Paula Ghedini Der Agopian

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 2

  • Endereço para acessar este CV: http://lattes.cnpq.br/0496909595465696
  • Última atualização do currículo em 24/11/2018


Possui graduação em Engenharia Elétrica com ênfase em computadores pelo Centro Universitário da FEI (2000), mestrado (2003) e doutorado (2008) em Engenharia Elétrica (microeletrônica) pela Universidade de São Paulo. O pós-doutorado foi realizado na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo em cooperação com o Centro de pesquisa Imec/ Bélgica (2014). Gerenciou o Centro de Treinamento para Projetistas de Circuitos Integrados da Escola Politécnica da USP do programa CI-Brasil. Atualmente é professora da Universidade Estadual Paulista (UNESP) e pesquisadora associada à Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em microeletrônica, atuando principalmente nos seguintes temas: Tecnologia SOI CMOS, FinFET, Radiação, dispositivos tensionados , e transistores de tunelamento (TFETs). É senior member e Vice-Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil. É pesquisadora produtividade Nível 2 do CNPq e participa de projetos de cooperação internacional entre Brasil e Bélgica. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Paula Ghedini Der Agopian
Nome em citações bibliográficas
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Campus Experimental de São João da Boa Vista.
Avenida Professora Isette Corrêa Fontão ,505
Jardim das Flores
13876750 - São João da Boa Vista, SP - Brasil
Telefone: (19) 36382424


Formação acadêmica/titulação


2004 - 2008
Doutorado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo do Efeito da elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI ultra-submicrométricos, Ano de obtenção: 2008.
Orientador: João Antonio Martino.
Palavras-chave: ultra-submicrométricos; SOI MOSFET; temperatura.
Grande área: Engenharias
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas.
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.
2001 - 2003
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Análise do Funcionamento do Dispositivo GC-SOI MOSFETs em Baixa Temperatura,Ano de Obtenção: 2003.
Orientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.
Palavras-chave: GC-SOI MOSFET; Baixa Temperatura.
Grande área: Engenharias
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Setores de atividade: Fabricação de Material Eletrônico e de Aparelhos e Equipamentos de Comunicação.
1995 - 2000
Graduação em Engenharia Elétrica com ênfase em computadores.
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
Título: Sistema de Controle para Veículo Autônomo.
Orientador: Renato Camargo Giacomini.


Pós-doutorado


2012 - 2014
Pós-Doutorado.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, EPUSP, Brasil.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Grande área: Engenharias
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Nanoeletrônica.
2011 - 2012
Pós-Doutorado.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, EPUSP, Brasil.
Grande área: Engenharias
Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica.


Formação Complementar


2013 - 2013
I Escola Paulista de Micro e Nanotecnologia. (Carga horária: 16h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
2013 - 2013
Radiation Effects on electronics devices. (Carga horária: 6h).
Instituto de Física da Universidade de São Paulo, IFUSP, Brasil.
2013 - 2013
Tutorial Day. (Carga horária: 8h).
EuroSOI 2013, EUROSOI, França.
2012 - 2012
Tutorial Day. (Carga horária: 8h).
EuroSOI 2012, EUROSOI 2012, França.
2012 - 2012
Design enablement for FDSOI, planar and Multi-gate. (Carga horária: 8h).
IEEE International SOI Conference, SOI CONFERENCE, Estados Unidos.
2011 - 2011
Silicon-On-Insulator, solutions for Future Electro. (Carga horária: 8h).
EuroSOI 2011, EUROSOI 2011, Espanha.
2010 - 2010
Software Matlab. (Carga horária: 8h).
Centro Universitário da FEI (SBC), FEI, Brasil.
2000 - 2000
Matering Web Site Fundamentals. (Carga horária: 32h).
Microsoft Technical Education center, MICROSOFT, Brasil.
2000 - 2000
INTRODUÇÃO AO ORACLE: SQL & PL\SQL. (Carga horária: 30h).
Oracle Corporation, ORACLE, Brasil.
1999 - 1999
Curso Básico de Max+Plus II. (Carga horária: 15h).
Centro Universitário da FEI (SBC), FEI, Brasil.
1998 - 1998
NWH01 - IBM2210 Multiprotocol Router. (Carga horária: 32h).
IBM Educação & Treinamento, IBM, Brasil.


Atuação Profissional



UNESP - São João da Boa Vista, UNESP, Brasil.
Vínculo institucional

2017 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professora Assistente Doutora, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Membro titular do conselho de Curso de Engenharia de telecomunicações Membro titular da Comissão de Pesquisa e Extensão

Vínculo institucional

2016 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professora Assistente Doutora, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Disciplinas Ministradas na Graduação: - Circuitos Digitais; - Microprocessadores; - Eletrônica I; - Eletrônica II; - Medidas Elétricas; -Eletrônica de Potência

Atividades

02/2017 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de São João da Boa Vista, .

Cargo ou função
Membro titular da comissão de Estágio Supervisionado.
08/2016 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de São João da Boa Vista, .

Cargo ou função
Membro titular do Conselho de Curso de Graduação.
08/2016 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de São João da Boa Vista, .

Cargo ou função
Membro suplente do Conselho Diretor.
08/2016 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de São João da Boa Vista, .

Cargo ou função
Membro titular da Comissão de Pesquisa e Extensão.
03/2016 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Campus Experimental de São João da Boa Vista, .

Linhas de pesquisa
dispositivos semicondutores

Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Outro (especifique), Enquadramento Funcional: Pesquisadora Associada, Carga horária: 12

Vínculo institucional

2012 - 2014
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pós-Doutoranda, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

2011 - 2012
Vínculo: Pós-Doutoranda, Enquadramento Funcional: Pós-Doutoranda, Carga horária: 20

Atividades

11/2008 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Escola Politécnica, .

10/2014 - 03/2016
Outras atividades técnico-científicas , Escola Politécnica, Escola Politécnica.

Atividade realizada
Gerente de Projeto do Centro de Treinamento 3 - Programa CI-Brasil - MCT.

Interuniversity Microelectronics Centre, IMEC, Bélgica.
Vínculo institucional

2016 - 2016
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisadora, Carga horária: 40

Vínculo institucional

2014 - 2014
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisadora, Carga horária: 40

Vínculo institucional

2013 - 2013
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisadora, Carga horária: 40

Vínculo institucional

2012 - 2012
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisadora, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

2010 - 2010
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisadora, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.


Centro Universitário da FEI (SBC), FEI, Brasil.
Vínculo institucional

2009 - 2014
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professora Assistente I, Carga horária: 40
Outras informações
Disciplinas Ministradas na Graduação: - Simulação de Circuitos e Dispositivos; - Fundamentos de Eletrônica; - Circuitos Elétricos I; - Eletrônica I; - Microeletrônica; - Projeto de Formatura. Disciplinas de Pós-Graduação: - Modelagem de transistores MOS em tecnologia SOI ; - Aspectos Específicos de Transistores Nanométricos .

Vínculo institucional

2005 - 2009
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Assistente II, Carga horária: 12

Atividades

05/2010 - 08/2014
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Tecnologia SOI, Aspectos Especiais de transistores nanométricos
02/2010 - 08/2014
Pesquisa e desenvolvimento , Departamento de Engenharia Elétrica, .

