code and wavelength conversions architecture in hybrid WDM/OCDM OBS networks. In: 18th International Conference on Telecommunications, 2011. Sparse partial optical code and wavelength conversions architecture in hybrid WDM/OCDM OBS networks, 2011. p. 233-237.

3.
LOURAL, C. A. ; FURTADO, M. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; Salles Filho, S.L.M. ; Ferreira, C.R. . Prospecção tecnológica em telecomunicações e cenários políticos alternativos: uma avaliação. In: XXIV Simpósio de Gestão da Inovação Tecnológica, 2006, Gramado. XXIV Simpósio de Gestão da Inovação Tecnológica da ANPAD, 2006.

4.
ROCHA, M. L. ; FLORIDIA, C. ; OLIVEIRA, J. C. R. F. ; SIMOES, F. D. ; BARROS, M. R. X. ; FURTADO, M. T. ; ROSSI, S. M. ; ROSOLEM, J. B. . Caracterização de amplificadores ópticos para aplicações DWDM. In: XXII Simpósio Brasileiro de Telecomunicações, 2005, Campinas. Anais do XXII Simpósio Brasleiro de Telecomunicações SBrT'05, 2005. p. 1077-1082.

5.
ROCHA, M. L. ; FURTADO, M. T. ; HORIUCHI, M. R. ; ROSOLEM, J. B. ; SIMOES, F. D. ; BARROS, M. R. X. ; ROSSI, S. M. . Single channel transmission of NRZ 40 Gb/s through G652, G653 and G655 fibres for short reach applications. In: International Microwave and Optoelectronics Conference, 2003. Proceedings of the IMOC, 2003. v. III. p. MoM08.

6.
BONANI, L. H. ; FURTADO, M. T. ; MOSCHIM, E. ; BARBOSA, F. R. . Analysis of optical packet switching performance with spatial contention resolution for optical access networks. In: IASTED International Conference Communications Systems and Networks, 2003, Málaga. Proceedings IASTED International Conference CSN 2003, 2003.

7.
BARBOSA, F. R. ; SACHS, A. C. ; FERREIRA, R. S. ; FURTADO, M. T. . New photonic system for optical packet switching. In: 6th World Multiconference on Systemics, Cybernetics and Informatics, 2002, Orlando. Proceedings of SCI 2002, 2002.

8.
BARBOSA, F. R. ; SACHS, A. C. ; FERREIRA, R. S. ; FURTADO, M. T. . Optical packet switching: new system for packet generation and highly selective header recognition. In: International Telecommunications Symposium ITS 2002, 2002, Natal. Proceedings of the ITS 2002, 2002.

9.
BONANI, L. H. ; SACHS, A. C. ; FURTADO, M. T. ; MOSCHIM, E. ; YAMAKAMI, A. . Optical network analysis under nonuniform traffic distribution. In: International Telecommunications Symposium ITS 2002, 2002, Natal. Proceedings of the ITS 2002, 2002.

10.
BONANI, L. H. ; SACHS, A. C. ; FURTADO, M. T. ; MOSCHIM, E. ; YAMAKAMI, A. . Non-uniformly distributed traffic analysis of optical networks with optical packet switching functionalities. In: Simpósio Brasleiro de Microondas e Opteletrônica, 2002, Recife. Anais do X SBMO 2002. Recife: Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica, 2002. p. 163-167.

11.
BARROS, M. R. X. ; ROCHA, M. L. ; FURTADO, M. T. ; ROSOLEM, J. B. ; HORIUCHI, M. R. ; SANTOS, M. A. D. ; PEREIRA, J. S. ; FERNADES, L. F. C. ; D'AMICO, C. . Experimental demonstration and numerical simulations of 16x10 Gb/s DWDM repeaterless transmission systems with residual dispersion. In: SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronic Conference, 2001, Belém. Proceedings of the 2001SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronic Conference. Piscataway, NJ, USA: IEEE, 2001. p. 545-547.

12.
BARBOSA, F. R. ; SACHS, A. C. ; FURTADO, M. T. ; ROSOLEM, J. B. . Optical packet switching: a transmission and recovery demsontration using an SCM header. In: XIX Simpósio Brasileiro de Telecomunicações, 2001, Fortaleza. Proceedings do SBrT-2001. Fortaleza: Sociedade Brasileira de Telecomunicações, 2001.

