João Antonio Martino

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1A - CA ME - Microeletrônica

  • Endereço para acessar este CV: http://lattes.cnpq.br/1029892667445223
  • Última atualização do currículo em 06/12/2018


Iniciou suas atividades em microeletrônica em 1982 na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo onde tornou-se Mestre (1984), Doutor (1988) e Livre-Docente (1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica). O pós-doutorado foi realizado em cooperação entre o IMEC (Interuniversity Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a Universidade de São Paulo. Foi Professor Titular, Chefe do Departamento de Engenharia Elétrica e Coordenador dos Cursos de Engenharia Elétrica (Ênfases Eletrônica, Computadores e Telecomunicações) do Centro Universitário da FEI no período de 1996 a 2005. Implantou e coordenou do curso de mestrado em Engenharia Elétrica da FEI no período de 2005 a 2006. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e foi aprovado em primeiro lugar no concurso de Professor Titular do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) em 2005. Foi o Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-2013) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade Católica de Leuven, Bélgica em 2003, 2008 e 2016. O seu campo de pesquisa em circuitos integrados inclui fabricação, caracterização elétrica e modelagem de dispositivos obtidos pelas tecnologias NMOS, CMOS e SOI CMOS com ênfase em transistores SOI avançados planares e de múltiplas portas (FinFET). Introduziu o estudo de dispositivos SOI no Brasil desde 1990, incluindo a proposta/fabricação de um novo transistor SOI (GC SOI MOSFET) para aplicações analógicas, seu estudo em altas e baixas temperaturas e seu uso em amplificadores operacionais. Coordenou e participou da equipe que fabricou o primeiro transistor 3D (FinFET) no Brasil em 2012. Na caracterização elétrica é dada ênfase especial ao estudo de dispositivos SOI em função da temperatura (80K a 700K) e sob a influência de radiação. Recentemente tem também estudado transistores avançados SOI (UTBB e 3D) e transistores de tunelamento (TFETs). É co-autor/co-editor de 8 livros. É autor e co-autor de mais de 500 publicações (sendo 375 artigos completos apresentados em congressos e 125 artigos completos publicados em revistas). Concluiu a orientação de 50 alunos de pós-graduação, sendo 31 mestrados e 19 doutorados. É Senior Member do IEEE e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil desde 2007. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde fevereiro de 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq. Coordenador do Centro de Treinamento de São Paulo (CT-SP) para formação de projetistas de circuitos integrados do programa CI-Brasil na Escola Politécnica da USP desde 2014. Foi eleito coordenador do Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica da USP em 2017. Foi eleito e participa do comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) desde outubro de 2015. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2016 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
João Antonio Martino
Nome em citações bibliográficas
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade de São Paulo, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.
Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n. 158
Cidade Universitária
05508010 - São Paulo, SP - Brasil
Telefone: (11) 30915657
Fax: (11) 30915665


Formação acadêmica/titulação


1984 - 1988
Doutorado em Microeletrônica.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Título: Um Processo CMOS Cavidade Dupla para Comprimento de Porta de 2 Micrometros, Ano de obtenção: 1988.
Orientador: Jacobus Willibrordus Swart.
Palavras-chave: Fabricação; tecnologia CMOS; Circuitos Integrados Digitais.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Informática.
1982 - 1984
Mestrado em Microeletrônica.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Título: Proposta de Uma Sequência Simples de Fabricação de Circuitos Integrados Digitais NMOS com Carga em Depleção e Porta de Silício Policristalino,Ano de Obtenção: 1984.
Orientador: João Antonio Zuffo.
Palavras-chave: Fabricação; Tecnologia nMOS; Silício Policristalino; Circuitos Integrados Digitais.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Informática.
1977 - 1981
Graduação em Engenharia Eletrônica.
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
Título: Projeto de uma unidade de disco flexivel.
Orientador: Alessandro La Neve.


Pós-doutorado e Livre-docência


1998
Livre-docência.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Título: Modelagem do Substrato e Novos Métodos de Caracterização Elétrica de SOI MOSFET, Ano de obtenção: 1998.
Palavras-chave: SOI; Armadilhas de Interface; Efeito do Substrato; MOSFET; Modelagem.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.
1989 - 1990
Pós-Doutorado.
Interuniversity Microelectronics Centre, IMEC, Bélgica.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Grande área: Engenharias


Formação Complementar


2015 - 2015
III-V Semiconductor materials in nanoelectronics. (Carga horária: 4h).
EUROSOI/ULIS, EUROSOI/ULIS, Itália.
2015 - 2015
SOI Fundamental Class. (Carga horária: 4h).
IEEE S3S, IEEE S3S, Estados Unidos.
2014 - 2014
POWER EFFICIENCY SHORT COURSE. (Carga horária: 8h).
IEEE S3S, IEEE S3S, Estados Unidos.
2012 - 2012
Design including planar and FinFET/multi-gate. (Carga horária: 8h).
IEEE SOI CONFERENCE, IEEE SOI, Estados Unidos.
2012 - 2012
Tutorial Day - EUROSOI 2012. (Carga horária: 8h).
EUROSOI 2012, EUROSOI, França.
2011 - 2011
Silicon on Insulator Technology.
EUROSOI 2011, EUROSOI, Espanha.
2007 - 2007
Inpact of Strain and Defects on CMOS process. (Carga horária: 7h).
INFOS2007, INFOS2007, Grécia.
2007 - 2007
Silicon On Insulator Technology and Devices. (Carga horária: 11h).
EUROSOI 2007, EUROSOI, Bélgica.
1997 - 1997
Microelectronic Structures. (Carga horária: 4h).
Escola Federal de Engenharia de Itajubá, EFEI, Brasil.
1997 - 1997
Metodologia de Projeto de Asics. (Carga horária: 4h).
Escola Federal de Engenharia de Itajubá, EFEI, Brasil.
1995 - 1995
IV Brazilian Microelectronics School. (Carga horária: 40h).
Universidade Federal de Pernambuco, UFPE, Brasil.
1995 - 1995
Introdução à Intenet e Seu Uso. (Carga horária: 4h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
1992 - 1992
II Brazilian Microelectronic School. (Carga horária: 40h).
Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1991 - 1991
MOS Devices for Advanced VLSI. (Carga horária: 40h).
Centro de Cursos, CEI, Itália.
1990 - 1990
VLSI Process and Device Simulation. (Carga horária: 40h).
Centro de Cursos, CEI, Suiça.
1990 - 1990
Semiconductor Interface. (Carga horária: 8h).
Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1989 - 1989
I Escola Brasileira de Dispositivos Eletrônicos. (Carga horária: 40h).
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
1980 - 1980
Sistemas de Comunicações Digitais. (Carga horária: 30h).
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
1980 - 1980
Microprocessadores na Engenharia. (Carga horária: 30h).
Instituto de Engenharia de São Paulo, IESP, Brasil.
1979 - 1979
Cálculo. (Carga horária: 40h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.


Atuação Profissional



Instituto Nacional de Estudos e Pesquisas Educacionais Anísio Teixeira, INEP/MEC, Brasil.
Vínculo institucional

2007 - 2009
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Avaliador de Curso e Institucional

Atividades

03/2007 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, INEP/MEC, .

Cargo ou função
Avaliador de Curso e Institucional do MEC.

Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

2007 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

2014 - 2016
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordenador do Centro de Treinamento (CT3)

Vínculo institucional

2006 - 2006
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 24

Vínculo institucional

1999 - 2005
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Carga horária: 24

Vínculo institucional

1992 - 1998
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Carga horária: 24

Atividades

5/2005 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.

Cargo ou função
Membro da Congregação da Escola Politécnica da USP.
05/1992 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.

5/1992 - Atual
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Caracterização Elétrica de Tecnologia e Dispositivos MOS
Modelamento de Transistores MOS em Baixa Temperatura
Princípios de Funcionamento de Transistores MOS em Tecnologia SOI
Processos CMOS
Tópicos Especiais de Transistores SOI MOSFET
Transistores de Efeito de Campo Avançados
5/1992 - Atual
Ensino, Engenharia Eletrônica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Eletrônica I
Eletrônica II
Introdução à Eletrônica
Laboratório de Eletrônica
Modelamento de Dispositivos Eletrônicos
Laboratório de Fabricação de Dispositivos em Microeletrônica
10/2009 - 09/2013
Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.

Cargo ou função
Chefe de Departamento.
10/2007 - 09/2009
Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.

Cargo ou função
Vice-Chefe de Departamento.

Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Vínculo institucional

1986 - 1988
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Assistente Mestre, Carga horária: 24
Outras informações
Substituição do professor José Roberto de Almeida Amazonas

Atividades

10/1986 - 12/1988
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Graduação :
Laboratório de Eletrônica I
Laboratório de Eletrônica III
Laboratório de Eletrônica IV
1/1986 - 12/1988
Pesquisa e desenvolvimento , Departamento de Engenharia Elétrica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Linhas de pesquisa
Tecnologia CMOS

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
Vínculo institucional

2002 - 2006
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40
Outras informações
A FEI (Faculdade de Engenharia Industrial) tornou-se Centro Universitário da FEI em janeiro de 2002.

Atividades

03/2005 - 12/2006
Direção e administração, Curso de Pós-Graduação, .

Cargo ou função
Coordenador do curso de pós-graduação em Engenharia Elétrica.
3/2005 - 12/2006
Pesquisa e desenvolvimento , Departamento de Eletricidade, .

3/2005 - 12/2006
Ensino, Mestrado Em Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Caracterização Elétrica de Dispositivos MOS
Introdução ao Projeto de Circuitos Integrados Dedicados
1/2002 - 12/2006
Direção e administração, Departamento de Eletricidade, .

Cargo ou função
Chefe de Departamento.
1/2002 - 12/2006
Direção e administração, Departamento de Eletricidade, .

Cargo ou função
Coordenador de Curso.
1/2002 - 12/2006
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Circuitos Integrados para telecomunicações (Laboratório: 2h/semana)
Circuitos Integrados para telecomunicações (Teoria: 2h/semana)
Sistemas Digitais I (Teoria: 4h/semana)
1/2002 - 12/2006
Conselhos, Comissões e Consultoria, Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, .

Cargo ou função
Membro de conselho de centro.

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
Vínculo institucional

1984 - 2001
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40

Atividades

1/1996 - 12/2001
Direção e administração, Departamento de Eletricidade, .

Cargo ou função
Chefe de Departamento.
3/1984 - 12/2001
Ensino, Engenharia Eletrônica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Graduação :
Sistemas Digitais I (Teoria : 4h/semana)
Sistemas Digitais I (Laboratório : 2h/semana)
Sistemas Digitais II (Teoria : 2h/semana)
Sistemas Digitais II (Laboratório : 2h/semana)
Sistemas Digitais III (Laboratório : 2h/semana)
Circuitos Elétricos I (Laboratório : 2h/semana)
Controle e Servomenanismos I (Laboratório : 2h/semana)
Estrutura de Linguagens (Laboratório : 2h/semana)
Tópicos de VLSI (Teoria : 4h/semana)
Tópicos de VLSI (Laboratório : 2h/semana)
Circuitos Integrados para Telecomunicações (Teoria : 2h/semana)
Circuitos Integrados para Telecomunicações (Laboratório : 2h/semana)
Projetos de Formatura
3/1987 - 12/1992
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Metodologia de Integação de Circuitos Digitais com a Tecnologia CMOS
Metodologia de Integação de Circuitos Digitais com a Tecnologia nMOS

Katholieke Universiteit Leuven, K.U.L., Bélgica.
Vínculo institucional

2016 - 2016
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40
Outras informações
Este foi um estágio no exterior realizado com o apoio da FAPESP durante os 3 meses de licença prêmio da Universidade de São Paulo.

Vínculo institucional

2008 - 2008
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Este foi um estágio senior no exterior realizado com o apoio do CNPq durante os 3 meses de licença prêmio da Universidade de São Paulo.

Vínculo institucional

2003 - 2003
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1996 - 1996
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1994 - 1994
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1992 - 1992
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1991 - 1991
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40

Vínculo institucional

1989 - 1990
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40

Atividades

5/2003 - 7/2003
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

6/1996 - 7/1996
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

5/1994 - 8/1994
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

5/1992 - 8/1992
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

4/1991 - 4/1991
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

12/1989 - 3/1990
Pesquisa e desenvolvimento , Interuniversity Micro Electronic Center, .

Linhas de pesquisa
Modelagem do Substrato SOI

Faculdade de Tecnologia de São Paulo, FATEC/SP, Brasil.
Vínculo institucional

1991 - 2002
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 4
Outras informações
Implantamos e Coordemamos a área de Dispositivos do Curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos (MPCE) da FATEC/SP, em convênio firmado com a Universidade de São Paulo.

Atividades

11/1991 - 12/2002
Direção e administração, Faculdade de Tecnologia de São Paulo, .

Cargo ou função
Coordenador da área de componentes eletrônicos.
3/1994 - 6/1994
Ensino, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura de Caracterização de Processos e Componentes

Université de Caen Basse Normandie, UNICAEN, França.
Vínculo institucional

2016 - 2016
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40



Linhas de pesquisa


1.
Caracterização Elétrica de Dispositivos SOI
2.
Estudo de Dispositivos SOI em Altas e Baixas Temperaturas
3.
Processos de Fabricação NMOS e SOI
4.
Estudo de Transistores SOI de Múltiplas Portas (FinFET e 3D)
5.
Efeitos da Radiação em Dispositivos Eletrônicos
6.
Estudo de Transistores Avançados (UTBB SOI; MOS em Nanofio de Silício; Tunnel-FET)
7.
Tecnologia CMOS
8.
Projeto de Tecnologia SOI CMOS
9.
Caracterização de transistores SOI em baixas temperaturas
10.
Novos métodos de extração de armadilhas de interface em dispositivos SOI
11.
Extração de parâmetros em dispositivos SOI
12.
Estudo do transitório de corrente para extraçao de tempo de vida de portadores
13.
Modelagem do Substrato SOI
14.
Dispositivos Eletrônicos Integrados


Projetos de pesquisa


2017 - Atual
INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos (INCT NAMITEC)

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Jacobus Willibrordus Swart em 08/09/2018.
Descrição: INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos, apresentado no âmbito da Chamada INCT - MCTI/CNPq/CAPES/FAPs nº 16/2014, sob coordenação do Prof. Jacobus Willibrordus Swart. No processo de análise de mérito técnico-científico, realizada por consultores estrangeiros e brasileiros, o projeto integra a relação das propostas que receberam recomendação de financiamento, no âmbito da referida Chamada. O projeto foi classificado na posição 108, dos projetos aprovados no edital. CNPq emitiu certificado de Selo INCT em outubro de 2017, atestando a excelência do projeto. O projeto proposto lida com o desafio de estudar, projetar e desenvolver elementos de hardware e software a serem utilizados na formação de Redes de Sensores sem Fio usadas em associação com outras tecnologias com objetivo de habilitar a Internet das Coisas. A base para o desenvolvimento e o ponto de partida do projeto de pesquisa proposto neste documento será o trabalho que vem sendo desenvolvido desde o Instituto do Milênio (período), INCT NAMTEC ( 2009-2014) e cujas contribuições contam com a participação de pesquisadores de diferentes áreas do saber tais como física, química, engenharias, computação, etc. O projeto ainda assume compromissos com a formação de recursos humanos, popularização da ciência e fortalecimento de grupos incipientes da área de micro e nanoeletrônica bem como o fortalecimento das interações com empresas considerando a inovação e a transferência de tecnologia. As principais oportunidades de pesquisa em Redes de Sensores sem Fio decorrem de suas características particulares, da novidade e da interdisciplinaridade do tema. Os desafios de sistemas embarcados e elementos de hardware para Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas não é trivial, uma vez que o projeto desses sistemas deve considerar avanços em micro e nanoeletrônica. Em particular, a pesquisa e desenvolvimento desses elementos de hardware e software deve considerar a eficiência energética, a integração em hardware de dispositivos, circuitos e IPs que ainda estão em desenvolvimento, as diferentes características das aplicações em potencial, o ambiente onde vão operar além do projeto de compiladores e protocolos de comunicação que promovam a formação de redes e aplicações de IoT em atendimento as expectativas do mercado. Os desafios comuns em todo projeto de Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas estão relacionados com a especificação dos requisitos dos elementos a serem desenvolvidos pela micro e nanoeletrônica. O INCT NAMITEC vem respondendo a estes desafios considerando diferentes aplicações e cenários de RSsF e IoT, desenvolvendo pesquisa e avanços tecnológicos nas áreas de técnicas e processos de nano e microfabricação, desenvolvimento de dispositivos sensores, orgânicos e fotovoltáicos, desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos, de sistemas e circuitos micro e nanoeletrônicos e sistemas embarcados, novas técnicas de colheita e de gestão de energia, assim como de projeto de circuitos e sistemas ultra-eficientes e de ultra-baixo consumo. Tão importante quanto, o INCT NAMITEC vem trabalhando na criação de conjuntos de tecnologias integradas (plataformas tecnológicas) que permitam realizar síntese, caracterização, seleção, modificação das propriedades, montagem, testes e outras operações necessárias para produção de componentes, produtos e sistemas complexos com alto desempenho. É esperado que nos próximos anos as Redes de Sensores sem Fio venham a ser utilizadas em diferentes aplicações, incluindo ambientes de IoT e que sirvam como base para ferramentas de certificação em sistemas ambientais, sociais e econômicos e que tragam ainda mais contribuições para o cotidiano. Adquirir conhecimentos na fabricação de hardware (componentes e circuitos micro e nanotecnológicos) e software bem como promover o surgimento de novas gerações de pesquisadores em micro/nanoeletrônica..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2016 - Atual
Estudo Teórico e Experimental de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) para Aplicações em Circuitos Analógicos e Biosensores
Descrição: Este projeto (CNPq- Universal n. 423554/2016-6) estuda uma alternativa para minimizar a potência dissipada em transistores avançados, o chamado transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor). Este dispositivo é compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (Ioff) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente) normalmente encontrados nos transistores MOS, o que permite que o TFET se comporte como uma chave mais próxima da ideal, i.e., este novo dispositivo apresenta um grande potencial para operar com maior de velocidade de chaveamento. Esse projeto visa estudar de forma inédita no Brasil o uso de um transistor TFET para aplicações em circuitos analógicos (como por exemplo, espelhos de corrente e par diferencial) e biosensores. Este estudo será feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (3) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / AGOPIAN, P G D - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2013 - 2016
Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET)

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Paula Ghedini Der Agopian em 19/12/2014.
Descrição: Este projeto (CNPq- Universal n. 476812/2013-5) tem como finalidade entender mais profundamente estes novos dispositivos (Tunnel - FETs) para poder explorar suas potencialidades em aplicações analógicas e digitais tanto em temperatura ambiente como variando-se a mesma. Uma análise mais detalhada será feita sobre a influência do tunelamento entre bandas, o tunelamento assistido pelas armadilhas e a recombinação dos portadores, que são muito importantes no funcionamento destes transistores. A caracterização elétrica dos principais parâmetros de diversas estruturas TFETs, será realizada através de simulações numéricas e de medidas experimentais. As medidas DC serão medidas com os equipamentos já existentes no Laboratório LSI/PSI/USP, ou seja, através do analisador de parâmetros HP4156C e B1500. No entanto para a realização de medidas de alta precisão é necessária à aquisição de uma SMU de alta resolução capaz de medir correntes na ordem de pico amperes solicitada neste projeto. Dentre os parâmetros a serem analisados pode-se citar, a inclinação de sublimiar, a relação entre as correntes de estado ligado e desligado, a transcondutância, a condutância de saída, o ganho de tensão intrínseco, as capacitâncias do dispositivo e a frequência de corte. Pretende-se, portanto com este trabalho, contribuir com a comunidade científica nacional através dos resultados sobre o potencial dos transistores TFETs para substituir os transistores convencionais e suas aplicações na próxima década..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Marcio Martino - Integrante / Felipe Neves Souza - Integrante / Agopian, P. G. D. - Coordenador / BORDALLO, CAIO CESAR MENDES - Integrante / Rodrigo D'Angelo - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2012 - 2016
Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados para aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transistor (sem capacitor)
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (4) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2012 - 2014
Estudo de transistores SOI MOSFET avançados para aplicações como célula de memória dinâmica de um único transistor (capacitorless)
Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n.490236/2011-1) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) ao Interuniversity Microelectronic Center (Imec) da Universidade Católica de Leuven (KULeuven), Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar o comportamento de diversos transistores SOI avançados para funcionar como uma célula de memória dinâmica (DRAM) composta de um só transistor, sem a presença do capacitor (capacitorless) de armazenamento de informação normalmente encontrado neste tipo de memória..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (6) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Cor Claeys - Integrante / Eddy Simoen - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante.
Número de produções C, T & A: 5 / Número de orientações: 3
2012 - Atual
Fabricação e caracterização elétrica de transistores SOI de Múltiplas Portas (3D)
Descrição: Este projeto (CNPq-Produtividade em Pesquisa, n.310545/2011-0) tem como finalidade o estudo de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas (MuGFET) através do projeto, fabricação e caracterização elétrica desta estrutura. Este tipo de transistor tem uma estrutura de canal tri-dimensional (3D) e apresenta-se com alternativa tecnológica para os circuitos integrados sub 22 nm. Na parte de caracterização será dada ênfase ao uso estudo deste tipo de transistor (MuGFET) aplicado na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless) normalmente utilizado em memórias convencionais..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (5) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.
2010 - 2012
Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados
Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Fonds voor Wetenschappelijk Onderzoek - Vlaanderen - Auxílio financeiro.
2009 - 2016
Instituto Nacional de Ciencias e Tecnologia (INCT) de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos
Descrição: INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos , Processo CNPq no. 573738/2008-4 e processo FAPESP no.2008/57862-6, Período: 2009 a 2015..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2009 - 2013
Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs
Descrição: Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (9) / Doutorado: (7) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / A C Seabra - Integrante / Sebastião Gomes dos Santos Filho - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2009 - 2012
Projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores SOI de porta tripla
Descrição: Este projeto (CNPq - Produtividade em Pesquisa, n.304593/2008-7) tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores de porta tripla construídos em lâminas SOI. Estes transistores são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica) como os fabricados no LSI/USP (Laboratório de Sistemas Integráveis da Universidade de São Paulo, Brasil)..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (5) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2009 - 2011
Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (5) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2008 - 2010
Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.478437/2007-2) tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Doutorado: (5) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2006 - 2009
Estudo de Capacitores e Transistores SOI com Dielétrico de Porta Ultra-Fino Operando de 80K a 300K
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Produtividade em Pesquisa n.305555/2005-7) tem como finalidade o estudo de capacitores e transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 130 nm, totalmente depletado (Fully Depleted ? FD), com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (3) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2005 - 2008
Tecnologias de Micro e Nanoeletrônica para sistemas integrados inteligentes - NAMITEC
Descrição: O projeto tem como objetivo principal realizar pesquisa e desenvolvimento em sistemas micro e nanoeletrônicos integrados inteligentes, que propiciem a realização de sistemas eletrônicos autônomos tais como redes de sensores inteligentes, sistemas embarcados e sistemas auto-ajustáveis, com várias aplicações em potencial, em particular em agricultura de precisão, no controle ambiental, em energia, na instrumentação biomédica, na indústria automotiva e aeroespacial e nas telecomunicações. Dentro desse contexto listamos os seguintes objetivos: a) Pesquisar e desenvolver sistemas em chip e sistemas de redes de sensores. b) Pesquisar e desenvolver metodologias e ferramentas de projeto e teste de circuitos integrados com baixo consumo de potência, tolerantes a falhas, incluindo circuitos analógicos, RF e digitais. c) Pesquisar e desenvolver dispositivos micro e nanoeletrônicos, fotônicos e optoeletrônicos, MEMS e NEMS e seus processos de integração e encapsulamento. d) Pesquisar materiais e técnicas de micro e nanofabricação necessários para a fabricação dos dispositivos e circuitos integrados..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador / José Alexandre Diniz - Integrante / Nilton Morimoto - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2005 - 2007
Estudo de transistores SOI com dielétrico de porta ultra-fino operando em baixas temperaturas (80K a 300K).
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.474129/2004-7) tem como finalidade o estudo de transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 0,13 um, totalmente depletado, com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K, combinando os benefícios da tecnologia SOI com os da operação em temperaturas criogênicas..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2002 - 2003
Estudo de Transistores SOI Parcialmente Depletados Ultra-Submicrométricos em baixas temperaturas
Descrição: Este projeto tem como finalidade a caracterização elétrica de transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos ( 0,08um a 0,13um) em baixas temperaturas (80K a 300K)..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Carolina Davanzzo Gomes dos Santos - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2001 - 2005
Rede Pesquisa em Sistema em Chip, Microssistemas e Nanoeletrônica
Descrição: Como objetivos temos realizar pesquisa e desenvolvimento em: materiais e processos para tecnologia CMOS, microssistemas e nanoeletrônica; integração de processos CMOS e de microssistemas; modelagem de dispositivos; ferramentas de CAD de projeto de CI's e de microssistemas; metodologia de projeto de CI's digitais, analógicos e de RF; projeto e metodologias de testes de dispositivos de circuitos; uma aplicação para a validação e integração das atividades do projeto..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (8) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (4) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / J W Swart - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - 2002
Caracterização Elétrica de Novos Transistores SOI em Função da Temperatura
Descrição: Este projeto tem como finalidade a simulação e caracterização elétrica em função da temperatura de novos transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementados em lâminas de silício sobre isolante ( SOI MOSFET ). Entre estes novos transistores daremos especial atenção ao GC-SOI MOSFET..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Marcelo Antoni Pavanello - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
1997 - 1998
Caracterização Elétrica, Simulação e Modelamento de Transistores SOI MOSFET
Descrição: Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente e modelar fisicamente transistores SOI MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e em altas temperaturas (573K) com relação aos parâmetros elétricos principais..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Jairo Bertini - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
1995 - 1996
Caracterização Elétrica de Transistores MOSFET Implementados em Lâminas SOI
Descrição: Caracterização Elétrica de Transistores SOI MOSFETs.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (4) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
1991 - 1992
Desenvolvimento de Dispositivos Básicos em Silício Sobre Isolante
Descrição: Caracterização Elétrica de Transistores SOI MOSFETs..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
1991 - 1992
Caracterização Elétrica de Dispositivos Visando o Estudo de Etapas de Processos
Descrição: Este projeto tem como finalidade dar suporte a três dissertações de mestrado e necessitam de sistemas de caracterização elétrica para estudo de etapas de processos na implementação de dispositivos MOS. Para tanto o projeto prevê a formação de dois sistemas completos e autônomos de caracterização elétrica baseados em equipamentos Hewlet-Packard. Um sistema para medidas I-V e outro para medidas C-V. Através das medidas elétricas I-V e ou C-V em dispositivos, poder-se-a extrair parâmetros elétricos, os quais servirão de subsídio para estudo, avaliação e adequação das etapas de processo envolvidas na fabricação dos dispositivos..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Johnny José Mafra Junior - Integrante / Claudia Cortes Romanelli - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
1990 - 1992
Estudo e Aplicação de Siliceto de Cobalto em Circuitos Integrados
Descrição: Estudo de CIs.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador.Financiador(es): Fundação Banco do Brasil - Auxílio financeiro.
1989 - 1994
Pesquisa e Formação de Recursos Humanos em Materiais e Processos para Microeletrônica
Descrição: Microeletrônica.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador.Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.
1986 - 1988
Filme de Silicetos para Circuitos Integrados VLSI
Descrição: Projeto.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador.


