Marcelo Marques

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 2

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  • Última atualização do currículo em 18/08/2018


Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo (1999), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (2001) e doutorado em Física pela Universidade de São Paulo (2005). Atualmente é professor associado do Instituto Tecnológico de Aeronáutica-ITA, no Departamento de Física. É um dos membros do Grupo de Materiais Semicondutores e Nanotecnologia-GMSN realizando pesquisa nos seguintes temas principais: (i) Estudo de sistemas semicondutores como ligas, heteroestruturas, defeitos, e materiais bidimensionais e (ii) Desenvolvimento do método DFT-1/2 para o cálculo de estrutura eletrônica (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Marcelo Marques
Nome em citações bibliográficas
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M

Endereço


Endereço Profissional
Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Divisão de Engenharia Eletrônica/Depart. de Microondas e Ópto-eletrônica.
Praça Mal. Eduardo Gomes, 50 -
Vila das Acácias
12228900 - São José dos Campos, SP - Brasil
Telefone: (12) 39476936
URL da Homepage: http://www.ita.br


Formação acadêmica/titulação


2001 - 2005
Doutorado em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo Teórico das ligas quaternárias semicondutoras AlGaInX (X=As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga,Mn)N, Ano de obtenção: 2005.
Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: Propriedades dos sólidos; Fenômenos Magnéticos; Semicondutores; Ligas quaternárias.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1999 - 2001
Mestrado em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Propriedades Eletrônicas das ligas AlGaN e InGaN e da impureza aceitadora de carbono,Ano de Obtenção: 2001.
Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: Calculos de Primeiros Princípios; Semicondutores; Propriedades dos sólidos; impurezas; Ligas ternárias.
1995 - 1999
Graduação em Física.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.


Pós-doutorado


2005 - 2006
Pós-Doutorado.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.


Formação Complementar


2003 - 2003
Física.
Friedrich-Shiller-Universität Jena, FSU, Alemanha.


Atuação Profissional



Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil.
Vínculo institucional

2006 - Atual
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Associado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
No ano de 2014 me transferi da Divisão de Engenharia Eletrônica para a Divisão de Ensino Fundamental

Atividades

07/2014 - Atual
Ensino, ensino fundamental, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
FIS46-Ondas e Física Moderna
10/2012 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Divisão de Engenharia Eletrônica/Depart. de Microondas e Ópto-eletrônica, .

Cargo ou função
coordenador de área de pos graduação.
06/2007 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Divisão de Engenharia Eletrônica/Depart. de Microondas e Ópto-eletrônica, .

Cargo ou função
coordenador da divisão de Engenharia Eletrônica no comite do PIBIC.
05/2006 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Divisão de Engenharia Eletrônica/Depart. de Microondas e Ópto-eletrônica, .

2006 - Atual
Ensino, Engenharia Eletrônica e Computação, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
EC-266 Dispositivos a Semicondutores em Microondas e Eletroóptica
EC-263 Materias Semicondutores em Optoeletrônica e Microondas
07/2016 - 05/2018
Direção e administração, Departamento de Física, .

Cargo ou função
Chefia.
02/2008 - 05/2014
Ensino, Engenharia Eletrônica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
EEM-07 Eletromagnetismo I (laboratório)
EEM-09 Princípios de Microondas (laboratório)
ELE-06 Campos, Ondas e Dispositivos eletromagnéticos (teoria e laboratório)
FIS-50 Introdução a Física Moderna


Linhas de pesquisa


1.
Estudo teórico de sistemas semicondutores: ligas, heteroestruturas, defeitos e sistemas bidimensionais

Objetivo: Estudar materiais com aplicações principalmente em optoeletrônica e spintrônica. Destacamos o estudo de ligas ternárias e quaternárias III-V e semicondutores magnéticos diluídos.