13.
BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . Imaging studies of strained InGaAs/InP heterostructures by photoluminescence microscopy. In: 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1999, Davos. Conference Proceedings IPRM 99. Piscataway NJ-USA: IEEE, 1999. p. 523-526.

14.
FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. . Compressively strained InGaAsP/InGaAsP/InP multiquantum well lasers emitting at 1.55um grown by MOCVD. In: XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998, Caxambú. Anais de Óptica. Campinas: Universidade Estadual de Campinas, 1998. p. 300-304.

15.
FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; MACHADO, A. M. ; JOMORI, K. . Filamentation effects on measurements of the differential gain in MQW broad area lasers. In: Symposium on Lasers and Their Applications SLA97, 1997, Campinas. Proceedings SLA 97. Campinas: UNICAMP-IFGW, 1997. p. 310-313.

16.
MANGANOTE, E. J. T. ; FURTADO, M. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; STEINHAGEN, F. ; JANNING, H. ; BURKHARD, H. . Evaluation of the differential gain and nonlinear gain coefficient in InGaAs/AlGaInAs/InP strained MQW lasers. In: Symposium on Lasers and Their Applications, 1997, Campinas. Proceedings SLA 97. Campinas: UNICAMP-IFGW, 1997. p. 318-321.

17.
MANGANOTE, E. J. ; FURTADO, M. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; STEINHAGEN, F. ; JANNING, H. ; BURKHARD, H. . Lasers de InGaAs/AlGaInAs/InP com camadas tensionadas compressivamente para comunicações ópticas com altas taxas de transmissão. In: XX Encontro de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Anais de Óptica. Belo Horizonte: UFMG, 1997. p. 249-252.

18.
FURTADO, M. T.; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; GOBBI, A. L. . Heteroestruturas quânticas tensionadas para dispositivos lasers com aplicações em telecomunicações. In: Semana de Optoeletrônica (SEMOPTO 97), 1997, Santa Rita do Sapucaí. Anais da SEMOPTO 97. Santa Rita do Sapucaí: INATEL, 1997. p. 91-103.

19.
BORDEAUXRÊGO, A. C. ; MANGANOTE, E. J. T. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GIANSANTE, M. ; AMORIM, A. . Determinação dos parâmetros intrínsecos de lasers semicondutores através da resposta em frequência. In: VII Simpósio Brasileiro de Microondas e Optoeletrônica, 1996, Curitiba. Anais da TELEMO. Curitiba: Sociedade Brasileira de Micoondas e Optoeletrônica, 1996. v. 2. p. 999-1004.

20.
DECOBERT, J. ; HORIUCHI, L. K. ; SACILOTTI, M. A. ; LOURAL, M. S. S. ; LAMAS, A. C. ; FURTADO, M. T. . MOVPE reactor with flow mixer for sharp GaAs/GaAlAs interfaces with uniform layer thicknesses. In: First International conference on Epitaxial Growth, 1991, Budapeste. Crystal Properties and Preparation. Suiça: Trans Tech Publications, 1990. v. 32-4. p. 508-513.

21.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SATO, E. A. ; SACILOTTI, M. A. . Investigation ot thermal interdiffusion in InGaAs/GaAs strained quantum wells by Zn diffusion. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1991, Aguas de Lindoia. 5th Brazilian School Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1991. p. 409-413.

22.
FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; CAUMO, J. R. ; OLIVEIRA, W. J. C. . Photoluminescence of InGaAsP layers grown by LPE. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1991, Aguas de Lindóia. 5th Brazilian School Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1991. p. 414-418.

23.
FURTADO, M. T.; CONFORTO, E. ; LOURAL, M. S. S. ; MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. . Characterization of deep radiative levels in GaAlAs grown by MOVPE. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1990, Belo Horizonte. Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Songapore: World Scientific, 1989. p. 293-295.

24.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SATO, E. A. ; SACILOTTI, M. A. . Optical investigation of Zn doping in pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells. In: Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, 1990, Belo Horizonte. Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific, 1989. p. 296-299.

25.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SACHS, A. C. . Measurement of band gap offsets in GaAlAs isotype heterojunctions by C-V profiling. In: Third Brazilian School of Semiconductor Physics, 1988, Campinas. Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific Publishing Co, 1987. p. 73-78.