Linhas de pesquisa
Dispositivos Semicondutores
04/2005 - 08/2012
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Microeletônica, Eletrônica I, Circuitos elétricos, Simulação de circuitos e dispositivos, Estágio Supervisionado


Linhas de pesquisa


1.
Dispositivos semicondutores

Objetivo: Estudo de dispositivos semicondutores avançados através da caracterização elétrica e simulação dos mesmos..
2.
Caracterização Elétrica de Dispositivos SOI
3.
Estudo de Dispositivos SOI em Altas e Baixas Temperaturas
4.
Estudo de Transistores de Múltiplas Portas (FinFET e 3D)
5.
Efeitos da Radiação em Dispositivos Eletrônicos
6.
Estudo de Transistores Avançados (UTBB SOI; MOS em Nanofio de Silício; Tunnel-FET)
7.
Caracterização de transistores avançados em baixas temperatura
8.
Dispositivos Semicondutores
9.
dispositivos semicondutores


Projetos de pesquisa


2016 - Atual
Estudo Teórico e Experimental de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) para Aplicações em Circuitos Analógicos e Biosensores
Descrição: Com a redução das dimensões dos transistores para escalas nanométricas, os problemas do efeito de canal curto e da alta potência dissipada se tornaram críticos. Como alternativa, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI). A evolução da tecnologia SOI resultou em transistores planares (UTBB ? Ultra-Thin Body and Buried Oxide) e de múltiplas portas, tais como porta dupla (FinFET), porta tripla (FinFET de porta tripla ou transistor 3D) e porta circundante (gate all around). Neste último caso o desempenho é significativamente melhor se o corpo do transistor tiver seção transversal circular e de pequeno diâmetro, também chamado de nanofio (nanowire). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm, mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Dentre as alternativas que vem sendo estudadas pela comunidade científica para minimizar a potência dissipada surge o transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor), que é um dispositivo compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente) normalmente encontrados nos transistores MOS, o que permite que o TFET se comporte como uma chave mais próxima da ideal, i.e., este novo dispositivo apresenta um grande potencial para operar com maior de velocidade de chaveamento. Esse projeto visa estudar de forma inédita no Brasil o uso de um transistor TFET para aplicações em circuitos analógicos (como por exemplo, espelhos de corrente e par diferencial) e biosensores. Este estudo será feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2016 - Atual
Estudo do comportamento de transistores avançados operando em diferentes temperaturas
Descrição: As novas estruturas, MuGFETs e TFETs, de dimensões nanométricas, que têm sido as alternativas apontadas pela comunidade científica como promissoras para a substituição de dispositivos MOS convencionais. No caso dos transistores de múltiplas portas, além do estudo de seu comportamento em diferentes temperaturas, será desenvolvido um estudo do funcionamento dos MuGFETs em ambientes hostis (radiação e altas temperaturas). Os transistores de tunelamento que são transistores mais recentes, o estudo englobará desde aspectos básicos até sua utilização em pequenos circuitos..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (3) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2013 - 2016
Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET)
Descrição: Este projeto tem como finalidade entender mais profundamente estes novos dispositivos (Tunnel - FETs) para poder explorar suas potencialidades em aplicações analógicas e digitais tanto em temperatura ambiente como variando-se a mesma. Uma análise mais detalhada será feita sobre a influência do tunelamento entre bandas, o tunelamento assistido pelas armadilhas e a recombinação dos portadores, que são muito importantes no funcionamento destes transistores. A caracterização elétrica dos principais parâmetros de diversas estruturas TFETs, será realizada através de simulações numéricas e de medidas experimentais. As medidas DC serão medidas com os equipamentos já existentes no Laboratório LSI/PSI/USP, ou seja, através do analisador de parâmetros HP4156C e B1500. No entanto para a realização de medidas de alta precisão é necessária à aquisição de uma SMU de alta resolução capaz de medir correntes na ordem de pico amperes solicitada neste projeto. Dentre os parâmetros a serem analisados pode-se citar, a inclinação de sublimiar, a relação entre as correntes de estado ligado e desligado, a transcondutância, a condutância de saída, o ganho de tensão intrínseco, as capacitâncias do dispositivo e a frequência de corte. Pretende-se, portanto com este trabalho, contribuir com a comunidade científica nacional através dos resultados sobre o potencial dos transistores TFETs para substituir os transistores convencionais e suas aplicações na próxima década..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Coordenador / João Antonio Martino - Integrante / Marcio Dalla Valle Martino - Integrante / Caio Mendes Bordallo - Integrante / Felipe Neves - Integrante / Rodrigo D'Angelo - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2012 - 2016
Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados par aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transisto (sem capacitor)
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85oC. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2012 - 2014
Estudo de transistores SOI MOSFET avançados para aplicações como célula de memória dinâmica de um único transistor (capacitorless)

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 18/09/2012.
Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n.490236/2011-1) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) ao Interuniversity Microelectronic Center (Imec) da Universidade Católica de Leuven (KULeuven), Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar o comportamento de diversos transistores SOI avançados para funcionar como uma célula de memória dinâmica (DRAM) composta de um só transistor, sem a presença do capacitor (capacitorless) de armazenamento de informação normalmente encontrado neste tipo de memória..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (6) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Eddy Simoen - Integrante / Cor Claeys - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.
2011 - 2014
PROJETO E FABRICAÇÃO DE UMA TECNOLOGIA SOI CMOS DE CAMADA FINA PARA APLICAÇÕES DE BAIXA POTÊNCIA
Descrição: Atualmente, uma série de trabalhos reportados na literatura mundial apontam a tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma importante substituta da tecnologia MOS convencional na fabricação de transistores com comprimento de canal reduzido, constituindo uma importante alternativa para sustentar a contínua redução das dimensões enfrentada pela tecnologia CMOS. A utilização da tecnologia SOI propicia melhorias tais como redução nas capacitâncias de junção e maior mobilidade dos portadores na região de canal, minimizando ou retardando para gerações tecnológicas mais complexas, a ocorrência de efeitos parasitários indesejáveis que afetem o desempenho do transistor MOS. Embora apresente diversas vantagens em comparação com a tecnologia CMOS convencional, e recentemente já seja adotada pelas principais indústrias de semicondutores do mundo para a implementação de circuitos integrados de grande densidade e complexidade, tais como microprocessadores e memórias, não existem em nosso país universidades ou indústrias que realizem a fabricação de dispositivos e circuitos em tecnologia SOI CMOS. A Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Universidade Estadual de Campinas FEEC-Unicamp, possui um programa de pós-graduação em Engenharia Elétrica avaliado com nota 7 pela CAPES na última avaiação trienal. Entre as competências deste programa, o grupo coordenado pelo Prof. José Alexandre Diniz no Centro de Componentes Semicondutores é especializado na microfabricação de dispositivos semicondutores e materiais para a fabricação de dispositivos eletrônicos avançados, como dielétricos ultra-finos e processos de porta metálica. O Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário da FEI possui um programa de pós-graduação em Engenharia Elétrica avaliado com nota 4 pela CAPES na última avaliação trienal. Entre as competências do programa, o grupo coordenado pelo Prof. Dr. Marcelo Antonio Pavanello é especializado no estudo de dispositivos..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (6) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / Jose Alexandre Diniz - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Salvador Pinilos Gimenez - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Márcio Alves Sodré de Souza - Integrante / Renan Trevisoli Doria - Integrante / Bruna Cardoso Paz - Integrante / Juliana Pinheiro Nemer - Integrante / Genaro Mariniello - Integrante / Ioshiaki Doi - Integrante / Leandro Tiago Manera - Integrante / Leonardo Pires Mora - Integrante / Juliana Myioshi - Integrante / Lucas Petersen Barbosa Lima - Integrante.
2010 - 2012
Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados
Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2010 - 2012
Modelagem e Simulação de Transistores de Múltiplas Portas em Escala Nanométrica