Projetos de pesquisa


2007 - 2011
Estudo Teórico de Ligas Semicondutoras com Aplicações em Spintrônica e Optoeletrônica
Descrição: Esse projeto engloba o estudo teórico das propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas semicondutoras que possuem principalmente aplicações em opto-eletrônica, bem como o estudo de materiais a serem utilizados pela eletrônica de spin ou spintrônica e suas propriedades no âmbito da física e da engenharia..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2007 - 2009
Estudo de Heteroestruturas Digitais Magnéticas-Edital CNPq/MCT 09/2007
Descrição: Descobertas recentes, como a observação de ferromagnetismo em semicondutores magnéticos diluídos (SMD), deram um enorme impulso ao desenvolvimento da \textit{spintrônica}. Esta tecnologia se baseia no transporte de \textit{spin} em semicondutores, e pode levar a uma nova geração de dispositivos. Se comparados aos dispositivos da microeletrônica convencional, eles seriam mais eficientes, apresentariam um reduzido consumo de energia e novas funcionalidades. O sucesso no desenvolvimento da \textit{spintrônica} com certeza revolucionará a indústria de semicondutores. Junto com o domínio de processos como a injeção, a detecção e a manipulação de \textit{spin}, um ponto chave para esta tecnologia é o desenvolvimento de materiais com as específicas propriedades exigidas. No entanto, o emprego dos SMD ainda é um grande desafio. Questões como a baixa temperatura de transição magnética e a grande dependência das propriedades com as condições de crescimento se constituem em grandes obstáculos. Neste projeto, propomos o estudo de Heteroestrututuras Magnéticas Digitais baseadas nos semicondutores nitretos do grupo III e também no ZnO. Neste tipo de sistema SMD, metais de transição são inseridos em uma monocamada atômica do semicondutor formando sistemas magnéticos quase-bidimensionais. A obtenção deste sistema exige extrema precisão no crescimento e só é possível devido a alta tecnologia atual, com técnicas como a epitaxia por feixe molecular (\textit{Molecular Beam Epitaxy- MBE}). Esta abordagem tem grande potencial para solucionar os problemas associados ao emprego de SMD \textit{bulk}. Para este estudo, realizaremos cálculos de primeiros princípios baseados na Teoria do Funcional da Densidade combinados com métodos termodinâmicos como o Monte Carlo..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.


Revisor de periódico


2008 - Atual
Periódico: Applied Physics Letters
2007 - Atual
Periódico: Computional Material Science
2009 - Atual
Periódico: Journal of Applied Physics


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física.
2.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Pouco.


Prêmios e títulos


2015
Orientador do 1 lugar do 12 Premio Destaque na Iniciação Científica E Tecnológica na Categoria bolsista de Iniciação Científica na área de CIENCIAS EXATAS, DA TERRA E ENEGNHARIAS, CNPq.
2006
Menção Honrosa no Prêmio CAPES de Teses em Física, CAPES.
2005
Doutor em Física, IFUSP.
2001
Mestre em Física, IFUSP.
1999
Bacharel em Física, IFUSP.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:50
Total de citações:706
Fator H:14
Marques, Marcelo  Data: 14/08/2018

Artigos completos publicados em periódicos

1.
GUILHON, I.2018GUILHON, I. ; KODA, D. S. ; FERREIRA, L. G. ; Marques, M. ; TELES, L. K. . Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. PHYSICAL REVIEW B, v. 97, p. 1, 2018.

2.
KODA, DANIEL S.2018KODA, DANIEL S. ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Trends on band alignments: Validity of Anderson's rule in SnS 2 - and SnSe 2 -based van der Waals heterostructures. PHYSICAL REVIEW B, v. 97, p. 165402, 2018.

3.
MATUSALEM, FILIPE2018MATUSALEM, FILIPE ; MARQUES, MARCELO ; KUEHL TELES, LARA ; FILIPPETTI, ALESSIO ; CAPPELLINI, GIANCARLO . Electronic properties of fluorides by efficient approximated quasiparticle DFT-1/2 and PSIC methods: BaF2, CaF2 and CdF2 as test cases. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 30, p. 365501, 2018.

4.
KODA, DANIEL S.2017KODA, DANIEL S. ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Coincidence Lattices and Interlayer Twist in van der Waals Heterostructures: Application of the Coincidence Lattice Method on $$hbox {hBN/MoSe}_2$$ hBN/MoSe 2 Heterobilayer Systems. Journal of Electronic Materials, v. 00, p. 1, 2017.