26.
FURTADO, M. T.; WEID, J. P. V. D. . Phonon interaction of 1.55eV emission in AlGaAs. In: third Brazilian School of Semiconductor Physics, 1988, Campinas. Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific Publishing Co, 1987. p. 126-131.

27.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SACHS, A. C. ; CARVALHO JR, W. . Photoluminescence and C-V profiling characterization of III-V semiconductor layers employed in optical communications systems. In: Third Brazilian School of Semiconductor Physics, 1988, Campinas. Current Topics on Semiconductor Physics. singapore: World Scientific Publishing Co, 1987. p. 249-254.

28.
CONFORTO, E. ; LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. . Catodoluminescência e fotoluminescência de camadas epitaxiais de GaAlAs crescidas por MOCVD: estudo de centros radiativos. In: Simpósio Brasileiro de Microscopia Eletrônica e Técnicas Associadas na Pesquisa de Materiais, 1988, São Paulo. Anais do Micromat 88. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica, 1988. p. 145-148.

29.
LOURAL, M. S. S. ; CONFORTO, E. ; FURTADO, M. T. ; MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. . Caracterização de poços quânticos por catodoluminescência. In: Simpósio Brasileiro de Microscopia Eletrônica e Técnicas Associadas na Pesquisa de Materiais, 1988, São Paulo. Anais do Micromat 88. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica, 1988. p. 149-152.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . High quality strain compensated InGaAsP/InGaAsP/InP multiquantum well lasers for 1.55um emission. In: XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1999, São Lourenço. Resumos do XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. p. 446-447.

2.
FURTADO, M. T.; CARVALHO JR, W. ; MACHADO, A. M. ; JOMORI, K. . Differential gain analysis of InGaAs/InGaAsP/InP multiquantum well lasers with 1.55um emission wavelength. In: 8th Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Águas de Lindóia. Program and Abstracts 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. São Paulo: Socideade Brasileira de Física, 1997. p. MO29.

3.
FURTADO, M. T.; MANGANOTE, E. J. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; STEINHAGEN, F. ; JANNING, H. ; BURKHARD, H. . InGaAs/AlGaInAs/InP laser with compressively strained MQW layers for high speed modulation bandwith. In: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Águas de Lindóia. Program and Abstracts 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. p. TU19.

4.
PARADISI, A. ; FURTADO, M. T. ; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; MANGANOTE, E. J. T. ; AMARAL NETO, R. . Semiconductor optoelectronic device modeling at CPqD/TELEBRÁS. In: Second International Conference on Physics and Industrial Development: Bridging the Gap, 1996, Belo Horizonte. Second International Conference on Physics and Industrial Development: Bridging the Gap Abstracts. Belo Horizonte: UFMG, 1996. p. PB02.

5.
LOURAL, M. S. S. ; LAMAS, A. C. ; FURTADO, M. T. . Efeitos dde difusão de Zn e temperatura em estruturas quânticas de InGaAs/InGaAsP para dispositivos optoeletrônicos. In: II Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais, 1995, São José dos Campos. II Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais. São José dos Campos: Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais, 1995. p. 36.

6.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. . Analytic expressions for interdiffusion coefficients in quantum well heterostructures. In: 6th Brazilian School of Semiconductor Physics, 1993, São Carlos. Abstracts 6th Brazilian School of Semiconductor Physics. São Carlos: USP, 1993. p. 60.

7.
FURTADO, M. T.. Modelling of 1.55um multiquantum well lasers. In: 6th Brazilian School of Semiconductor Physics, 1993, São Carlos. Abstracts 6th Brazilian School of Semiconductor Physics. São Carlos: USP, 1993. p. 81.

8.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. . Direct evaluation of interdiffusion coefficients in quantum well heterostructures from photoluminescence measurements. In: Sixth International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1992, Sian. Abstracts ICSMM-6. Sian: Chinese Academy of Science, 1992. p. WeP12.

9.
FURTADO, M. T.; SATO, E. A. ; SACILOTTI, M. A. . Enhancement of compositional disordering in strained InGaAs/GaAs QWs by Zn diffusion. In: Fifth International Conference on Superlattices and Microstructures, 1990, Berlin. Abstracts ICSM 90. Berlin: Humboldt Universitat, 1990. p. MoP13.