Projetos de extensão


2014 - Atual
CENTROS DE TREINAMENTO EM PROJETOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS
Descrição: O projeto "Centros de Treinamneto em Projetos de CI - 2017 tem por objetivo estimular e apoiar as atividades de pesquisa e desenvolvimento (P&D) na área de semicondutores, realizando ações de capacitação e treinamento de recursos humanos em projetos de P&D através de: a)Fornecer bolsas SDT, através do CNPq, para os alunos (fases I, II e III), estagiários e instrutores dos Centros de Treinamento de projetistas de circuitos integrados em Porto Alegre (CT-RS) e em São Paulo (CT-SP); b) Fornecer apoio às instituições de ensino e pesquisa, através de edital específico do CNPq, bem como bolsas DTC, SDT e SIT para a formação e treinamento de alunos do Programa Brazil-IP..
Situação: Em andamento; Natureza: Extensão.


Projetos de desenvolvimento


2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas)..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) .
Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.


Membro de corpo editorial


2015 - Atual
Periódico: IEEE Electron Devices Society NewsLetter
2007 - Atual
Periódico: Research Letters in Eletronics
2006 - 2010
Periódico: JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems


Membro de comitê de assessoramento


2015 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico


Revisor de periódico


2002 - Atual
Periódico: Solid-State Electronics
2005 - Atual
Periódico: IEEE Transactions on Electron Devices
2004 - Atual
Periódico: Electrochemical and Solid-State Letters
2008 - Atual
Periódico: Semiconductor Science and Technology
2010 - Atual
Periódico: IEEE Electron Device Letters (Print)


Revisor de projeto de fomento


2014 - Atual
Agência de fomento: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
2008 - Atual
Agência de fomento: Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo
2006 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Nanoeletrônica.
2.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica.
3.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
4.
Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Dispositivos.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Italiano
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.
Francês
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Pouco.


Prêmios e títulos


2018
Melhor Dissertação de Mestrado: Leonardo Yojo (orientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro) e CEITEC.
2018
Honorable Mention - Artigo de Guilherme Gonçalves (orientado por Joao Martino), 33rd Symposium on Microeletronics Technology and Devices (SBMicro2018).
2016
Best Student Paper Award: Alberto Oliveira (orientado por Joao Martino), ECS/CSTIC 2016 - Shanghai, China.
2016
Prêmio Padre Roberto Landell de Moura, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2015
Melhor Dissertação de Mestrado: Fernando Teixeira (orientada por Joao Martino), SBMicro e CEITEC.
2014
Professor Honorário, Hangzhou Dianzi University, China.
2014
Melhor Tese de Doutorado: Sara dos Santos (orientada por Joao Martino), SBMicro e CEITEC.
2013
Paraninfo de Sistemas Eletrônicos da EPUSP, Escola Politécnica da USP.
2013
Prêmio de Excelência em Docência de Graduação da Escola Politécnica da USP, Universidade de São Paulo.
2012
Pesquisador Nível 1-A do CNPq, CNPq.
2012
Best Paper Award: Felipe Neves (orientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2011
Best Paper Award, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2009
Pesquisador Nível 1-B do CNPq, CNPq.
2008
Distinguished Lecturer do EDS/IEEE, Electron Devices Society (EDS/IEEE).
2007
Senior Member do EDS/IEEE, Electron Device Society (EDS/IEEE).
2007
Best Student Paper Award: Sara dos Santos (orientade por Joao Martino), SForum - Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
1995
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1991
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1990
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1989
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1988
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1987
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:245
Total de citações:757
Fator H:13
Martino, Joao A  Data: 02/05/2018

Outras
Total de trabalhos:513
Total de citações:2170
Fator H = 20 (Google Scholar): J. A. Martino; Joao A. Martino  Data: 03/05/2017

Artigos completos publicados em periódicos

1.
Bordallo, C.2018Bordallo, C. ; Martino, J. A. ; Agopian, P. G. D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; MOCUTA, D. ; LIN, D. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Collaert, N. . The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, v. 18, p. 1-11, 2018.

2.
CAPARROZ, LUIS FELIPE VICENTIS2018CAPARROZ, LUIS FELIPE VICENTIS ; BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI . Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 33, p. 065003, 2018.

3.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE2018MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Performance of Differential Pair Circuits Designed with Line Tunnel FET Devices at Different Temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 1, p. 1-7, 2018.

4.
TORRES, H. L. F.2018TORRES, H. L. F. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; ROOYACKERS, R ; Simoen, Eddy ; CLAEYS, COR ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der . Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI Tunnel FETs. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 13, p. 1-7, 2018.

5.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2017AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; VANDOOREN, ANNE ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics, v. 128, p. 43-47, 2017.

6.
BORDALLO, CAIO C. M.2017BORDALLO, CAIO C. M. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Agopian, Paula G. D. ; ALIAN, ALIREZA ; MOLS, YVES ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; VERHULST, ANNE S. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; COLLAERT, Nadine . The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1-xAs nTFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 64, p. 1-6, 2017.

7.
MARTINO, M D V2017MARTINO, M D V ; Martino, J A ; AGOPIAN, P G D ; VANDOOREN, A ; ROOYACKERS, R ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 32, p. 055015, 2017.

8.
ITOCAZU, VITOR T.2017ITOCAZU, VITOR T. ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Simoen, Eddy ; CLAEYS, COR . Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 12, p. 82-88, 2017.

9.
ITOCAZU, VITOR2017ITOCAZU, VITOR ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Simoen, Eddy ; CLAEYS, COR . Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 12, p. 101-106, 2017.

10.
ITOCAZU, V.2017ITOCAZU, V. ; SASAKI, K. R. A. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; CLAEYS, COR ; SIMOEN, EDDY . Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 12, p. 101-106, 2017.

11.
AOULAICHE, M.2016AOULAICHE, M. ; Simoen, E. ; CAILLAT, C. ; WITTERS, L. ; BOURDELLE, K.K. ; Nguyen, B.-Y. ; MARTINO, J. ; CLAEYS, C. ; FAZAN, P. ; JURCZAK, M. . Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, v. 117, p. 123-129, 2016.

12.
NEVES, Felipe Souza2016NEVES, Felipe Souza ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; CRETU, B. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, p. 1658-1665, 2016.

13.
MARTINO, M D V2016MARTINO, M D V ; Martino, J A ; AGOPIAN, P G D ; VANDOOREN, A ; ROOYACKERS, R ; SIMOEN, E ; THEAN, A ; CLAEYS, C . Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 055001, 2016.

14.
BORDALLO, CAIO C. M.2016BORDALLO, CAIO C. M. ; SIVIERI, VICTOR B. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Agopian, Paula G. D. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; VOON-YEW THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, p. 2930-2935, 2016.

15.
OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE2016OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON . Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. online, p. 1, 2016.

16.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2016PAVANELLO, Marcelo Antonio ; DE SOUZA, MICHELLY ; RIBEIRO, THALES AUGUSTO ; Martino, João Antonio ; FLANDRE, Denis . Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 114005, 2016.

17.
OLIVEIRA, A V2016OLIVEIRA, A V ; SIMOEN, E ; AGOPIAN, P G D ; Martino, J A ; MITARD, J ; WITTERS, L ; LANGER, R ; COLLAERT, N ; THEAN, A ; CLAEYS, C . Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 114002, 2016.

18.
BORDALLO, C2016BORDALLO, C ; Martino, J A ; AGOPIAN, P G D ; ALIAN, A ; MOLS, Y ; ROOYACKERS, R ; VANDOOREN, A ; VERHULST, A S ; SMETS, Q ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; COLLAERT, N . Analog parameters of solid source Zn diffusion In Ga As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 124001, 2016.

19.
OLIVEIRA, ALBERTO V.2016OLIVEIRA, ALBERTO V. ; SIMOEN, Eddy ; MITARD, JEROME ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO A. ; LANGER, ROBERT ; WITTERS, LIESBETH J. ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters (Print), v. 37, p. 1092-1095, 2016.

20.
DE OLIVEIRA, ALBERTO V.2016DE OLIVEIRA, ALBERTO V. ; SIMOEN, Eddy ; MITARD, JEROME ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; LANGER, ROBERT ; WITTERS, LIESBETH ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON VOON-YEW ; CLAEYS, Cor . Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 63, p. 4031-4037, 2016.

21.
OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE2016OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MERTENS, H. ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, Aaron . Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 11, p. 7-12, 2016.

22.
ALIAN, A.2016ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; BORDALLO, C. C. M. ; VERRECK, D. ; VERHULST, A. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, R. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; THEAN, A. ; LIN, D. ; MOCUTA, D. ; Collaert, N. . InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60-mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, p. 243502, 2016.

23.
BÜHLER, R.T.2015BÜHLER, R.T. ; AGOPIAN, P.G.D. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Martino, J.A. . Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 103, p. 209-215, 2015.

24.
Agopian, P. G. D.2015Agopian, P. G. D. ; Martino, M. D. V. ; Santos, Sara D. ; NEVES, F. S. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, p. 16-22, 2015.

25.
de Andrade, Maria Glória Caño2015de Andrade, Maria Glória Caño ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Low-frequency noise investigation of n-channel 3D devices. Microelectronic Engineering, v. 147, p. 122-125, 2015.

26.
Doria, Rodrigo Trevisoli2015Doria, Rodrigo Trevisoli ; DE SOUZA, MÁRCIO ALVES SODRÉ ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Pavanello, Marcelo Antonio . In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, v. 147, p. 92-95, 2015.

27.
BUHLER, RUDOLF THEODERICH2015BUHLER, RUDOLF THEODERICH ; ENEMAN, GEERT ; FAVIA, PAOLA ; WITTERS, LIESBETH JOHANNA ; VINCENT, BENJAMIN ; HIKAVYY, ANDRIY ; LOO, ROGER ; BENDER, HUGO ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; Martino, Joao Antonio ; CLAEYS, Cor . TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, p. 1-1, 2015.

28.
SASAKI, KATIA2015SASAKI, KATIA ; Aoulaiche, Marc ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO . Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. Journal of Low Power Electronics and Applications, v. 5, p. 69-80, 2015.

29.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE2015MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; NEVES, FELIPE ; GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA ; Martino, João Antonio ; VANDOOREN, ANNE ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015.

30.
SASAKI, K.R.A.2015SASAKI, K.R.A. ; MANINI, M.B. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Martino, J.A. . Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015.

31.
SANTOS, S. D.2014SANTOS, S. D. ; CRETU, B. ; STROBEL, V. ; ROUTOURE, J. M. ; CARIN, R. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 97, p. 14-22, 2014.

32.
Nicoletti, Talitha2014Nicoletti, Talitha ; SANTOS, SARA DERESTE DOS ; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc ; Veloso, Anabela ; Jurczak, Malgorzata ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, v. 91, p. 53-58, 2014.

33.
ORTIZ-CONDE, ADELMO2014ORTIZ-CONDE, ADELMO ; GARCÍA-SÁNCHEZ, FRANCISCO J. ; MUCI, JUAN ; SUCRE-GONZÁLEZ, ANDREA ; Martino, João Antonio ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; CLAEYS, Cor . Threshold voltage extraction in Tunnel FETs. Solid-State Electronics, v. 93, p. 49-55, 2014.

34.
BORDALLO, CAIO CESAR MENDES2014BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; TEIXEIRA, F. F. ; SILVEIRA, M. A. G. ; Martino, Joao Antonio ; Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 29, p. 125015, 2014.

35.
NISSIMOFF, A.2014NISSIMOFF, A. ; Sasaki, K. R. A. ; AOULAICHE, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Observation of the Two-Sided Read Window on UTBOX SOI 1T-DRAM: Measurement Setup, Numerical and Empirical Results. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 9, p. 91-96, 2014.

36.
TEIXEIRA, F. F.2014TEIXEIRA, F. F. ; BORDALLO, C. ; SILVEIRA, M. A. G. ; Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Parasitic Conduction Response to X-ray Radiation in Unstrained and Strained Triple-Gate SOI MuGFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 9, p. 97-102, 2014.

37.
ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE2014ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE ; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation. Microelectronics and Reliability, v. 54, p. 2349-2354, 2014.

38.
SASAKI, K.R.A.2014SASAKI, K.R.A. ; NICOLETTI, T. ; ALMEIDA, L.M. ; DOS SANTOS, S.D. ; NISSIMOFF, A. ; AOULAICHE, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Martino, J.A. . Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, v. 97, p. 30-37, 2014.

39.
NISSIMOFF, ALBERT2014NISSIMOFF, ALBERT ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Aoulaiche, Marc ; Veloso, Anabela ; WITTERS, LIESBETH J. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time. IEEE Electron Device Letters (Print), v. 35, p. 639-641, 2014.

40.
dos Santos, Sara D.2013dos Santos, Sara D. ; Nicoletti, Talitha ; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc ; Veloso, Anabela ; Jurczak, Malgorzata ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, p. 444-450, 2013.

41.
DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI2013 DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; Martino, Joao Antonio ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Experimental Comparison Between Trigate p-TFET and p-FinFET Analog Performance as a Function of Temperature. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, p. 2493-2497, 2013.

42.
Simoen, E.2013Simoen, E. ; AOULAICHE, M. ; DOS SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; STROBEL, V. ; CRETU, B. ; ROUTOURE, J.- M. ; CARIN, R. ; LUQUE RODRIGUEZ, A. ; JIMENEZ TEJADA, J. A. ; CLAEYS, C. . Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities. ECS Journal of Solid State Science and Technology, v. 2, p. Q205-Q210, 2013.

43.
Martino, Márcio Dalla Valle2013Martino, Márcio Dalla Valle ; SOUZA, F. N. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; CLAEYS, C. . Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 8, p. 110-115, 2013.

44.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2013AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices. Solid-State Electronics, v. 90, p. 155-159, 2013.

45.
Doria, Rodrigo Trevisoli2013Doria, Rodrigo Trevisoli ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Low-frequency noise of n-type triple gate FinFETs fabricated on standard and 45° rotated substrates. Solid-State Electronics, v. 90, p. 121-126, 2013.

46.
ALMEIDA, LUCIANO MENDES2013ALMEIDA, LUCIANO MENDES ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; CAILLAT, CHRISTIAN ; Aoulaiche, Marc ; COLLAERT, Nadine ; Jurczak, Malgorzata ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM. Solid-State Electronics, v. 90, p. 149-154, 2013.

47.
de Andrade, Maria Glória Caño2013de Andrade, Maria Glória Caño ; TOLEDANO-LUQUE, MARÍA ; FOURATI, FATMA ; DEGRAEVE, ROBIN ; Martino, João Antonio ; CLAEYS, Cor ; SIMOEN, Eddy ; VAN DEN BOSCH, GEERT ; VAN HOUDT, JAN . RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application. Microelectronic Engineering, v. 1, p. online-105-108, 2013.

48.
de Andrade, Maria Glória Caño2012de Andrade, Maria Glória Caño ; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Behavior of triple-gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation. Solid-State Electronics, v. 71, p. 63-68, 2012.

49.
Galeti, M.2012Galeti, M. ; Rodrigues, M. ; Martino, J.A. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . GIDL behavior of p- and n-MuGFET devices with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 70, p. 44-49, 2012.

50.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2012PAVANELLO, Marcelo Antonio ; SOUZA, Michelly de ; Martino, Joao Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of temperature variation influence on the analog performance of 45° rotated triple-gate nMuGFETs. Solid-State Electronics, v. 70, p. 39-43, 2012.

51.
AGOPIAN, P. G. D.2012AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Uniaxial and/or Biaxial Strain Influence on MuGFET Devices. Journal of the Electrochemical Society, v. 159, p. H570-H574, 2012.

52.
RODRIGUES, Michele2012RODRIGUES, Michele ; GALETI, Milene ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, J A . SOI n- and pMuGFET devices with different TiN metal gate thickness and sidewall crystal orientation. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, p. 107-112, 2012.

53.
Perin, A. L.2012Perin, A. L. ; Pereira, A. S. N. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Giacomini, R . A Simple Electron Mobility Model Considering the Silicon-Dielectric Interface Orientation for Circular Surrounding-Gate Transistor. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, p. 100-106, 2012.

54.
Bühler, R T2012Bühler, R T ; Giacomini, R ; Pavanello, M A ; Martino, J A . Fin Cross-Section Shape Influence on Short Channel Effects of MuGFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, p. 137-144, 2012.

55.
ALMEIDA, L. M.2012ALMEIDA, L. M. ; SASAKI, K. R. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . One Transistor Floating Body RAM Performance on UTBOX Devices Using The BJT Effect. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, p. 113-120, 2012.

56.
Agopian, Paula G. D.2012Agopian, Paula G. D. ; Martino, João A. ; Kobayashi, Daisuke ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of 60-MeV Proton-Irradiation on Standard and Strained n- and p-Channel MuGFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. 59, p. 707-713, 2012.

57.
Trevisoli, Renan Doria2012Trevisoli, Renan Doria ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy . An analytic method to compute the stress dependence on the dimensions and its influence in the characteristics of triple gate devices. Microelectronics and Reliability, v. 52, p. 519-524, 2012.

58.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2012AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Martino, Márcio Dalla Valle ; Filho, Sebastião Gomes dos Santos ; Martino, João Antonio ; ROOYACKERS, Rita ; Leonelli, Daniele ; CLAEYS, Cor . Temperature impact on the tunnel fet off-state current components. Solid-State Electronics, v. 78, p. 141-146, 2012.

59.
Nicoletti, Talitha2012 Nicoletti, Talitha ; Aoulaiche, Marc ; Almeida, Luciano M. ; Santos, Sara D. ; Martino, João A. ; Veloso, Anabela ; Jurczak, Malgorzata ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The Dependence of Retention Time on Gate Length in UTBOX FBRAM With Different Source/Drain Junction Engineering. IEEE Electron Device Letters (Print), v. 33, p. 940-942, 2012.

60.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2011AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Pacheco, Vinícius Heltai ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance. Solid-State Electronics, v. 59, p. 13-17, 2011.

61.
Rodrigues, M.2011Rodrigues, M. ; Galeti, M. ; Martino, J.A. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Influence of the sidewall crystal orientation, HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on n-MuGFETs under analog operation. Solid-State Electronics, v. 62, p. 146-151, 2011.

62.
Doria, Rodrigo Trevisoli2011Doria, Rodrigo Trevisoli ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Harmonic distortion of 2-MOS structures for MOSFET-C filters implemented with n-type unstrained and strained FINFETS. Solid-State Electronics, v. 62, p. 99-105, 2011.

63.
BUHLER, R. T.2011BUHLER, R. T. ; GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . Influence of Fin Shape and Temperature on conventional and Strained MUGFETs' Analog Parameters. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 6, p. 94-101, 2011.

64.
de Andrade, Maria Glória Caño2011de Andrade, Maria Glória Caño ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Comparison of the Low-Frequency Noise of Bulk Triple-Gate FinFETs With and Without Dynamic Threshold Operation. IEEE Electron Device Letters (Print), v. 32, p. 1597-1599, 2011.

65.
GALETI, Milene2011GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, J.A. . Analog Performance of SOI nMUGFETs with Different TiN Gate Electrode Thickness and High-k dielectrics. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 6, p. 102-106, 2011.

66.
RODRIGUES, Michele2010RODRIGUES, Michele ; Martino, J A ; MERCHA, A ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs. Solid-State Electronics, v. 54, p. 1592-1597, 2010.

67.
DORIA, R. T.2010DORIA, R. T. ; CERDEIRA, Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Harmonic distortion of unstrained and strained FinFETs operating in saturation. I.E.E.E. Transactions on Electron Devices, v. 57, p. 3303-3311, 2010.

68.
SANTOS, S. D.2010SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effects using triple gate FinFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 5, p. 154-159, 2010.

69.
PAVANELLO, M. A.2010PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 5, p. 168-173, 2010.

70.
CAMILLO, Luciano Mendes2009CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Investigation of the Gate Length and Drain Bia dependence of the ZTC Biasing Point Instability of N- and P- Channel PD SOI MOSFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 4, p. 61-66, 2009.

71.
PAVANELLO, M. A.2009PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Cryogenic operation of FinFETs aiming at analog applications. Cryogenics (Guildford), v. 49, p. 590-594, 2009.

72.
Bühler, R T2009Bühler, R T ; Giacomini, R ; MARTINO, J. A. ; Pavanello, M A . Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 24, p. 115017, 2009.

73.
RODRIGUES, Michele2008RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Parameters Extraction from C-V Curves in Triple-Gate FinFET. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 3, p. 77-81, 2008.

74.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2008AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Gate Oxide Thickness Influence on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI Technology. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 3, p. 91-95, 2008.

75.
ANDRADE, Maria Glória Cano de2008ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Threshold voltages of SOI MuGFETs. Solid-State Electronics, v. 52, p. 1877-1883, 2008.

76.
GIACOMINI, Renato Camargo2008GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, J. A. . Trapezoidal Cross-Sectional Influence on finFET Threshold Voltage and Corner Effects. Journal of the Electrochemical Society, v. 155, p. h213-h217, 2008.

77.
AGOPIAN, P2008AGOPIAN, P ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Temperature influence on the gate-induced floating body effect parameters in fully depleted SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 52, p. 1751-1754, 2008.

78.
PAVANELLO, M. A.2008PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Analog Performance of Standard and Strained Triple-Gate Silicon-On-Insulator nFINFETs. Solid-State Electronics, v. 52, p. 1904-1909, 2008.

79.
Galeti, M2008Galeti, M ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Improved generation lifetime model for the electrical characterization of single- and double-gate SOI nMOSFETs. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 23, p. 125011, 2008.

80.
SOUZA, Michelly de2007SOUZA, Michelly de ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Low Temperature Influence on the Uniaxially Strained FD SOI nMOSFETs Behavior. Microelectronic Engineering, v. 84, p. 2121-2124, 2007.

81.
SIMOEN, Eddy2007SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. ; CHUNG, T M ; FLANDRE, D. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; RASKIN, J P . The low-frequency noise behaviour of graded-channel SOI nMOSFET. Solid-State Electronics, v. 51, p. 260-267, 2007.

82.
PAVANELLO, M. A.2007PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, C. . Evaluation of triple-gate FinFETs with SiO2-HfO2-TiN gate stack under analog operation. Solid-State Electronics, v. 51, p. 285-291, 2007.

83.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2007AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Study of the linear kink effect in PD SOI nMOSFETs. Microelectronics Journal, v. 38, p. 114-119, 2007.

84.
PAVANELLO, M. A.2007PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of uniaxial and biaxial strain impact on the linearity of fully depleted SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 51, p. 1194-1200, 2007.

85.
HAYAMA, K2006HAYAMA, K ; TAKAKURA, K ; OKADA, S ; KUDOU, T ; OHYAMA, H ; RAFÍ, J M ; MARTINO, J. A. ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C . Investigation of back gate interface states by drain current hysteresis in PD-SOI n-MOSFETs. Physica. B, Condensed Matter, Inglaterra, v. 376-77, p. 416-419, 2006.

86.
GIMENEZ, Salvador Pinillos2006GIMENEZ, Salvador Pinillos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis . Gain improvement in operational transconductance amplifiers using Graded-Channel SOI nMOSFETS. Microelectronics Journal, Oxford, Inglaterra, v. 37, n.1, p. 31-37, 2006.

87.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2006PAVANELLO, Marcelo Antonio ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis . Cryogenic Operation of graded-channel silicon-on-insulator nMOSFETs for high performance analog applications. Microelectronics Journal, Oxford, Inglaterra, v. 37, n.2, p. 137-144, 2006.

88.
SIMOEN, Eddy2006SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; LUKYANCHIKOVA, N ; GARBAR, N ; SMOLANKA, A ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . Electron valence-band tunnelling excess noise in twin-gate silicon-on-insulator MOSFETs. Solid-State Electronics, Oxford, Inglaterra, v. 50, n.1, p. 52-57, 2006.

89.
GIACOMINI, Renato2006GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . Modeling Silicon on Insulator MOS Transistor with Nonrectangular-Gate Layouts. Journal of the Electrochemical Society, Estados Unidos, v. 153, n.3, p. 218-222, 2006.

90.
GALETI, Milene2006GALETI, Milene ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Evaluation of graded-channel SOI MOSFET operation at high temperatures. Microelectronics Journal, Oxford, Inglaterra, v. 37, n.7, p. 601-607, 2006.

91.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.2006MARTINO, J. A.; GALETI, Milene ; RAFÍ, J M ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C . Estimating Temperature Dependence of Generation Lifetime Extracted from Drain Current Transients. Journal of the Electrochemical Society, Estados Unidos, v. 153, n.3, p. G502-G505, 2006.

92.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der2006AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of twin-gate structure on the linear kink effect in PD SOI nMOSFETs. Microelectronics Journal, Inglaterra, v. 37, n.8, p. 681-685, 2006.

93.
CAMILLO, Luciano Mendes2006CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . The temperature mobility degradation influence on the zero temperature coefficient of partially and fully depleted SOI MOSFETs. Microelectronics Journal, Oxford, v. 37, n.9, p. 952-957, 2006.

94.
SONNENBERG, Victor2005SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . SOI Technology Characterization Using SOI-MOS Capacitor. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 49, p. 109-116, 2005.

95.
CERDEIRA, Antonio2005CERDEIRA, Antonio ; ALEMAN, Miguel ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; VANCAILLIE, Laurent ; FLANDRE, Denis . Advantages of the Graded -Channel SOI FD MOSFET for Application as a Quasi-Linear Resistor. IEEE Transactions on Electron Devices, Estados Unidos, v. 52, n.5, p. 967-972, 2005.

96.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2005PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of Halo Implantation on 0.13 um Floating-Body Partially Depleted SOI n-MOSFETS in Low Temperature Operation. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 49, n.8, p. 1274-1281, 2005.

97.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2005PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of Temperature Induced Saturation Threshold Voltage Degradation in Deep-Submicrometer Ultrathin SOI MOSFETS. IEEE Transactions on Electron Devices, Estados Unidos, v. 52, n.10, p. 2236-2242, 2005.

98.
GIACOMINI, Renato2005GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . A Simple Current Model for Edgeless SOI nMOSFET and a 3-D Analysis. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 49, n.8, p. 1255-1261, 2005.

99.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2005PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; RASKIN, Jean Pierre ; FLANDRE, Denis . High Performance Analog Operation of Double Gate Transistors with the Graded-Channel Architecture at Low Temperatures. Solid-State Electronics, Oxford, v. 49, n.10, p. 1569-1575, 2005.

100.
BELLODI, Marcello2004BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Study of the Drain Leakage Current Behavior in Graded-Channel SOI nMOSFETs Operating at High Temperatures. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), São Paulo, v. 1, n.2, p. 31-35, 2004.