5.
GUILHON, I.2017GUILHON, I. ; Marques, M. ; TELES, L. K. ; BECHSTEDT, F. . Optical absorbance and band-gap engineering of ( BN ) 1 x ( . PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 035407-1, 2017.

6.
ATAIDE, C. A.2017ATAIDE, C. A. ; PELÁ, R. R. ; Marques, M. ; TELES, L. K. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. . Fast and accurate approximate quasiparticle band structure calculations of ZnO, CdO, and MgO polymorphs. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 045126-1, 2017.

7.
KODA, DANIEL SCHWALBE2017KODA, DANIEL SCHWALBE ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; KÜHL TELES, LARA . Tuning Electronic Properties and Band Alignments of Phosphorene Combined With MoSe2 and WSe2. Journal of Physical Chemistry. C, v. XX, p. XXXXX, 2017.

8.
GUILHON, I.2017GUILHON, I. ; BECHSTEDT, F. ; BOTTI, SILVANA ; Marques, M. ; TELES, L. K. . Thermodynamic, electronic, and optical properties of graphene oxide: A statistical approach. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, p. 245427, 2017.

9.
MATUSALEM, FILIPE2017MATUSALEM, FILIPE ; KODA, DANIEL S. ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Deposition of topological silicene, germanene and stanene on graphene-covered SiC substrates. Scientific Reports, v. 7, p. 1, 2017.

10.
GUILHON, I.2017GUILHON, I. ; BECHSTEDT, F. ; BOTTI, SILVANA ; Marques, M. ; TELES, L. K. . Chemically Tunable Properties of Graphene Covered Simultaneously with Hydroxyl and Epoxy Groups. Journal of Physical Chemistry C, v. 121, p. 27603-27611, 2017.

11.
LUCATTO, BRUNO2017LUCATTO, BRUNO ; ASSALI, LUCY V. C. ; PELA, RONALDO RODRIGUES ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: The case of the NV center in diamond. PHYSICAL REVIEW B, v. 96, p. 1, 2017.

12.
CAETANO, C.2016CAETANO, C. ; PELA, R.R. ; MARTINI, S. ; Marques, M. ; TELES, L.K. . Ab initio predictions of the stability and structural properties of zincblende (III,TM)V magnetic semiconductor alloys. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 405, p. 274-281, 2016.

13.
FREITAS, F. L.2016FREITAS, F. L. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. ; Marques, M. ; TELES, L. K. . Influence of the composition fluctuations and decomposition on the tunable direct gap and oscillator strength of Ge1-xSnx alloys. Applied Physics Letters, v. 108, p. 092101, 2016.

14.
KODA, DANIEL S.2016KODA, DANIEL S. ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Coincidence Lattices of 2D Crystals: Heterostructure Predictions and Applications. Journal of Physical Chemistry. C. (Online), v. 120, p. 10895-10908, 2016.

15.
FREITAS, F. L.2016FREITAS, F. L. ; Marques, M. ; TELES, L. K. . First-principles determination of band-to-band electronic transition energies in cubic and hexagonal AlGaInN alloys. AIP Advances, v. 6, p. 085308, 2016.

16.
MATUSALEM, FILIPE2016MATUSALEM, FILIPE ; BECHSTEDT, Friedhelm ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Quantum spin Hall phase in stanene-derived overlayers on passivated SiC substrates. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, p. 241403-1, 2016.

17.
PELA, R R2015PELA, R R ; MARQUES, M ; TELES, L K . Comparing LDA-1/2, HSE03, HSE06 and G 0 W 0 approaches for band gap calculations of alloys. Journal of Physics. Condensed Matter (Print), v. 27, p. 505502, 2015.

18.
GUILHON, I.2015GUILHON, I. ; TELES, L. K. ; Marques, M. ; PELA, R. R. ; BECHSTEDT, F. . Influence of structure and thermodynamic stability on electronic properties of two-dimensional SiC, SiGe, and GeC alloys. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 92, p. 075435, 2015.

19.
MATUSALEM, FILIPE2015MATUSALEM, FILIPE ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. ; BECHSTEDT, Friedhelm . Stability and electronic structure of two-dimensional allotropes of group-IV materials. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 92, p. 045436, 2015.