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Renato Camargo Giacomini em 18/09/2012.
Descrição: A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas geometrias para os dispositivos, como os transistores SOI de múltiplas portas, que possuem excelentes características elétricas. Entre os novos dispositivos, o FinFET tem se mostrado um considerável candidato às futuras aplicações industriais. Por sua complexidade construtiva e dimensões reduzidas, o FinFET não conta ainda com um modelo analítico consolidado e nem mesmo seu funcionamento é bem estabelecido em todas as condições de operação. O presente projeto tem como principal objetivo a simulação numérica tridimensional de transistores de múltiplas portas, icluindo FinFETs e a partir dos resultados obtidos através das simulações investigar grandezas internas locais dos dispositivos, tais como distribuição do potencial elétrico, mobilidade de portadores e densidade de corrente em cada ponto interno da região ativa. Algumas destas grandezas não são passíveis de ser obtidas experimentalmente, podendo apenas ser avaliadas por simulação numérica. Alguns dispositivos já disponíveis devem ser caracterizados, no entanto, para ajuste do simulador numérico. A investigação gerará subsídios para a proposição de novos modelos analíticos dos transistores, bem como para o conhecimento mais profundo de seu funcionamento. Como principais resultados esperam-se: a geração de conteúdo relevante na fronteira da ciência para a comunidade, a ser divulgado através de artigos em periódicos, e a capacitação de recursos humanos no nível de mestrado..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2009 - 2012
Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de Transistores SOI FINFET
Descrição: Este projeto tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET. Os FinFETs são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. Para atingir este objetivo está sendo proposta uma rede temática composta pela Escola Politécnica da USP (São Paulo), Centro de Componentes Semicondutores (CCS) da UNICAMP (Campinas) e pelo Centro Universitário da FEI (São Bernardo do Campo). As etapas de projeto e fabricação estarão a cargo da USP e UNICAMP, enquanto a etapa de caracterização elétrica terá também a participação da FEI. A etapa de modelagem será desenvolvida pela FEI. Os novos FinFETs a serem projetados e fabricados no Brasil (USP/UNICAMP) neste projeto têm como base a versão prelimiar desenvolvida no projeto NAMITEC (CNPq - Instituto do Milênio - processo n. 420031/2005-7). Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos FinFETs fabricados na USP/UNICAMP como os fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica). Serão analisados, a partir de resultados obtidos tanto experimentalmente como por simulação tridimensional, os principais parâmetros elétricos dos FinFETs para aplicações em circuitos digitais e analógicos, tais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância, relação transcondutância-corrente de dreno, tensão de Early e ganho de tensão intrínseco. Estes parâmetros serão estudados não só em temperatura ambiente, como também na faixa de 80K a 730K, com interesse em aplicações aeroespaciais. O sucesso deste trabalho permitirá ao Brasil entrar no mundo da nanotecnologia, passo fundamental para a evolução tecnológica..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2009 - 2011
Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (5) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2008 - 2010
Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados
Descrição: Este projeto tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K...
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Doutorado: (5) .
Integrantes: Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Marcelo Bellodi - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Carolina Davanzzo Gomes dos Santos - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / M. A. PAVANELLO - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.


Revisor de periódico


2014 - Atual
Periódico: IEEE Transactions on Electron Devices
2013 - Atual
Periódico: Solid-State Electronics
2014 - Atual
Periódico: The European physical journal. Applied physics (Online)
2014 - Atual
Periódico: IEEE Transactions on Nuclear Science
2017 - Atual
Periódico: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
2016 - Atual
Periódico: MICROELECTRONICS JOURNAL
2017 - Atual
Periódico: International Journal of Engineering, Science and Technology
2017 - Atual
Periódico: Material Science in Semiconductor Processing journal
2017 - Atual
Periódico: ELECTRONICS LETTERS
2017 - Atual
Periódico: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY


Revisor de projeto de fomento


2018 - Atual
Agência de fomento: Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo
2016 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
2.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
3.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica.
4.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação.
5.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Nanoeletrônica.
6.
Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Dispositivos Semicondutores.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.


Prêmios e títulos


2018
Menção honrosa - XXX Congresso de Iniciação Científica, Universidade Estadual Paulista (UNESP).
2018
Honorable Mention - 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2018), Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2016
1st place of SEMI ECS Student Award (SESEA Award), China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC).
2012
Best Paper Award - 27th Symposium on Microeletronics Technology and Devices, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2012
Menção Honrosa - 14º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica (SICT - 2012), Faculdade de Tecnologia de São Paulo - FATEC/SP.
2011
Best Paper Award - 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:93
Total de citações:155
Fator H:7
Agopian, Paula G D  Data: 26/07/2018

Artigos completos publicados em periódicos

1.
BORDALLO, C.2018BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; MOCUTA, D. ; LIN, D. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; COLLAERT, N. . The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, v. 18, p. 1-11, 2018.

2.
CAPARROZ, LUIS FELIPE VICENTIS2018 CAPARROZ, LUIS FELIPE VICENTIS ; BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI . Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 33, p. 065003, 2018.

3.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE2018MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; COLLAERT, Nadine ; CLAEYS, Cor . Performance of Differential Pair Circuits Designed with Line Tunnel FET Devices at Different Temperatures. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 33, p. 075012, 2018.

4.
TORRES, HENRIQUE LANZA FARIA2018TORRES, HENRIQUE LANZA FARIA ; Martino, João Antonio ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER ; SIMOEN, Eddy ; ROOYACKERS, Rita ; CLAEYS, Cor . Total ionizing dose influence on proton irradiated triple gate SOI Tunnel FETs. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 13, p. 1-7, 2018.

5.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2017AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, ANNE ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics, v. 128, p. 43-47, 2017.

6.
BORDALLO, CAIO C. M.2017 BORDALLO, CAIO C. M. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; ALIAN, ALIREZA ; MOLS, YVES ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; VERHULST, ANNE S. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; COLLAERT, Nadine . The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1-xAs nTFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 64, p. 1-6, 2017.

7.
MARTINO, M D V2017MARTINO, M D V ; MARTINO, J A ; AGOPIAN, P G D ; VANDOOREN, A ; ROOYACKERS, R ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 32, p. 055015, 2017.

8.
BORDALLO, CAIO C. M.2016BORDALLO, CAIO C. M. ; SIVIERI, VICTOR B. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; VOON-YEW THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, p. 2930-2935, 2016.

9.
NEVES, Felipe Souza2016NEVES, Felipe Souza ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; CRETU, B. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, AARON ; CLAEYS, C . Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, p. 1658-1665, 2016.

10.
OLIVEIRA, A. V.2016OLIVEIRA, A. V. ; SIMOEN, E. ; MITARD, J. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; LANGER, R. ; WITTERS, L. ; Collaert N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . GR-noise characterization of Ge pFinFETs with STI first and STI last processes. IEEE Electron Device Letters (Print), v. 37, p. 1092-1095, 2016.

11.
MARTINO, M D V2016MARTINO, M D V ; MARTINO, J A ; AGOPIAN, P G D ; VANDOOREN, A ; ROOYACKERS, R ; SIMOEN, E ; THEAN, A ; CLAEYS, C . Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 055001, 2016.

12.
OLIVEIRA, A. V.2016OLIVEIRA, A. V. ; SIMOEN, E. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. J. ; LANGER, R ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 114002, 2016.

13.
BORDALLO, C.2016BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; SMETS, Q. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; COLLAERT, N. . Analog parameters of solid source Zn diffusion In Ga As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 31, p. 124001, 2016.

14.
OLIVEIRA, A. V.2016OLIVEIRA, A. V. ; SIMOEN, E. ; MITARD, J. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; LANGER, R ; WITTERS, L. J. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 63, p. 1-7, 2016.

15.
OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE2016OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON . Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. online, p. 1, 2016.

16.
OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE2016OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS DE ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MERTENS, H. ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, Aaron . Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 11, p. 7-12, 2016.

17.
ALIAN, A.2016ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; BORDALLO, C. C. M. ; VERRECK, D. ; VERHULST, A. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, R. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; THEAN, A. ; LIN, D. ; MOCUTA, D. ; Collaert, N. . InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60-mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, p. 243502, 2016.

18.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2015AGOPIAN, P. G. D.; Martino, M. D. V. ; Santos, Sara D. ; NEVES, F. S. ; MARTINO, J. A. ; ROOYACKERS, Rita ; VANDORREN, A. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, p. 16-22, 2015.

19.
BÜHLER, R.T.2015BÜHLER, R.T. ; AGOPIAN, P.G.D. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J.A. . Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 103, p. 209-215, 2015.

