José Henrique Rodrigues dos Santos

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  • Última atualização do currículo em 22/09/2015


Possui graduação em Bacharelado Em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1990), mestrado em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1993) e doutorado em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1997). Atualmente é Professor Associado no Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
José Henrique Rodrigues dos Santos
Nome em citações bibliográficas
dos SANTOS, J. H. R.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física.
AC Campus da UFRGS
Agronomia
91501970 - Porto Alegre, RS - Brasil - Caixa-postal: 15051
Telefone: (51) 33086541
Fax: (51) 33087286


Formação acadêmica/titulação


1993 - 1997
Doutorado em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Estudo do Poder de Freamento Eletrônico de Íons de He e B Canalizados em Si, Ano de obtenção: 1997.
Orientador: Moni Behar e Pedro Luís Grande.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: Perda de Energia; Canalização de Íons; Poder de Freamento.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Outros Setores.
1991 - 1993
Mestrado em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Difusão de Au e Hf em alfa-Ti,Ano de Obtenção: 1993.
Orientador: Moni Behar e Paulo Fernando Papaleo Fichtner.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: difusão; metais.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).
Setores de atividade: Outros Setores.
1987 - 1990
Graduação em Bacharelado Em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.


Pós-doutorado


2003 - 2004
Pós-Doutorado.
Università Degli Studi Di Catania.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).
1997 - 1998
Pós-Doutorado.
Fom Institute Of Atomic And Molecular Physics.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..


Atuação Profissional



Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Vínculo institucional

2012 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.


Departamento de Polícia Federal, DPF, Brasil.
Vínculo institucional

2009 - 2012
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Perito Criminal, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.




Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Alemão
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Bem.
Italiano
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
BERNARDI, Fabiano2007BERNARDI, Fabiano ; dos SANTOS, J. H. R. ; BEHAR, Moni ; KLING, A. . Lattice site investigation of F in preamorphized Si. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 76, p. 033201-1-033201-3, 2007.

2.
BERNARDI, Fabiano2006BERNARDI, Fabiano ; BEHAR, Moni ; RUZZARIN, Anelise ; dos SANTOS, J. H. R. ; DYMENT, Fanny . Diffusion study of O-18 implanted into alpha-Hf using the nuclear resonance technique . Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Nova Iorque, v. 83, n.1, p. 37-40, 2006.

3.
BERNARDI, Fabiano2005BERNARDI, Fabiano ; BEHAR, Moni ; dos SANTOS, J. H. R. ; DYMENT, Fanny . Diffusion of Al implanted into alpha-Hf studied by means of the nuclear resonance technique . Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Nova Iorque, v. 80, n.1, p. 69-72, 2005.

4.
IMPELLIZZERI, Giuliana2005IMPELLIZZERI, Giuliana ; dos SANTOS, J. H. R. ; MIRABELLA, Salvatore ; NAPOLITANI, Enrico ; CARNERA, Alberto ; PRIOLO, Francesco . Interaction between implanted fluorine atoms and point defects in preamorphized silicon . Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdã, v. 230, p. 220-224, 2005.

5.
IMPELLIZZERI, Giuliana2004 IMPELLIZZERI, Giuliana ; dos SANTOS, J. H. R. ; MIRABELLA, Salvatore ; PRIOLO, Francesco ; NAPOLITANI, Enrico ; CARNERA, Alberto . Role of fluorine in suppressing boron transient enhanced diffusion in preamorphized silicon. Applied Physics Letters, Melville, v. 84, n.11, p. 1862-1864, 2004.

6.
LANTSCHNER, Gerardo H2004LANTSCHNER, Gerardo H ; ECKARDT, Juan Cristobal ; LIFSCHITZ, A F ; ARISTA, Néstor ; ARAÚJO, Leandro Langie ; DUARTE, Patrícia Fernanda ; dos SANTOS, J. H. R. ; BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; GRANDE, Pedro Luís ; MONTANARI, Claudia C ; MIRAGLIA, J e . Energy loss of helium ions in zinc . Physical Review. A, v. 69, n.6, p. 62903, 2004.

7.
BEHAR, Moni2003BEHAR, Moni ; dos SANTOS, J. H. R. ; BERNARDI, Fabiano ; DYMENT, Fanny . Diffusion of Ga implanted into alpha-Ti studied by means of the Rutherford backscattering technique. Diffusion and Defect Data, Solid State Data. Part A, Defect and Diffusion Forum, Brandrain, v. 213, p. 1-15, 2003.

8.
dos SANTOS, J. H. R.2003dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; ARISTA, Néstor ; ECKARDT, Juan Cristobal ; LANTSCHNER, Gerardo H . Experimental energy straggling of protons in SiO2. Physical Review. A, v. 68, n.4, p. 42903-42908, 2003.