20.
RIBEIRO, M.2014RIBEIRO, M. ; Marques, M. . Theoretical study of InN/GaN short period superlattices to mimic disordered alloys. Journal of Applied Physics, v. 115, p. 223708, 2014.

21.
MATUSALEM, FILIPE2014MATUSALEM, FILIPE ; PELÁ, RONALDO R. ; MARQUES, MARCELO ; TELES, LARA K. . Charge transition levels of Mn-doped Si calculated with the GGA-1/2 method. PHYSICAL REVIEW B, v. 90, p. 224102, 2014.

22.
PELA, R. R.2013PELA, R. R. ; TELES, Lara Kuhl ; MARQUES, M. ; S. Martini . Theoretical study of the indium incorporation into III-V compounds revisited: The role of indium segregation and desorption. Journal of Applied Physics, v. 133, p. 033515, 2013.

23.
FILHO, O. P. SILVA2013FILHO, O. P. SILVA ; RIBEIRO, M. ; PELA', R. R. ; TELES, L. K. ; FERREIRA, L. G. ; Marques, M. . All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. Journal of Applied Physics, v. 114, p. 033709, 2013.

24.
MATUSALEM, FILIPE2013MATUSALEM, FILIPE ; RIBEIRO, JR., MAURO ; MARQUES, MARCELO ; PELÁ, RONALDO ; FERREIRA, LUIZ ; TELES, LARA . Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 88, p. 224102, 2013.

25.
PELA, R. R.2012PELA, R. R. ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L. G. ; FURTHMÜLLER, J. ; TELES, L. K. . GaMnAs: Position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, p. 202408, 2012.

26.
SANTOS, J. P. T.2012MARQUES, M.; SANTOS, J. P. T. ; FERREIRA, L. G. ; Pela , R. R. ; TELES, L. K. . Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, p. 112403, 2012.

27.
PELA, R. R.2011PELA, R. R. ; CAETANO, C. ; MARQUES, M. ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; TELES, Lara Kuhl . Accurate band gaps of AlGaN, InGaN and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 98, p. 151907-151909, 2011.

28.
FERREIRA, Luis Guimarães2011FERREIRA, Luis Guimarães ; MARQUES, M. ; TELES, L K . Slater half-occupation technique revisited: the LDA-1/2 and GGA-1/2 approaches for atomic ionization energies and band gaps in semiconductors. AIP Advances, v. 1, p. 032119-032119, 2011.

29.
S. Martini2011S. Martini ; MARQUES, M. ; MARQUES, M ; MARQUES, A. E. B. ; A. E. Quivy . Radiative Recombination Mechanisms of Large InAs/GaAs Quantum Dots. World Journal of Condensed Matter Physics, v. 1, p. 161-166, 2011.

30.
SANTOS, J. P. T.2010SANTOS, J. P. T. ; MARQUES, M. ; TELES, Lara Kuhl ; FERREIRA, L G . Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics), v. 81, p. 115209, 2010.

31.
CAETANO, C.2010CAETANO, C. ; TELES, L K ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L G . Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, p. 1, 2010.

32.
CAETANO, C.2009CAETANO, C. ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L. G. ; TELES, L. K. . Anomalous Lattice Parameter of Magnetic Semiconductor Alloys. Applied Physics Letters, v. 94, p. 241914, 2009.

33.
FERREIRA, Luis Guimarães2008 FERREIRA, Luis Guimarães ; MARQUES, M. ; TELES, Lara Kuhl . Approximation to density functional theory for the calculation of band gaps of semiconductors. Physical Review B - Solid State, v. 78, p. 125116-1-125116-7, 2008.

34.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2007MARQUES, M.; TELES, L. K. ; FERREIRA, L. G. . Influence of miscibility on the energy gap dispersion in AlGaN alloys: First Principles calculations. Physical Review B - Solid State, submetido, v. 75, p. 033201, 2007.

35.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2007MARQUES, M.; TELES, L. K. ; FERREIRA, L. G. ; SCOLFARO, L. M. R. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. . Energy gap and bond lengths of AlGaInN, AlGaInP and AlGaInAs quaternary alloys. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews, v. 4, p. 229, 2007.