20.
MARTINO, MARCIO DALLA VALLE2015MARTINO, MARCIO DALLA VALLE ; NEVES, FELIPE ; GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA ; Martino, João Antonio ; VANDOOREN, ANNE ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. v, p. online, 2015.

21.
ORTIZ-CONDE, ADELMO2014ORTIZ-CONDE, ADELMO ; GARCÍA-SÁNCHEZ, FRANCISCO J. ; MUCI, JUAN ; SUCRE-GONZÁLEZ, ANDREA ; Martino, João Antonio ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER ; CLAEYS, Cor . Threshold voltage extraction in Tunnel FETs. Solid-State Electronics, v. 93, p. 49-55, 2014.

22.
TEIXEIRA, F. F.2014TEIXEIRA, F. F. ; BORDALLO, C. ; SILVEIRA, M. A. G. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Parasitic Conduction Response to X-ray Radiation in Unstrained and Strained Triple-Gate SOI MuGFETs. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 9, p. 97-102, 2014.

23.
BORDALLO, CAIO CESAR MENDES2014BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; TEIXEIRA, F. F. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation. Semiconductor Science and Technology (Print), v. 29, p. 125015, 2014.

24.
AGOPIAN, P. G. D.2013 AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Experimental Comparison Between Trigate p-TFET and p-FinFET Analog Performance as a Function of Temperature. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 60, p. 2493-2497, 2013.

25.
AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER2013AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER; BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; Martino, João Antonio . Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices. Solid-State Electronics, v. 90, p. 155-159, 2013.

26.
MARTINO, Márcio D. V.2013MARTINO, Márcio D. V. ; NEVES, Felipe Souza ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, João Antonio ; ROOYACKERS, Rita ; CLAYES, Corr . Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 8, p. 110-115, 2013.

27.
AGOPIAN, P. G. D.2012AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Uniaxial and/or Biaxial Strain Influence on MuGFET Devices. Journal of the Electrochemical Society, v. 159, p. H570-H574, 2012.

28.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2012 AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Martino, Márcio Dalla Valle ; Filho, Sebastião Gomes dos Santos ; Martino, João Antonio ; ROOYACKERS, Rita ; Leonelli, Daniele ; CLAEYS, Cor . Temperature impact on the tunnel fet off-state current components. Solid-State Electronics, v. 78, p. 141-146, 2012.

29.
Perin, A. L.2012Perin, A. L. ; Pereira, A. S. N. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Giacomini, R . A Simple Electron Mobility Model Considering the Silicon-Dielectric Interface Orientation for Circular Surrounding-Gate Transistor. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, p. 100-106, 2012.

30.
Agopian, Paula G.D.2012 Agopian, Paula G.D.; Agopian, Paula G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; CLAEYS, Cor ; SIMOEN, Eddy ; Martino, João A. ; Kobayashi, Daisuke . Influence of 60-MeV Proton-Irradiation on Standard and Strained n- and p-Channel MuGFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. 59, p. 707-713, 2012.

31.
AGOPIAN, P. G. D.2011AGOPIAN, P. G. D.; PACHECO, V. H. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance. SOLID-STATE ELECTRONICS, v. 59, p. 13-17, 2011.

32.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2008AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . TEMPERATURE INFLUENCE ON THE GATE-INDUCED FLOATING BODY EFFECT PARAMETERS IN FULLY DEPLETED SOI NMOSFETS. SOLID-STATE ELECTRONICS, v. 52, p. 1751-1754, 2008.

33.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2008AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Gate Oxide Thickness Influence on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI Technology. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 3, p. 91-95, 2008.

34.
AGOPIAN, P. G. D.2007AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Study of the linear kink effect in PD SOI nMOSFETs. Microelectronics (Luton) (Cessou em 1978. Cont. ISSN 0959-8324 Microelectronics Journal), v. 38, p. 114-119, 2007.

35.
PAVANELLO, M2006PAVANELLO, M ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J ; FLANDRE, D . Cryogenic operation of graded-channel silicon-on-insulator nMOSFETs for high performance analog applications. Microelectronics (Luton) (Cessou em 1978. Cont. ISSN 0959-8324 Microelectronics Journal), Oxford, Inglaterra, v. 37, p. 137-144, 2006.

36.
SIMOEN, E2006SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; LUKYANCHIKOVA, N ; GARBAR, N ; SMOLANKA, A ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J . Electron valence-band tunnelling excess noise in twin-gate silicon-on-insulator MOSFETs. SOLID-STATE ELECTRONICS, Oxford, Inglaterra, v. 50, n.1, p. 52-57, 2006.

37.
AGOPIAN, P. G. D.;GHEDINI DER AGOPIAN, P;Agopian, Paula G.D.;Paula Ghedini Der Agopian,;AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER;AGOPIAN, PAULA G. D.;AGOPIAN, P.G.D.;GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA;AGOPIAN, P G D;DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI;Der Agopian, P G;Der-Agopian, P G;AGOPIAN, P.2006AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Impact of twin-gate structure on the linear kink effect in PD SOI nMOSFETs. Microelectronics (Luton) (Cessou em 1978. Cont. ISSN 0959-8324 Microelectronics Journal), Inglaterra, v. 37, n.8, p. 681-685, 2006.

38.
PAVANELLO, M. A.2002PAVANELLO, M. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Low Temperature Operation of Graded-Channel SOI nMOSFETs for Analog Applicattions. Journal de Physique. IV, v. 12, p. pr323-pr326, 2002.

Capítulos de livros publicados
1.
MARTINO, M D V ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J.A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . TFETs for Analog Applications. In: Brajesh Kumar Kaushik. (Org.). Nanoscale devices : physics, modeling, and their application. 1ed.Boca Raton, FL, USA: CRC Press, 2018, v. 1, p. 127-158.

2.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. In: Nazarov, A.; Colinge, J.-P.; Balestra, F.; Raskin, J.-P.; Gamiz, F.; Lysenko, V.S.. (Org.). Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications - Engineering Materials. 1ed.Alemanha: Springer, 2011, v. 1, p. 267-286.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
AGOPIAN, P. G. D.; BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C. . Opposite trends between digital and analog performance for different TFET technologies. In: 2018 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2018, Shanghai. 2018 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2018. v. 1. p. 1-1.

2.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . New method for self-heating estimation using only DC measurements. In: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2018, Granada. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018. v. 1. p. 1-1.

3.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. . Improvement of gm/ID Method for Detection of Self-Heating Effects Devices Physics and Characterization. In: 233rd ECS MEETING, 2018, Seattle, WA. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 73-78.

4.
MACAMBIRA, C. N. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . Impact of Biosensor Permittivity on a Double-Gate nTFET Ambipolar Current. In: 233rd ECS MEETING, 2018, Seattle, WA. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 187-192.

5.
SILVA, V. C. P. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P.G.D. . Parasitic Conduction on Ω-Gate Nanowires SOI nMOSFETs. In: 233rd ECS MEETING, 2018, Seattle, WA. ECS Transactions, 2018. v. 85. p. 103-109.

6.
MACAMBIRA, C. N. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. . Influence of channel silicon thickness and biological material permittivity on nTFET biosensor. In: Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018, Bento Gonçalves. Proceedings of Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018. v. 1. p. 1-4.

7.
SILVA, R. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . A Tunnel-FET device model based on Verilog-A applied to circuit simulation. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018, Bento Gonçalves. 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018.

8.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . DC method for self-heating estimation applied to FinFET. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018, Bento Gonçalves. 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018.

9.
SILVA, V. C. P. ; MARTINO, J ; AGOPIAN, P.G.D. . Interface Charges Influence on the Subthreshold Region from Triple Gate SOI FinFET to Ω-Gate Nanowire Devices. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018, Bento Gonçalves. 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018.

10.
GONCALVES, G. V. ; OLIVEIRA, A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. ; Witters, L. ; MITARD, J. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C. ; SIMOEN, E. . Ground Plane Impact on the Threshold Voltage of Relaxed Ge pFinFETs. In: 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018, Bento Gonçalves. 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro, 2018.