10.
DECOBERT, J. ; HORIUCHI, L. K. ; MACHADO, A. ; LOURAL, M. S. ; LAMAS, A. ; FURTADO, M. T. ; BRANDÃO, J. C. M. ; SACILOTTI, M. . Otimização de um sistema MOCVD para crescimento de semicondutores com interfaces abruptas. In: X Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência CBRAVIC, 1989, São José dos Campos. Resumo de Trabalhos do CBRAVIC. São José dos Campos: Sociedade Brasileira de Vácuo, 1989. p. 77.

11.
LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; LAMAS, A. C. ; HORIUCHI, L. K. ; DECOBERT, J. ; SACILOTTI, M. A. . Effects of interface abruptness and Al composition in the barriers on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum well structures. In: Conference on Superlattices, Quantum Wells and the MBE Technology, 1989, Brasilia. Program and Abstracts Conference on Superlattices, Quantum Wells and MBE Technology. Brasilia: Universidade de Brasília, 1989. p. 29.

12.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SATO, E. A. ; HORIUCHI, L. K. ; SACILOTTI, M. A. ; VIEIRA, L. C. . Intermixing of InGaAs/GaAs strained layer quantum wells by Zn diffusion. In: Conference on Superlattices, quantum Wells and MBE Technology, 1989, Brasilia. Program and Abstracts Conference on Superlattices, Quantum Wells and MBE Technology. Brasilia: Universidade de Brasilia, 1989. p. 43.

13.
MACHADO, A. ; LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; LAMAS, A. ; JOMORI, K. ; BERNUSSI, A. ; BRASIL, M. J. ; MOTISUKE, P. ; MORAIS, J. ; LANDERS, R. ; GIANSANTE, M. ; LOURAL, C. A. ; SACILOTTI, M. A. ; BORDEAUX, A. C. . Crescimento de compostos III-V pelo método dos organometálicos: desenvolvimentos recentes. In: 4a Escola Brasileira de Física de Semicondutores, 1989, Belo Horizonte. Resumos dos Trabalhos. Belo Horizonte: UFMG, 1989. p. 6.

14.
LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; MACHADO, A. ; SACILOTTI, M. . Caracterização de poços quânticos crescidos por MOVPE. In: 4a Escola Brasileira de Física de Semicondutores, 1989, Belo Horizonte. Resumos dos Trabalhos. Belo Horizonte: UFMG, 1989. p. 11.

15.
FURTADO, M. T.; LAMAS, A. ; LOURAL, M. S. S. ; CAUMO, J. R. ; CARVALHO JR, W. . Fotoluminescência em heteroestruturas duplas de InGaAsP/InP crescidas por LPE. In: 4a Escola Brasileira de Física de Semicondutores, 1989, Belo Horizonte. Resumo dos Trabalhos. Belo Horizonte: UFMG, 1989. p. 19.

16.
LOURAL, M. S. ; SATO, E. A. S. ; LIMA, R. S. ; SHIEH, P. J. ; LAMAS, A. C. ; FURTADO, M. T. ; MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. . Estudo de perfil de difusão de Zn em camadas ternárias de InGaAs pela técnica de C-V eletroquímico. In: 4a Escola Brasileira de Física de Semicondutores, 1989, Belo Horizonte. Resumo dos Trabalhos. Belo Horizonte: UFMG, 1989. p. 78.

17.
FURTADO, M. T.; LOURAL, M. S. S. ; SACHS, A. C. ; SHIEH, P. J. . Band offset in GaAlAs and InGaAs:InP heterojunctions by electrochemical CV profiling. In: 4th International conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1988, Trieste. Booklet of Abstracts. Trieste: International Centre forTheoretical Physics, 1988. p. 115.

18.
MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. ; LOURAL, M. S. S. ; CONFORTO, E. ; FURTADO, M. T. . Poços quânticos de GaAs/GaAlAs: crescimento epitaxial MOCVD e caracterização óptica. In: XI Encontro Nacional de Física da Matéria condensada, 1988, Caxambú. Programas e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de física, 1988. p. 148.

19.
CONFORTO, E. ; LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; MACHADO, A. M. ; SACILOTTI, M. A. . Investigação de centros radiativos em GaAlAs MOCVD por medidas de fotoluminescência e catodoluminescência. In: XI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1988, Caxambú. Programas e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1988. p. 239.