101.
PAVANELLO, Marcelo Antonio2002PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Analog Circuit Design Using Graded-Channel Silicon-On-Insulator nMOSFETs. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 46, p. 1215-1225, 2002.

102.
NICOLETT, Aparecido Sirley2002NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Extraction of The Oxide Charge Density at Front and Back Interfaces of SOI nMOSFETs Devices. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 46, p. 1381-1387, 2002.

103.
PAVANELLO, M. A.2002PAVANELLO, M. A. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . Low Temperature Operation of Graded-Channel SOI nMOSFETs for Analog Applicattions. Journal de Physique. IV (Cessou em 2006. Cont. ISSN 1951-6355 The European Physical Journal. Special Topics), v. 12, p. pr323-pr326, 2002.

104.
PAVANELLO, M. A.2002PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; MERCHA, A ; RAFÍ, J M ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; van MEER, H. ; MEYER, K. . Low Temperature Operation of 0.13 um Partially-Depleted SOI nMOSFETs with Floating Body. Journal de Physique. IV (Cessou em 2006. Cont. ISSN 1951-6355 The European Physical Journal. Special Topics), v. 12, p. pr331-pr334, 2002.

105.
BELLODI, M.2001BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Study of the Leakage Drain Current Carriers is SOI MOSFETs at High-Temperatures. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 45, p. 683-688, 2001.

106.
MARQUES, A. E. B.2001MARQUES, A. E. B. ; SANTOS FILHO, S. G. ; NAVIA, A. R. ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Physical and Electrical Characterization of Thin Nickel Films Obtained from Electroless Plating onto Aluminum. Physica Status Solidi. A, Applied Research, v. 187, n.01, p. 75-84, 2001.

107.
NICOLETT, A. S.2000NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Simultaneous Extraction of the Silicon Film and Front Oxide Thicknesses on Fully Depleted SOI NMOSFETs. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 44, p. 1961-1969, 2000.

108.
NICOLETT, A. S.2000NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Extraction of the Lightly Doped Drain Concentration of Fully Depleted SOI NMOSFETs Using the Back Gate Bias Effect. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 44, p. 677-684, 2000.

109.
PAVANELLO, M. A.2000 PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; DESSARD, V. ; FLANDRE, D. . Analog Performance and Application of Graded-Channel Fully Depleted SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 44, p. 1219-1222, 2000.

110.
PAVANELLO, M. A.2000PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Graded-Channel Fully Depleted Silicon-On-Insulator nMOSFET for Reducing the Parasitic Bipolar Effects. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 44, p. 917-922, 2000.

111.
PAVANELLO, M. A.2000PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; DESSARD, V. ; FLANDRE, D. . An Asymmetric Channel SOI nMOSFET for Reducing Parasitic Effects and Improving Output Characteristics. Electrochemical and Solid-State Letters, Estados Unidos, v. 3, n.1, p. 50-52, 2000.

112.
BELLODI, M.1999BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Components of the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at High-Temperatures. Journal of Solid-State Devices and Circuits, São Paulo, Brasil, v. 7, n.1, p. 7-11, 1999.

113.
BELLODI, M.1999BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Leakage Drain Current Behavior in an Accumulation Mode SOI p-Channel MOSFET Operating at High Temperatures. Electrochemical and Solid-State Letters, Pennington, Estados Unidos, v. 2, n.7, p. 345-346, 1999.

114.
SONNENBERG, V.1999SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Analysis of Transition Region and Accumulation Layer Effect in the Subthreshold Slope in SOI nMOSFETs and theirs influences on the Interface Trap Density Extraction. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 43, n.12, p. 2191-2199, 1999.

115.
PAVANELLO, M. A.1999PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Extraction of the Oxide Charges at the Silicon Substrate Interface in Silicon-On-Insulator MOSFET's. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 43, n.11, p. 2039-2046, 1999.

116.
SONNENBERG, Victor1999SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . A Simple Method for Minimizing the Transiet Effect in SOI nMOSFETs at Low Temperature. Electrochemical and Solid-State Letters, Pennington, Estados Unidos, v. 2, p. 585-586, 1999.

117.
SONNENBERG, V.1998SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of Accumulation layer on Interface Trap Density Extraction. Electronics Letters, Inglaterra, v. 34, n.25, p. 2439-2441, 1998.

118.
PAVANELLO, M. A.1998PAVANELLO, M. A. ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Substrate Effect o Enhancement-Mode SOI nMOSFET Effective Channel Length and Series Resistance at 77 K. Journal de Physique. IV, v. 8, p. 3-49-3-53, 1998.

119.
PAVANELLO, M. A.1998PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . A New Method to Extract the Effective Trap Density at the Buried Oxide/Underlying Substrate Interface in Enhancement-Mode SOI MOSFETs at Low Temperatures. Journal de Physique. IV, v. 8, p. 3-45-3-48, 1998.

120.
NICOLETT, Aparecido Sirley1998NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Back Gate Voltage and Buried-Oxide Thickness Influences on the Series Resistance of Fully Depleted SOI MOSFETs at 77 K. Journal de Physique. IV, v. 8, p. 3-25-3-28, 1998.

121.
PAVANELLO, M. A.1997PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Substrate Influences on Fully Depleted Enhancement Mode SOI MOSFETs at Room Temperature and at 77 K. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 41, n.1, p. 111-119, 1997.

122.
NICOLETT, A. S.1997NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . A Simple Technique to Reduce the Influence of the Series Resistance on the Bulk and SOI MOSFET Parameter Extraction. Journal of Solid-State Devices and Circuits, São Paulo - SP, v. 05, n.1, p. 05-08, 1997.

123.
NICOLETT, A. S.1997NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Improved Channel Length and Series Resistance Extraction for Short-Channel MOSFETs Suffering from Mobility Degradation. Journal of Solid-State Devices and Circuits, Brasil, v. 05, p. 01-04, 1997.

124.
PAVANELLO, Marcelo Antonio1997PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Analytical Modeling of the Substrate Effect on Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at Room Temperature and at 77K. Microelectronic Engineering, Elsevier, v. 36, p. 375-378, 1997.

125.
PAVANELLO, Marcelo Antonio1997PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Analytical Modeling of the Substrate Influence on Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at Room and at Liquid Nitrogen. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 41, p. 1241-1247, 1997.

126.
BELLODI, M.1996BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . New Empirical Model for Leakage Current of SOI MOSFET´s Valid From Room to High Temperature. Journal of Solid-State Devices and Circuits, São Paulo - SP, v. 04, n.1, p. 07-10, 1996.

127.
NICOLETT, Aparecido Sirley1996NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Mobility Degradation Influence on the SOI MOSFET Channel Length Extraction at 77K. Journal de Physique. IV, v. 6, p. C3-55-C3-59, 1996.

128.
SIMOEN, Eddy1996SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . Parameter Extraction of MOSFETs Operated at Low Temperature. Journal de Physique. IV, v. 6, p. C3-29-C3-42, 1996.

129.
PAVANELLO, M. A.1996PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Theoretical and Experimental Study of the Substrate Effect on Fully Depleted SOI MOSFET Threshold Voltage. Journal de Physique. IV, v. 6, p. C3-67-C3-71, 1996.

130.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.1995MARTINO, J. A.; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . A New Method for Determining the Front and Back Interface Trap Densities of Accumulation Mode SOI MOSFETs at 77 K. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 38, n.10, p. 1799-1803, 1995.

131.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.1994MARTINO, J. A.; ROTONDARO, A. L. P. ; SIMOEN, Eddy ; MAGNUSSON, U. ; CLAEYS, C. . Transient Effects in Accumulation Mode P-Channel SOI-MOSFETs Operating at 77 K. IEEE Transactions on Electron Devices, Estados Unidos, v. 41, p. 519-523, 1994.

132.
Martino, J.A.1993Martino, J.A.; Simoen, E. ; MAGNUSSON, U. ; Rotondaro, A.L.P. ; CLAEYS, C. . Simple method for the determination of the interface trap density at 77 K in fully depleted accumulation mode SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 36, n.06, p. 827-832, 1993.

133.
MAFRA, J. J.1992MAFRA, J. J. ; MARTINO, J. A. . Projeto de Processos de Fabricação Avançados Aplicáveis nas Tecnologias CMOS micrométricas. Caderno de Engenharia, Belo Horizonte, v. 1, n.1, p. 51-57, 1992.

134.
Martino, J.A.1990 Martino, J.A.; LAUWERS, L. ; Colinge, J.P. ; De MEYER, K. . Model for the potential drop in the silicon substrate for thin-film SOI MOSFETs. Electronics Letters, Inglaterra, v. 26, n.18, p. 1462-1464, 1990.

135.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.1989MARTINO, J. A.. Uma Tecnologia CMOS de Fabricação de Circuitos Integrados Digitais VLSI. Revista Pesquisa e Tecnologia FEI, São Bernardo do Campo - SP, p. 17-21, 1989.

136.
SANTOS FILHO, S. G.1987SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. . Projeto de um Inversor Básico de uma Tecnologia NMOS com Carga em Depleção. Revista Pesquisa e Tecnologia FEI, São Bernardo do Campo - SP, v. 12, p. 10-19, 1987.

137.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.1985MARTINO, J. A.. Uma Tecnologia de Fabricação de Circuitos Integrados Digitais. Revista Pesquisa e Tecnologia FEI, São Bernardo do Campo - SP, v. 06, p. 39-46, 1985.

138.
MARTINO, J. A.;MARTINO, J;Martino, J A;Martino, João Antonio;Martino, Joao Antonio;Martino, João A.;Martino, Joad A.;João Antonio Martino;MARTINO, JOAO A.;Martino, J. A.;Joao Antonio Martino;Martino, JA;J. A. Martino;J.A. Martino;Martino, J.A.;J Antonio Martino;MARTINO, JOAO;MARTINO, J.;MARTINO, JOAO ANTONIO;JOAO ANTONIO MARTINO;MARTINO, J-A.;JA MARTINO;MARTINO, J.A.1984MARTINO, J. A.. Realização de uma Unidade Central de Processamento, Didática. Revista Pesquisa e Tecnologia FEI, São Bernardo do Campo - SP, v. 07, p. 25-32, 1984.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO; RASKIN, Jean Pierre (Org.) ; Selberherr, S. (Org.) ; Ishii, H. (Org.) ; GAMIZ, F. (Org.) ; Nguyen, B.-Y. (Org.) ; HOSHINO, AKIRA (Org.) . Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18. 8. ed. Pennington,: The Electrochemical Society, 2018. v. 85. 220p .

2.
Omura, Y. (Org.) ; J. A. Martino (Org.) ; Raskin, J.-P. (Org.) ; Selberherr, S. (Org.) ; Ishii, H. (Org.) ; GAMIZ, F. (Org.) ; Nguyen, B.-Y. (Org.) . Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17. 5. ed. Pennington: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. 322p .

3.
Omura, Y. (Org.) ; GAMIZ, F. (Org.) ; Nguyen, B.-Y. (Org.) ; Ishii, H. (Org.) ; MARTINO, J. A. (Org.) ; Selberherr, S. (Org.) ; Raskin, J.-P. (Org.) . Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16. 53. ed. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 1. 200p .

4.
Omura, Y. (Org.) ; Gamis, F. (Org.) ; Ishii, H. (Org.) ; Martino, João Antonio (Org.) ; Nguyen, B.-Y. (Org.) ; Raskin, J.-P. (Org.) ; Selberherr, S. (Org.) . Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. 35. ed. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2011. v. 1. 333p .

5.
Pavanello, M A (Org.) ; CLAEYS, C (Org.) ; MARTINO, J. A. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2010. 1. ed. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2010. v. 31. 459p .

6.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, M. A. (Org.) ; CLAEYS, C. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2007. 1. ed. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2007. v. 9. 599p .

7.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; VERDONCK, Patrick Bernard . Caracterização Elétrica de Tecnologia e Dispositivos MOS. 1. ed. São Paulo: Thomson, 2003. v. 1. 193p .

8.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2003. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 1. 462p .

9.
MARTINO, J. A.. Anais do VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. , 1992.

Capítulos de livros publicados
1.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR . Chapter 7 - TFETs for Analog Applications. In: Brajesh Kumar Kaushik. (Org.). Nanoscale Devices Physics, Modeling, and Their Application. 1ed.Boca Raton: Taylor & Francis Group, 2018, v. , p. 1-32.

2.
Martino, João Antonio; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. In: Nazarov, A.; Colinge, J.-P.; Balestra, F.; Raskin, J.-P.; Gamiz, F.; Lysenko, V.S.. (Org.). Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications. 1ed.Berlin: Springer, 2011, v. IX, p. 267-286.

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
MARTINO, J. A.. Transistor 3D é construído pela primeira vez no Brasil. NEI, São Paulo, p. 14 - 14, 01 ago. 2013.

2.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Estudo dos Efeitos da Depleção do Silício Policristalino e da Corrente de Tunelamento em Capacitores MOS. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, p. 5 - 10, 01 mar. 2007.

3.
MARTINO, J. A.. Evolução dos transistores em circuitos integrados. Metalurgia & Materiais, São Paulo, p. 534 - 541, 01 out. 2006.

4.
MARTINO, J. A.; SWART, J. W. . Processo CMOS de Cavidade Dupla. Ipesi Eletro Eletrônica, p. 47 - 50, 01 set. 1989.

5.
MARTINO, J. A.; SWART, J. W. . Limitações da Estrutura CMOS. Ipesi Eletro Eletrônica, p. 52 - 57, 01 set. 1989.

6.
MARTINO, J. A.. Fabricação de Circuitos Integrados NMOS com Porta de Silício Policristalino e Comprimento Mínimo de Porta de 5 um. Jornal de Microeletrônica, p. 8 - 10, 01 out. 1985.

7.
NICOLETT, A. S. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Estudo do comportamento da Resistência série em transistores SOI nMOSFET de Camada Fina. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, p. 21 - 29.

8.
SONNENBERG, V. ; NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Extração de parâmetros da Tecnologia SOI através de Capacitores. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, p. 5 - 13.

9.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Simulação e estudo experimental do efeito de tunelamento na extração das espessuras do filme de silício e do óxido de porta em transistores SOI submicrométricos. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, p. 14 - 20.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. . New method for self-heating estimation using only DC measurements. In: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2018, Granada. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018. p. 1-4.

2.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Improvement of gm/ID Method for Detection of Self-Heating Effects. In: Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18, 2018, Seattle. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 73-78.

3.
YOJO, LEONARDO ; RANGEL, RICARDO C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Optimization of Source/Drain Schottky Barrier Height on BE SOI MOSFET. In: Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18, 2018, Seattle. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 79-84.

4.
SILVA, V. C. P. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, P. G. D. . Parasitic Conduction on Ω-Gate Nanowires SOI nMOSFETs. In: Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18, 2018, Seattle. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 103-109.

5.
MACAMBIRA, CHRISTIAN N. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Impact of Biosensor Permittivity on a Double-Gate nTFET Ambipolar Current. In: Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18, 2018, Seattle. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 187-192.

6.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . DC method for self-heating estimation applied to FinFET. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

7.
YOJO, LEONARDO ; RANGEL, RICARDO C. ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Influence of biological element permittivity on BE (Back Enhanced) SOI MOSFETs. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

8.
PADOVESE, JOSE A. ; YOJO, LEONARDO ; RANGEL, RICARDO C. ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Back Enhanced SOI MOSFET as UV Light Sensor. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

9.
MACAMBIRA, CHRISTIAN ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Influence of Channel Silicon Thickness and Biological Material Permittivity on nTFET Biosensor. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

10.
SILVA, V. C. P. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der . Interface Charges Influence on the Subthreshold Region from Triple Gate SOI FinFET to Ω-Gate Nanowire Devices. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

11.
GONÇALVES, G. V. ; OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; WITTERS, LIESBETH ; MITARD, JEROME ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, COR ; Simoen, Eddy . Ground Plane Impact on the Threshold Voltage of Relaxed Ge pFinFETs. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

12.
Roberto Rangel ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . A Tunnel-FET device model based on Verilog-A. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro-2018), 2018, Bento Gonçalves. SBMicro 2018 proceedings, 2018. p. 1-4.

13.
ITOCAZU, V. T. ; SONNENBERG, V. ; Martino, J. A. ; BARRAUD, S. ; VINET, M. ; FAYNOT, O. . Analog parameters on pMOS SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width for different back gate bias. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 192-195.

14.
YOJO, L.S ; RANGEL, R.C. ; SASAKI, K.R.A. ; Martino, J.A. . Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 204-207.

15.
PARK, H. J. ; BAWEDIN, M. ; SASAKI, K. ; MARTINO, J-A. ; CRISTOLOVEANU, S. . Is there a kink effect in FDSOI MOSFETs?. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 212-215.

16.
CAPARROZ, L.F.V. ; BORDALLO, C. C. M. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Low temperature performance of proton irradiated strained SOI FinFET. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 61-63.

17.
BORDALLO, C. ; Martino, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. S. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Collaert, N. . Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 109-112.

18.
OLIVEIRA, A.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. ; Collaert, N. ; CLAEYS, C. . Experimental comparison between relaxed and strained Ge pFinFETs. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 180-183.

19.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. . New method for observing self-heating effect using transistor efficiency signature. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-3.

20.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; Sasaki, K. R. A. ; Martino, J. A. . Is there a Zero Temperature bias point (ZTC) on Back Enhanced (BE) SOI MOSFET?. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-3.

21.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. ; Collaert, N. ; CLAEYS, C. . Low temperature influence on long channel STI last process relaxed and strained Ge pFinFETs. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-3.

22.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. ; AGOPIAN, P. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Collaert, N. . Impact of the Zn diffusion process at the source side of InxGa1−xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-3.

23.
Martino, M. D. V. ; Martino, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ROOYACKERS, R. ; Simoen, E. ; Collaert, N. ; CLAEYS, C. . Experimental analysis of differential pairs designed with line tunnel FET devices. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-3.

24.
NASCIMENTO, VINICIUS M. ; Agopian, Paula G.D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Enhanced model for ZTC in irradiated and strained pFinFET. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

25.
YOJO, LEONARDO ; RANGEL, RICARDO C. ; SASAKI, KATIA R. A. ; MARTINO, JOAO A. . Reconfigurable back enhanced (BE) SOI MOSFET used to build a logic inverter. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

26.
ITOCAZU, VITOR T. ; Almeida, Luciano M. ; SONNENBERG, Victor ; Agopian, Paula G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

27.
TEIXEIRA, FERNANDO F. ; Agopian, Paula G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . The influence of low-energy proton irradiaiton on threshold voltage and tranconductance of nanowire SOI n and p-channel transistors. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

28.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. . Simple method for detection of the self-heating signature. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

29.
TORRES, H. L. F. ; Martino, J. A. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Proton radiation effects on the self-aligned triple gate SOI p-type tunnel FET output characteristic. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

30.
SILVA, V. C. P. ; SONNENBERG, V. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Subthreshold region analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with different channel lengths and silicon thickness. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

31.
MARTINO, MARCIO D.V. ; MARTINO, JOAO A. ; Agopian, Paula G. D. . Analysis of TFET and FinFET differential pairs with active load from 300K to 450K. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Vienna. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. v. 1. p. 246-249.

32.
SIVIERI, V. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Comparative study of vertical GAA TFETs and GAA MOSFETs in function of the inversion coefficient. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. v. 1. p. 198-201.

33.
OLIVEIRA, A.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. ; LANGER, R. ; Collaert, N. ; CLAEYS, C. ; THEAN, A. . Effective hole mobility and low-frequency noise characterization of Ge pFinFETs. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. v. 1. p. 162-165.

34.
BORDALLO, C. C. M. ; SIVIERI, V. B. ; Martino, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Influence of the Ge amount at source on transistor efficiency of vertical gate all around TFET for different conduction regimes. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. v. 1. p. 242-245.

35.
AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Intrinsic voltage gain of Line-TFETs and comparison with other TFET and MOSFET architectures. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. v. 1. p. 13-15.

36.
SASAKI, K.R.A. ; Martino, J.A. ; NAVARRO, C. ; BAWEDIN, M. ; ANDRIEU, F. ; CRISTOLOVEANU, S. . Body factor scaling in UTBB SOI with supercoupling effect. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016. p. 174-177.

37.
YOJO, LEONARDO ; PADOVESE, JOSE A. ; RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO A. . Back enhanced (BE) SOI pMOSFET behavior at high temperatures. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

38.
CAPARROZ, LUIS F. V. ; MARTINO, JOAO A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Agopian, Paula G. D. . Proton radiation influence on SOI FinFET trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

39.
ITOCAZU, VITOR T. ; SONNENBERG, Victor ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Influence of different UTBB SOI technologies on analog parameters. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

40.
SASAKI, KATIA R. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . DIBL in enhanced dynamic threshold operation of UTBB SOI with different drain engineering at high temperatures. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

41.
NASCIMENTO, VINICIUS M. ; Agopian, Paula G. D. ; Almeida, Luciano M. ; BORDALLO, CAIO C. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

42.
RIBEIRO, T. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Martino, J. A. ; PAVANELLO, M. A. . Analysis of carrier mobility in triple gate SOI nFinFET combining rotated substrate and strain. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

43.
MAGAN, CAIO MALINGRE ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; de Andrade, Maria Gloria Cano . n-Channel bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of GIDL and gate leakage currents. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

44.
MACAMBIRA, CHRISTIAN N. ; ITOCAZU, VITOR T. ; Almeida, Luciano M. ; MARTINO, JOAO A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Ground plane influence on zero-temperature-coefficient in SOI UTBB MOSFETs with different silicon film thicknesses. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

45.
TEIXEIRA, FERNANDO F. ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Influence of spacer materials on underlapped and self-aligned UTBB SOI nMOSFET. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1-4.

46.
Sasaki, K. R. A. ; NAVARRO, C. ; BAWEDIN, M. ; ANDRIEU, F. ; Martino, J. A. ; CRISTOLOVEANU, S. . Influence of source-drain engineering and temperature on split-capacitance characteristics of FDSOI p-i-n gated diodes. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1-3.

47.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. ; AGOPIAN, P. ; ALIAN, A. ; MOIS, Y. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Collaert, N. ; THEAN, A. . Impact of InxGa1−x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1-3.

48.
DE OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS ; SIMOEN, Eddy ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; MITARD, JEROME ; WITTERS, LIESBETH ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1-3.

49.
ALMEIDA, L. M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; BARRAUD, S. ; VINET, M. ; FAYNOT, O. . Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1-3.

50.
MARTINO, JOAO; MESQUITA, VINICIUS ; MACAMBIRA, CHRISTIAN ; ITOCAZU, VITOR ; ALMEIDA, LUCIANO ; AGOPIAN, PAULA ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Zero Temperature Coefficient behavior for advanced MOSFETs. In: 2016 13th IEEE International Conference on SolidState and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2016, Hangzhou. 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2016. p. 785.

51.
DE OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS ; SIMOEN, Eddy ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; MITARD, JEROME ; WITTERS, LIESBETH ; LANGER, ROBERT ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, Aaron ; CLAEYS, COR . Low Temperature Effect on Strained and Relaxed Ge pFinFETs STI Last Processes. In: 230th ECS Meeting, PRIME ? High Purity and High Mobility Semiconductors 14, 2016, Honolulu. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2016. v. 75. p. 213-218.

52.
Simoen, Eddy ; DE OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS ; BOUDIER, D. ; MITARD, JEROME ; WITTERS, LIESBETH ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; CARIN, R. ; CRETU, B. ; LANGER, ROBERT ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, Aaron ; CLAEYS, COR . Generation-Recombination Noise in Advance CMOS Devices. In: 230th ECS Meeting, PRIME, Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 14, 2016, Honolulu, Hawaii, USA. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2016. v. 75. p. 111-120.

53.
NEVES, F. S. ; Agopian, P. G. D. ; Martino, J. A. ; CRETU, B. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, R. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Study of low frequency noise in vertical NW-Tunnel FETs with different source compositions. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. p. 149-152.

54.
Agopian, P. G. D. ; Martino, J. A. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, R. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Comparison between vertical silicon NW-TFET and NW-MOSFETfrom analog point of view. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. p. 233-236.

55.
BORDALLO, C. C. M. ; SIVIERI, V. B. ; Martino, J. A. ; Agopian, P. G. D. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Impact of the diameter of vertical nanowire-tunnel FETs with Si and SiGe source composition on analog parameters. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. p. 253-256.

56.
Sasaki, K. R. A. ; Martino, J. A. ; AOULAICHE, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Enhanced dynamic threshold UTBB SOI at high temperature. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. p. 261-264.

57.
OLIVEIRA, A. V. ; Agopian, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . High temperature influence on analog parameters of Bulk and SOI nFinFETs. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015. p. 293-296.

58.
ITOCAZU, V.T. ; Sasaki, K. R. A. ; MANINI, M.B. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 109-115.

59.
BERTOLDO, M. ; OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Proton Radiation Effects on the Analog Performance of Bulk n- and p-FinFETs. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 295-301.

60.
NEVES, FELIPE ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Study of Hysteresis in Vertical Ge-Source Heterojunction Tunnel-FETs at Low Temperature. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 179-185.

61.
Martino, M. D. V. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Comparison of Current Mirrors Designed with TFET or FinFET Devices for Different Dimensions and Temperatures. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 303-308.

62.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; FANG, W. ; ARIMURA, H. ; MITARD, J. ; MERTENS, H. ; SIMOEN, E ; MOCUTA, A. ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Impact of Gate Stack Dielectric on Intrinsic Voltage Gain and Low Frequency Noise in Ge pMOSFETs. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society. v. 66. p. 309-314.

63.
SIVIERI, VICTOR B. ; BORDALLO, CAIO C. M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Vertical Nanowire TFET Diameter Influence on Intrinsic Voltage Gain for Different Inversion Conditions. In: 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 187-192.

64.
MARTINO, J. A.; AGOPIAN, P. G. D. ; NEVES, FELIPE ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . (invited) The Impact of the Ge Concentration in the Source for Vertical Tunnel-FETs. In: 227th ECS Meeting - Silicon Compatible Materials, Processes, and Technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 5, 2015, Chicago, USA. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 79-86.

65.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; MERTENS, H. ; Collaert, N. ; THEAN, A. . Dynamic threshold voltage influence on Ge pMOSFET hysteresis. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

66.
RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO A. . Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

67.
SASAKI, KATIA R. A. ; NAVARRO, CARLOS ; BAWEDIN, MARYLINE ; ANDRIEU, FRANCOIS ; MARTINO, JOAO A. ; CRISTOLOVEANU, SORIN . Reliability of film thickness extraction through CV curves of SOI p-i-n gated diodes. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

68.
MARTINO, MARCIO D. V. ; MARTINO, JOAO A. ; Agopian, Paula G. D. . Performance comparison between TFET and FinFET differential pair. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

69.
CLAEYS, C. ; Simoen, E. ; AGOPIAN, P.G.D. ; Martino, J.A. ; AOULAICHE, M. ; CRETU, B. ; FANG, W. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; VELOSO, A. ; JURCZAK, M. ; Collaert, N. ; THEAN, A. . The smaller the noisier? Low frequency noise diagnostics of advanced semiconductor devices. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-6.