11.
MACAMBIRA, C. N. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. . Impact of Process and Device Dimensions on Bio-TFET Sensitivity. In: IEEE S3S Conference, 2018, San Francisco. IEEE S3S Conference, 2018.

12.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . New Approach for Removing the Self-Heating from MOSFET Current Using Only DC Characteristics. In: IEEE S3S Conference, 2018, San Francisco. IEEE S3S Conference, 2018.

13.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. S. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; COLLAERT, N. . Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 109.

14.
CAPARROZ, L.F.V. ; BORDALLO, C. C. M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Low temperature performance of proton irradiated strained SOI FinFET. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 61.

15.
OLIVEIRA, A.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; MITARD, J. ; Witters, L. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C. . Experimental comparison between relaxed and strained Ge pFinFETs. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 180.

16.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Simple method for detection of the self-heating signature. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

17.
NASCIMENTO, VINICIUS M. ; Agopian, Paula G.D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Enhanced model for ZTC in irradiated and strained pFinFET. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

18.
SILVA, V. C. P. ; Sonnenberg, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Subthreshold region analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with different channel lengths and silicon thickness. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

19.
TORRES, H. L. F. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Proton radiation effects on the self-aligned triple gate SOI p-type tunnel FET output characteristic. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

20.
ITOCAZU, VITOR T. ; ALMEIDA, LUCIANO M. ; SONNENBERG, VICTOR ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

21.
TEIXEIRA, FERNANDO F. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . The influence of low-energy proton irradiaiton on threshold voltage and tranconductance of nanowire SOI n and p-channel transistors. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

22.
OLIVEIRA, A.V. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; MITARD, J. ; Witters, L. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C . Low Temperature Influence on Long Channel STI Last Process Relaxed and Strained Ge FinFETs. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2017, São Francisco. IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Burlingame, CA, USA: IEEE, 2017. v. 1. p. 1-3.

23.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J ; AGOPIAN, P. G. D. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; VANDOOREN, A ; VERHULST, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; COLLAERT, N. . Impact of the Zn Diffusion Process at the Source Side of InXGa1-xAs nTFETs on the Analog Parameters Down to 10 k. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2017, São Francisco. IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Burlingame, CA, USA: IEEE, 2017. v. 1. p. 1-3.

24.
MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J A . New Method for Observing Self-Heating Effect Using Transistor Efficiency. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2017, São Francisco. IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Burlingame, CA, USA: IEEE, 2017. v. 1. p. 1-3.

25.
MARTINO, M D V ; MARTINO, J ; AGOPIAN, P. G. D. ; ROOYACKERS, R ; SIMOEN, E ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C . Experimental Analysis of Differential Pairs Designed with Line Tunnel FET. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2017, São Francisco. IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Burlingame, CA, USA: IEEE, 2017. v. 1. p. 1-3.

26.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. ; AGOPIAN, P. ; ALIAN, A. ; MOLS, Y. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; VERHULST, A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; COLLAERT, N. . Impact of the Zn diffusion process at the source side of InxGa1−xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. v. 1. p. 1-1.

27.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Intrinsic voltage gain of Line-TFETs and comparison with other TFET and MOSFET architectures. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). v. 1. p. 13.

28.
OLIVEIRA, A.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. ; LANGER, R. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C. ; THEAN, A. . Effective hole mobility and low-frequency noise characterization of Ge pFinFETs. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). v. 1. p. 162.

29.
SIVIERI, V. B. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Comparative study of vertical GAA TFETs and GAA MOSFETs in function of the inversion coefficient. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). v. 1. p. 198.

30.
BORDALLO, C. C. M. ; SIVIERI, V. B. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Influence of the Ge amount at source on transistor efficiency of vertical gate all around TFET for different conduction regimes. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Wien. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). v. 1. p. 242.

31.
MARTINO, MARCIO D.V. ; MARTINO, JOAO A. ; AGOPIAN, PAULA G. D. . Analysis of TFET and FinFET differential pairs with active load from 300K to 450K. In: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2016, Vienna. 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). v. 1. p. 246.

32.
CAPARROZ, LUIS F. V. ; MARTINO, JOAO A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; AGOPIAN, PAULA G. D. . Proton radiation influence on SOI FinFET trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). v. 1. p. 1-4.

33.
OLIVEIRA, A. V. ; SIMOEN, E. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; MITARD, J. ; WITTERS, L. ; LANGER, R. ; COLLAERT, N. ; CLAEYS, C. ; THEAN, A. . Low frequency noise and fin width study of silicon passivated germanium pFinFETs. In: 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016, Shanghai. 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016. p. 1.

34.
TEIXEIRA, FERNANDO F. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Influence of spacer materials on underlapped and self-aligned UTBB SOI nMOSFET. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

35.
NASCIMENTO, VINICIUS M. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; ALMEIDA, LUCIANO M. ; BORDALLO, CAIO C. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, JOAO A. . Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1.

36.
OLIVEIRA, A. V. ; SIMOEN, E. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; MITARD, J. ; Witters, L. ; Langer, R. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Low Temperature Effect on Strained and Relaxed Ge pFinFETs STI Last Processes High Mobility Group IV Materials and Devices. In: High Mobility Group IV Materials and Devices, 2016, Honolulu. ECS Transaction, 2016. v. 75. p. 213-218.

37.
SIMOEN, E. ; OLIVEIRA, A. V. ; Boudier, D. ; MITARD, J. ; Witters, L. ; Veloso, A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; Carin, R. ; Cretu, B. ; Langer, R. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . (Invited) Generation-Recombination Noise in Advanced CMOS Devices. In: High Mobility Channel, 2016. ECS Trans, 2016. v. 75. p. 111-120.

38.
DE OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS ; SIMOEN, Eddy ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; MITARD, JEROME ; WITTERS, LIESBETH ; COLLAERT, Nadine ; THEAN, AARON ; CLAEYS, Cor . Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1.

39.
ALMEIDA, L. M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; BARRAUD, S. ; VINET, M. ; FAYNOT, O. . Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width. In: 2016 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016, Burlingame. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2016. p. 1.

40.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . High temperature influence on analog parameters of Bulk and SOI nFinFETs. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015. p. 293.

41.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Comparison between vertical silicon NW-TFET and NW-MOSFETfrom analog point of view. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015. p. 233.

42.
NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; CRETU, B. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Study of low frequency noise in vertical NW-Tunnel FETs with different source compositions. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015. p. 149.

43.
BORDALLO, C. C. M. ; SIVIERI, V. B. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Impact of the diameter of vertical nanowire-tunnel FETs with Si and SiGe source composition on analog parameters. In: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2015, Bologna. EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015. p. 253.

44.
BERTOLDO, M. ; OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Proton Radiation Effects on the Analog Performance of Bulk n- and p-FinFETs. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 295-301.

45.
SIVIERI, V. B. ; BORDALLO, C. C. M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Vertical Nanowire TFET Diameter Influence on Intrinsic Voltage Gain for Different Inversion Conditions. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 187-192.

46.
NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Study of Hysteresis in Vertical Ge-Source Heterojunction Tunnel-FETs at Low Temperature. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 179-185.

47.
MARTINO, M. D. V. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Comparison of Current Mirrors Designed with TFET or FinFET Devices for Different Dimensions and Temperatures. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 303-308.

48.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; FANG, W. ; ARIMURA, H. ; MITARD, J. ; MERTENS, H. ; SIMOEN, E. ; MOCUTA, A. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Impact of Gate Stack Dielectric on Intrinsic Voltage Gain and Low Frequency Noise in Ge pMOSFETs. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2015. v. 66. p. 309-314.

49.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; NEVES, F. S. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . The Impact of the Ge Concentration in the Source for Vertical Tunnel-FETs. In: 227th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society. v. 66. p. 79-86.

50.
MARTINO, MARCIO D. V. ; MARTINO, JOAO A. ; AGOPIAN, PAULA G. D. . Performance comparison between TFET and FinFET differential pair. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1.