36.
RIBEIRO JR., M.2007RIBEIRO JR., M. ; SCOLFARO, L. M. R. ; TELES, L. K. ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L. G. . Magnetic and electronic properties of transition metal nitride strained layers. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews, v. 4, p. 269, 2007.

37.
FERREIRA, L. G.2007FERREIRA, L. G. ; MARQUES, M. ; TELES, L. K. . Cluster expansions failings when applied to semiconductor. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews, v. 4, p. 427, 2007.

38.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2006MARQUES, M.; SCOLFARO, L M R ; TELES, L K ; BECHSTEDT, F ; FURTHMÜLLER, J ; FERREIRA, L G . Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, 2006.

39.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2006 MARQUES, M.; FERREIRA, L. G. ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, L M R ; FURTHMÜLLER, Jurgen ; BECHSTEDT, F . Magnetic properties of GaN/MnGaN heterostructures: First principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B - Solid State, 224409, v. 73, 2006.

40.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2006 MARQUES, M.; TELES, L. K. ; FERREIRA, L. G. ; SCOLFARO, L. M. R. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. . Statistical model applied to ABCD quaternaries alloys: bond lengths and energy gaps of AlGaInX (X=As, P or N). Physical Review B - Solid State, pag. 235205, v. 73, 2006.

41.
CAETANO, C.2006CAETANO, C. ; TELES, L. K. ; MARQUES, M. ; PINO JR., A. D. ; FERREIRA, L. G. . Phase stability, chemical bonds, and gap bowing of InGaN alloys: comparison between cubic and wurtzite structures. Physical Review B - Solid State, aceito., v. 74, p. 045215, 2006.

42.
FERREIRA, L. G.2006FERREIRA, L. G. ; MARQUES, M. ; TELES, L. K. . The GaAlN system, Madelung and Strain energies: A study on the quality of cluster expansion. Physical Review B - Solid State, submetido, v. 74, p. 075324, 2006.

43.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2005 MARQUES, M.; FERREIRA, Luiz Guimarães ; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Monte Carlo simulations applied to AlGaInX quaternary alloys (X=As, P or N): A comparative study. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 71, 2005.

44.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2005MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, Jurgen ; BECHSTEDT, Friedhelm ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, p. 164105, 2005.

45.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2005MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Ab initio studies of In separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physica Status Solidi. B, Basic Research, v. 2, p. 2508-2511, 2005.

46.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2004 MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; LEITE, José Roberto . Microscopic description of phase separation process in AlGaInN quaternary alloys. Physical Review B - Solid State, v. 70, 2004.

47.
TELES, Lara Kuhl2004MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, v. 35, p. 53, 2004.

48.
TELES, Lara Kuhl2004MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Phase separation and ordering in Group-III Nitride alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 34, p. 593, 2004.

49.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2003MARQUES, M.; TELES, Lara Kuhl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; FURTHMÜLLER, Jurgen ; BECHSTEDT, Friedhelm . Lattice parameter and energy band gap of cubic AlGaInN quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, p. 890-892, 2003.

50.
MARQUES, M.;Marques, M.;MARQUES, MARCELO;MARQUES, M2003MARQUES, M.; TELES, L K ; SCOLFARO, L M R ; ANJOS, V ; LEITE, J R ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . Full relativistic calculations of SrTiO3 carrier effective masses and complex dielectric functions. Applied Physics Letters, v. 82, p. 3074-3076, 2003.

Capítulos de livros publicados
1.
MARQUES, M.; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kuhl ; FERREIRA, Luis Guimarães ; LEITE, José Roberto . Phase separation ordering in cubic ternary and quaternary nitride alloys. In: M. Henini; M. Razeghi. (Org.). Optoelectronic Devices:III-Nitrides. Amsterdam: Elsevier, 2004, v. , p. 455-478.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
FERREIRA, Luis Guimarães ; PELA, R. R. ; MARQUES, M ; RIBEIRO JR., M. S. ; TELES, Lk ; MARQUES, M. ; FURTHMÜLLER, Jurgen . The LDA-1/2 technique: recent developments. In: International Conference on the Physics of Semiconductors, 2012, Zurich. International Conference on the Physics of Semiconductors, 2012.