9.
BEHAR, Moni2002BEHAR, Moni ; COHEN, C. ; dos SANTOS, J. H. R. ; GRANDE, Pedro Luís . Energy-loss measurements of H2 and H3 molecular beams along random and <110> directions of Si. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 190, p. 74-78, 2002.

10.
ARAÚJO, Leandro Langie2002ARAÚJO, Leandro Langie ; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; dos SANTOS, J. H. R. . Random stopping power and energy straggling of 16O ions into amorphous Si target. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 190, p. 79-83, 2002.

11.
ARAÚJO, Leandro Langie2002ARAÚJO, Leandro Langie ; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; dos SANTOS, J. H. R. . Channeling energy loss of O ions in Si: the Barkas effect. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 193, p. 172-177, 2002.

12.
BEHAR, Moni2001 BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; GRANDE, Pedro Luís ; dos SANTOS, J. H. R. ; ARISTA, Néstor . Electronic Energy Loss of H3+ Ion Clusters in SiO2 Films. Physical Review. A, Woodbury, v. 64, n.2, p. 2904-2908, 2001.

13.
AZEVEDO, G. de M.2001AZEVEDO, G. de M. ; DIAS, Johnny Ferraz ; BEHAR, Moni ; GRANDE, Pedro Luís ; dos SANTOS, J. H. R. . Angular dependence for the energy loss of channeled He ions near the Si <110> and <111> directions. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 174, p. 407-413, 2001.

14.
SOUZA, J. P.2001SOUZA, J. P. ; BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; dos SANTOS, J. H. R. . Range parameters of 18O implanted into Si and SiO2.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 175, p. 46-50, 2001.

15.
AZEVEDO, G. de M.2000AZEVEDO, G. de M. ; DIAS, Johnny Ferraz ; dos SANTOS, J. H. R. ; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Angular dependence of the electronic stopping power of Li ions channeled around the Si <100> direction. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 161, p. 145-149, 2000.

16.
SOARES, M. R. F.2000SOARES, M. R. F. ; KASCHNY, J. R. A. ; dos SANTOS, J. H. R. ; AMARAL, L. ; BEHAR, Moni ; FINK, D. . Diffusion and solubility of Au implanted into the AZ1350 photoresist.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 166, p. 615-620, 2000.

17.
AZEVEDO, G. de M.1998AZEVEDO, G. de M. ; BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; GRANDE, Pedro Luís ; dos SANTOS, J. H. R. ; STOLL, R. ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Angular dependent energy loss of 0.8 - 2.0 MeV He ions channeled along the Si<100> direction.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 136, p. 132-136, 1998.

18.
dos SANTOS, J. H. R.1997 dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; BOUDINOV, H. ; SCHIWIETZ, G. . Angular dependence of the electronic energy loss of 800 keV He ions along the Si <100> direction. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Woodbury, v. 55, n.7, p. 4332-4342, 1997.

19.
dos SANTOS, J. H. R.1997 dos SANTOS, J. H. R.; BEHAR, Moni ; GRANDE, Pedro Luís ; BOUDINOV, H. ; STOLL, R. ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Electronic stopping power of 10B in Si in random and <100> channeling directions. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Woodbury, v. 55, n.20, p. 13651-13657, 1997.

20.
MIRASSOU, M.1996MIRASSOU, M. ; PEREZ, R. A. ; DYMENT, Fanny ; dos SANTOS, J. H. R. ; BEHAR, Moni . RBS study of diffusion of implanted lead in alfa-titanium. Scripta Materialia (Oxford), Oxford, v. 34, n.10, p. 1537-1542, 1996.

21.
dos SANTOS, J. H. R.1996dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BOUDINOV, H. ; BEHAR, Moni ; STOLL, R. ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Electronic stopping power of 10B channeled into the Si<100> axial direction.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 127, p. 107-111, 1996.

22.
dos SANTOS, J. H. R.1995 dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BOUDINOV, H. ; BEHAR, Moni ; STOLL, R. ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Electronic stopping power of <100> axial channeled He ions in Si crystals.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 106, p. 51-54, 1995.

23.
dos SANTOS, J. H. R.1994dos SANTOS, J. H. R.; FICHTNER, P. F. P. ; BEHAR, Moni ; DYMENT, Fanny ; PEREZ, R. A. . Au diffusion in alpha-Ti. Applied Physics. A, Materials Science & Processing, New York, v. 58, n.5, p. 453-457, 1994.