51.
SIVIERI, VICTOR B. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Impact of diameter on TFET conduction mechanisms. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

52.
CLAEYS, C. ; SIMOEN, E. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J.A. ; AOULAICHE, M. ; CRETU, B. ; FANG, W. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; VELOSO, A. ; JURCZAK, M. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. . The smaller the noisier? Low frequency noise diagnostics of advanced semiconductor devices. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1.

53.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MERTENS, H. ; COLLAERT, N. ; THEAN, A. . Dynamic threshold voltage influence on Ge pMOSFET hysteresis. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

54.
BORDALLO, CAIO C. M. ; MARTINO, JOAO A. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; THEAN, A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of analog parameters in NW-TFETs with Si and SiGe source composition at high temperatures. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

55.
NEVES, F. S. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J. A. ; CRETU, B. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E. ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . Transconductance Hump in Vertical Gate-All-Around Tunnel-FETs. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2015, Rohnert Park. Proceedings of IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2015. v. 1. p. 1-2.

56.
Martino, Márcio Dalla Valle ; NEVES, F. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Transport mechanism influence on Vertical Nanowire-TFET analog performance as a function of temperature. In: 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EUROSOI 2014, 2014, Tarragona. Proceedings of 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014. v. 1. p. 1-2.

57.
NEVES, F. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Influence of the gate oxide thickness on the Analog Performance of vertical NWTFETs with Ge Source. In: 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EUROSOI 2014, 2014, Tarragona. Proceedings of 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014. v. 1. p. 1-2.

58.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Fin Width Influence on Analog Performance of SOI and Bulk FinFETs. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS - ICCDCS, 2014, Playa Del Carmem. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 61-64.

59.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; THEAN, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Unity Gain Frequency on FinFET and TFET Devices. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS - ICCDCS, 2014, Playa Del Carmem. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 70-73.

60.
BORDALLO, C. ; TEIXEIRA, F. F. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The effect of X-Ray Radiation on DIBL for Standard and Strained Triple-Gate SOI MuGFETs. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS - ICCDCS, 2014, Playa Del Carmem. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 74-77.

61.
Martino, M.D.V. ; NEVES, F. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, E ; THEAN, A. ; CLAEYS, C . Early Voltage and Intrinsic Voltage Gain in Vertical Nanowire-TFETs as a function of Temperature. In: Ninth International Caribbean Conference on DEVICES, CIRCUITS and SYSTEMS - ICCDCS, 2014, Playa Del Carmem. Proceedings of the IX ICCDCS Conference, 2014. v. 1. p. 78-81.

62.
BORDALLO, C. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The effect of stress and proton radiation on the ION/IOFF ratio of nMuGFETs. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC, 2014, Sao Paulo. proceedings of IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014. v. 1. p. 1-2.

63.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Evaluation of Threshold Voltage and Subthreshold Swing in Bulk and SOI Triple Gate nMOSFET Devices. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC, 2014, Sao Paulo. proceedings of IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014. v. 1. p. 1-2.

64.
TEIXEIRA, F. F. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SILVEIRA, M. A. G. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . The X-Ray irradiation effect on the back interface of SOI MuGFET devices. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC, 2014, Sao Paulo. proceedings of IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014. v. 1. p. 1-2.

65.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; Rooyackers, R. ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, A. ; CLAEYS, C. . The impact of a (Si)Ge heterojunction on the analog performance of Vertical Tunnel FETs. In: 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, 2014, Cancun. ECS Transactions, 2014. v. 64. p. 127-133.

66.
MARTINO, MARCIO D. V. ; MARTINO, JOAO A. ; AGOPIAN, PAULA G. D. . Drain induced barrier thinning on TFETs with different source/drain engineering. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

67.
BORDALLO, CAIO C. M. ; TEIXEIRA, FERNANDO F. ; SILVEIRA, MARCILEI A. G. ; MARTINO, JOAO A. ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The effect of X-Ray radiation dose rate on Triple-Gate SOI FinFETs parameters. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1.

68.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Comparison of analog performance between SOI and Bulk pFinFET. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

69.
SIVIERI, VICTOR B. ; WESSELY, PIA JULIANE ; SCHWALKE, UDO ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; MARTINO, JOAO A. . Graphene for advanced devices applications. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1.

70.
AGOPIAN, P. G. D.; PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. G. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Experimental comparison between tensile and compressive uniaxially stressed MuGFETs under X-ray radiation. In: Ninth Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EuroSOI 2013, 2013, Paris. Proceedings of Ninth Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Paris, 2013. v. 1. p. 1-2.

71.
NEVES, F. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of interface trap density on vertical NW-TFETs with different source composition. In: Ninth Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EuroSOI 2013, 2013, Paris. Proceedings of Ninth Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Paris, 2013. v. 1. p. 1-2.

72.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Early voltage and transistor efficiency of pTFET compared to pFinFET tri-gate devices. In: 2nd Ukrainian-French Seminar, ?Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics?, 2013, Kyiv. Proceedings of Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics, 2013. v. 1. p. 1-2.

73.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; VANDOOREN, A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Experimental Comparison Between pTFET and pFinFET under Analog Operation. In: 223rd ECS Meeting, E6 Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto. ECS Transactions. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 155-160.

74.
BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Temperature Influence on Strained nMuGFETs after Proton Radiation. In: 223rd ECS Meeting, E6 Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto. ECS Transactions. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 171-176.

75.
PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. G. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Silveira, M. A. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Comparative Experimental Study Between Tensile and Compressive Uniaxially Stressed nMuGFETs Under X-ray Radiation Focusing on Analog Behavior. In: 223rd ECS Meeting, E6 Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto. ECS Transactions. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 177-185.

76.
BUHLER, R. T. ; SIMOEN, E ; AGOPIAN, P. G. D. ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Fin Dimension Influence on Mechanical Stressors in Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 223rd ECS Meeting, E6 Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16, 2013, Toronto. ECS Transactions. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 2013. v. 53. p. 187-192.

77.
AGOPIAN, P. G. D.; NEVES, F. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Back bias influence on analog performance of pTFET. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2013, Monterey. Proceedings of IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2013. v. 1. p. 1-2.

78.
AGOPIAN, P. G. D.; SANTOS, S. D. ; NEVES, F. ; MARTINO, J. A. ; VANDOOREN, A. ; ROOYACKERS, Rita ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . NW-TFET analog performance for different Ge source compositions. In: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2013, Monterey. Proceedings of IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, 2013. v. 1. p. 1-2.

79.
D'ANGELO, R. ; AGOPIAN, P. G. D. . Comparative Study of Self-Heating Effects Influence on Triple-Gate FinFETs Fabricated on Bulk, SOI and Modified Substrates. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2013, 2013, Curitiba. Proceedings of 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2013. v. online. p. 1-4.

80.
TEIXEIRA, F. F. ; BORDALLO, C. ; SILVEIRA, M. A. G. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Radiation Effect on Standard and Strained Triple -Gate SOI FinFETs Parasitic Conduction. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2013, 2013, Curitiba. Proceedings of 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2013. v. 1. p. 1-4.

81.
D'ANGELO, R. ; AGOPIAN, P. G. D. . Comparative Study of Self-Heating Effects Influence in Transistors MOSFETs Fabricated in FinFET Structures and MuGFETs Structures Modified. In: VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013, Campinas. Proceedings of VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013.

82.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Limits of interface traps and fixed charge densities on Partially Depleted and Fully Depleted Silicon on Insulator nMOSFETs. In: VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013, Campinas. Proceedings of VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013.

83.
BORDALLO, C. ; GHEDINI DER AGOPIAN, P ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, Cor . The effect of temperature, stress and proton radiation on the off-state current of nMuGFETs. In: VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013, Campinas. Proceedings of VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013, 2013.