2.
MARQUES, M.; SCOLFARO, L. M. R. ; TELES, L. K. ; ANJOS, V. ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SILVA JR, E. F. da ; LEITE, J R . Ab initio calculations of electronic and dieletric properties of cubic SrTiO3. In: the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edimburgo. Proc. of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (CD-ROM), 2002.

3.
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Apresentações de Trabalho
1.
KODA, DANIEL S. ; BECHSTEDT, F ; MARQUES, M. ; TELES, L K . Interfaces between two atomically thin layers: structure and electronic properties. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

2.
MARQUES, M.. Ab initio calculation of graphene and related 2D materials forming complex systems: alloys, heterostructures and their interactions with substrates. 2017. (Apresentação de Trabalho/Outra).

3.
TOMMASATTI, J. P. ; MARQUES, M. ; TELES, L K ; FERREIRA, L G . Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

4.
CAETANO, C. ; TELES, L K ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L. G. . Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

5.
PELA, R. R. ; CAETANO, C. ; MARQUES, M. ; MARQUES, M ; FERREIRA, L. G. . Accurate electronic band gap and electron effective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).


Demais tipos de produção técnica
1.
MARQUES, M.. Simulação teórica de materiais: Como projetar e compreender novos compostos. 2007. .



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
MACHADO, F. B. C.; FERRAO, L. F. A.; MARQUES, M.; BETTANIN, F.; FILETI, T. V. M.. Participação em banca de rafael de oliveira lima. Estudo de estados excitados e do carater radicalar de protótipos de hidrocarbonetos aromáticos policiclicos (PAHS) bisimensionais. 2018. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

2.
MARQUES, M.; ASSALI, L. V. C.; ELENO, L. T. F.. Participação em banca de Bruno Bueno Ipaves. Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de ions de lítio. 2018. Dissertação (Mestrado em Fisica (Sc)) - Universidade de São Paulo.

3.
FERRAO, L. F. A.; MACHADO, F. B. C.; PINHEIRO JR., J. M. F.; MARQUES, M.; GALVAO, D. S.. Participação em banca de leonardo dos anjos cunha. Intermolecular interactions in molecular models of porous graphene: insights on permeability and selectivity. 2018. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

4.
MARQUES, M.; ALMEIDA, V. R.; COUTINHO, O. L.; CASTRO, J. B.; ROSSI, J. O.. Participação em banca de Bruno Elias Ribeiro. Otimização da faixa dinâmica livre de espúrios de um enlace analógico a fibra óptica. 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

5.
GUSEV, G.; LEVINE, A.; MARQUES, M.. Participação em banca de Bruno Anghinoni. Estudo teórico da resistividade longitudinal de um poço quântico duplo com a presença do efeito Rashba. 2012. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

6.
MARINHO JUNIOR, R. M.; TELES, Lara Kuhl; Marques, M.; RODRIGUES, S. C. P.. Participação em banca de Tiago Silva de Ávila. Propriedades Estruturais, Eletrônicas e Termodinâmicas de ligas semicondutoras baseadas em Tálio. 2011.

7.
MARQUES, M.; ORLANDO, A. J. F.; PACHECO, G. M.; CASTRO, P. J.; MIGLIANO, A. C. C.. Participação em banca de Francisco Eduardo de Carvalho. Caracterização da anisotropia na permissividade complexa em compositos de fibra de carbono. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

8.
MARQUES, M.; ALVES, F. D. P.; IHA, K.; Damião, A. J.. Participação em banca de Luciano Barbosa Magalhães. Proposta de metodologia para levantamento de assinatura infravermelha de dispositivos despistadores pirotecnicos (flares). 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Teses de doutorado
1.
GUSEV, G.; CHITTA, V. A.; CHUBACI, J. F. D.; FARFAN, A. M. C.; MARQUES, M.. Participação em banca de Zahra Sadre Momtaz. Transporte em nanoestrturas: fenômenos quânticos em poços suplos e triplos. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