70.
ITOCAZU, VITOR T. ; SONNENBERG, Victor ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Ground Plane influence on UTBB SOI nMOSFET analog parameters. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

71.
RIBEIRO, T. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; Martino, J.A. ; PAVANELLO, M. A. . Detailed analysis of transport properties of FinFETs through Y-Function method: Effects of substrate orientation and strain. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

72.
SIVIERI, VICTOR B. ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Impact of diameter on TFET conduction mechanisms. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

73.
BORDALLO, CAIO C. M. ; MARTINO, JOAO A. ; Agopian, Paula G. D. ; ROOYACKERS, R. ; VANDOOREN, A. ; THEAN, A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of analog parameters in NW-TFETs with Si and SiGe source composition at high temperatures. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1-4.

74.
NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Martino, J. A. ; CRETU, B. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, R. ; Simoen, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Transconductance hump in vertical gate-all-around tunnel-FETs. In: 2015 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2015, Rohnert Park. 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). p. 1-3.

75.
Sasaki, K. R. A. ; NAVARRO, C. ; BAWEDIN, M. ; CRISTOLOVEANU, S. ; Martino, J. A. ; ANDRIEU, F. . Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode. In: 2015 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2015, Rohnert Park. 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2015. p. 1-3.

76.
M. A. S. de Souza ; DORIA, R. T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; Pavanello, M A . Channel Length Influence on the Low-Frequency Noise of Strained 45o Rotated Triple Gate SOI nFinFETs. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

77.
MARTINO, J. A.; SONNENBERG, V. ; ITOCAZU, V.T. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Substrate Effect on Threshold Voltage of long and short channel UTBB SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

78.
Sasaki, K. R. A. ; MANINI, M. B. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Enhanced Dynamic Threshold Voltage UTBB SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

79.
Martino, Márcio Dalla Valle ; NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Transport mechanism influence on Vertical Nanowire-TFET analog performance as a function of temperature. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

80.
NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Influence of the gate oxide thickness on the Analog Performance of vertical Nanowire-Tunnel FETs with Ge Source. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

81.
SANTOS, S. D. ; Sasaki, K. R. A. ; NICOLETTI, T. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The Negative World-line Holding Bias Effect on the Retention Time in FBRAMs. In: EUROSOI 2014 ? 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona, Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1. p. meio digital.

82.
Andrade, M. G. C. ; ALMEIDA, L.M. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Floating Body Effect on n-Channel Bulk FinFETs for Memory Application. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 48-52.

83.
SASAKI, K. R. A. ; MANINI, M. B. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; WITTERS, L. ; CLAEYS, C . Ground Plane Influence on Enhanced Dynamic Threshold UTBB SOI nMOSFETs. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 57-61.

84.
OLIVEIRA, A. V. ; Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Fin Width Influence on Analog Performance of SOI and Bulk FinFETs. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 61-64.

85.
Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Unity Gain Frequency on FinFET and TFET Devices. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 70-73.

86.
BORDALLO, C. ; TEIXEIRA, F. F. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The effect of X-Ray Radiation on DIBL for Standard and Strained Triple-Gate SOI MuGFETs. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 74-77.

87.
Martino, Márcio Dalla Valle ; SOUZA, F. N. ; Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Early Voltage and Intrinsic Voltage Gain in Vertical Nanowire-TFETs as a function of Temperature. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS, 2014, Playa del Carmen. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 78-81.

88.
OLIVEIRA, A. V. ; Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Evaluation of Threshold Voltage and Subthreshold Swing in Bulk and SOI Triple Gate nMOSFET Devices. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

89.
SASAKI, K. R. A. ; MANINI, M. B. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Channel Length Influence on the Dynamic Threshold UTBB SOI nMOSFETs. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

90.
TEIXEIRA, F. F. ; Agopian, P. G. D. ; SILVEIRA, M. A. G. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . The X-Ray irradiation effect on the back interface of SOI MuGFET devices. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

91.
ITOCAZU, V.T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Ground Plane Influence on Substrate Effect in UTBB SOI nMOSFETs. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

92.
RANGEL, R. ; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Simple Fabrication Process of SOI nMOSFET. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

93.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The effect of stress and proton radiation on the ION/IOFF ratio of nMuGFETs. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

94.
Andrade, M. G. C. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . n-Channel Bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of Low-Frequency Noise under 60 MeV Proton Irradiation. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

95.
M. A. S. de Souza ; DORIA, R. T. ; SIMOEN, E ; MARTINO, J. A. ; CLAEYS, C ; PAVANELLO, M. A. . Influence of Fin Width on the Low Frequency Noise of Standard and Strained Triple-Gate nFinFETs in Saturation. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

96.
Sasaki, K. R. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Influence of Underlap on UTBB SOI MOSFETs in Dynamic Threshold Mode. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference ? S3S, 2014, Millbrae, California. Proceedings of IEEE S3S, 2014. v. 1. p. 1-3.

97.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Comparison of analog performance between SOI and Bulk pFinFET. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

98.
BORDALLO, CAIO C. M. ; TEIXEIRA, FERNANDO F. ; SILVEIRA, MARCILEI A. G. ; MARTINO, JOAO A. ; Agopian, Paula G. D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The effect of X-Ray radiation dose rate on Triple-Gate SOI FinFETs parameters. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

99.
SASAKI, KATIA R. A. ; Aoulaiche, Marc ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Silicon film thickness influence on enhanced dynamic threshold UTBB SOI nMOSFETs. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

100.
MARTINO, MARCIO D. V. ; MARTINO, JOAO A. ; Agopian, Paula G. D. . Drain induced barrier thinning on TFETs with different source/drain engineering. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

101.
SIVIERI, VICTOR B. ; WESSELY, PIA JULIANE ; SCHWALKE, UDO ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Graphene for advanced devices applications. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.

102.
RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO A. . Proposal of a process design methodology of Fully depleted SOI nMOSFET using only three photolithograph steps for educational application. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-5.

103.
ITOCAZU, VITOR T. ; SONNENBERG, Victor ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Influence of high temperature on substrate effect of UTBB SOI nMOSFETs. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-6.

104.
MARTINO, JOAO A.; Agopian, Paula G. D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Field effect transistors: From mosfet to Tunnel-Fet analog performance perspective. In: 2014 IEEE 12th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014, Guilin. 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014. p. 1.

105.
AGOPIAN, P. G. D. ; PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, Salvador Pinillos ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Experimental comparison between tensile and compressive uniaxially stressed MuGFETs under X-ray radiation. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

106.
SANTOS, S. D. ; SIMOEN, E ; STROBEL, V. ; CRETU, B. ; ROUTOURE, J. M. ; CARIN, R. ; AOULAICHE, M. ; VELOSO, A. ; JURCZAK, M. ; MARTINO, J. A. ; CLAEYS, C . Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

107.
STROBEL, V. ; CRETU, B. ; SANTOS, S. D. ; SIMOEN, E ; ROUTOURE, J. M. ; CARIN, R. ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; MARTINO, J. A. ; CLAEYS, C. . Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

108.
NICOLETTI, T. ; SASAKI, K. R. A. ; AOULAICHE, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

109.
SASAKI, K. R. A. ; NISSIMOFF, A. ; ALMEIDA, L. M. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

110.
SOUZA, F. N. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Influence of interface trap density on vertical NW-TFETs with different source composition. In: EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris, França. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1.

111.
SANTOS, S. D. ; NICOLETTI, T. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Impact of Disturb on Retention Time in Single FBRAM Cells. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 133-138.

112.
BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Temperature Influence on Strained nMuGFETs after Proton Radiation. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 171-176.

113.
BUHLER, R. T. ; SIMOEN, E. ; AGOPIAN, P. G. D. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Fin Dimension Influence on Mechanical Stressors in Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 187-192.

114.
AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Experimental Comparison Between pTFET and pFinFET under Analog Operation. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 155-160.

115.
SONNENBERG, V. ; ITOCAZU, V.T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs With and Without Ground Plane. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 85-91.

116.
NICOLETTI, T. ; SASAKI, K. R. A. ; SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Generation Rate Analysis of Different S/D Junction Engineering in Scaled UTBOX 1T-DRAM. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 195-201.

117.
SASAKI, K. R. A. ; NISSIMOFF, A. ; ALMEIDA, L. M. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 139-146.

118.
SIMOEN, E. ; AOULAICHE, M. ; SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; STROBEL, V. ; CRETU, B. ; ROUTOURE, J. M. ; CARIN, R. ; RODRIGUEZ, A. L. ; TEJADA, J. A. J. ; CLAEYS, C. . Lessons Learned from Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 49-61.

119.
Souza, M. ; DORIA, R. T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; PAVANELLO, M. A. . Influence of 45° Substrate Rotation on the Analog Performance of Biaxially Strained-Silicon SOI MuGFETs. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 161-167.

120.
PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. P. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Comparative Experimental Study Between Tensile and Compressive Uniaxially Stressed nMuGFETs Under X-ray Radiation Focusing on Analog Behavior. In: 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto, Canadá. ECS Transactions. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 177-185.

121.
NISSIMOFF, A. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . A Novel Low-Cost 1T-DRAM Dynamic Measurement System. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

122.
NICOLETTI, T. ; SASAKI, K. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Gate Length Influence on the Retention Time and in the Read Memory Window. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

123.
ITOCAZU, V.T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Analysis of the Interface Trap Densities and the Ground Plane on Ultra Thin Buried Oxide SOI Transistor. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

124.
BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . The effect of temperature, stress and proton radiation on the off-state current of nMuGFETs. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

125.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Limits of interface traps and fixed charge densities on Partially Depleted and Fully Depleted Silicon on Insulator nMOSFETs. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

126.
RANGEL, R. ; POJAR, M. ; SEABRA, A. C. ; SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. . 3D Transistor (FinFET) Fabricated with Three Lithography. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

127.
SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Study of the Low-frequency Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. In: SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013. v. 1. p. meio digital.

128.
AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Early voltage and transistor efficiency of pTFET compared to pFinFET tri-gate devices. In: Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics, 2013, Kiev, Ucrânia. Proceedings of Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics, 2013. v. 1. p. 55-56.

129.
TEIXEIRA, F. F. ; BORDALLO, C. ; SILVEIRA, M. A. G. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Radiation Effect on Standard and Strained Triple-Gate SOI FinFETs Parasitic Conduction. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. Proceedings of SBMicro 2013, 2013. v. online. p. 1-4.

130.
SANTOS, SARA DERESTE DOS ; MARTINO, J. A. ; STROBEL, V. ; CRETU, B. ; ROUTOURE, J. M. ; CARIN, R. ; SIMOEN, E ; AOULAICHE, M. ; Jurczak, Malgorzata ; CLAEYS, C . Low-Frequency Noise in High-K and SiO2 UTBOX SOI nMOSFETs. In: China Semiconductor Technology International Conference - CSTIC 2013, 2013, Shanghai. ECS Transactions. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2013. v. 52. p. 87-92.

131.
Sasaki, K. R. A. ; Almeida, Luciano M. ; NISSIMOFF, A. ; AOULAICHE, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Semiconductor Film Band Gap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-DRAM Using Pulsed Back Gate Bias. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. Proceedings of SBMicro 2013, 2013. v. online. p. 1-4.

132.
NISSIMOFF, A. ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; AOULAICHE, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Two-Sided Read Window Observed on UTBOX SOI 1T-DRAM. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. SBMicro 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. online. p. 1-4.

133.
ITOCAZU, V.T. ; SONNENBERG, V. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Substrate effect on UTBB SOI nMOSFET. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. Proceedings of SBMicro 2013, 2013. v. online. p. 1-4.

134.
RANGEL, R. ; POJAR, M. ; SEABRA, A. C. ; Filho, Sebastião Gomes dos Santos ; MARTINO, J. A. . Fully Electron-Beam-Lithography SOI FinFET. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. Proceedings of SBMicro 2013, 2013. v. online. p. 1-4.

135.
CLAEYS, C ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; NICOLETTI, T. ; SANTOS, SARA DERESTE DOS ; MARTINO, J. A. . Potential and Limitations of UTBB SOI for Advanced CMOS Technologies. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, 2013, Curitiba. Proceedings of SBMicro 2013, 2013. v. online. p. 1-6.

136.
M. A. S. de Souza ; Doria, Rodrigo Trevisoli ; SIMOEN, E ; MARTINO, J. A. ; CLAEYS, C ; PAVANELLO, M. A. . Influence of Substrate Rotation on the Low Frequency Noise of Strained Triple-Gate MuGFETs. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference ? S3S, 2013, Monterey, California. Proceedings of IEEE S3S, 2013. v. 1. p. meio digital.

137.
Nicoletti, Talitha ; SANTOS, SARA DERESTE DOS ; Sasaki, K. R. A. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The Activation Energy Dependence on the Electric Field in UTBOX SOI FBRAM Devices. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference ? S3S, 2013, Monterey, California. Proceedings of IEEE S3S, 2013. v. 1. p. meio diginal.

138.
AGOPIAN, P. G. D. ; SANTOS, SARA DERESTE DOS ; SOUZA, F. N. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, ANNE ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . NW-TFET Analog Performance for Different Ge Source. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference ? S3S, 2013, Monterey, California. Proceedings of IEEE S3S, 2013. v. 1. p. meio digital.

139.
AGOPIAN, P. G. D. ; SOUZA, F. N. ; MARTINO, J. A. ; VANDORREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Back Bias Influence on Analog Performance of pTFET. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference ? S3S, 2013, Monterey, California. Proceedings of IEEE S3S, 2013. v. 1. p. meio digital.

140.
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Martino, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Low-Frequency Noise of nFinFETs on 45º Rotated Substrates. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 15-16.

141.
ALMEIDA, L. M. ; SASAKI, K. ; AOULAICHE, M. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio ; JURCZAK, M. . The Dependence of Sense Margin and Retention Time on Front and Back Gate Bias in UTBOX FBRAM. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 23-24.

142.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Bordallo, C. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . The Influence of Different Stress Techniques and Proton Radiation on GIDL in Triple-Gate SOI Devices. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 51-52.

143.
NICOLETTI, T. ; AOULAICHE, M. ; VELOSO, A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio ; JURCZAK, M. . Temperature Activation of UTBOX SOI Device Characteristics with Different Source-Drain Engineering. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 61-62.

144.
RODRIGUES, Michele ; GALETI, Milene ; Martino, João Antonio ; COLLAERT, Nadine ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . GIDL Behavior in UTBOX SOI Devices with High-k/ Metal Gate Stacks. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 65-66.

145.
Perin, A. L. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; GIACOMINI, Renato . An Electron Mobility Model for Multiple-Gate Device Simulation Considering Silicon-Dielectric Interface Orientations. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, France. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 95-96.

146.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . SEG and Fin Dimensions Influence on Biaxial Stress Effectiveness in Tri-Gate SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 121-122.

147.
SANTOS, S. D. ; NICOLETTI, T. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 123-124.

148.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; Martino, João Antonio ; COLLAERT, Nadine ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Lateral Bipolar Transistor Current Gain Behavior of MuGFET Devices with Different Source-Drain Engineering. In: EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellie, Françe. EUROSOI 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012. v. 1. p. 125-126.

149.
RANGEL, R. ; CARRENO, M. ; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Design, Fabrication and Characterization of Self-Aligned Silicon-Gate nMOSFET Technology. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 23-24.

150.
Rodrigues, M. ; Galeti, M. ; CRUZ, E. O. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, E ; AOULAICHE, M. ; CLAEYS, C . UTBOX SOI devices under analog perspective view. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 31-32.

151.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C . Low-Frequency Noise of Bulk and DTMOS Triple-Gate FinFETs. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 33-34.

152.
SASAKI, K. ; ALMEIDA, L. M. ; MARTINO, J. A. . Comparison of GIDL and BJT effect for Writing Operation in UTBOX 1T-DRAM at high temperatures. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 39-40.

153.
Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Analysis of the analog performance in nMuGFET devices submitted to different stress techniques. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 51-52.

154.
Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Biaxial Stress Influence on Total Resistance and Transconductance in Triple-Gate n-type SOI MuGFETs. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 59-60.

155.
NICOLETTI, T. ; SANTOS, S. D. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Extension-less UTBOX Devices for Analog Applications. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 67-68.

156.
SONNENBERG, V. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Ground Plane influence in Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFET. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. 69-70.

157.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . Fin Width Influence on Uniaxial Stress of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems - ICCDCS 2012, 2012, Playa Del Carmen. ICCDCS 2012 ? Conference Proceedings.. Piscataway, NJ: IEEE, 2012. v. 1. p. 1-4.

158.
Galeti, M ; Rodrigues, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, E ; AOULAICHE, M. ; CLAEYS, C . Analog parameters of MuGFET devices with different source/drain engineering. In: 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems - ICCDCS 2012, 2012, Playa Del Carmen. ICCDCS 2012 ? Conference Proceedings.. Piscataway, NJ: IEEE, 2012. v. 1. p. 1-4.

159.
SASAKI, K. ; ALMEIDA, L. M. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Temperature Influence on UTBOX 1T-DRAM Using GIDL for Writing Operation. In: 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems - ICCDCS 2012, 2012, Playa Del Carmen. ICCDCS 2012 ? Conference Proceedings.. Piscataway, NJ: IEEE, 2012. v. 1. p. 1-4.

160.
M. A. S. de Souza ; DORIA, R. T. ; Souza, M. ; Martino, J A ; Pavanello, M A . Comparative Study of Biaxial and Uniaxial Mechanical Stress Influence on the Low Frequency Noise of Fully Depleted SOI nMOSFETs Operating in Triode and Saturation Regime. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 77-83.

161.
Andrade, M. G. C. ; Martino, J A ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analog Performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI an SOI. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasilia. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 111-118.

162.
Galeti, M ; Rodrigues, M. ; AOULAICHE, M. ; Collaert, N. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; Martino, J A . UTBOX SOi devices with high-k gate dielectric under analog performance. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 119-126.

163.
Bühler, R T ; AGOPIAN, P ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; Martino, J A . Biaxial Stress Simularion and Electrical Characterization of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 145-150.

164.
Rodrigues, M. ; CRUZ, E. O. ; Galeti, M ; Martino, J A . Analysis of the self-heating effect in UTBOX devices. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 153-160.

165.
SOUZA, F. N. ; Martino, Márcio Dalla Valle ; Agopian, P. G. D. ; Martino, J A ; ROOYACKERS, Rita ; Leonelli, Daniele ; CLAEYS, C . Temperature Influence on Nanowire Tunnel Field Effect Transistors. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 223-230.

166.
Sasaki, K. R. A. ; Almeida, L. ; Martino, J A . Impact of the Extension Region Concentration on the UTBOX 1T-FBRAM. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 281-287.

167.
Santos, Sara D. ; NICOLETTI, T. ; AOULAICHE, M. ; Martino, J A ; VELOSO, A. ; JURCZAK, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Spacer Length and Tilt Implantation Influence on Scaled UTBOX FD MOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 483-489.

168.
ITOCAZU, V.T. ; SONNENBERG, Victor ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; Martino, J A . Analysis of the Silicon Film Thickness and the Ground Plane Influence on Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 511-517.

169.
MARTINO, J. A.; SONNENBERG, Victor ; GALETI, Milene ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . (invited) Transistor-Based Extraction of Carrier Lifetime and Interface Traps in Silicon-on-Insulator Materials. In: High Purity Silicon 12 - 222nd meeting of the ECS, 2012, Honolulu, Hawaii. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 225-236.

170.
Bordallo, C. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Radiation Influence on Biaxial+uniaxial Strained Silicon MuGFETs. In: High Purity Silicon 12 - 222nd meeting of the ECS, 2012, Honolulu, Hawaii. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 205-212.

171.
Nicoletti, Talitha ; Santos, Sara D. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; Veloso, Anabela ; Jurczak, Malgorzata ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Gate Length Impact on UTBOX FBRAM Devices. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa, California, USA. IEEE International SOI Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 1.

172.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; Martino, Márcio Dalla Valle ; Martino, João Antonio ; ROOYACKERS, Rita ; Leonelli, Daniele ; CLAEYS, Cor . Experimental Analog Performance of pTFETs as a Function of Temperature. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa, California, USA. IEEE International SOI Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 1.

173.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; João Antonio Martino . Biaxial + Uniaxial Stress Effectiveness in Tri-Gate SOI nMOSFETs with Variable Fin. In: IEEE International SOI Conference, 2012. IEEE International SOI Conference Proceedings. v. 1. p. 1.

174.
CLAEYS, Cor ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, Eddy ; Kobayashi, Daisuke ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; João Antonio Martino . Radiation Hardness Aspects of Advanced FinFET and UTBOX Devices. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa, California, USA. IEEE International SOI Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 1.

175.
ALMEIDA, L. M. ; AOULAICHE, M. ; Sasaki, K. R. A. ; NICOLETTI, T. ; de Andrade, M. G. C. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. ; JURCZAK, M. . Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices. In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, Grenoble. 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS). p. 61-64.

176.
Andrade, M. G. C. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . The impact of back bias on the floating body effect in UTBOX SOI devices for 1T-FBRAM memory applications. In: 2012 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS), 2012, Playa del Carmen. 2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS). p. 1-4.

177.
NICOLETTI, T. ; Santos, S. ; Almeida, L. ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; VELOSO, A. ; JURCZAK, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: The digital/analog performance of extension-less structures. In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, Grenoble. 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS). v. 1. p. 121-124.

178.
CLAEYS, Cor ; AOULAICHE, M. ; ANDRADE, Maria Glória Cano de ; RODRIGUES, Michele ; Martino, Joao Antonio ; SIMOEN, Eddy . Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices. In: 221st ECS Meeting, 2012, Seatle. ECS Transactions, 2012. v. 45. p. 567-580.

179.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; Martino, Joao Antonio ; AOULAICHE, M. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Low-frequency noise behaviour of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton. In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, Grenoble. Proceedings of 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012. v. 1. p. 69-72.

180.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; Almeida, Luciano M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C . Gateless 1T-DRAM on n-Channel Bulk FinFETs. In: China Semiconductor Technology International Conference - CSTIC 2012, 2012, Shanghai. ECS Transactions. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2012. v. 44. p. 3-8.

181.
BUHLER, R. T. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. ; GIACOMINI, Renato ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C. . Fin Shape Influence on Analog Performance of MuGFETs at Room and at Low Temperature. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada, Spain. EUROSOI 2011 - Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 45-46.

182.
AGOPIAN, P. ; MARTINO, J. A. ; Kobayashi, D. ; Poizat, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Analog Performance of 60 MeV Proton-Irradiated SOI MuGFETs with Different Strain Technologies. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada, Spain. EUROSOI 2011 - Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 61-62.

183.
NICOLETTI, T. ; SANTOS, S. D. ; ALMEIDA, L. M. ; MARTINO, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Rotated SOI MuGFETs at High Temperatures. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada, Spain. EUROSOI 2011 - Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 83-84.

184.
Galeti, M ; Rodrigues, M. ; MARTINO, J. A. ; Collaert, N. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . GIDL behavior with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectric on MuGFET devices. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada, Spain. EUROSOI 2011 - Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 69-70.

185.
PAVANELLO, M. A. ; Souza, M. ; MARTINO, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Temperature Influence on the Analog Performance of 45 Rotated Triple-Gate nFinFETs. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada, Spain. EUROSOI 2011 - Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 145-146.

186.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Global and/or Local Strain Influence on p- and nMuGFET Analog Performance. In: 219th Electrochemical Society Meeting, 2011, Montreal, Canada. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 145-150.

187.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices. In: 219th Electrochemical Society Meeting, 2011, Montreal, Canada. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 151-156.

188.
DORIA, R. T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . An Analytical Model for the Non-Linearity of Triple Gate SOI MOSFETs. In: 219th Electrochemical Society Meeting, 2011, Montreal, Canada. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 189-194.

189.
RODRIGUES, Michele ; GALETI, Milene ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . TiN/HfSiON for Analog Applications of nMuGFETs. In: 219th Electrochemical Society Meeting, 2011, Montreal, Canada. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 253-258.

190.
Trevisoli, R. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Stress Relaxation Empirical Model for Biaxially Strained Triple-Gate Devices. In: 219th Electrochemical Society Meeting, 2011, Montreal, Canada. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 289-294.

191.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. ; AOULAICHE, M. ; Collaert, N. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C. . Behavior of triple gate bulk FinFETs with and without DTMOS operation. In: 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2011, Cork, Irlanda. IEEE - ULIS 2011 Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 19-22.

192.
ALMEIDA, L. M. ; SASAKI, K. ; AOULAICHE, M. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Analysis of UTBOX 1T-DRAM Memory Cell at High Temperatures. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 61-68.

193.
Martino, M. D. V. ; AGOPIAN, P. ; SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. . Temperature Influence on Tunnel Field Effect Transistors (TFETs) with Low Ambipolar Currents. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 77-84.

194.
Perin, A. L. ; Pereira, A. S. N. ; AGOPIAN, P. ; MARTINO, J. A. ; Giacomini, R . A Simple Electron Mobility Model Considering the Impact of Silicon-Dielectric Interface Orientation for Surrounding Gate Devices. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 179-186.

195.
Bühler, R T ; Giacomini, R ; AGOPIAN, P. ; MARTINO, J. A. . Strain Effectiveness Dependence on Fin Dimensions and Shape for n-type Triple-Gate MuGFETs. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 207-214.

196.
RODRIGUES, Michele ; GALETI, Milene ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . SOI n- and pMuGFET devices with different TiN metal gate thickness under influence of sidewall crystal orientation. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 215-222.

197.
Souza, M. ; MARTINO, J. A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; PAVANELLO, M. A. . Impact of Substrate Rotation and Temperature on the Mobility and Series Resistance of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 223-230.

198.
SANTOS, S. D. ; NICOLETTI, T. ; Martino, J.A. . Analog Performance of Gate-Source/Drain Underlap Triple-Gate SOI nMOSFET. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 239-246.

199.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; Martino, J.A. ; AOULAICHE, M. ; Collaert, N. ; Mercha, A. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. . Influence of Proton Irradiation in Bulk and DTMOS Triple Gate FinFETs. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 247-254.

200.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; Martino, João Antonio ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; CLAEYS, Cor . BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. In: IEEE International SOI Conference, 2011, Tempe, Arizona. IEEE International SOI Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 1.

201.
Bühler, R T ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; GIACOMINI, Renato Camargo ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . Uniaxial Stress Efficiency for Different Fin Dimensions of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: IEEE International SOI Conference, 2011, Tempe, Arizona. IEEE International SOI Conference Proceedings, 2011. v. 1. p. 1.

202.
Martino, M. D. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. . Temperature Impact on Double Gate nTFET Ambipolar Behavior. In: International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011, 2011, College Park, MD. Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011. College Park, MD, 2011. v. 1. p. 1-2.

203.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; CRISTOLOVEANU, S. ; Maude, D. K. ; MARTINO, J. A. . Magnetoresistance technique for mobility extraction in triple gate FinFETs at low temperature. In: EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, 2010, Grenoble, France. EuroSOI 2010 - Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 123-124.

204.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Analog Performance in FinFETs: Bulk, DTMOS, BOI and SOI. In: EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, 2010, Grenoble, France. EuroSOI 2010 - Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 067-068.