84.
AGOPIAN, P. G. D.; BORDALLO, C. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . The influence of different stress techniques and proton radiation on GIDL in triple-gate SOI Devices. In: VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits - EuroSOI 2012, 2012, Montpellier. Proceedings of EuroSOI 2012. Montpellier: línstitut délectronique, 2012. p. 51-52.

85.
Perin, A.L. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; GIACOMINI, R. C. . An Electron Mobility Model for Multiple-Gate Device Simulation Considering Silicon-Dielectric Interface Orientation. In: VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits - EuroSOI 2012, 2012, Montpellier. Proceedings of EuroSOI 2012. Montpellier: línstitut délectronique, 2012. p. 95-96.

86.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . SEG and Fin dimensions Influence on Biaxial Stress Effectiveness in tri-Gate SOI nMOSFETs. In: VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits - EuroSOI 2012, 2012, Montpellier. Proceedings of EuroSOI 2012. Montpellier: línstitut délectronique, 2012. p. 121-122.

87.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Biaxial Stress Simulation and Electrical Characterization of triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 27th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2012, 2012, Brasília. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2012. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 145-152.

88.
NEVES, F. ; Martino, M.D.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; Leonelli, D. ; CLAEYS, C . Temperature Influence on Nanowire Tunnel Field Effect Transistors. In: 27th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2012, 2012, Brasília. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2012. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 223-230.

89.
AGOPIAN, P. G. D.; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Analysis of the analog performance in nMuGFET devices submitted to different stress techniques. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universutário da FEI, 2012. v. 1. p. 51-52.

90.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Biaxial Stress Influence on Total Resistance and Transconductance in Triple-Gate n-type SOI MuGFETs. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universutário da FEI, 2012. v. 1. p. 59-60.

91.
D'ANGELO, R. ; Malheiro, C. ; GIACOMINI, R. C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Comparative study of self-heating effects influence on IV characteristics of four different structures. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. São Bernardo do Campo: Centro Universutário da FEI, 2012. v. 1. p. 53-54.

92.
AGOPIAN, P. G. D.; Martino, M.D.V. ; MARTINO, J. A. ; Rooyackers, R. ; Leonelli, D. ; CLAEYS, C . Experimental Analog Performance of pTFETs as a Function of Temperature. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa. Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2012. p. 1-2.

93.
CLAEYS, C ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E ; GRIFFONI, A. ; KOBAYASHI, D. ; MAHATME, N. ; REED, R. ; SCHRIMPF, R. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Radiation Hardness Aspects of Advanced FinFET and UTBOX Devices. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa. IEEE International SOI Conference, 2012. p. 1-2.

94.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Biaxial + Uniaxial Stress Effectiveness in Tri-Gate SOI nMOSFETs With Variable Fin Dimensions. In: IEEE International SOI Conference, 2012, Napa. Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2012. p. 1-2.

95.
BUHLER, R. T. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . Fin Width Influence on Uniaxial Stress of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems, 2012, Playa del Carmen, Mexico. Proceedings of 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems, 2012.

96.
BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Radiation Influence on Biaxial+Uniaxial Strained Silicon MuGFETs. In: 222nd ECS Meeting - High Purity Silicon 12, 2012, Honolulu. ECS Transactions - High Purity Silicon 12. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 205-212.

97.
BUHLER, R. T. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Fin Shape Influence on Analog Performance of MuGFETs at Rom and at Low Temperature. In: EuroSOI, 2011, Granada, Espanha. VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011. p. 45-46.

98.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; KOBAYASHI, D. ; Poizat, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Analog Performance of 60MeV Proton-Irradiated SOI MuGFETs with Different Strain Technologies. In: EuroSOI, 2011, Granada, Espanha. VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011. p. 61-62.

99.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Global and/or Local Strain Influence on p- and nMuGFET Analog Performance. In: 219th ECS Meeting, 2011, Montreal - Canadá. Advanced Semiconductor-On_Insulator Technology and Related Physics. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 35. p. 145-150.

100.
Martino, M.D.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Santos Filho, S. G. ; MARTINO, J. A. . Temperature Influence on Tunnel Field Effect Transistors (TFETs) with Low Ambipolar Currents. In: ECS Transactions, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 77-84.

101.
Magalhães, R.A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Silveira, M. A. ; GIACOMINI, R. C. . Alpha Radiation Incidence Angle Influence on Planar FDSOI nMOSFET. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. ECS Transactions. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 85-92.

102.
Perin, A.L. ; PEREIRA, A. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; GIACOMINI, R. C. . A Simple Electron Mobility Model Considering the Impact ofSilicon-Dielectric Interface Orientation for Surronding Gate Devices. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. ECS Transactions. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 179-186.

103.
BUHLER, R. T. ; GIACOMINI, R. C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Strain Effectiveness Dependence on Fin Dimensions and Shape for n-type Triple-Gate MuGFETs. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. ECS Transactions. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 207-214.

104.
Parada, M. G. ; Malheiro, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . A Compact Model and an Extraction Method for the FinFET Spreading Resistance. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. ECS Transactions. Pennington, NJ,: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 255-262.

105.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C ; MARTINO, J. A. . Uniaxial Stress Efficiency for Different Fin Dimensions of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: IEEE International SOI Conference, 2011, Tempe. Proceesings of the IEEE International SOI Conference, 2011.

106.
MADEIRA, F. M. ; STOLF, R. G. ; SOUZA, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . SOI Global-Shutter Sample-and-Hold Circuit For Image Sensors Compared to Bulk CMOS and nMOS. In: First Workshop on Circuits and System Design WCAS 2011, 2011, João Pessoa. Proceedings of the First Workshop on Circuits and System Design WCAS 2011, 2011.

107.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; KOBAYASHI, D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Impact of Proton Irradiation on Strained triple gate SOI p- and n-MOSFETs. In: European Conference on Radiation Effects on Components and Systems - RADECS 2011, 2011, Sevilla. Proceedings of European Conference on Radiation Effects on Components and Systems - RADECS 2011, 2011.

108.
Martino, M.D.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Santos Filho, S. G. ; MARTINO, J. A. . Temperature impact on double gate nTFET ambipolar behavior. In: International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011, 2011, College Park. Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011. v. 1. p. 1-2.

109.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Study of the Transconductance Ramp in FinFET Devices. In: EuroSOI, 2010, Grenoble. Sixth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2010. p. 51-52.

110.
PACHECO, V. H. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . The Relation ship Between SEG and Uniaxial Strain in the FinFET Performance. In: EuroSOI, 2010, Grenoble, França. Sixth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2010. p. 49-50.

111.
AGOPIAN, P. G. D.; PACHECO, V. H. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . SEG and Uniaxial Strain influence on FinFET Performance at Low Temperature. In: Ninth Interntioanl Workshop on Low Temperature Electronics, 2010, Guarujá. Proceedings of the Ninth Interntioanl Workshop on Low Temperature Electronics, 2010. p. 23-25.

112.
Martino, M.D.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Cross-Section Features Influence on Surrounding MuGFETs. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 2010, São Paulo. ECS Transactions, Microelectronics Technology and Devices. Pennington, NJ - USA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31.

113.
BUHLER, R. T. ; MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Fin Shape Influence on the Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs. In: IEEE International SOi Conference, 2010, San Diego. Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2010.

114.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . SOI MOSFET transconductance behavior from micro to nano era. In: 6th International SemOI Workshop, 2010, Kyiv. Proceesings of the 6th International SemOI Workshop, 2010. v. 1. p. 83-84.

115.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; KOBAYASHI, D. ; Poizat, M. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . DIBL performance of 60 MeV proton-irradiated SOI MuGFETs. In: 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010, Shanghai. 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2010.

116.
AGOPIAN, P. G. D.; PACHECO, V. H. ; MARTINO, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Gate induced floating body effect behavior in uniaxially strained SOI nMOSFETs. In: EUROSOI, 2009, Goteborg. Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator, Technology, Devices and Circuits, 2009. v. 1. p. 39-40.