2.
RODRIGUES, N. A. S.; PASSARO, A.; SILVA, E. C. F.; MARQUES, MARCELO; GUIMARAES, P. S. S.; DEGANI, M. H.. Participação em banca de Roberto Yuji Tanaka. Electronic Structure of quantum dots and quantum wells in solid state semiconductors device. 2016. Tese (Doutorado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

3.
GUSEV, G.; CHITTA, V. A.; MATSUOKA, M.; FARFAN, A. M. C.; MARQUES, MARCELO. Participação em banca de Abdur Rahim. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras:rumo a novos dispositivos de spintronica. 2015. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

4.
ORLANDO, A. J. F.; ALVES, F. D. P.; TARANTI, C. G. R.; MARQUES, M.; Sipahi, G. M.; PASSARO, A.. Participação em banca de Ricardo Augusto Tavares Santos. Projeto de fotodetectores a poços quânticos utilizando o método de matriz de transferência. 2009. Tese (Doutorado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.




Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
16th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces. Interfaces between two atomically thin layers: structure and electronic properties. 2017. (Congresso).

2.
3a Escola de Quimica Computacional.Ab initio Calculatiion of graphene and 2D related materials forminf complex systems: alloys, heterostrucures ans their interaction with substrates. 2017. (Encontro).

3.
XXXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Combination of statistical model and quasiparticle approximation to study MgZnO and CdZnO alloys. 2014. (Encontro).

4.
XXII International Materials Research Congress. ACCURATE CALCULATION OF THE Mn-d LEVEL in GaMnAs. 2013. (Congresso).

5.
XXII International Materials Research Congress. ELECTRONIC STRUCTURE CALCULATION FOR HIDROGENATED GRAPHENE-RELATED MATERIALS. 2013. (Congresso).

6.
XXII International Materials Research Congress. ELECTRONIC PROPERTIES OF POLYMORPHS ZnO, CdO AND MgO. 2013. (Congresso).

7.
XXII International Materials Research Congress. GaAsN IN THE SPOTLIGHT: STUDY OF THERMODYNAMIC, STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES. 2013. (Congresso).

8.
XXII International Materials Research Congress. AlN/GaN AND AlP/GaP ACCURATE BAND OFFSET CALCULATIONS. 2013. (Congresso).

9.
XXII International Materials Research Congress. ELETRONIC STRUCTURE CALCULATION OF (InN)n /(GaN)m DIGITAL ALLOYS WITH QUASIPARTICLE APPROXIMATION. 2013. (Congresso).

10.
XX International Materials Research Congress. THEORETICAL STUDY OF MAGNETIC MONOLAYERS EMBEDDED IN GaN. 2011. (Congresso).

11.
XX International Materials Research Congress. A PROMISING MATERIAL FOR SPINTRONIC APPLICATIONS: SIMN. 2011. (Congresso).

12.
XX International Materials Research Congress. QUASI AB INITIO CALCULATION OF QUANTUM DOTS AND WIRES. 2011. (Congresso).

13.
XX International Materials Research Congress. NEW DEVELOPMENTS FOR THE LDA-1/2 METHOD: APPLICATIONS TO IONIC COMPOUNDS, ALLOYS , NANOWIRES, INTERFACES, AND MAGNETIC SEMICONDUCTORS. 2011. (Congresso).

14.
XX International Materials Research Congress. ACCURATE BAND GAP CALCULATIONS FOR III-NITRIDES ALLOYS. 2011. (Congresso).

15.
XXXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study. 2009. (Encontro).

16.
XXXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Accurate electronic band gap and electron effective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculation. 2009. (Encontro).

17.
XXXII Encontro Nacional de Física da Matteria Condensada.Disorder e®ects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. 2009. (Encontro).

18.
International Conference on the Physics of Semiconductor. Microscopic description of composition effects in GaAs1-xBix semiconductor alloy. 2008. (Congresso).

19.
International Conference on the Physics of Semiconductors. Antiferromagnetism with half-metallicity in GaxMnyCo1-x-yN quaternary diluted magnetic semiconductors: an ab initio study. 2008. (Congresso).

20.
International Conference on the Physics of Semiconductors. Charge influence on lattice cosntant behavior of AlN-based diluted magnetic semiconductors. 2008. (Congresso).