20.
LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; SACHS, A. C. ; SHIEH, P. J. . Utilização da técnica C-V eletroquímico e sua influência nas medidas da descontinuidade da banda de condução em heterojunções InGaAs:InP e GaAlAs:GaAlAs. In: XI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1988, Caxambú. Programas e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1988. p. 240.

21.
LOURAL, M. S. S. ; FURTADO, M. T. ; SACHS, A. C. ; MOTISUKE, P. . Caracterização de camadas de GaAs/GaAlAs por CxV eletroquímico conjugado a fotoluminescência a baixa temperatura. In: IX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1986, Poços de Caldas. Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1986. p. 65.

22.
FURTADO, M. T.. Fotoluminescência em compostos III-V. In: IX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1986, Poços de Caldas. Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1986. p. 190.

23.
FURTADO, M. T.; MONTESINOS, H. R. ; WEID, J. P. V. D. . Fotoluminescência em camadas epitaxiais de GaAlAs dopadas com sn a baixas temperaturas. In: IX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1986, Poços de Caldas. Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1986. p. 192.


Produção técnica
Processos ou técnicas
1.
BARBOSA, F. R. ; SACHS, A. C. ; FURTADO, M. T. . International patent application: apparatus, system and method for optical packet switching using a frequency header. 2002.

Trabalhos técnicos
1.
FURTADO, M. T.. Telecomunicações rurais banda larga sem fio. 2009.

2.
FURTADO, M. T.. Roadmap de tecnologias em comunicações ópticas. 2008.

3.
FURTADO, M. T.; LOURAL, C. A. . Perspectivas para o micro-comercio em redes celulares 3G. 2006.

4.
LOURAL, C. A. ; FURTADO, M. T. ; BORDEAUXRÊGO, A. C. G. ; Ogushi . Perspectivas do setor de telecomunicações. 2005.

5.
FURTADO, M. T.. Analise das trajetórias tecnológicas dominantes no Projeto Europeu Fistera. 2004.

6.
FURTADO, M. T.. Analise das tendências tecnológicas dominantes em telecomunicações nos próximos 10 anos. 2003.

7.
FURTADO, M. T.. Implementação de programas de P&D mobilizadores. 2003.

8.
FURTADO, M. T.; SACHS, A. C. ; BARBOSA, F. R. . Sistemas de pacotes ópticos em redes WDM. 2000.

9.
CARVALHO JR, W. ; FURTADO, M. T. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . Desenvolvimento de lasers de alta potência com emissão na região espectral de 800 a 1000nm baseados em heteroestruturas de GaAs/InGaAsP/InGaP. 1998.

10.
FURTADO, M. T.. Sub-projeto laser DFB de baixo chirp. 1995.

11.
FURTADO, M. T.. Projeto pesquisa aplicada em integração optoeletrônica. 1992.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
BARBOSA, F. R.; FURTADO, M. T.; IANO, Y.. Participação em banca de Mauricio López Bonilla. Analise crítica de plataformas GPON e EPON para aplicação em redes ópticas de acesso de alta capacidade. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

2.
MOSCHIM, E.; FURTADO, M. T.; MARTINEZ, M. A. G.; KRETLY, L. C.; DAMIANI, F.. Participação em banca de Décio Maia Júnior. Desenvolvimento de nós de chaveamento de pacotes ópticos para aplicação em redes metropolitanas de acesso. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

3.
MOSCHIM, E.; PARADISI, A.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de Jaime Alexandre Mantiuso. Proposta de um ambiente de simulação no domínio de fluxo de dados contínuos. 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

4.
PATEL, N. B.; CARVALHO, M. G.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de José Fernando Trevisan Giglio. Um estudo de laser com perfil de ganho invertido (LPGI). 1991. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

5.
WEID, J. P. V. D.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de Ricardo Marques Ribeiro. Caracterização de poços quânticos de AlGa As/AlGaAs por fotoluminescência. 1989. Dissertação (Mestrado em Física) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

6.
MENEZES, E.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de César Curvello de Mendonça. Caracterização óptica de epitaxia MBE de GaAs e éxciton ligado ao aceitador estanho em LPE GaAs:Sn. 1987. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