205.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Study of the Transconductance Ramp in FinFET Devices. In: EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, 2010, Grenoble, France. EuroSOI 2010 - Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 051-052.

206.
PACHECO, V. H. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The Relationship Between SEG and Uniaxial Strain in the FinFET Performance. In: EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, 2010, Grenoble, France. EuroSOI 2010 - Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 049-050.

207.
DORIA, R. T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Non-linear Behavior of 2-MOS Structures Implemented with Biaxially Strained FinFETs for MOSFET-C Filters. In: EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, 2010, Grenoble, France. EuroSOI 2010 - Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 077-078.

208.
RODRIGUES, Michele ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Channel backscattering coefficient impact on FinFET devices with uniaxial/biaxial strain engineering. In: 11th Ultimate Integration on Silicon Conference - ULIS 2010, 2010, Glasgow. ULIS 2010 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 17-20.

209.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; PACHECO, V. H. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . SEG and Uniaxial Strain influence on FinFET Performance at Low Temperature. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 23-25.

210.
SANTOS, C. D. ; CRISTOLOVEANU, S. ; MARTINO, J. A. . Low-Temperature Operation of Triple-Gate P-Channel MugFETs: Impact of Fin Width and Channel Separation. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 31-32.

211.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Analog Performance at Low Temperatures in Triple-Gate Devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 45-47.

212.
RODRIGUES, Michele ; GALETI, Milene ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . Analog application of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness operating at cryogenic temperatures. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Procerdings, 2010. v. 1. p. 53-55.

213.
DORIA, R. T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Harmonic Distortion of Strained Triple-Gate FinFETs at Low Temperatures. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 57-59.

214.
Bühler, R T ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, J. A. . Analog Operation of Non-Rectangular Channel Shape FinFETs at Low Temperature. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9, 2010, Guarujá, Brasil. WOLTE9 Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 103-104.

215.
BUHLER, R. T. ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, J. A. . Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETS. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 21-28.

216.
SANTOS, S. D. ; NICOLETTI, T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . DIBL Behavior of Triple Gate FinFET with SEG on Biaxial Strained Devices. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 51-58.

217.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . Analog Performance of SOI nFinFETs with Different TiN Gate Electrode Thickness. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 59-65.

218.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Analog Performance of Bulk and DTMOS Triple-Gate Devices. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 67-74.

219.
Martino, M. D. V. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . Cross-Section Features Influence on Surrounding MuGFETs. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 91-98.

220.
ALMEIDA, L. M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Improved Analytical Model for ZTC Bias Point for Strained Tri-gates FinFETs. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2010. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 385-392.

221.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and n-SOI MuGFETs for analog applications. In: IEEE International SOI Conference, 2010, San Diego / California. Procedings of the IEEE International SOI Conference, 2010. v. 1. p. 80-81.

222.
BUHLER, R. T. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; GIACOMINI, Renato Camargo ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Fin Shape Influence on the Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs. In: IEEE International SOI Conference, 2010, San Diego / California. Proceedings of the IEEE International SOI Conference, 2010. v. 1. p. 84-85.

223.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; Kobayashi, D. ; Poizat, M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . DIBL performance of 60 MeV proton-irradiated SOI MuGFETs. In: 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010, Shanghai, China. 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2010.

224.
MARTINO, J. A.; CAMILLO, L. M. ; ALMEIDA, L. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Zero-Temperature-Coefficient of Planar and MuGFET SOI Devices. In: 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010, Shanghai, China. 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2010.

225.
MARTINO, J. A.; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . SOI MOSFET transconductance behavior from micro to nano era. In: 6th International SemOI Workshop, 2010, Kyiv, Ukraine. Proceedings of the 6th International SemOI Workshop, 2010. p. 83-84.

226.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; PACHECO, V. H. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Gate induced floating body effect behavior in uniaxially strained SOI nMOSFETs. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Goteborg. EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009. v. 1. p. 39-40.

227.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Analysis of Standard and Strained FinFET Operation in Source-Follower Buffer Configuration. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Goteborg. EuroSOI 2009 - Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 59-60.

228.
SOUZA, Michelly de ; FLANDRE, Denis ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Impact of Temperature Reduction and Channel Engineering on the Linearity of FD SOI nMOSFEs. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Goteborg. EuroSOI 2009 - Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 113-114.

229.
RODRIGUES, Michele ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of the TiN metal gate thickness in gate induced floating body effect. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Goteborg. EuroSOI 2009 - Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 131-132.

230.
RODRIGUES, Michele ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . Impact of TiN metal gate thickness and the HfSiO nitridation on MuGFETs electrical performance. In: 10th Ultimate Integration on Silicon Conference - ULIS 2009, 2009, Aachen. IEEE - ULIS 2009 Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 189-192.

231.
MARTINO, J. A.; RODRIGUES, Michele ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; VELOSO, A. ; COLLAERT, Nadine ; JURCZAK, M. ; CLAEYS, Cor . Gate Stack Influence on GIFBE in nFinFETs. In: 215th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 14, 2009, São Francisco. ECS Transactions - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 14. New Jersey: Pennington, 2009. v. 19. p. 133-138.

232.
RODRIGUES, Michele ; MERCHA, A ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . Impact of the TiN Layer Thickness on the Low-Frequency Noise and Static Device Performance of n-channel MuGFETs. In: 20th International Conference on Noise and Fluctuations, 2009, Pisa. AIP Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 167-170.

233.
RODRIGUES, Michele ; Moon, C. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, Nadine ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of the interface trap density in SOI FinFETs with different tin gate electrode thickness through charge pumping technique. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 559-565.

234.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Influence of fin width and channel length on the performance of buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 567-574.

235.
NICOLETTI, T. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of the total resistance in standard and strained FinFET devices with and without the use of SEG. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 575-582.

236.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; PHAM-NGUYEN, L. ; CRISTOLOVEANU, S. ; FENOUILLET-BÉRANGER, C. ; MARTINO, J. A. . Back-Gate influence on the mobility behavior in ultrathin FD SOI Devices. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 583-589.

237.
SANTOS, S. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . DIBL study using triple gate unstrained and uniaxial/biaxial strained FinFETs. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 591-596.

238.
DORIA, R. T. ; CERDEIRA, Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Fin width influence on the harmonic distortion of standard and strained FinFETs operating in saturation. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal, RN. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2009. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 613-620.

239.
MARTINO, J. A.; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Transconductance Ramp Effect in High-k Triple Gate sSOI nFinFETs. In: 2009 IEEE International SOI Conference, 2009, Foster City. 2009 IEEE International SOI Conference Proceedings. USA: IEEE Electron Devices Society, 2009. v. CFP09. p. 4.7-4.8.

240.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Effect of Substrate Rotation on the Analog Performance of Triple-Gate FinFETs. In: 2009 IEEE International SOI Conference, 2009, Foster City. 2009 IEEE International SOI Conference Proceedings. USA: IEEE Electron Devices Society, 2009. v. CFP09. p. 4.1-4.2.

241.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, M. A. ; GIACOMINI, Renato Camargo . Cross-Section Shape Influence on Trapezoidal Triple-Gate SOI MOSFET Analog Parameters. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Goteborg. EuroSOI 2009 - Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 49-50.

242.
CLAEYS, Cor ; PUT, S. ; RAFI, J. M. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy . Reliability Performance Characterization of SOI. In: 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology, 2009, Mumbai. Proceedings of 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology;, 2009. p. 1-8.

243.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Threshold Voltages of Double and Triple Gate SOI FinFETs. In: EuroSOI 2008 - Fourth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2008, Cork. EuroSOI 2008 - Conference Proceedings, 2008. v. 1. p. 29-30.

244.
SOUZA, Michelly de ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Analog Operation of Uniaxially and Biaxilally Strained FD SOI nMOSFETs at Cryogenics Temperatures. In: EuroSOI 2008 - Fourth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2008, Cork. EUROSOI 2008 - Conference Proceedings, 2008. v. 1. p. 77-78.

245.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Comparison Between Analog Performance of Standard and Strained Triple-Gate nFinFETs. In: EuroSOI 2008 - Fourth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2008, Cork. EUROSOI 2008 - Conference Proceedings, 2008. v. 1. p. 131-132.

246.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; ARRABAÇA, Julia Maria ; MARTINO, J. A. . Halo Optimization for 0.13um SOI CMOS Technology. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 111-118.

247.
AMARO, Jefferson ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . Analog Performance of Dynamic Threshold Voltage SOI MOSFET. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 169-175.

248.
MARTINS, G. ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, J. A. . An Improved Current Model in Saturation for Trapezoidal FINFETs. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 213-221.

249.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Corner Effect on Capacitance-Voltage Curves in Triple Gate FinFET. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 223-231.

250.
CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of the Drain Bias and Gate Length of Partially Depleted SOI MOSFETs on the ZTC Biasing Point. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 243-252.

251.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Influence of Fin Width on the Intrinsic Voltage Gain of Standard and Strained Triple-Gate nFinFETs. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008, Gramado, RS. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 253-262.

252.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. . Carriers Mobility Extraction Methods for Triple-gate FinFET. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008, 2008. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2008. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society. v. 14. p. 283-292.

253.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, M. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Strain Influence on Analog Performance of Single-Gate and FinFET SOI nMOSFETs. In: ICSICT2008 - 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, 2008, Beijing. 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology proceedings, 2008. v. 1. p. 84-87.

254.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Cryogenic Operation of FinFETs for Space Applications. In: 8th International Workshop on Low Temperature Electronics, 2008, Gabelbach. Proceedings of 8th, 2008. v. 1. p. 49-52.

255.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Impact of Uniaxial and Biaxial Strain on the Linearity of Fully Depleted SOI MOSFETs. In: EUROSOI 2007 - Third Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2007, Leuven. EUROSOI 2007 - Conference Proceedings, 2007. v. 1. p. 32-33.

256.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . The C Shape Behavior of the Floating Body Effect in Function of Temperature in PD SOI nMOSFETs. In: 211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13, 2007, Chicago. Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2007. v. 6. p. 107-111.

257.
BELLODI, M. ; CAMILLO, L. M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Simple Analytical Model to Study the ZTC Bias Point in FinFETs. In: 211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13, 2007, Chicago. Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2007. v. 6. p. 205-209.

258.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, C. . Temperature Influences on FinFETs with Undoped Body. In: 211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13, 2007, Chicago. Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2007. v. 6. p. 211-216.

259.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . Non-Vertical Sidewall Angle Influence on Triple-Gate FinFETs Corner Effects. In: 211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13, 2007, Chicago. Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2007. v. 6. p. 381-386.

260.
GALETI, Milene ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short-Channel SOI nMOSFETs. In: 211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13, 2007, Chicago. Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2007. v. 6. p. 387-392.

261.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance - Voltage Curves. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 9-18.

262.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Low Temperature Operation of Undoped Body Triple-Gate FinFETs from an Analog Perspective. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 19-27.

263.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. ; CAMILLO, Luciano Mendes ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of the N-Type FinFET Width on the Zero Temperature Coefficient. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 29-36.

264.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, M. A. . Sidewall Angle Influence on the FinFET Analog Parameters. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 37-45.

265.
CLAEYS, Cor ; SIMOEN, Eddy ; RAFÍ, J M ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Physical Characterization and Reliability Aspects of MuGFETs. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 281-294.

266.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The Impact of the Gate Oxide Thickness Reduction on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI nMOSFETs. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 305-311.

267.
GALETI, Milene ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Double Gate SOI nMOSFET. In: 22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2007. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 343-351.

268.
SOUZA, Michelly de ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analog Operation of Uniaxially Strained FD SOI nMOSFETs in Cryogenic Temperatures. In: 2007 IEEE International SOI Conference, 2007, Indian Wells. 2007 IEEE International SOI Conference Proceedings. Piscataway, NJ: IEEE, 2007. v. 1. p. 45-46.

269.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Analog performance of nMOS FinFETs with TiN/HfO2/SiO2 Gate Stack. In: EUROSOI 2006 - Second Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2006, Grenoble. EUROSOI 2006 Conference Proceedings, 2006. v. 1. p. 127-128.

270.
CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Simple Analytical Model to Study the ZTC Bias Point in PD and FD SOI MOSFETS. In: EUROSOI 2006 - Second Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2006, Grenoble. EUROSOI 2006 Conference Proceedings, 2006. v. 1. p. 77-78.

271.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CERDEIRA, Antonio ; MARTINO, J. A. ; RASKIN, Jean Pierre ; FLANDRE, Denis . Impact of Asymmetric Channel Configuration on the Linearity of Double-Gate SOI MOSFETs. In: 6th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems - ICCDCS´06, 2006, Playa del Carmen. Proceedings of 6th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems. Piscataway, Estados Unidos: IEEE, 2006. p. 187-191.

272.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Channel Length and Drain Bias Influence on the Low-Temperature-Induced Enhancement of the Drain Induced Barrier Lowering in Deep-Submicrometer SOI nMOSFETs. In: 7th International Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 7, 2006, Noordwijk. Proceedings of the 7th International Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 7.. Noodwijk, Holanda: European Space Agency Publications Division, 2006. v. WPP264. p. 49-56.

273.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Evaluation of triple-gate FinFETs with high-k dielectrics and TiN gate material under analog applications. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 237-245.

274.
COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Analysis of self-heating effect in graded-channel silicon-on-insulator nMOSFETs. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 257-264.

275.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . Influence of non-vertical sidewall on FinFET threshold voltage. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 275-281.

276.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Analysis of silicon thickness reduction on analog parameters of GC GAA SOI transistors operating up to 300°C. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 283-291.

277.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Series resistance influence on the linear kink effect in twin-gate partially depleted SOI nMOSFETs. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 293-300.

278.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Influence of the tunneling gate current on C-V curves. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 301-307.

279.
GIMENEZ, Salvador Pinillos ; FERREIRA, Rodrigo Mazzutti Gomes ; MARTINO, J. A. . Early voltage behavior in circular gate SOI nMOSFET using 0.13 um partially-depleted SOI CMOS technology. In: 21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto.. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2006. Pennington, NJ, EUA.: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 309-318.

280.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, C. . Low Temperature Analog Operation of Triple-gate FinFETs with HfO2 Dielectrics and TiN Gate Material. In: 2006 IEEE International SOI Conference, 2006, Niagara Falls, New York. Proceedings of 2007 IEEE International SOI Coference. Piscataway, NJ: IEEE Publications Division, 2006. v. 1. p. 73-74.

281.
CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD MOSFETS. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society, 2005, Quebec. Proceedings of Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 2005-3. p. 119-124.

282.
GIMENEZ, Salvador Pinillos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis . Implementation of High Performance Operational Transconductance Amplifiers using Graded-Channel SOI nMOSFET. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society, 2005, Quebec. Proceedings of the Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 2005-3. p. 69-74.

283.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CERDEIRA, Antonio ; ALEMAN, M A ; MARTINO, J. A. ; VANCAILLIE, L ; FLANDRE, Denis . Low Temperature and Channel Engineering Influence on Harmonic Distortion of SOI nMOSFET for Analog Applications. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society, 2005, Quebec. Proceedings of the Silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 2005-3. p. 125-130.

284.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Analysis of Deep Submicrometer Bulk and Fully Depleted SOI nMOSFET Analog Operation at Cryogenic Temperatures. In: silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society, 2005, Quebec. Proceedings of the silicon-on-Insulator Technology and Devices Meeting of the Electrochemical Society. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 2005-3. p. 289-294.

285.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of the Linear Kink Effect in Partially Depleted SOI nMOSFET's. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 512-519.

286.
GALETI, Milene ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Temperature and Oxide Thickness Influence on the Generation Lifetime Determination in Partially Depleted SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 538-547.

287.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Simple Method to Determine the Poly Gate Doping Concentration based on Poly Depletion Effect. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 180-187.

288.
ALMEIDA, Galba Falce de ; MARTINO, J. A. . A Study of Total Series Resistance and Effective Channel Length Comparing SOI nMOSFET and GC SOI nMOSFET in Saturation. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 492-501.

289.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CERDEIRA, Antonio ; MARTINO, J. A. ; ALEMÁN, M. A. ; FLANDRE, Denis . Implementation of Tunable Resistors Using Graded-Channel SOI MOSFETS Operating in Cryogenic Environments. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 520-528.

290.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Comparison Between Bulk and Floating Body Partially Depleted SOI nMOSFETS for High Frequency Analog Applications Operating from 300 K Down to 95 K. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 464-471.

291.
GIMENEZ, Salvador Pinillos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis . Potential of Improved Gain in Operational Transconductance Amplifier Using 0.5Um Graded-Channel SOI nMOSFET for Applications in the Gigahertz Range. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 502-511.

292.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. . Influence of the Gate Oxide Tunneling Effect on the Extraction of the Silicon Film and Front Oxide Thickness in SOI nMOSFET. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 2005-8. p. 529-537.

293.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Temperature Influences on the Drain Leakage Current Behavior in Graded-Channel SOI nMOSFETS. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 548-556.

294.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . A Simple Method to Model Nonrectangular-Gate Layout in SOI MOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. 2005-8. p. 472-481.

295.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Saturation Threshold Voltage Degradation in Deep-Submicrometer Fully Depleted SOI nMOSFETs Operating in Cryogenic Environments. In: 2005 IEEE International SOI Conference, 2005, Honolulu. IEEE International SOI Conference Proceedings. Piscataway, Estados Unidos: IEEE, 2005. v. 1. p. 72-73.

296.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis ; RASKIN, Jean Pierre . Behavior of graded channel SOI Gate - All - Arround nMOSFET devices at high temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004, 2004, Porto de Galinhas. Microelectronic Technology and devices SBMICRO 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2004. v. 2004-3. p. 9-14.

297.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Evaluation of the channel engineering impact on the analog performance of deep-submicrometer partially depleted SOI MOSFETs at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004, 2004, Porto de Galinhas. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. 200403. p. 21-26.

298.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CERDEIRA, A ; MARTINO, J. A. ; ALEMÁN, M A ; FLANDRE, D. . Analysis of Harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004, 2004, Porto de Galinhas. Microelectronics Technology and devices SBMICRO 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. 200403. p. 39-44.

299.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004, 2004, Porto de Galinhas. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. 200403. p. 57-62.

300.
MARTINO, J. A.; RAFI, J. M. ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs. In: High Purity Silicon VIII, 2004, Havaí. Proceedings High Purity Silicon VIII. Penington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society Ser., 2004. v. 200405. p. 346-356.

301.
CERDEIRA, Antonio ; ALEMÁN, M A ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; VANCAILLIE, L ; FLANDRE, Denis . On-Resistance and Harmonic Distortion in Graded-Channel SOI FD MOSFET. In: Fifth IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, 2004, República Dominicana. Proceedings Fifth IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems. Piscataway, Estados Unidos: IEEE, 2004. p. 118-121.

302.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13 um SOI nMOSFETs in low temperature operation. In: Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics- wolte-6, 2004, Noordwijk. Proceedings of Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics. Noordwijk, Holanda: ESA Publications Division, 2004. p. 105-111.

303.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . The Leakage Drain Current Behavior in Graded-Channel SOI nMOSFET Operating up to 300oC. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 28-37.

304.
SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded-Channel SOI Capacitor. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 38-47.

305.
GALETI, Milene ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Analysis on GC SOI MOSFET Analog Parameters at High Temperature. In: 20th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003, 2003, São Paulo. 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 48-57.

306.
ALMEIDA, Galba Falce de ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. . Study of Series Resistance and Effective Channel Length Behavior Comparing Graded-Channel and Conventional SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 58-67.

307.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . An Improved Current Model for Edgeless SOI MOSFETS. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 68-76.

308.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Comparison Between Conventional and Graded-Channel SOI nMOSFETs in Low Temperature Operation. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estaos Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 77-86.

309.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Comparison Between the Leakage Drain Current Behavior in SOI pMOSFETs and SOI nMOSFETs Operating at 300oC. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 87-94.

310.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; MERCHA, A ; CLAEYS, C. ; De MEYER, K. . A Study on the Self-Heating Effect in Deep-Submicrometer Partially Depleted SOI MOSFET at Low Temperature. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 112-119.

311.
NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Determination of the Silicon Film Thickness and Back Oxide Charge Density on Graded-Channel SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estado Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 147-155.

312.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; CHUNG, T M ; KRANTI, A ; RASKIN, J P ; FLANDRE, D. . Impact of the graded-channel architecture on double gate transistors for high-performance analog applications. In: XI Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 2003, Paris. Proceedings of the XI Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 261-266.

313.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; MERCHA, A ; CLAEYS, C. ; van MEER, H. ; MEYER, K. . Analysis of HALO implant influence on the self-heating and self-heating enhanced impact ionization on 0.13mm floating-body partially-depleted SOI MOSFET at low temperature. In: XI Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 2003, Paris. Proceedings of the XI Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 389-394.

314.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Study of the leakage current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperature. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, 2003, Paris. Proceedings of the Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 2003. p. 443-448.

315.
GIMENEZ, Salvador Pinillos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; ADRIAENSEN, S. ; FLANDRE, D. . Design of Operational Transconductance Amplifiers with Improved Gain by Using Graded-Channel SOI nMOSFETs. In: 16th Symposium on Integrated Circuits and Systems Design - SBCCI2003, 2003, São Paulo. Proceedings 16th Symposium on Integrated Circuits and Systems Design. Los Alamitos, California: IEEE Circuits & Systems Society, 2003. v. 2003. p. 26-31.

316.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Hallo Effects on 0.13 um Floating-Body Partially Depleted SOI n-MOSFETs in Low Temperature operation. In: Low Temperature Electronics and Low-Temperature Cofired Ceramic Based Electronic Devices, 2003, Orlando. Proceedings of the Low Temperature Electronics and Low-Temperature Cofired Ceramic Based Electronic Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. 27. p. 3-15.

317.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; CHUNG, T M ; KRANTI, A ; RASKIN, J P ; FLANDRE, D. . Operation of Double Gate Graded-Channel Transistors at Low Temperatures. In: Low Temperature Electronics and Low-Temperature Cofired Ceramic Based Electronic Devices, 2003, Orlando. Proceedings of the Low Temperature Electronics and Low-Temperature Cofired Ceramic Based Electronic Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2003. v. 27. p. 50-60.

318.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . O Ensino da Eletrônica no Curso de Engenharia Elétrica. In: XXI Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia, 2003, Rio de Janeiro. COBENGE 2003, 2003.

319.
GIACOMINI, Renato ; MARTINO, J. A. . A Simple Model for a New SOI MOSFET with Asymmetric Trapezoidal Gate. In: IX Workshop IBERSHIP, 2003, Havana. Proceedings of the IX Workshop IBERSHIP, 2003.

320.
SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Determination of The Silicon Film Doping Concentration and The Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-nMOS Gate Capacitor. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 2-11.

321.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . The Leakage Current Composition in Thin Film SOI nMOSFET at High Temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 12-19.

322.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Analog Performance of Graded-Channel SOI nMOSFETs at Low Temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002. p. 20-27.

323.
NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . The Influence of The Interface Trap Densities on The Extraction of The Silicon Film and Front Oxides Thickness of SOI nMOS Devices at Low Temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 28-34.

324.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; INIGUEZ, B ; MARTINO, J. A. . A Physically-Based Continuos Model for Graded-Channel SOI MOSFET. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 35-44.

325.
GIMENEZ, Salvador Pinillos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . A Simple Analytical Model of Graded-Channel SOI nMOSFET Transcondutance. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 45-54.

326.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; MERCHA, A ; RAFI, J. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. ; van MEER, H. ; De MEYER, K. . Comparison Between 0.13 mm Partially-Depleted Silicon On Insulator Technology with Floating Body Operation at 300 K and 90 K. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 205-212.

327.
GALETI, Milene ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Behavior of Graded-Channel Fully Depleted SOI nMOSFET at High Temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 342-350.

328.
HOASHI, P. T. ; MARTINO, J. A. . Diference Betwenn Kink and Bipolar Parasitic Efects in Thin Film SOI MOSFET. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 420-429.

329.
NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The Influence of The Back Gate Voltage on The Series Resistance of Fully Depleted SOI MOSFET at 300 K and 77 K. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of The Seventeenth International Symposium SBMICRO2002. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 430.

330.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Uma Abordagem para o Ensino de Projeto de Circuitos Integrados dedicados em Graduação. In: XXX COBENGE - Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia, 2002, Piracicaba. Anais do Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia, 2002.

331.
INIGUEZ, B ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, Denis . Analytical SOI MOSFET Model Valid for Graded-Channel Devices. In: 9th International Conference on Mixed Design, 2002, Wroctaw, Polônia. Anais do 9th International Conference on Mixed Design, 2002. p. 11-16.

332.
BELLODI, M. ; INIGUEZ, B ; FLANDRE, D. ; MARTINO, J. A. . Modeling of the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs for High-Temperature Applications. In: Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting, 2001, Washington. Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2001. v. 2001-3. p. 233-238.

333.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Extraction of the Oxide Charge Density at Front and Back Interfaces of SOI nMOSFET Devices. In: Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting, 2001, Washington. Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2001. v. 2001-3. p. 85-90.

334.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . High Performance Current Mirrors Using Graded-Channel SOI nMOSFETs. In: Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting, 2001, Washington. Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2001. v. 2001-3. p. 319-324.

335.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of the Silicon Film Doping Concentration and Back interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. In: Proceedings of the Tenth International SOI Symposium of the 199th Electrochemical Society Meeting, 2001, Washington. Proceedings of the Tenth International SOI Symposium do 199th Electrochemical Society Meeting. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 2001. v. 2001-3. p. 109-114.

336.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Analog Circuit Design Using Graded-Channel SOI NMOSFETS. In: 14th Symposium on Integrated Circuits and Systems Design, 2001, Pirenópolis. 14th Symposium on Integrated Circuits and Systems Design, 2001. p. 130-135.

337.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Improved Current Mirror Output Performance by Using Graded-Channel SOI MOSFETS. In: XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 12-16.

338.
GIMENEZ, S. P. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Behavior of the Graded-Channel Fully-Depleted SOI NMOSFET in Subthreshold Regime. In: XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis - GO. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 189-191.

339.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . A New Technique to Extract the Oxide Charge Density at Front and Back Interfaces of SOI nMOSFETs Devices. In: XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 23-27.

340.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . New Methods for Determining the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. In: XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis - GO. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 28-33.

341.
BELLODI, M. ; INIGUEZ, B ; FLANDRE, D. ; MARTINO, J. A. . A Simple Leakage Drain Current Model for Accumulation-Mode SOI pMOSFETs Operating up to 300 °C. In: XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis - GO. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 185-188.

342.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of Oxide Charge Density at the Gate Oxide/Silicon Film Interface in SOI-MOS Capacitor. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 208-212.

343.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Parasitic Bipolar Effects in Graded-Channel Fully-Depleted Silicon-On-Insulator nMOSFET. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 97-102.

344.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Comparison of Analog Performance in Conventional and Graded-Channel Fully-Depleted SOI MOSFETs. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 67-71.

345.
BELLODI, M. ; INIGUEZ, B ; FLANDRE, D. ; MARTINO, J. A. . Diodes Model for the Leakage Drain Current in Enhancement-Mode SOI nMOSFETs at 300oC. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 203-207.