21.
Seminário Comemorativo dos 100 anos da emigração japonesa no Brasil.The Challenge of Spintronics. 2008. (Seminário).

22.
13 Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.Energy gap dispersion in the AlxGa1-xN alloy system. 2007. (Simpósio).

23.
1 WUN International Conference on Spintronics Material and Technology. Anomalous behavior on structural properties of nitride DMS. 2007. (Congresso).

24.
1 WUN International Conference on Spintronics Material and Technology. Electronic, thermodynamic and magnetic properties of AlMnN at wurtzite and zincblende structures. 2007. (Congresso).

25.
1 WUN International Conference on Spintronics Material and Technology.Ferromagnetism in nitride InN/MnN digital ferromagnetic heterostrutuctures. 2007. (Seminário).

26.
XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Ab initio Study of the novel GaN/InGaN heterostructure. 2007. (Congresso).

27.
XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2007. (Encontro).

28.
The Third International Indium Nitride Workshop.Theoretical study of InN/(MnInN) heterostructures. 2006. (Simpósio).

29.
4 Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. 4 Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. 2005. (Congresso).

30.
Workshop on Semiconductor Spintronics. Workshop on Semiconductor Spintronics. 2005. (Congresso).

31.
30 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 3 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2004. (Congresso).

32.
XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2004. (Encontro).

33.
2 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados.2 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2003. (Encontro).

34.
5th International Conference on Nitride Semiconductors. V ICNS-5th International Conference on Nitride Semiconductors. 2003. (Congresso).

35.
XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2003. (Encontro).

36.
XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2001. (Encontro).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Fernando Valadares. otimização computacional no estudo de ligas semicondutoras. Início: 2017. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica. (Orientador).

2.
Bruno Lucatto. Estudo de defeitos em semicondutores para computação quantica usando DFT-1/2. Início: 2017. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Iniciação científica
1.
Vinicius Gomes Queiroz. Estudo teórico dos oxifos Ga2O3 e In2O3. Início: 2018. Iniciação científica (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica. (Orientador).

2.
Felipe Gomes Martins. Estudo teórico da interação entre moléculas biológicas e materiais 2D. Início: 2017. Iniciação científica (Graduando em Engenharia da Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Felipe Lopes de Freitas. Semiconductors for optoelectronic applications: AlGaInN alloys for ultraviolet and GeSn for infrarede photoemission. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Marcelo Marques.

2.
Pedro Henrique Guedes de Oliveira. ESTUDO DE FIOS QUÂNTICOS DE GaN PARA APLICAÇÕES EM NANODISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS: SIMULAÇÃO COMPUTACIONAL COM APROXIMAÇÃO DE QUASEPARTÍCULA. 2012. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Marcelo Marques.

3.
João Paulo Tommasatti Santos. Estudo Teórico da Dupla Dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: Ligas e Heteroestrutura. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Marcelo Marques.

Tese de doutorado
1.
Cleiton Ataide. COMBINAÇÃO DE MÉTODO ESTATÍSTICO E APROXIMAÇÃA DE QUASE PARTÍCULA NO ESTUDO DO ÓXIDO DE ZINCO E MATERIAIS RELACIONADOS. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, . Orientador: Marcelo Marques.

Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Bruno Lucatto. Estudo teórico de defeitos em diamante para aplicações em computação quantica. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica. Orientador: Marcelo Marques.

2.
Felipe Lopes de Freitas. Estudo da liga quaternaria InGaInN com método LDA-1/2. 2013. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica. Orientador: Marcelo Marques.

Iniciação científica
1.
Maurício Bandeira Barros. Estudo de fluoretos usando o mertodo DFT-1/2. 2016. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Marcelo Marques.

2.
Bruno Lucatto. Estudo da interface Grafano/Grafeno. 2013. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Marcelo Marques.

3.
Davi Paulino. : Estudo do material 2D MoS2. 2013. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Marcelo Marques.

4.
Cassio dos Santos Sousa. Estudo teórico do Grafano. 2012. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Marcelo Marques.

5.
Rodolfo Barbosa Santos. : Estudo de Poços Quânticos em heteroestruturas semicondutoras. 2012. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Marcelo Marques.




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