24.
MALTEZ, R. L.1992MALTEZ, R. L. ; AMARAL, L. ; BEHAR, Moni ; GUIMARÃES, R. B. ; dos SANTOS, J. H. R. ; ZAWISLAK, F. C. . Thermal behaviour study of Sn and Ag implanted into photoresist film.. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Amsterdam, v. 65, p. 423-427, 1992.

25.
BEHAR, Moni1991BEHAR, Moni ; DYMENT, Fanny ; PEREZ, R. A. ; dos SANTOS, J. H. R. ; MALTEZ, R. L. ; SAVINO, E. J. . Hf diffusion in alpha-Ti.. Philosophical Magazine A, London, v. 63, p. 967-972, 1991.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
IMPELLIZZERI, Giuliana ; dos SANTOS, J. H. R. ; MIRABELLA, Salvatore ; PRIOLO, Francesco ; NAPOLITANI, Enrico ; CARNERA, Alberto . Suppression of Boron Diffusion by Fluorine Implantation in Preamorphized Silicon. In: Materials Research Society Spring Meeting, 2004, San Francisco. Materials Research Society Symposium C, 2004. v. 810. p. C5.9.

2.
dos SANTOS, J. H. R.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P. F. P. . Medida da difusividade de Au implantado em alfa-Ti. In: Escola de Inverno Franco-Latino-Americana sobre Difusão em Materiais, 1996, Ouro Preto. Cursos e Comunicação. Ouro Preto: Ed.Rem-Revista Escola de Minas, 1994. p. 499-502.

3.
dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BOUDINOV, H. ; BEHAR, Moni . Stopping power and charge equilibration process for channeled He ions along <100> and <110> directions of Si crystal.. In: 10th International Conference on Ion Implantation Technology, 1994, Catânia, Itália. Ion Implantation Technology. Amsterdam: Elsevier, 1994. p. 711-715.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
BEHAR, Moni ; DIAS, Johnny Ferraz ; GRANDE, Pedro Luís ; dos SANTOS, J. H. R. ; ARISTA, Néstor . Energy loss of H3 ions in SiO2 films. In: 12th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, 2000, Canela, RS. Final Programme and Abstracts. Porto Alegre: Instituto de Física - UFRGS, 2000. p. 43.

2.
dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni . Axial channeled He-ions in Si crystals. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambu. Resumo. São Paulo: SBF, 1995. p. 8-9.

3.
dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni ; SCHIWIETZ, G. . Angular dependence of the stopping power of 800 keV. In: XIII Simpósio Latino Americano de Física do Estado Sólido, 1995, Gramado, RS. Scientific Program and Abstracts. Porto Alegre: Instituto de Física - UFRGS, 1995. p. cpmo6.

4.
dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BOUDINOV, H. ; BEHAR, Moni ; STOLL, R. ; KLATT, Chr. ; KALBITZER, S. . Electronic stopping power of <100> axial channeled He ions in Si crystals. In: 12th International Conference on Ion Beam Analysis, 1995, Temple, Phoenix, Arizona. Final Programme and Abstracts, 1995.

5.
dos SANTOS, J. H. R.; GRANDE, Pedro Luís ; BEHAR, Moni . Stopping power and charge equilibration process forchanneled He ions along <100> and <110> directions of Si crystal.. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu. Resumo. São Paulo: SBF, 1994. p. 27-28.

6.
dos SANTOS, J. H. R.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P. F. P. . Diffusion study of Au in alpha-Ti using the Rutherford backscattering technique . In: International Workshop on Ion Implantation, 1993, Gramado, RS. Abstracts. Porto Alegre: Instituto de Física - UFRGS, 1993. p. 36.

7.
dos SANTOS, J. H. R.; BEHAR, Moni ; FICHTNER, P. F. P. . Difusão de Au e Hf em alfa-Ti. In: XVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1993, Caxambu. Resumo. São Paulo: SBF, 1993. p. 211.



Bancas




Participação em bancas de comissões julgadoras
Outras participações
1.
dos SANTOS, J. H. R.; PERES, O. L. G.; ZIEBELL, L. F.. Exame de qualificação de doutorado: origem, propagação e detecção de raios cósmicos. 2006. Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
dos SANTOS, J. H. R.; STEDILE, Fernanda Chiarello; SCHIWIETZ, G.. Exame de qualificação de doutorado: a teoria estocástica do freamento de íons em sólidos e sua aplicação ao cálculo de curvas de excitação. 2002. Universidade Federal do Rio Grande do Sul.



Orientações



Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Fabiano Bernardi. Determinação da Posição Reticular de F em Si. 2006. 104 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: José Henrique Rodrigues dos Santos.

2.
Patrícia Fernanda Duarte. Determinação do poder de freamento de íons de He em alvos de Zn. 2003. 120 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: José Henrique Rodrigues dos Santos.




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