346.
BELLODI, M. ; INIGUEZ, B ; RAYNAUD, C. ; FLANDRE, D. ; MARTINO, J. A. . Study of the Deep-Submicron SOI MOSFETs Leakage Current Behvior at High-Temperatures. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 304-307.

347.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Extraction of the Silicon Film Thickness on Fully Depleted SOI nMOSFETs Using the Back Gate Voltage Influence. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 103-107.

348.
PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Comparison of Floating-body Effects in Conventional and Graded-channel Fully-depleted Silicon-on-insulator nMOSFETs. In: Third International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2000), 2000, Cancún. Third International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2000), 2000.

349.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . A New Method to Extract the LDD Doping Concentration on Fully Depleted SOI nMOSFET at 300 K. In: Third International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2000), 2000, Cancún. Third International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2000), 2000.

350.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs Operating up to 300oC. In: First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000, Rio de Janeiro. First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000. p. 268-273.

351.
PAVANELLO, M. A. ; NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Effective Channel Length and Series Resistance Extraction Error Induced by the Substrate in Enhancement-Mode Soi nMOSFETs. In: First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000, Rio de Janeiro. First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000. p. 274-278.

352.
NAVIA, A. R. ; SONNENBERG, V. ; MARQUES, A. E. B. ; SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. . Electrical Characterization of Thin Nickel Films Obtained from electroless Plating onto Aluminum Gate of MOS Capacitors. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus - AM. XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 286-291.

353.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of the Silicon Film Thickness in SOI Capacitor. In: First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000, Rio de Janeiro - RJ. First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000. p. 181-184.

354.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . A New Method to Extract the Silicon Film Thickness of Enhancement-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs. In: First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000, Rio de Janeiro. First IEEE Latin American Test Workshop LATW'00, 2000. p. 264-267.

355.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Study of the Leakage Drain Current Components in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at High-Temperatures. In: IX Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 1999, Seattle. Proceedings of the Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1999. v. 99-3. p. 287-292.

356.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; DESSARD, V. ; FLANDRE, D. . The Graded-Channel SOI MOSFET to Alleviate the Parasitic Bipolar Effects and Improve the Output Characteristics. In: IX Congresso do Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1999, Seattle. Proceedings of the IX Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1999. v. 99-3. p. 293-298.

357.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Extraction of the Oxide Charges at the Buried Oxide/Silicon Substrate Interface in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at Low Temperatures. In: IX Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 1999, Seattle. Proceedings of the IX Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1999. v. 99-3. p. 201-206.

358.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . A Simple Method to Extract the Oxide Charge Density at the Bureid Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: IX Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 1999, Seattle. Proceedings of the IX Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1999. v. 99-3. p. 189-194.

359.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; DESSARD, V. ; FLANDRE, D. . The Graded-Channel SOI NMOSFET and Its Potential to Analog Applications. In: International Conference on Microelectronics and Packaging 99, 1999, Campinas. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 105-109.

360.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . A Novel Simple Method to Extract the Effective LDD Doping Concentration on Fully Depleted SOI NMOSFET. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999, Campinas. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 110-114.

361.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Extraction of the Interface Charge Density at the SIlicon Substrate Interface in SOI MOSFETs at Cryogenic Temperatures. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999, Campinas. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 115-120.

362.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of Silicon Film Thickness by SOI-MOS Capacitor Without the Influence of Accumulation Layer. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999, Campinas. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 295-297.

363.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . A Novel Leakage Drain Current Model for SOI MOSFETs Devices at High-Temperature. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999, Campinas - SP. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 298-301.

364.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Analysis of the Back Gate Voltage on the LDD SOI NMOSFET Series Resistance. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999, Campinas. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 302-304.

365.
CAMILLO, L. M. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Proposal of an Improvement in the SOISPICE Circuit Simulator. In: International Conference on Microeletronics and Packaging 99, 1999. ICMP 99 Technical Digest. Campinas, SP, 1999. p. 309-311.

366.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Back-Gate Voltage Influence on the LDD SOI nMOSFET Series Resistance from 150 to 300 K. In: NATO, 1998, Kieve. Pespectives, Sciences and technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. Kieve, Ucrânia, 1998. p. 187-191.

367.
HOASHI, P. T. ; MARTINO, J. A. . Optimization of the Twin Gate SOI MOSFET. In: International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'98), 1998, Curitiba. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Packaging. Curitiba, PR, 1998. p. 484-485.

368.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Effect of the Substrate Potential Drop in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs Subthreshold Slope. In: International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'98), 1998, Curitiba. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Packaging. Curitiba, PR, 1998. p. 549-556.

369.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . The Influence of the Back Gate Voltage on the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at High Temperatures. In: International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'98), 1998, Curitiba. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Packaging. Curitiba, PR, 1998. p. 557-563.

370.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . A New Method for Determination of Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'98), 1998, Curitiba. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Packaging. Curitiba, PR, 1998. p. 564-569.

371.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Analytical Modeling of the Substrate Effect on Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at Room Temperature and at 77 K. In: 10th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, 1997, Stenungsund, Suécia. Proceedings of the 10th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors. Amsterdam, Holanda: Elsevier, 1997. v. 30. p. 375-378.

372.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . A New Method For Determination of The Fixed Charge Density at the Buried Oxide/Underlying Substrate Interface in SOI MOSFETs. In: VIII Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 1997, Paris. Proceedings of the VIII Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1997. v. 97-23. p. 162-167.

373.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio . A New Method for Determination of the Fixed Charge Density at the Buried Oxide/Underlying Substrate in Accumulation-Mode P-Channel SOI MOSFETs. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. p.CD.

374.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . A New SOI MOSFET Structure to reduce the Parasitic Bipolar Effect in SOI MOSFETs. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

375.
PAVANELLO, M. A. ; NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Influence of the Substrate Effect on the Series Resistance and Effective Channel Length Extraction. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997. p. CD.

376.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Components of the Leakage Current in Enhancement-Mode SOI nMOSFETs at High Temperature. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

377.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of the Back Interface Accumulation on the Interface Traps Density Extraction in Thin Film SOI nMOSFET. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

378.
BERTINI, J. ; MARTINO, J. A. . Método Simples para Obtenção da Variação da Carga Efetiva no Óxido de um SOI MOSFET em Função da Radiação. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

379.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; GUTIERREZ, E. A. . Analysis of the Series Resistance and Effective Channel Length Extraction of Submicron MOS Transistors Operating at High Temperature. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

380.
HOASHI, P. T. ; MARTINO, J. A. . Análise da Extração da Resistência Série em Transistores SOI MOSFET de Porta Gêmea. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - MG. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Caxambu - MG, 1997. p. CD.

381.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Simple Method to Extract the Length Dependent Mobility Degradation Factor at 77 K. In: 191th Electrochemical Society Meeting, 1997, Montreal, Canadá. 191th Electrochemical Society Meeting. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1997. v. 97-2. p. 159.

382.
SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. ; LUKYANCHIKOVA, N. ; PETRICHUK, M. ; GARBAR, N. ; MARTINO, J. A. ; SONNENBERG, V. . Extraction of the Interface and Oxide Charge Density in Silicon-On-Insulator MOSFETs. In: 189th Electrochemical Society Meeting, 1996, Los Angeles. Proceedings of the 7th International Symposium on SOI Devices. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1996. v. 96-3. p. 309-317.

383.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. ; COLINGE, J. P. . Theoretical and Experimental Analysis of the Substrate Effect on Accumulation Mode P-Channel SOI MOSFET at Room and at Liquid Nitrogen Temperature. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 315-320.

384.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio . New Method for Determination of the Fixed Charge Densities at the Buried Oxide Interfaces in SOI MOSFETs. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 327-332.

385.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Simple Method to Reduce the Transient Effect in SOI MOSFET at 77K. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 428-430.

386.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Subthreshold Slope Transition Region in SOI nMOSFET. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 333-338.

387.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. ; FLANDRE, D. . Introduction of the SOI MOSFET Dimensions in the High-Temperature Leakage Drain Current Model. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 275-280.

388.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Improved Channel Length and Series Resistance Extraction for Short-Channel MOSFETs Suffering from Mobility Degradation. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Águas de Lindóia - SP, 1996. p. 301-306.

389.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . A Simple Technique to Reduce the Influence of the Series Resistance on the BULK and SOI MOSFET Parameters Extraction. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996. p. 295-300.

390.
MARTINO, J. A.; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Theoretical and Experimental Study of the Front and Back Interface Trap Density in Accumulation Mode SOI MOSFET at Low Temperatures. In: 187th Electrochemical Society Meeting, 1995, Reno. Proceedings of the Third Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1995. v. 95-9. p. 271-277.

391.
SCHREUTELKAMP, R. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; DEFERM, L. ; CLAEYS, C. . Combined DL and Series Resistence Extraction of LDD MOSFET at 77 K. In: 187th Electrochemical Society Meeting, 1995, Reno. Proceedings of the Third Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity. Pennington, Estados Unidos: The Electrochemical Society, Inc., 1995. v. 95-9. p. 290-296.

392.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Anomalia na Tensão de Limiar de Transistores SOI MOSFET Induzida Pelo Efeito do Substrato em Baixa Temperatura. In: II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica, 1995, Curitiba - PR. Anais do II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica. Curitiba - PR, 1995. p. 40-49.

393.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Análise da Região de Siblimiar do Transistor SOI MOSFET. In: II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica, 1995, Curitiba - PR. Anais do II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica. Curitiba - PR, 1995. p. 31-39.

394.
KIMURA, G. F. W. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Programa Didático para o Estudo de Capacitores MOS na Caracterização de Processos. In: II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica, 1995, Curitiba - PR. Anais do II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica. Curitiba - PR, 1995. p. 126-135.

395.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Métodos de Extração do Comprimento Efetivo de Canal e da Resistência Série em Transistores MOSFET´s. In: II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica, 1995, Curitiba - PR. Anais do II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica. Curitiba - PR, 1995. p. 136-145.

396.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . Caraterização Elétrica de Transistores SOI MOSFET em Altas Temperaturas. In: II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica, 1995, Curitiba - PR. Anais do II Seminário Brasileiro de caracterização em Microeletrônica. Curitiba - PR, 1995. p. 21-30.

397.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C. . Impact of Surface Mobility Degradation on the Effective Channel Lenght and Series Resistance Extraction in Submission Fully Depleted SOI-MOSFETs. In: X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1995, Canela - RS. Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Canela - RS, 1995. p. 547-552.

398.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . The Influence of the Substrate Potential Drop on Fully Depleted SOI-MOSFET Threshold Voltage at 77 K. In: X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1995, Canela - RS. Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Canela - RS, 1995. p. 537-546.

399.
BELLODI, M. ; MARTINO, J. A. . New Leakage Drain Current Model for High Temperature SOI-MOSFET. In: X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1995, Canela - RS. Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Canela - RS, 1995. p. 557-563.

400.
PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . Impact of Substrate Effect on the Fully Depleted SOI-MOSFET Subtheshold Slope at 300 K and 77 K. In: X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1995, Canela - RS. Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Canela - RS, 1995. p. 527-535.

401.
SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Método Simples para a Obtenção da Densidade de Armadilhas na Primeira e Segunda Interface em SOI-MOSFET. In: IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1994, Rio de Janeiro. Anais do IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Rio de Janeiro - RJ, 1994. p. 419-427.

402.
NICOLETT, A. S. ; MARTINO, J. A. . Transistor SOI-nMOSFET Não Auto Alinhado. In: IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1994, Rio de Janeiro. Anais do IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Rio de Janeiro - RJ, 1994. p. 556-563.

403.
PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. . Modelamento Analítico para a Queda de Pontencial no Subtrato de SOI-MOSFET. In: IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1994, Rio de Janeiro. Anais do IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Rio de Janeiro - RJ, 1994. p. 546-555.

404.
NAKATA, V. ; MARTINO, J. A. . Efeitos da Radiação em Capacitores MOS. In: IX Congresso do Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1994, Rio de Janeiro. Anais do IX Congresso do Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Rio de Janeiro - RJ, 1994. p. 763-765.

405.
MARTINO, J. A.; SIMOEN, Eddy ; ROTONDARO, A. L. P. ; MAGNUSSON, U. ; CLAEYS, C. . SOI MOSFET Modo Acumulação em 77 K : Impacto dos Efeitos Transistórios e Determinação da Densidade de Armadilhas de Interface. In: VIII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1993, Campinas. Anais do VIII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1993. p. VI.1-VI.6.

406.
MAFRA, J. J. ; MARTINO, J. A. . Estudo Comparativo de Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos. In: VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1992, São Paulo - SP. Anais do VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1992. p. 461-470.

407.
PELLEGRINI, A. ; MARTINO, J. A. . Estruturas de Porta de Transistores MOS. In: VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1992, São Paulo. Anais do VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1992. p. 667-669.

408.
ROMANELLI, A. C. ; MARTINO, J. A. ; FURLAN, R. . Características Elétricas de Junções N+/P e P+/N com Barreira de Titânio. In: VI congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991, Belo Horizonte - MG. Anais do VI congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991. p. 112-119.

409.
MAFRA, J. J. ; MARTINO, J. A. . Projeto de Fonte e Dreno de MOSFETs de Canal Curto. In: VI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991, Belo Horizonte. Anais do VI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991. p. 616-617.

410.
Martino, Joad A.; LAUWERS, L. ; Colinge, Jean P. . Analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin-film SOI MOSFETs and its influence on the threshold voltage. In: 5th Congress of the Brazilian Society of Microelectronics, 1990, Sao Paulo. Proceedings of SPIE, 1990. v. 1. p. 64-73.

411.
MARTINO, J. A.; SWART, J. W. . Um Processo CMOS Cavidade Dupla para Comprimento de Porta 2 um - Resultados Finais. In: IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989, Porto Alegre - RS. Anais do IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989. p. 1-10.

412.
MARTINO, J. A.; SWART, J. W. . Limitações da Estrutura CMOS Cavidade Dupla. In: IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989, Porto Alegre. Anais do IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989. p. 11-21.

413.
MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus . Processos CMOS para Dimensão de Porta 2 um - Projeto e Resultados Experimentais. In: III Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1988, São Paulo. Anais do III Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1988. p. 51-60.

414.
MARTINO, J. A.; SEABRA, A. C. ; SWART, J. W. ; BRAZ, I. C. ; FAVORETTO, K. . Obtenção de Fontes e Drenos em Processos CMOS sem Implantação de Boro no Silício Policristalino de Porta. In: II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1987, São Paulo - SP. Anais do II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1987. p. 466-478.

415.
MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus . Projeto de um Processo CMOS com Cavidade Dupla e Dimensões de Porta de 2 um. In: I Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1986, Campinas - SP. Anais do I Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1986. p. 481-491.

416.
MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus . Análise Comparativa de Processos CMOS e Escolha de um Processo Apropriado para Dimensões de 2 um. In: V Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1985, São Paulo - SP. Anais do V Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1985. p. 273-281.

417.
SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. ; WALDMAN, B. . Influência da Resistência Série na Curva Característica Capacitância - Tensão de Capacitores MOS. In: IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1984, São Paulo. Anais do IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1984. p. 105-114.

418.
MARTINO, J. A.. Tecnologia Simples de Fabricação de Circuitos Integrados Digitais NMOS com Carga em Depleção e Porta de Silício Policristalino - Resultados Experimentais. In: IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1984, São Paulo. Anais do IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1984. p. 323-331.

419.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G. . Otimização dos Parâmetros Elétricos e Geométricos de Dispositivos NMOS com Carga em Depleção. In: III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1983, São Paulo. Anais do III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1983. p. 491-512.

420.
SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, J. A. ; WALDMAN, B. . Determinação da Capacitância da Alta Freqüência de um Capacitor MOS. In: Anais do III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1983, São Paulo. Anais do III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1983. p. 589-595.

421.
MARTINO, J. A.. Desenvolvimento de uma Tecnologia nMOS, Carga em Depleção, Porta de Silício Policristalino, Convencional e Não Convencional. In: III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica, 1983. Anais do III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica. p. 353-368.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
PADOVESE, JOSE A. ; YOJO, LEONARDO ; RANGEL, R. ; SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Influence of UV Light on (BE) SOI pMOSFET. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. SEMINATEC 2018 proceedings, 2018. p. 3-4.

2.
MACAMBIRA, CHRISTIAN ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Study of Biosensor Permittivity on a DG nTFET. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. SEMINATEC 2018 proceedings, 2018. p. 21-22.

3.
GONÇALEZ FILHO, W. ; CAMARGO, R. G. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Study of Process and Device Parameters for Improvement of Triple Gate Tunnel-FETs. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. SEMINATEC 2018 proceedings, 2018. p. 27-28.

4.
GONÇALVES, G. V. ; OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Ground Plane Influence on Ge pFinFET Subthreshold Swing. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. SEMINATEC 2018 proceedings, 2018. p. 35-36.

5.
SANTOS, F. L. N. ; SANTOS FILHO, S. G. ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Proposal of a monitoring circuit for tandem solar cells. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. SEMINATEC 2018 proceedings, 2018. p. 89-90.

6.
DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; VANDOOREN, Anne ; ROOYACKERS, Rita ; Simoen, Eddy ; THEAN, Aaron ; CLAEYS, COR . Intrinsic Voltage Gain of Line-TFETs and Comparison with Other TFET and MOSFET Architectures. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics c/o Technische Universität Wien, 2016. v. 1. p. 10-11.

7.
OLIVEIRA, A. V. ; Simoen, Eddy ; MITARD, J. ; WITTERS, LIESBETH JOHANNA ; LANGER, R. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; Claeys, Cor . Effective Hole Mobility and Low-Frequency Noise Characterization of Ge pFinFETs. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics TU-Wien, 2016. v. 1. p. 60-61.

8.
SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; NAVARRO, C. ; BAWEDIN, MARYLINE ; ANDRIEU, FRANCOIS ; CRISTOLOVEANU, SORIN ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Body Factor Scaling in UTBB SOI with Supercoupling Effect. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics TU-Wien, 2016. p. 98-99.

9.
SIVIERI, VICTOR B. ; GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, Anne ; Simoen, Eddy ; THEAN, Aaron ; Claeys, Cor . Comparative Study of Vertical GAA TFETs and GAA MOSFETs in Function of the Inversion Coefficient. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics TU-Wien, 2016. v. 1. p. 112-113.

10.
BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; SIVIERI, VICTOR B. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, COR . Influence of the Ge Amount at Source on Transistor Efficiency of Vertical Gate All Around TFETs for Different Conduction Regimes. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics TU-Wien, 2016. v. 1. p. 136-137.

11.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI . Analysis of TFET and FinFET Differential Pairs with Active Load from 300K to 450K. In: EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Viena. Proceedings of EUROSOI-ULIS 2016. Viena: Society for Micro- and Nanoelectronics TU-Wien, 2016. p. 138-139.

12.
PADOVESE, J. A. ; RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Dynamic Threshold Voltage Configuration to Reduce The Parasitic Edge Transistor Effect on SOI Technology. In: SFORUM 2015: Microeletronics Students Forum, 2015, Salvador. Proceedings of SFORUM 2015, 2015. p. 1-4.

13.
Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . 3D Transistor Behavior from Room to Low Temperature. In: 14th Microelectronics Students Forum - SForum 2014, 2014, Aracaju, Brasil. Proceedings of SForum 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

14.
Agopian, P. G. D. ; Martino, J. A. . Influence of Ground-Plane Doping on Bulk FinFET. In: 14th Microelectronics Students Forum - SForum 2014, 2014, Aracaju, Brasil. Proceedings of SForum 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

15.
RANGEL, RICARDO C. ; Agopian, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Comparison of Two Different NMOS Process. In: 14th Microelectronics Students Forum - SForum 2014, 2014, Aracaju, Brasil. Proceedings of SForum 2014, 2014. v. 1. p. meio digital.

16.
MARTINO, J. A.; GOMES, L. A. G. ; Agopian, P. G. D. . Comparação entre FinFET SOI e de corpo. In: 21 Simposio Internacional de Iniciação Científica da USP - SIICUSP, 2013, São Carlos. Anais do 21 SIICUSP, 2013. v. 1. p. 1-3.

17.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . MULTIPLES THRESHOLD VOLTAGES IN TRAPEZOIDAL CHANNEL MUGFETS. In: 9th Microelectronic Students Forum, 2009, Natal, RN. Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009. v. 1.

18.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . IMPACT OF THE HALO REGION ON FLOATING BODY EFFECTS IN TRIPLE GATE FINFETS. In: 9th Microelectronic Students Fórum, 2009, Natal, RN. Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009. v. 1.

19.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, J. A. . First and Second Order Substrate Bias Influence on FINFETs. In: 9th Microelectronic Students Fórum, 2009, Natal, RN. Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009. v. 1.

20.
SANDRI, M. ; Martino, M. D. V. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . CROSS-SECTION SHAPE INFLUENCE ON SURROUNDING MuGFETs. In: 9th Microelectronic Students Fórum, 2009, Natal, RN. Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009. v. 1.

21.
SANDRI, M. ; Martino, M. D. V. ; NOIJE, W. A. M. V. ; MARTINO, J. A. . Temperature Influence on SOI CMOS Devices. In: 8th Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado, RS. Proceedings of VIII Student Forum on Microelectronics, 2008.

22.
NICOLETTI, T. ; GIMENEZ, Salvador Pinillos ; MARTINO, J. A. . Improved Method to Extract the Parasitic S/D Resistance in Multiple-Gate FETs. In: 8th Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado, RS. Proceedings of VIII Student Forum on Microelectronics, 2008.

23.
Martino, M. D. V. ; SANDRI, M. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; GALETI, Milene ; NOIJE, W. A. M. V. ; MARTINO, J. A. . Radiation Effects on Flip-Flop CMOS. In: 8th Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado, RS. Proceedings of VIII Student Forum on Microelectronics, 2008.

24.
ZANCHIN, V. R. ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, J. A. . High Frequency Capacitance Versus Voltage Curves Analysis in PIGATE SOI MOSFET Structures. In: 8th Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado, RS. Proceedings of VIII Student Forum on Microelectronics, 2008.

25.
Martino, M. D. V. ; SANDRI, M. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; GALETI, Milene ; NOIJE, W. A. M. V. ; MARTINO, J. A. . Radiation Influence On SOI CMOS Devices. In: 7th Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Proceedings of VII Student Forum on Microelectronics, 2007.

26.
SANTOS, S. D. ; SOUZA, Michelly de ; MARTINO, J. A. . Short-Channel Effects Improvement By Using Double-Gate Soi Mosfet. In: 7th Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Proceedings of VII Student Forum on Microelectronics, 2007.

27.
ARRABAÇA, Julia Maria ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, J. A. . The Halo Influence on PD SOI nMOSFETs at Low Temperature Operation. In: 7th Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Proceedings of VII Student Forum on Microelectronics, 2007.

28.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; MARTINO, J. A. . Threshold Voltage of Double and Triple Gate SOI FINFET. In: 7th Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Proceedings of VII Student Forum on Microelectronics, 2007.

29.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, Victor ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. . Experimental Characterization of SOI Mosfet to Determine the Silicon Film and Front Oxide Thicknesses. In: 4th Student Forum on Microelectronics, 2004, Porto de Galinhas. Proceedings of IV Student Forum on Microelectronics, 2004.

30.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Study of Device Parameter Extraction in SOI nMOSFETs. In: 3rd Student Forum on Microelectronics, 2003, São Paulo. Proceedings of III Student Forum on Microelectronics, 2003.

31.
RODRIGUES, Michele ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. . Silicon Film and Front Oxide Thickness Extraction on SOI Devices Using Two Different Techniques. In: 3rd Student Forum on Microelectronics, 2003, São Paulo. Proceedings of III Student Forum on Microelectronics, 2003.

32.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Electrical Characterization of SOI MOSFET at high Temperature. In: 3rd Student Forum on Microelectronics, 2003, São Paulo. Proceedings of IIII Student Forum on Microelectronics, 2003.

33.
AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Experimental Behavior of the GC SOI MOSFET Operating at Low temperature. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.

34.
COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Process and Electrical Characterization of Diode in nMOS technology. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.

35.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Two-Dimensional Simulation of SOI-MOSFET at High Temperature. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.

36.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Techniques of Parameters Extraction in SOI-MOSFET Devices. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.

37.
RODRIGUES, Michele ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Fabrication and Electrical Characterization of nMOSFET Transistors. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
MARTINO, J. A.. (invited) Advanced FinFET and Related Devices. In: WOFE 2013 ? 8th Workshop on Frontiers in Electronics, 2013, San Juan, Porto Rico. WOFE 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1. p. meio digital.

2.
SOUZA, F. N. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; PAVANELLO, M. A. . Effect of Biaxial Mechanical Strain in the Analog Operation of Fully Depleted SOI Transistors as a Function of Temperature. In: ECS 219th Meeting, 2011, Montreal. Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Pennington: The Electrochemical Society, 2011. v. 35.

3.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. . Métodos de Extração de parâmetros em dispositivos SOI-MOSFET. In: 4o Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 51-51.

4.
RODRIGUES, Michele ; NICOLETT, A. S. ; PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Fabricação e Caracterização Elétrica de Transistores nMOSFET. In: 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São PAulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 50-50.

5.
COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; PAVANELLO, M. ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Caracterização Elétrica de Diodo em Tecnologia nMOS. In: 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 49-49.

6.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Simulação Bidimensional para SOI MOSFET em alta temperatura. In: 4° Simpósio de Iniciação científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 47-47.

7.
PAIOLA, Artur Gasparetto ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Técnicas de Extração de Parâmetros em Dispositivos SOI MOSFETTECNICAS DE EXTRACAO DE PARAMETROS EM DISPOSITIVOS SOI MOSFET. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.

8.
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Simulações de um dispositivo SOI nMOSFET em alta temperatura. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.

9.
COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Processo e Caracterização Elétrica de Diodo em Tecnologia NMOS. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.

10.
CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. . Obtenção da Estrutura de Perfil de um Transistor MOS a partir de Parâmetros PSPICE. In: 5o Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 1997, São Paulo. 5o Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 1997.

11.
ORTEGA, Antonio ; CAMPOS, Sandro ; MARTINO, J. A. ; NICOLETT, Aparecido Sirley . Carcaterização Elétrica de Transistores MOSFETs. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia - 1995, 1995, São Carlos. Anais do Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1995.

12.
NOGUEIRA, William ; MARTINO, J. A. ; NICOLETT, Aparecido Sirley . Estudo da Influência da Resistência Série na Determinação da Tensão de Limiar. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia - 1995, 1995, São Carlos. Anais do Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1995.

13.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Influência da Temperatura em Transistor SOI ( Silicon On Insulator ) MOSFETs. In: XIII Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1994, São Carlos. Anais do XIII Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1994. p. 194-194.

14.
BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Transistores SOI ( Silicon On Insulator ) MOSFETs Operando em Altas Temperaturas. In: 2o Simpósio de Iniciação Científica, 1994, São Paulo. Anais do 2o Simpósio de Iniciação Científica1. p. OD14-OD14.

15.
SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Extração Automática de Parâmetros Elétricos de Componentes Semicondutores. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1991, São Carlos. Anais do CICTE-91, 1991.

16.
SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Obtenção de Parâmetros de Componentes Semicondutores. In: Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia - 90, 1990, São Carlos. Anais do CICTE 90, 1990.