7.
WEID, J. P. V. D.; CARMO, L. S.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de Hector Romero Montesinos. Estudo de camadas epitaxiais de GaAlAs à baixas temperaturas. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Teses de doutorado
1.
Careli César; WALDMAN, H.; FURTADO, M. T.; ROMERO, M.; GIRALDI, M. T. M. R.. Participação em banca de Helvécio Moreira de Almeida Neto. Arquiteturas de nós e engenharia de tráfego em redes ópticas. 2009. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

2.
MOSCHIM, E.; Careli César; FURTADO, M. T.; BONANI, L. H.; BARBOSA, F. R.; DAMIANI, F.. Participação em banca de Fábio Renan Durand. Contribuições ao estudo de redes ópticas híbridas WDM/OCDM. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica - UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas.

3.
MOSCHIM, E.; DAMIANI, F.; ROCHA, M. L.; FURTADO, M. T.; WALDMAN, H.; Von Zuben. Participação em banca de Luiz Henrique Bonani do Nascimento. Proposta de arquitetura inovadora para redes de pacotes ópticos baseadas em chaveamento fotônico. 2006. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica - UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas.

4.
MOSCHIM, E.; FURTADO, M. T.; CONFORTI, E.; WALDMAN, H.. Participação em banca de Felipe Rudge Barbosa. Desenvolvimento de diodos emissores de luz dupla-hetroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicações em comunicações ópticas. 1992. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

5.
FURTADO, M. T.; CARVALHO, M. G.; MENEZES, E.; WEID, J. P. V. D.. Participação em banca de Maria Salete Sartório Loural. Caracterização de semicondutores III-V: descontinuidade de bandas e poços quânticos. 1991. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

6.
PATEL, N. B.; FURTADO, M. T.. Participação em banca de Maria Beny Zakia Morosini. Estudo do crescimento epitaxial por fase líquida de GaSb, GaAlSb, GaAlAsSb e sua aplicação em dispositivos lasers. 1989. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Qualificações de Doutorado
1.
Careli César; FURTADO, M. T.; ROMERO, M.. Participação em banca de Helvécio Moreira de Almeida Neto. Arquitetura de nós e engenharia de tráfego em redes ópticas. 2008. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.




Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Latin Display 2009.Seleção dos 3 melhores papers apresentados no simpósio. 2009. (Seminário).

2.
1o. Colóquio Latino-Americano sobre Inclusão Digital: os Desfios Regionais. 2006. (Simpósio).

3.
Seminário Internacional Pobreza e Desenvovimento no Contexto da Globalização. 2006. (Seminário).

4.
XV Seminário de Engenharia Elétrica Automação e Telecomunicações.Estudo de cenários em tecnologias da informação e comunicação: uma visão prospectiva do futuro das telecomunicações no Brasil. 2006. (Seminário).

5.
Setor Telecomunicações: ocupações emergentes. 2005. (Encontro).

6.
I Workshop TIDIA. 2004. (Encontro).

7.
IDATE 25th International Conference. 2003. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Luiz Henrique Bonani do Nascimento. Contribuição ao estudo de redes fotônicas de pacotes. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, . Coorientador: Mario Tosi Furtado.

2.
H Romero Montesinos. Estudos de camadas epitaxiais de GaAlAs:Sn à baixas temperaturas. 1985. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, . Coorientador: Mario Tosi Furtado.

Tese de doutorado
1.
M S S Loural. Caracterização de semicondutores III-V: descontinuidade de bandas e poços quânticos. 1991. 0 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, . Orientador: Mario Tosi Furtado.



Educação e Popularização de C & T



Artigos
Artigos completos publicados em periódicos
1.
FURTADO, M. T.2012FURTADO, M. T.. Modelo adiabático da atmosfera terrestre compatível com o aquecimento global e o efeito estufa. Revista Brasileira de Ensino de Física (Online), v. 34, p. 3310-2, 2012.

2.
GALDINO, L.2013GALDINO, L. ; MARANHAO NETO, J. ; FURTADO, M. T. ; BONANI, L. H. ; SIMOES, F. D. ; MOSCHIM, E. . Evolution of hybrid WDM/OCDM technology in OBS networks with optical code and wavelength conversion. Photonic Network Communications, v. 25, p. 47, 2013.




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