17.
MARTINO, J. A.; SATO, e A ; NEVE, A La . Arquitetura de uma CPU didática. In: I Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia, 1982, São Carlos. Anais do I Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia, 1982. p. 75-75.

Artigos aceitos para publicação
1.
MORI, C. A. B. ; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Experimental analysis and improvement of the DC method for self-heating estimation. SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018.

Apresentações de Trabalho
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO. Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2018. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

2.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . New method for self-heating estimation using only DC measurements. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

3.
JOAO ANTONIO MARTINO. Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

4.
JOAO ANTONIO MARTINO. EMICRO-NE: CURSOS PRÁTICOS (OFICINAS) DE FABRICAÇÃO, CARACTERIZAÇÃO E PROJETOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS E ANALÓGICOS. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

5.
MARTINO, JOAO ANTONIO. Field effect Transistors: From Micro to Nano Devices. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

6.
JOAO ANTONIO MARTINO. Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

7.
MARTINO, J. A.. Field Effect Transistor: From MOSFET to Tunnel FET. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

8.
BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; SIVIERI, VICTOR B. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, COR . Study of Low Frequency Noise in Vertical NW-Tunnel FETs with Different Source Compositions. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

9.
SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; NAVARRO, CARLOS ; BAWEDIN, MARYLINE ; CRISTOLOVEANU, SORIN ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; ANDRIEU, FRANCOIS . Impact of Supercoupling Effect on Mobility Enhancement in UTBB SOI in Dynamic Threshold Mode. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

10.
MARTINO, J. A.; SONNENBERG, V. ; ITOCAZU, V.T. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Substrate Effect on Threshold Voltage of long and short channel UTBB SOI nMOSFETs. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

11.
Martino, Joao Antonio. Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

12.
Martino, Joao Antonio. Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

13.
MARTINO, J. A.. (invited) Advanced FinFET and Related Devices. 2013. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

14.
MARTINO, J. A.. Brazilian and South Korean Trajectory in Semiconductors: University of Sao Paulo Contribution. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

15.
MARTINO, J. A.. Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

16.
Martino, Joao Antonio. DESIGN, FABRICATION AND ELETRICAL CHARACTERIZATION OF SOI FINFET TRANSISTORS. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

17.
GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; Martino, João Antonio ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; CLAEYS, Cor . BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

18.
ANDRADE, Maria Glória Cano de ; Martino, João Antonio ; AOULAICHE, M. ; COLLAERT, Nadine ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of Proton Irradiation in Bulk and DTMOS Triple Gate FinFETs. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

19.
Martino, João Antonio. From Micro to Nanoelectronics: A Historical Perspective. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

20.
Martino, João Antonio; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

21.
Martino, João Antonio; CAMILLO, Luciano Mendes ; ALMEIDA, L. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Zero-Temperature-Coefficient of Planar and MuGFET SOI Devices. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

22.
Martino, João Antonio. SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

23.
Martino, João Antonio. Strain Influence on Analog Performance of Planar and FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

24.
Martino, João Antonio. Strain Influence on Analog Performance of FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

25.
Martino, João Antonio; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Strain Influence on Analog Performance of Single-Gate and FinFET SOI nMOSFETs. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

26.
Martino, João Antonio. Strain Influence on Analog Performance of FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

Outras produções bibliográficas
1.
MARTINO, J. A.. Sistemas Digitais : Princípios e Aplicações. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. (Tradução/Livro).

2.
MARTINO, J. A.. Microeletrônica. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. (Tradução/Livro).

3.
MARTINO, J. A.. Eletrônica de Potência. São Paulo: Pearson Educational do Brasil, 2000. (Tradução/Livro).


Demais tipos de produção técnica
1.
Martino, J. A.; AGOPIAN, P. G. D. ; RANGEL, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TARNSISTORES AVANÇADOS. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

2.
Martino, João Antonio; Carro, Luigi . Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007. (Editoração/Periódico).

3.
REIS, Ricardo ; MARTINO, J. A. . Journal of Integrated Circuits and Systems. 2004. (Editoração/Periódico).

4.
MARTINO, J. A.. Introdução ao Projeto de Circuitos Integrados I. 1985. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

5.
MARTINO, J. A.. Microcomputador Pessoal e suas Aplicações. 1983. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

6.
MARTINO, J. A.. Dispositivos MOS. 1982. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 MARTINO, J. A.; RANGEL, RICARDO C. . TRANSISTOR COM FORMAÇÃO DE FONTE E DRENO INDUZIDA POR EFEITO DE CAMPO ELÉTRICO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO. 2015, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR1020150209746, título: "TRANSISTOR COM FORMAÇÃO DE FONTE E DRENO INDUZIDA POR EFEITO DE CAMPO ELÉTRICO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 28/08/2015Instituição(ões) financiadora(s): Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Marcelo Bertoldo. Efeitos da radiação de prótons em FinFETs de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

2.
MARTINO, JOAO ANTONIO; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; NICOLETT, Aparecido Sirley. Participação em banca de Victor de Bodt Sivieri. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

3.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, JOAO ANTONIO; NICOLETT, Aparecido Sirley. Participação em banca de Bárbara Siano Alandia. Fabricação e caracterização experimental de diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TIN/SiOxNy/Si(p). 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

4.
BARBIN, S. E.; KRETLY, L. C.; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Robson Valmiro. Antenas para sistemas RFID impressas em substrato flexível. 2015. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da USP.

5.
MARTINO, JOAO ANTONIO. Participação em banca de PEDRO FILIPE LEITE CORREIA DE TOLEDO. MOSFET Zero-Temperature-Coefficient (ZTC) Effect Modeling and Analysis for Low Thermal Sensitivity Analog Applications. 2015. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

6.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Vitor Tatsuo Itocazu. Efeito do Substrato em Transistores SOI de Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

7.
MARTINO, J. A.; ONMORI, Roberto Koji; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Ricardo Cardoso Rangel. Sequência Simples de Fabricação de Transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

8.
MARTINO, J. A.; CHAVEZ, Marco Isaias Alayo; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Fernando Ferrari Teixeira. Efeitos da Radiação em Transistores 3D Tensionados. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP.

9.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Albert Nissimoff. Estudo Dinâmico de Memórias 1T-DRAM. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

10.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Katia Regina Akemi Sasaki. Propostas de Melhorias de Desempenho de Célula de Memória Dinâmica Utilizando um Único Transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

11.
GIMENEZ, Salvador Pinillos; SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Leonardo Navarenho de Souza Fino. Estudo Experimental do OCTO SOI MOSFET para Implementação de Circuitos Integrados Analógicos e Digitais. 2012. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

12.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; GIACOMINI, Renato Camargo. Participação em banca de Vinícius Heltai Pacheco. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em Transistores SOI de Porta Tripla de Canal N Tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

13.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; GIACOMINI, Renato Camargo. Participação em banca de Sara Dereste dos Santos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

14.
MARTINO, J. A.; GIACOMINI, Renato; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Talitha Nicoletti. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

15.
MARTINO, J. A.; OKA, M. M.; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Jefferson Oliveira Amaro. Análise dos parâmetros analógicos dos dispositivos SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

16.
GIMENEZ, Salvador Pinillos; GIACOMINI, Renato Camargo; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Denis Rodrigo de Oliveira. Estudo comparativo entre Pillar Surrounding Gate e Cynthia SOI nMOSFETs. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

17.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; SONNENBERG, Victor. Participação em banca de Cesar Augusto Alves de Souza. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

18.
MARTINO, J. A.; ONMORI, Roberto Koji; GIACOMINI, Renato. Participação em banca de Julia Maria Arrabaça. Estudo do Halo em Transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em Função da Temperatura. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

19.
PAVANELLO, M. A.; MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Rodrigo Trevisoli Doria. Estudo da Linearidade em Transistores SOI de Porta Dupla com Estrutura de Canal Gradual. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

20.
MARTINO, J. A.; ONMORI, Roberto Koji; GIACOMINI, Renato Camargo. Participação em banca de Sára Elizabeth Souza Brazão de Oliveira. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade de São Paulo.

21.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, M. A.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Maria Glória Caño de Andrade. Estudo da Tensão de Limiar e Inclinação de Sublimiar em Transistores SOI FinFETs de Porta Dupla e Porta Tripla. 2007. Dissertação (Mestrado em Mestrado Em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

22.
COSTA, J. C.; ROMARIZ, A. R. S.; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Vítor Gouvêa Andrezo Carneiro. Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de Brasília.

23.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; MARTINO, J. A.; BELTRÁN, Jorge Ramirez. Participação em banca de Sidney Fernandes da Luz. Microssistema transmissor de pressão piezoresistivo de 4-20mA de alta precisão. 2006. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

24.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; MARTINO, J. A.; JORGE, Alberto Martins. Participação em banca de Alessandra Araujo Tavares. Implementação de um transdutor de pressão piezoresistivo de alta precisão. 2006. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

25.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Michele Rodrigues. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

26.
SANTOS FILHO, S. G.; MARTINO, J. A.; TORRES, L. C. M.. Participação em banca de Ricardo Pestana. Caracterização Elétrica de Contatos Rasos de Siliceto de Níquel sobre Junções PN. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

27.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; MARTINO, J. A.; JORGE, Alberto Martins. Participação em banca de Mariana Amorim Fraga. Projeto de um Sensor de Pressão Piezoresistivo em Substrato SOI. 2005. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

28.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; LIMA FILHO, Jader Alves de; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Michelly de Souza. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

29.
MARTINO, J. A.; ONMORI, Roberto Koji; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Carolina Davanzzo Gomes dos Santos. Caracterização Elétrica de Transistores SOI de Porta Cincundante com Estrutura de Canal Gradual em Alta Temperatura. 2005. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

30.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Renato Silva Ferreira. Caracterização Elétrica de Espelhos de Corrente Baseados em Transistores GC SOI MOSFET em Função da Temperatura. 2004. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

31.
MARTINO, J. A.; FONSECA, Fernando Josepetti; GIACOMINI, Renato. Participação em banca de Galba Falce de Almeida. Estudo do Comportamento da Resistência Série e do Comprimento Efetivo de Canal em Transistores GC SOI nMOSFET. 2004. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

32.
MARTINO, J. A.; GIACOMINI, Renato; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Paula Ghedini der Agopian. Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

33.
MARTINO, J. A.; BELLODI, Marcello; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Milene Galeti. Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

34.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Paulo Tetsuo Hoashi. Caracterização Elétrica e Simulação do Transistor SOI MOSFET de Porta Gêmea. 2000. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

35.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Luciano Mendes Camillo. Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE. 2000. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

36.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; CARDOSO, Alvaro Romanelli. Participação em banca de Hugo Puertas Araujo. Simulação e Caracterização de Diodos Controlados por Porta Visando a Fabricação de Sensores de Radiação Luminosa. 2000. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

37.
NEVE, Alessandro La; MARTINO, J. A.; SHIMIZU, Tamio. Participação em banca de Marco Antonio Assis de Melo. Implementação de um Processador Algoritmico para Compressão e Descompressão das informações de Vídeo Digital de Alta Resolução em Tempo Real. 1999. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

38.
MARTINO, J. A.. Participação em banca de Orlando Domingos Onofre Junior. Desenvolvimento de Software Aplicativo em Barramento de Campo ( Fieldbus ) Utilizando a Pilha de Protocolos TCP/IP. 1998. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

39.
SANTOME, Osamu; LANZALONI, Cairo Nascimento Alessandro; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Orlando Domingos Onofre Junior. Desenvolvimento de software Aplicativo em Barramento de Campo ( Fiel Bus ) Utilizando a Pilha de Protocolos TCP/IP. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

40.
NEVE, Alessandro La; MARTINO, J. A.; LEMOS, Francisco Eneas da Cunha. Participação em banca de Hebert Rodrigues do Nascimento Costa. Implementação de um Simulador de Controle Fuzzy para Otimização do Consumo de Energia em Sistemas de ar Condicionado. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

41.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Marcello Bellodi. Metodologia para a Obtenção da Corrente de Fuga em Transistores SOI MOSFETs Operando em Altas Temperaturas. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

42.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luiz Sérgio; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Victor Sonnenberg. Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (77K). 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

43.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; MAMMANA, C. I. Z.. Participação em banca de Marcelo Antonio Pavanello. Influência do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Baixa Temperatura ( 77 K ). 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

44.
MARTINS, Jose Manuel de Vasconcelos; MARTINO, J. A.; FERNANDEZ, Francisco Javier Ramirez. Participação em banca de Henrique Estanislau Maldonado Peres. Implantação Iônica de Hidrogênio em Silício Monocristalino. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

45.
MARTINO, J. A.; ALVAREZ, Ines Pereyra de; FANTINI, Marcia Carvalho de Abreu. Participação em banca de Marco Isaías Alayo Chávez. Deposição e Caracterização de Filmes Finos de SiO2 Crescidos pela Técnica de PEVCD a Baixa Tmperatura. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) - Universidade de São Paulo.

46.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; HASENACK, Claus Martin. Participação em banca de Aparecido Sirley Nicolett. Estudo da Resistência Série e do Comprimento Efetivo de Canal em Transistores MOS Convencionais e SOI MOS. 1995. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

47.
MARTINO, J. A.; VILELA, José Mário Carneiro; HASENACK, Claus Martin. Participação em banca de Cláudia Cortes Romanelli. Comparação entre as Estruturas CMOS Cavidade Dupla e CMOS Cavidade Gêmea. 1995. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

48.
LEMOS, Francisco Eneas da Cunha; NEVE, Alessandro La; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Ricardo Arroio. Projeto e Implementação de um Gerador de Micro Códigos para uma Placa Aceleradora Aritmética em Ponto Flutuante. 1995. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

49.
NEVE, Alessandro La; SHIMIZU, Tamio; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Gabriel Fajardo. Uma Proposta de Solução para Interligação entre Mainframe IBM e Redes Ethernet. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

50.
MARTINO, J. A.; NEVES, Hércules Pererira das; FURLAN, Rogério. Participação em banca de Johnny José Mafra. Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos. 1992. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Teses de doutorado
1.
Joao Antonio Martino; SANTOS FILHO, S. G.; ONMORI, Roberto Koji; NICOLETT, Aparecido Sirley; FONTES, Marcelo Bariatto. Participação em banca de Alberto Vinicius de Oliveira. Estudo de transistores de porta tripla (FinFET) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da USP.

2.
Joao Antonio Martino; OKA, Mauricio; CHAVEZ, Marco Isaias Alayo; FRUETT, F.; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Katia Regina Akemi Sasaki. Estudo de transistores SOI MOSFET com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da USP.

3.
SANTOS FILHO, S. G.; ONMORI, Roberto Koji; TORRES, K. F. A.; BOUDINOV, H. I.; Martino, J. A.. Participação em banca de Felipe Neves Souza. Caracterização Elétrica de Túnel-FET em Estrutura de Nanofio com Fontes de SiGe e Ge em Função da Temperatura. 2015. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica (Microletrônica)) - Escola Politécnica da USP.

4.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; GIMENEZ, Salvador Pinillos; DINIZ, José Alexandre; FONTES, Marcelo Bariatto. Participação em banca de Sara Dereste dos Santos. Caracterização Elétrica de Transistores SOI sem Extensão de Fonte e Dreno com Estrutura Planar e Vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

5.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; OKA, M. M.; DINIZ, José Alexandre; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Rudolf Buhler. Estudo de Transistores Avançados de Canal Tensionado. 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica (Microletrônica)) - Escola Politécnica da USP.

6.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; DINIZ, José Alexandre; ROTONDARO, A. L. P.; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Talitha Nicoletti. Estudo de Transistores UTBOX SOI não Auto-Alinhados como Célula de Memória. 2013. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

7.
Pavanello, M A; CHAVEZ, Marco Isaias Alayo; MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre; SOUZA, A. A. L.. Participação em banca de Renan Trevisoli Doria. Operação e Modelagem de Transistores MOS sem Junções. 2013. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

8.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; OKA, M. M.; DINIZ, José Alexandre; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Maria Glória Caño de Andrade. Estudo de Transistores de Porta Tripla de Corpo. 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

9.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; DINIZ, José Alexandre; ONMORI, Roberto Koji; ROTONDARO, A. L. P.. Participação em banca de Michele Rodrigues. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

10.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; FONSECA, Fernando Josepetti; DINIZ, José Alexandre; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Milene Galeti. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geraçao em tecnologias SOI MOSFETs. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

11.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; ONMORI, Roberto Koji; GIACOMINI, Renato Camargo; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Paula Ghedini Der Agopian. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

12.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; DIRANI, Ely Antonio Tadeu; DÓI, Ioshiaki; VILELA, José Mário Carneiro. Participação em banca de Ronaldo William Reis. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

13.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; CHÁVEZ, Marco Isaías Alayo; MARTINO, J. A.; VILELA, Jose Mario Carneiro; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Leandro Zeidan Toquetti. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

14.
MARTINO, J. A.; VALE NETO, José Vieira Do; LIMA FILHO, Jader Alves de; PAVANELLO, Marcelo Antonio; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Salvador Pinillos Gimenez. Estudo do GC SOI nMOSFET e Aplicações em Amplificadores Operacionais de Transcondutância. 2004. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

15.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus; DINIZ, José Alexandre; SONNENBERG, Victor. Participação em banca de Willian Aurélio Nogueira. Obtenção de Óxidos de Porta MOS Ultrafinos: Influência da Limpeza Química e Estudo da Ruptura Dielétrica.. 2003. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

16.
MARTINO, J. A.; CARDOSO, Alvaro Romanelli; OKA, M. M.; ANDRADE, A. M.; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Victor Sonnenberg. Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI Através de Capacitores. 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

17.
MARTINO, J. A.; CARDOSO, Alvaro Romanelli; NICOLETT, Aparecido Sirley; DIRANI, Ely Antonio Tadeu; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Participação em banca de Marcello Bellodi. Estudo das Componentes e Modelagem das Correntes de Fuga em Dispositivos SOI MOSFET Operando em Altas Temperaturas. 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

18.
MARTINO, J. A.; CARDOSO, Alvaro Romanelli; DIRANI, Ely Antonio Tadeu; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Aparecido Sirley Nicolett. Estudo do Comportamento da Resistência Série e Desenvolvimento de Novos Métodos de Carcaterização Elétrica em Dispositivos SOI MOSFET. 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

19.
MARTINO, J. A.; LIMA FILHO, Jader Alves de; SWART, Jacobus Willibrordus; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; BRAGA, N. L. A.. Participação em banca de Marcelo Antonio Pavanello. Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de uma Nova Estrutura para o SOI MOSFET. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

20.
SILVA, Maria Lucia Pereira da; VILELA, Jose Mario Carneiro; OKI, Nobuo; SENISE, Jose Thomaz; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Alvaro Romanelli Cardoso. Avaliação das Características Elétricas de Filmes de SiO2 Obtidos por Deposição Química a Vapor Enriquecida por Plasma a Partir de Fonte Orgânica TEOS. 1997. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Qualificações de Doutorado
1.
Martino, J.A.; SANTOS FILHO, S. G.; ONMORI, Roberto Koji. Participação em banca de Alberto Vinicius de Oliveira. Estudo comparativo entre transistores FinFET de corpo e SOI em altas temperaturas. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica (Microeletrônica)) - Escola Politécnica da USP.

2.
SANTOS FILHO, S. G.; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Giuliano Gozzi. Obtenção de óxido de alumínio para a produção de nanoestruturas e dielétricos de porta. 2009. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

3.
MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Participação em banca de Michele Rodrigues. Estudo da Capacitância em Dispositivos de Múltiplas Portas. 2008. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

4.
MARTINO, J. A.; FONSECA, Fernando Josepetti; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Carolina Davanzzo Gomes dos Santos. Caracterização elétrica de transistores FINFET de porta tripla. 2008. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

5.
BAMPI, S.; WIRTH, G. I.; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Giovani Cheuiche Pesenti. Desenvolvimento e Otimização de Tecnologia CMOS com porta de poly-silício. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

6.
MARTINO, J. A.; ONMORI, Roberto Koji; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Paula Ghedini Der Agopian. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na regiao linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométicos. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade de São Paulo.

7.
MARTINO, J. A.; FONSECA, Fernando Josepetti; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Milene Galeti. Medidas de Tempo de Vida de Portadores em SOI MOSFETs. 2007. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade de São Paulo.

8.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; CHAVEZ, Marco Isaias Alayo. Participação em banca de Luciano Mendes Camillo. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (Zero Temperature Coefficient) em transistores MOS e SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2005. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

9.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; VALE NETO, José Vieira Do. Participação em banca de Salvador Pinillos Gimenez. Estudo do GC SOI nMOSFET e Aplicações em Amplificadores Operacionais de Transcondutância. 2003. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

10.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Leandro Zeidan Toquetti. Estudo Teórico-Experimental da Obtenção de Oxinitretos de Silício de Portas MOS Ultrafinos. 2003. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

11.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; DINIZ, José Alexandre. Participação em banca de Willian Aurélio Nogueira. Estudo Teórico-Experimental da Obtenção de Dielétricos de Porta MOS Ultra Finos com Interfaces Planas.. 2002. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

12.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Humber Furlan. Desenvolvimento de Membranas e Construção de Sensores de Pressão Ultilizando Pós-Processamento. 2002. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

13.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luiz Sergio; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Participação em banca de Marcello Bellodi. Modelagem de Transistores SOI MOS Operando em Altas Temperaturas. 2000. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

14.
MARTINO, J. A.. Participação em banca de Aparecido Sirley Nicolett. Estudo do Comportamento da Resistência Série e Desenvolvimento de Novos Métodos de Carcaterização Elétrica em Dispositivos SOI MOSFET. 2000. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

15.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick; BRAGA, Nelson. Participação em banca de Marcelo Antonio Pavanello. Desenvolvimento de Novos transistores em Tecnologia SOI. 1999. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

16.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luiz Sergio; OKA, Mauricio. Participação em banca de Victor Sonnenberg. Caracterização da Tecnologia SOI Através da Curva Capacitância - Tensão. 1999. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

17.
FERNADEZ, Javier Ramirez; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Walter Jaimes Salcedo. Silício Poroso com Material Fotônico. 1996. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

18.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luis Sergio; HASENAK, Claus. Participação em banca de Vera Lucia Mariko Nakata. Efeitos da Radiação Ionizante de Capacitores MOS Convencionais e SOI. 1995. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

19.
HASENACK, Claus Martins; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Alvaro Romanelli Cardoso. Deposição de SiO2, por Deposição Química a Vapor Enriquecida por Plasma , Remoto ou não, a partir da Fonte Orgânica TEOS e Caracterização Elétrica dos Filmes Depositados. 1995. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

20.
SWART, Jacobus Willibrordus; VERDONCK, Patrick; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Antonio Carlos Seabra. Estudo de Resistes Amplificados Quimicamente e Sililação em Criptografia por Feixes de Elétrons. 1995. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Qualificações de Mestrado
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; ONMORI, Roberto Koji. Participação em banca de Vinicius Mesquita do Nascimento. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI FinFETs tensionados e radiados. 2016. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

2.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; ONMORI, Roberto Koji. Participação em banca de Victor De Bodt Sivieri. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2015. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP.

Trabalhos de conclusão de curso de graduação
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI; ALMEIDA, LUCIANO MENDES. Participação em banca de Carlos Augusto Bergfeld Mori.Automação do processo de medidas de parâmetros de transistores para o LSI-USP. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Outros tipos
1.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; MARTINO, J. A.; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Participação em banca de Rodrigo Trevisoli Doria. Estudo de Linearidade em Transistores SOI de Porta Dupla com Estrutura de Canal Gradual. 2006. Outra participação, Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

2.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; VASQUES, Jaime Hernando Lasso; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Sidney Fernandes da Luz. Microssistema Transmissor de Pressão Piezoresistivo de 4-20mA de Alta Precisão. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

3.
MARTINO, J. A.; NICOLETT, Aparecido Sirley; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Participação em banca de Michele Rodrigues. Caracterização Elétrica de Capacitores obtidos através da Tecnologia Ultra-Sub-Micrométrica. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

4.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; ONMORI, Roberto Koji. Participação em banca de Sára Elizabeth de Souza Costa. Estudo do Efeito de Auto-Aquecimento em Transistores SOI com Estrutura de Canal Gradual - GC SOI MOSFET. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

5.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; MARTINO, J. A.; JORGE, Alberto Martins. Participação em banca de Alessandra Araujo Tavares. Implementação de um transdutor de pressão piezoresistivo de alta precisão. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

6.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; ONMORI, Roberto Koji. Participação em banca de Carolina Davanzzo Gomes Santos. Caracterização Elétrica de Transistores SOI de Porta Circundante com Estrutura de Canal Gradual. 2004. Outra participação, Universidade de São Paulo.

7.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; FONSECA, Fernando Josepetti. Participação em banca de Michelly de Souza. Desenvolvimento de Modelo Analítico Contínuo para Transistores GC SOI nMOSFETs. 2004. Outra participação, Universidade de São Paulo.

8.
MARTINO, J. A.; NICOLETT, Aparecido Sirley; FONSECA, Fernando Josepetti. Participação em banca de Galba Falce de Almeida. Método de Extração de Parâmetros de Transistores GC SOI MOSFET. 2003. Outra participação, Universidade de São Paulo.

9.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; SOARES JUNIOR, João Navarro. Participação em banca de Renato Silva Ferreira. Caracterização Elétrica de Espelhos de Corrente Baseados em Transistores GC SOI MOSFET em Função da Temperatura. 2003. Outra participação, Universidade de São Paulo.

10.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; DIRANI, Ely Antonio Tadeu. Participação em banca de Paula Ghedini Der Agopian. Análise do Funcionamento dos Dispositivos GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.

11.
MARTINO, J. A.; PAVANELLO, Marcelo Antonio; FONSECA, Fernando Josepetti. Participação em banca de Milene Galeti. Análise do Funcionamento dos Dispositivos GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.

12.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; FONTES, Marcelo Bariatto. Participação em banca de Alan Rodrigo Navia. Estudo Experimental da Deposição Química Espontânea de Níquel sobre Alumínio ou Silício-Policristalino visando a Fabricação de Microeletrodos e Portas MOS. 2001. Outra participação, Universidade de São Paulo.

13.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibroudu. Participação em banca de Hugo Puertas de Araujo. Construção e Caracterização de Diodos Controlados por Porta para Sensoriamento de Radiação Luminosa. 1999. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

14.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; VERDONCK, Patrick Bernard. Participação em banca de Luciano Mendes Camillo. Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE. 1999. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

15.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus. Participação em banca de Willian Aurelio Nogueira. Estudo dos Mecanismos de Ruptura a Rigidez Dielétrica em Óxidos de Porta MOS Crescidos por RTO. 1998. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

16.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; VERDONCK, Patrick. Participação em banca de Paulo Tetsuo Hoashi. Caracterização Elétrica e Simulação do Transistor SOI MOSFET de Porta Gêmea. 1998. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

17.
VERDONCK, Patrick; MARTINO, J. A.; FURLAN, Rogerio. Participação em banca de Renato Marcelo Franzin. Corrosão de Silício por Plasma. 1997. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

18.
NEVE, Alessandro La; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Marco Antonio Assis de Melo. Implementação de um Processador Algoritmico para Compressão e Descompressão das informações de Vídeo Digital de Alta Resolução em Tempo Real. 1997. Outra participação, Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

19.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luis Sergio; VERDONCK, Patrick. Participação em banca de Marcello Bellodi. Desempenho de Dispositivos SOI em Alta Temperatura. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

20.
ZASNICOFF, Luis Sergio; BRAGA, Nelson; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Claudia Brunetti. Efeitos do Auto-Aquecimento das Características I-V de Dispositivos SOI-MOS. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

21.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; VERDONCK, Patrick; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Humber Furlan. Implementação de Membranas de sensores de Pressão a Elementos Piezoresistivos em Pós-processamento. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

22.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick; BRAGA, Nelson. Participação em banca de Marcelo Antonio Pavanello. Influência do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente ( 300K) e em Baixa Temperatura (77K). 1995. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

23.
PEREYRA, Ines; MARTINO, J. A.; FERNADEZ, Francisco Javier. Participação em banca de Marco Isaias Alayo. Deposição e Caracterização de Filmes SiO2 Crescidos pela Técnica PECVD a Baixa Temperatura. 1995. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

24.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luiz Sérgio. Participação em banca de Victor Sonnenberg. Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (77K). 1994. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

25.
FURLAN, Rogério; MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio. Participação em banca de Angelo Eduardo Batistini Marques. Aplicação da Técnica de Processamento Térmico Rápido (RTP) na Sinterização de Contatos Al-Si e Recozimento de Estados de Interface. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

26.
FERNADEZ, Francisco Javier; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Henrique Estannislau Maldonado Peres. Efeitos do Hidrogênio Implantado no Silício Cristalino. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

27.
FERNANDEZ, Francisco Javier Ramirez; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Walter Jaimes Salcedo. Microporos no Silício. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

28.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; HASENACK, Claus Martin. Participação em banca de Aparecido Sirley Nicolett. Estudo da Resistência Série e do Comprimento Efetivo de Canal em Transistores MOS Convencionais e SOI MOS.. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

29.
NEVE, Alessandro La; MARTINO, J. A.. Participação em banca de Roberto Garcia Negrão. Sistema de Servo-Gravação para Centralização de Trilhas em Unidades de Disco Rígido. 1992. Outra participação, Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

30.
MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio; FURLAN, Rogério. Participação em banca de Johnny Jose Mafra Junior. Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos. 1990. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

31.
MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio; SWART, Jacobus Willibrordus. Participação em banca de Claudia Cortes Romanelli. Comparação entre as Estruturas CMOS Cavidade Dupla e CMOS Cavidade Gêmea. 1990. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
MARTINO, J. A.. Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica. 2012. Universidade Estadual de Campinas.

2.
JORGE, Alberto Martins; TATSCH, P. J.; DINIZ, José Alexandre; MARTINO, J. A.; FERREIRA, E. C.. Participação da comissão julgadora do Concurso de Professor Doutor nas especialidades eletrônica, microeletrônica e optoeletrônica. 2009. Universidade Estadual de Campinas.

3.
BRAGA, E. S.; MOSCHIM, Edson; DIAS, J. A. S.; SCHNEIDER, M. C.; MARTINO, J. A.. Participação da comissão julgadora do Concurso de Professor Doutor nas especialidades eletrônica, microeletrônica e optoeletrônica. 2008. Universidade de São Paulo.

4.
MARTINO, J. A.; NASCIMENTO, V. H.; LANDGRAF, F. J. G.; ITIKI, C.; SANTOS, J. C.. Presidente da comissão julgadora do concurso de Professor Doutor junto ao Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, na especialidade de Sistemas Eletrônicos. 2008. Universidade de São Paulo.

5.
MARTINO, J. A.; NOIJE, W. A. M. V.; DIAS, L. A. V.; GONZAGA, A.; SATO, L. M.. Computação Visual e Mídias Eletrônicas Interativas. 1999. Universidade de São Paulo.

Livre docência
1.
MARTINO, J. A.; MANSANO, R. D.; CESCATO, L. H. D.; MARQUES, F. C.. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Microondas Optoeletrônicas', tendo como candidato o Prof. Dr. Marco Isaías Alayo Chávez. 2009. Universidade de São Paulo.

2.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; BOUDINOR, H.. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Eletrônica', tendo como candidato o Prof. Dr. José Alexandre Diniz. 2007. Universidade Estadual de Campinas.

3.
PEREYRA, Inês; MARTINO, J. A.; TORRESI, Susana Inés Cordoba de; BRITO, Hermi Felinto de; ASSALI, Lucy Vitória Credidio. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Materiais e Processos em Microeletrônica', tendo como candidato o Prof. Dr. Walter Jaimes Salcedo. 2005. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Outras participações
1.
MARTINO, J. A.. Comissão de Avaliação do Concurso de Acesso do Professor Aparecido Sirley Nicolett. 1996. Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

2.
MARTINO, J. A.. Comissão de Avaliação do Concurso de Acesso do Professor Victor Sonnenberg. 1996. Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

3.
MARTINO, J. A.. Participação no Comitê Assessor do Grupo de Consultores Credenciados -PADCT. 1985. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). New method for self-heating estimation using only DC measurements. 2018. (Congresso).

2.
233rd ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18. Parasitic Conduction on Ω-Gate Nanowires SOI nMOSFETs. 2018. (Congresso).

3.
33rd Symposium on Microelectronics Technology and Device (SBMicro). 2018. (Simpósio).

4.
IEEE-EDS Distinguished Lecturer Presentation.Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2018. (Seminário).

5.
2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). The influence of low-energy proton irradiaiton on threshold voltage and tranconductance of nanowire SOI n and p-channel transistors. 2017. (Congresso).

6.
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference (S3S). Experimental Analysis of Differential Pairs Designed with Line Tunnel FET Devices. 2017. (Congresso).

7.
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions. 2017. (Congresso).

8.
7th Annual World Congress of Nano Science & Technology-2017. Field effect Transistors: From Micro to Nano Devices. 2017. (Congresso).

9.
13rd IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Zero Temperature Coefficient Behavior for Advanced MOSFETs. 2016. (Congresso).

10.
2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width. 2016. (Congresso).

11.
Erasmus Mundus Master of Nanoscience and Nanotechnology (EMM-nano).Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).

12.
EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Analysis of TFET and FinFET Differential Pairs with Active Load from 300K to 450K. 2016. (Congresso).

13.
IEEE Distinguished Lecturer Presentation.Field Effect Transistor: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).

14.
Universidade Santa Cecília.Evolução da Micro para Nanoeletrônica. 2016. (Seminário).

15.
Université de Caen Normandie.Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).

16.
2015 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). Impact of Supercoupling Effect on Mobility Enhancement in UTBB SOI in Dynamic Threshold Mode. 2015. (Congresso).

17.
2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). Study of Low Frequency Noise in Vertical NW-Tunnel FETs with Different Source Compositions. 2015. (Congresso).

18.
227th ECS Meeting - Silicon Compatible Materials, Processes, and Technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 5. The Impact of the Ge Concentration in the Source for Vertical Tunnel-FETs. 2015. (Congresso).

19.
IEEE Distinguished Lecturer Presentation.Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2015. (Seminário).

20.
219th Electrochemical Society Meeting.global. 2011. (Simpósio).

21.
EDS/IEEE Distinguished Lecturer.From Micro to Nanoelectronics: A Historical Perpective. 2011. (Seminário).

22.
EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits.GIDL Behavior with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectric on MuGFET devices. 2011. (Simpósio).

23.
IEEE International SOI Conference. BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. 2011. (Congresso).

24.
10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Zero-Temperature-Coefficient of Planar and MuGFET SOI Devices. 2010. (Congresso).

25.
6th international SemOI Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices. 2010. (Congresso).

26.
EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits.Magnetoresistance technique for mobility extraction in triple gate FinFETs at low temperature. 2010. (Simpósio).

27.
IEEE International SOI Conference. Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and nSOI MuGFETs for analog application. 2010. (Congresso).

28.
Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9. Analog application of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness operating at cryogenic temperatures. 2010. (Congresso).

29.
2009 IEEE International SOI Conference. Transconductance Ramp Effect in High-k Triple Gate sSOI nFinFETs. 2009. (Congresso).

30.
215th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 14. Gate Stack Influence on GIFBE in nFinFETs. 2009. (Congresso).

31.
24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Analysis of the interface trap density in SOI FinFETs with different tin gate electrode thickness through charge pumping technique. 2009. (Congresso).

32.
EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits.Impact of Temperature Reduction and Channel Engineering on the Linearity of FD SOI nMOSFEs. 2009. (Simpósio).

33.
23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008. Influence of the Drain Bias and Gate Length of Partially Depleted SOI MOSFETs on the ZTC Biasing Point. 2008. (Congresso).

34.
EuroSOI 2008 - Fourth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits. Threshold Voltages of Double and Triple Gate SOI FinFETs. 2008. (Congresso).

35.
ICSICT - 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology. Strain influence on analog performance of single-gate and FinFET SOI nMOSFETs. 2008. (Congresso).

36.
2007 IEEE International SOI Conference. Analog Operation of Uniaxially Strained FD SOI nMOSFETs in Cryogenic Temperatures. 2007. (Congresso).

37.
211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13.Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short-Channel SOI nMOSFETs; Non-Vertical Sidewall Angle Influence on Triple-Gate FinFETs Corner Effects. 2007. (Simpósio).

38.
22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007. Improved Model do Determine the Generation Lifetime in Double Gate SOI nMOSFET. 2007. (Congresso).

39.
EUROSOI 2007 - Third Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits. Impact of Uniaxial and Biaxial Strain on the Linearity of Fully Depleted SOI MOSFETs. 2007. (Congresso).

40.
INFOS 2007 - 15th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors. Low Temperature Influence on the uniaxially strained FD SOI nMOSFETs behavior. 2007. (Congresso).

41.
2006 IEEE International SOI Conference. Low Temperature Analog Operation of Triple-Gate FinFET with HfO2 Dielectrics and TiN Gate Material. 2006. (Congresso).

42.
21st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006. 21st SBMICRO. 2006. (Congresso).

43.
EUROSOI 2006 - Second Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits. EUROSOI 2006. 2006. (Congresso).

44.
12th International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2005. (Simpósio).

45.
2005 IEEE International SOI Conference. Saturation Threshold Voltage Degradation in Deep-Submicrometer Fully Depleted SOI nMOSFETs Operating in Cryogenic Environments. 2005. (Congresso).

46.
20th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2005. 20th SBMICRO. 2005. (Congresso).

47.
19th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2004. 19th SBMICRO. 2004. (Congresso).

48.
High Purity Silicon VIII. Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs. 2004. (Congresso).

49.
11th International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2003. (Simpósio).

50.
18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003. 18th SBMICRO. 2003. (Congresso).

51.
Seventh International Symposiom on Low temperature electronics. Low Temperature Electronics. 2003. (Congresso).

52.
17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2002. 17th SBMICRO. 2002. (Congresso).

53.
Workshop on Low Temperature Electronics. WOLTE 5. 2002. (Congresso).

54.
XXX COBENGE - Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia. XXX COBENGE - Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia. 2002. (Congresso).

55.
International Conference on Microlelectronics and Packaging. XVI SBMicro. 2001. (Congresso).

56.
Tenth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2001. (Simpósio).

57.
15th International Conference on Microlelectronics and Packaging. 5th International Conference on Microelectronics and Packaging. 2000. (Congresso).

58.
Thirth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems. ICCDCS. 2000. (Congresso).

59.
14th International Conference on Microlelectronics and Packaging. ICMP99. 1999. (Congresso).

60.
Nineth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 1999. (Simpósio).

61.
International Conference on Microelectronics and Packaging. ICMP98. 1998. (Congresso).

62.
Workshop on Low Temperature Electronics. WOLTE 3. 1998. (Congresso).

63.
Insulating Films on Semiconductors. Infos'97. 1997. (Congresso).

64.
Silicon on Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 1997. (Simpósio).

65.
XII Conference of the Brazilian Microleletronics Society. XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1997. (Congresso).

66.
II Workshop IBERCHIP.II Workshop IBERCHIP. 1996. (Outra).

67.
Worksop on Low Temperature Electronics. WOLTE 2. 1996. (Congresso).

68.
XI Congresso Brasileiro da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. XI Congresso Brasileiro da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. 1996. (Congresso).

69.
II Seminário Brasileiro de Carcaterização em Microeletrônica.II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica. 1995. (Seminário).

70.
IV Escola Brasileira de Microeletrônica.IV Escola Brasileira de Microeletrônica. 1995. (Outra).

71.
Low temperature Electronics Symposium. Low Temperature Electronics Symposium. 1995. (Congresso).

72.
X Congresso da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. X SBMicro. 1995. (Congresso).

73.
IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. IX SBMicro. 1994. (Congresso).


Organização de eventos, congressos, exposições e feiras
1.
MARTINO, JOAO ANTONIO. 2018 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2018. (Congresso).

2.
MARTINO, JOAO ANTONIO; RANGEL, RICARDO C. ; CARRENO, M. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der . OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI). 2018. (Outro).

3.
MARTINO, JOAO ANTONIO; Roberto Rangel . OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MISTOS. 2018. (Outro).

4.
MARTINO, JOAO ANTONIO; Vinicius Martins . OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS. 2018. (Outro).

5.
MARTINO, JOAO ANTONIO. 233rd ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18. 2018. (Congresso).

6.
MARTINO, JOAO ANTONIO; Agopian, Paula G. D. . SEMINATEC 2017 - XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2017. (Congresso).

7.
MARTINO, JOAO ANTONIO. 2017 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2017. (Congresso).

8.
Joao Antonio Martino. 2016 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2016. (Congresso).

9.
MARTINO, J. A.. 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17. 2015. (Congresso).

10.
MARTINO, J. A.. 2015 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2015. (Congresso).

11.
MARTINO, J. A.. SEMINATEC 2014 - IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2014. (Congresso).

12.
MARTINO, J. A.. 223th Electrochemical Society Meeting - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16. 2013. (Congresso).

13.
MARTINO, J. A.. SBMICRO 2013 - Symposium on Microeletronics Technology and Devices. 2013. (Congresso).

14.
MARTINO, J. A.. 219th Electrochemical Society Meeting - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. 2011. (Congresso).

15.
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . CHIP IN SAMPA 2010 (SBMICRO, SBCCI e SFORUM). 2010. (Congresso).

16.
MARTINO, J. A.. SBMICRO 2007 - Microeletronics Technology and Devices. 2007. (Congresso).

17.
MARTINO, J. A.. SBMICRO 2003 - Microelectronics Technology and Devices. 2003. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Alexandro de Moraes Nogueira. Circuitos com Tunnel-FET. Início: 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

2.
Guilherme Vieira Gonçalves. Estudo de Transistores FinFET de Corpo de Germânio. Início: 2017. Dissertação (Mestrado profissional em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. (Orientador).

3.
José Augusto Padovese Peixoto. Estudo do Back Enhanced Silicon-on-Insulator MOSFET (BE SOI MOSFET) como sensor de luz. Início: 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Tese de doutorado
1.
Carlos Augusto Bergfeld Mori. Projeto e Fabricação de um BE SOI Túnel-FET como Biossensor. Início: 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

2.
Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo de transistores avançados para aplicação em biossensor.. Início: 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica (Microletrônica)) - Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Coorientador).

3.
Leonardo Shimizu Yojo. Otimização de Transistores BE SOI MOSFET como Plataforma para Aplicação como Biossensores. Início: 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. (Orientador).

4.
Christian Nemeth Macambira. Estudo do Transistor de Efeito de Campo por Tunelamento (TFET) como Biossensor. Início: 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

5.
Ricardo Cardoso Rangel. Projeto, Fabricação e Caracterização de um BE SOI MOSFET. Início: 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Leonardo Shimizu Yojo. Estudo, Caracterização Elétrica e Modelagem de Transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFETs. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

2.
Carlos Augusto Bergfeld Mori. Estudo Comparativo do Efeito de Autoaquecimento em Transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

3.
Henrique Lanza Faria Torres. Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Coorientador: João Antonio Martino.

4.
Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: João Antonio Martino.

5.
Vinicius Mesquita do Nascimento. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI FinFETs tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

6.
Christian Nemeth Macambira. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

7.
Luís Felipe Vicentis Caparroz. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: João Antonio Martino.

8.
Marcelo Bertoldo. Efeitos da radiação de protóns em FinFETs de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

9.
Victor de Bodt Sivieri. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

10.
Ricardo Rangel. Sequência Simples de Fabricação de Transistores SOI NMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

11.
Vitor Tatsuo Itocazu. Estudo do Substrato em Transistores SOI de Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

12.
Fernando Ferrari Teixeira. Efeitos da Radiação em Transistores 3D Tensionados. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

13.
Katia Regina Akemi Sasaki. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

14.
Albert Nissimoff. Estudo Dinâmico de Memórias 1T-DRAM. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

15.
Vinícius Heltai Pacheco. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em Transistores SOI de Porta Tripla de canal N Tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

16.
Sara Dereste dos Santos. Influência da Tensão Mecânica no Abaixamento de Barreira Induzida pelo Dreno(DIBL) em FinFETs de Porta Tripla. 2010. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

17.
Jefferson Amaro. Comportamento Analógico de Transistores SOI DTMOS. 2009. 0 f. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

18.
Talitha Nicoletti. Estudo da Resistência Série de Fonte e Dreno de Transistores SOI FinFETs de Porta Tripla e Com Canal Tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

19.
Julia Maria Arrabaça. Estudo do Halo em Transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em Função da Temperatura. 2008. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, . Orientador: João Antonio Martino.

20.
Sara Elizabeth de Souza Costa. Estudo do Efeito de Auto Aquecimento em Transistores SOI com estrutura de Canal Gradual-GC SOI MOSFET. 2007. 0 f. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

21.
Maria Glória Cano de Andrade. Estudo da Tensão de Limiar e da Inclinação de Sublimiar em Transistores FinFETs de Porta Dupla e Porta Trípla. 2007. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, . Orientador: João Antonio Martino.

22.
Michele Rodrigues. Caracterização Elétrica de Capacitores obtidos através de Tecnologia Ultra-Submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

23.
Carolina Davanzzo Gomes dos Santos. Caracterização Elétrica de Transistores SOI de Porta Circundante com Estrutura de Canal Gradual em Alta Temperatura. 2005. 123 f. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

24.
Galba Falce de Almeida. Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET. 2004. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

25.
Paula Ghedini Der Agopian. Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas. 2003. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

26.
Milene Galeti. Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas. 2003. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

27.
Paulo Tetsuo Hoashi. Caracterização Elétrica e Simulação do Transistor SOI MOSFET de Porta Gêmea. 2000. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

28.
Luciano Mendes Camillo. Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE. 2000. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

29.
Victor Sonnenberg. Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (T=77K). 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

30.
Marcello Bellodi. Metodologia para a Obtenção da Corrente de Fuga em Transistores SOI MOSFETs Operando em Altas Temperaturas. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

31.
Marcelo Antonio Pavanello. Influência do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente (300 K) e em Baixa Temperatura (77 K). 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

32.
Cláudia Cortes Romanelli. Comparação Entre as Estruturas CMOS Cavidade Dupla e CMOS Cavidade Gêmea. 1995. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

33.
Aparecido Sirley Nicolett. Efeitos Especiais na Caracterização de Dispositivos MOS Convencionais e SOI-MOSFET. 1995. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

34.
Johnny José Mafra. Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos. 1992. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

Tese de doutorado
1.
Vitor Tatsuo Itocazu. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

2.
Caio Cesar Mendes Bordallo. Estudo do Comportamento de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) Operando em Diferentes Temperaturas. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica (Microeletrônica)) - Escola Politécnica da USP, Fundação de Apoio à Pesquisa do Estado de São Paulo. Coorientador: João Antonio Martino.

3.
Katia Regina Akemi Sasaki. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

4.
Alberto Vinicius de Oliveira. Estudo de Transistores de Porta Tripla (FinFET) de Silício e de Germânio. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

5.
Felipe Neves Souza. Caracterização Elétrica de Túnel-FET em Estrutura de Nanofio com Fontes de SiGe e Ge em Função da Temperatura. 2015. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

6.
Sara Dereste dos Santos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

7.
Rudolf Theoderich Bühler. Estudo de Transistores Avançados de Canal Tensionado. 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

8.
Talitha Nicoletti. Estudo de Transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória. 2013. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

9.
Maria Glória Caño de Andrade. Estudo de Transistores de Porta Tripla de Corpo (Bulk FinFET). 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

10.
Luciano Mendes Almeida. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

11.
Luciano Mendes Camillo. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores MOS e SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. 0 f. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

12.
Carolina Davanzzo Gomes dos Santos. Estudo da mobilidade em dispositivos planares e de múltiplas portas. 2010. 0 f. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

13.
Michele Rodrigues. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. 0 f. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.

14.
Paula Ghedini Der Agopian. Estudo do Efeito de Elevação Atípica da Transcondutância na Região Linear de Polarização em Dispositivos SOI MOSFETs Ultra-Submicrométrico. 2008. 0 f. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

15.
Milene Galeti. Estudo Teórico-Experimental do Transitório da Corrente de Dreno e do Tempo de Vida de Geração em tecnologias SOI MOSFETs. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

16.
Salvador Pinillos Gimenez. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004. 115 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

17.
Aparecido Sirley Nicolett. Estudo do Comportamento da Resistência Série e Desenvolvimento de Novos Métodos de Caracterização Elétrica em Transistores SOI NMOSFET. 2001. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

18.
Victor Sonnenberg. Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI Através de Capacitores. 2001. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: João Antonio Martino.

19.
Marcello Bellodi. Estudo das Componentes das Correntes de Fuga em Dispositivos SOI MOSFET Operando em Altas Temperaturas. 2001. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

20.
Marcelo Antonio Pavanello. Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de uma Nova Estrutura para o SOI MOSFET. 2000. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

Supervisão de pós-doutorado
1.
Alberto Vinicius de Oliveira. 2017. Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. João Antonio Martino.

2.
Paula Ghedini Der Agopian. 2014. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. João Antonio Martino.

3.
Maria Gloria Caño de Andrade. 2013. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . João Antonio Martino.

Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Walter Gonçalez Filho. Modelo Computacional de um TFET e Otimização de Parâmetros. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP. Orientador: João Antonio Martino.

2.
Raphael Gil Camargo. Modelo Computacional de um TFET e Otimização de Parâmetros. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP. Orientador: João Antonio Martino.

3.
Maria Dreik Pierozzi Matijascic. Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET. 1998. 78 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

4.
Roberta Hohmuth Lara. Ensaios de Segurança em Eletrocardógrafos. 1996. 36 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

5.
Antonio Vanderlei Ortega. Caracterização Elétrica de Transistores MOS. 1995. 56 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

Iniciação científica
1.
José Augusto Padovese Peixoto. Caracterização de dispositivos Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET usando uma configuração de limiar dinâmico. 2016. Iniciação Científica. (Graduando em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

2.
Rodrigo Vidal Zobaran. Implementação de um programa de extração de parâmetros tecnologicos utilizando curvas C-V de uma estrutura p-i-n SOI. 2016. Iniciação Científica. (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

3.
Leonardo Shimizu Yojo. Estudo de Transistores SOI em Altas Temperaturas. 2015. Iniciação Científica. (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, FDTE. Orientador: João Antonio Martino.

4.
Daniel Esteves Neves Mallaco. Estudo de Transistores 3D em Altas Temperaturas. 2014. Iniciação Científica. (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

5.
Leonardo Mattos Cavalheiro Silva. Estudo de Transistores 3D Construídos em Substrato de Silício. 2014. Iniciação Científica. (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

6.
Leonardo Amorese Gallo Gomes. Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Múltiplas Portas. 2013. Iniciação Científica. (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

7.
Marcelo Sandri. Estudo de transistores PD SOI pMOSFET para Aplicação Espacial. 2009. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

8.
Vinícius Heltai Pacheco. Caracterização Elétrica de Tecnologia NMOS. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

9.
Sara Dereste dos Santos. Vantagens dos dispositivos SOI MOSFETs de porta dupla com relação ao de porta única. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

10.
Vinicius Ramos Zanchin. Estudo de Capacitores de Porta Tipo Pi. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

11.
Carolina Davanzzo Gomes dos Santos. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. 2002. 95 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

12.
Mario Dreik Pierozzi Mitijascic. Simulador analítico para a obtenção das curvas características do transistor MOSFET com efeitos de segunda ordem. 1998. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

13.
Luciano Mendes Camillo. Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE. 1997. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

14.
Alexandre Gomes da Silva. Caracterização elétrica de transistores MOS. 1996. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

15.
Ricardo Caetano. Análise Comparativa entre transistores convencionais e SOI-MOSFET. 1995. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

16.
Marcello Bellodi. Estudo dos efeitos da corrente de porta em transistores SOI-MOSFET. 1994. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

17.
Marcelo Antonio Pavanello. Simulação e caracterização elétrica de dispositivos SOI. 1993. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

18.
Ricardo Paganini. Caracterização elétrica de Capacitores SOI. 1993. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

19.
Victor Sonnenberg. Implementação de Programas para obtenção e análise de curvas I-V de dispositivos MOS. 1991. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: João Antonio Martino.

20.
Ricardo Ichiwaki. Implementação de Programas para Extração e Análise de curvas C-V de dispositivos MOS. 1991. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

21.
Fábio de Oliveira. Simulação bidimensional de transistores MOS. 1991. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

22.
Cláudio Marte. Simulação de transistores MOS. 1988. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

23.
Flávio Nathan. Simulação de Processo CMOS. 1986. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: João Antonio Martino.

24.
Sebastião Gomes dos Santos Filho. Caracterização elétrica de dispositivos NMOS. 1984. 50 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: João Antonio Martino.



Inovação



Patente
1.
 MARTINO, J. A.; RANGEL, RICARDO C. . TRANSISTOR COM FORMAÇÃO DE FONTE E DRENO INDUZIDA POR EFEITO DE CAMPO ELÉTRICO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO. 2015, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR1020150209746, título: "TRANSISTOR COM FORMAÇÃO DE FONTE E DRENO INDUZIDA POR EFEITO DE CAMPO ELÉTRICO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 28/08/2015Instituição(ões) financiadora(s): Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.


Projetos de pesquisa


Educação e Popularização de C & T



Cursos de curta duração ministrados
1.
Martino, J. A.; AGOPIAN, P. G. D. ; RANGEL, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TARNSISTORES AVANÇADOS. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).



Outras informações relevantes


1. Chapter Chair da South Brazil Section da Electron Devices Society (EDS) do IEEE desde março de 2007;
2. Senior Member da IEEE desde março de 2007;
3. O autor tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde fevereiro de 2008.
4. O autor foi conselheiro eleito da Sociedade Brasileira de Microeletrônica no período 2013-2017, no período de 1995 a 1999 e no período de 2005 a 2009;
5. O autor tornou-se Professor Honorário da Hangzhou Dianzi University, China, em 2014.
6. Foi eleito para o comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) desde outubro de 2015.



Página gerada pelo Sistema Currículo Lattes em 14/12/2018 às 11:06:52