117.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The U Shape Behavior of GIFBE in Function of Back Gate Bias in FinFETs. In: 215th ECS Meeting, 2009, San Francisco. Silicon-on-Insulator Technology and Devices 14. Pennington, NJ: The Electroochemical Society, 2009. v. 19. p. 317-320.

118.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Collaert N. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Transconductance Ramp Effect in High-k Triple Gate sSOI nFinFETs. In: 2009 IEEE International SOI Conference, 2009, Foster City, California. Proceedings of the 2009 IEEE International SOI Conference, 2009.

119.
AGOPIAN, P. G. D.; Arrabaça J.M. ; MARTINO, João Antonio . HALO OPTIMIZATION FOR 0.13um SOI CMOS TECHNOLOGY. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMIcro, 2008, Gramado. Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2008. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 111-118.

120.
AMARO, J. O. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, João Antonio . Analog Performance of Dynamic Threshold Voltage SOI MOSFET. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2008, Gramado. Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2008. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 169-175.

121.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The C Shape Behavior of the Floating Body Effect in Function of Temperature in PD SOI nMOSFETs. In: 211th ECS meeting, 2007, Chicago. Electro Chemical Society transactions, 2007.

122.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . The Impact of the Gate Oxide Reduction on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI nMOSFETs. In: 22th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2007, 2007, Rio de Janeiro. ECS Transactions. Pennington, New Jersy -USA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 305-311.

123.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Series Resistance Influence on the Linear Kink Effect in Twin-Gate Partially Depleted SOI NMOSFETS. In: 21th Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2006, Ouro Preto - MG. Proceedings of Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2006. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, INC, 2006.

124.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, João Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Analysis of the linear kink effectin partially depleted SOI NMOSFETs. In: 20th Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2005, Florianópolis -SC. Proceedings of Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, INC, 2005. v. 200508. p. 512-519.

125.
AGOPIAN, P. G. D.; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, João Antonio . Comparison Between Conventional and Graded-channel SOI nMOSFETs in Low Temperature Operation. In: Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO, 2003, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. 200309. p. 77-86.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
MALAGUTI, C. A. Z. ; PERINA, W. F. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . Experimental comparison between Fully and Partially depleted SOI MOSFETs through analog parameters. In: 18th Microelectronics Students Forum, 2018, Bento Gonçalves. 18th Microelectronics Students Forum, 2018.

2.
PERINA, W. F. ; MALAGUTI, C. A. Z. ; AGOPIAN, P.G.D. ; MARTINO, J . Analysis of basic parameters of proton irradiated n-channel FinFETs. In: 18th Microelectronics Students Forum, 2018, Bento Gonçalves. 18th Microelectronics Students Forum, 2018.

3.
VILELA, L. M. D. ; PERINA, W. F. ; AGOPIAN, P.G.D. . Development of algorithm for temperature sensor based on the commercial MOSFETs behavior. In: 18th Microelectronics Students Forum, 2018, Bento Gonçalves. 18th Microelectronics Students Forum, 2018.

4.
OLIVEIRA, A. V. ; BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Estudo comparativo dos parâmetros básicos de transistores SOI nMOSFETs. In: Simposio Internacional de Iniciação Científica da USP, 2012, Sao Paulo. Simposio Internacional de Iniciação Científica da USP, 2012.

5.
OLIVEIRA, A. V. ; AGOPIAN, P. G. D. . Estudo da Influência dos Estados de Interface nos Parâmetros Básicos de Transistores SOI MOSFETs. In: II Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2012, São Bernardo do Campo. Anais do II Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2012. v. 1. p. s/n.

6.
Malheiro, C. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . STUDY OF DIFFERENT TRIPLE-GATE STRUCTURES THROUGH 3D DEVICE SIMULATION. In: 11th Microelectronics Students Forum 2011, 2011, João Pessoa. Proceedings of 11th Microelectronics Students Forum 2011, 2011.

7.
PEREIRA, A. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . STUDY OF SOURCE AND DRAIN GEOMETRY IMPACT ON SERIES RESISTANCE OF TRIPLE GATE FINFETS. In: 11th Microelectronics Students Forum 2011, 2011, João Pessoa. Proceedings of 11th Microelectronics Students Forum 2011, 2011.

8.
Perin, A.L. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . STUDY OF SIMULATION MOBILITY MODELS FOR ELECTRONIC DEVICES. In: 9th Student Forum, 2010, São Paulo. Proceedings of 9th Student Forum, 2010.

9.
BUHLER, R. T. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. ; MARTINO, J. A. . FIRST AND SECOND ORDER SUBSTRATE BIAS INFLUENCE ON FINFETS. In: 9th Microelectronic Students Fórum, 2009, Natal. Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009.

10.
SANDRI, M. ; Martino, M.D.V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . CROSS-SECTION SHAPE INFLUENCE ON SURROUNDING MuGFETs. In: 9th Microelectronic Students Fórum, 2009, Natal. . Proceedings 9th Microelectronic Students Forum, 2009.

11.
Martino, M.D.V. ; SANDRI, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Galeti M. ; Noije W.V. ; MARTINO, João Antonio . Radiation Effects on Flip-Flop SOI CMOS. In: VIII Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado. Student Forum on Microelectronics proceedings, 2008.

12.
Arrabaça J.M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, João Antonio . THE HALO INFLUENCE ON PD SOI N-MOSFETS AT LOW TEMPERATURE OPERATION. In: VII Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Student Forum on Microeletronics proceedings, 2007.

13.
Martino, M.D.V. ; SANDRI, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Galeti M. ; Noije W.V. ; MARTINO, João Antonio . RADIATION INFLUENCE ON SOI CMOS DEVICES. In: VII Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Student Forum on Microelectronics proceedings, 2007.

14.
AGOPIAN, P. G. D.; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, João Antonio . Experimental Behavior of GC-SOI MOSFETs Operating at Low Temperature. In: II Student Forum on Microeletronics, 2002, Porto Alegre. Student Forum on Microeletronics proceedings, 2002. p. 37-39.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
OLIVEIRA, A. V. ; BORDALLO, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . INFLUÊNCIA DE CARGAS E ARMADILHAS NA TENSÃO DE LIMIAR DE TRANSISTORES PD E FD SOI NMOSFETS. In: 14 º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica, 2012, Sao Paulo. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Sao Paulo: FATEC-SP, 2012. v. BT/34. p. 53-53.

2.
Rodrigues, G. A. V ; PEREIRA, A. S. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GIACOMINI, R. C. . Comportamento da Resistência Série de Fonte e Dreno em Transistores SOI MOSFETs. In: 13o Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica - 13o SICT, 2011, São Paulo. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, 2011. v. BT/31. p. 47.

3.
Sanavio, C. F. G. ; GIACOMINI, R. C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Análise do Comportamento do Inversor CMOS. In: 13o Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica - 13o SICT, 2011, São Paulo. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, 2011. v. BT/31. p. 19.

4.
J. F. S. Luciano ; AGOPIAN, P. G. D. . Estudo e Simulação Numérica das Características Elétricas de Transistores FinFETs. In: XXVII Simpósio Internacional de Iniciação Científica USP, 2009, São Carlos. XXVII SIICUSP, 2009.

5.
AGOPIAN, P. G. D.; GIACOMINI, Renato . Projeto de componentes Digitais em VHDL. In: 7º Simpósio de Iniciação Científica da USP, 1999, São Paulo. 7º Simpósio de Iniciação Científica da USP, 1999.


Demais tipos de produção técnica
1.
MARTINO, J A ; AGOPIAN, P. G. D. ; Rangel, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. 2017. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

2.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; Rangel, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

3.
SOUZA, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; PAVANELLO, M. A. ; GIACOMINI, R. C. ; GIMENEZ, S. G. . Microeletrônica Experimental. 2011. (Curso de curta duração ministrado/Especialização).



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
AGOPIAN, P.G.D.; GIMENEZ, S. G.; BOUDINOV, H. I.. Participação em banca de Henrique Lanza Faria Torres. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

2.
AGOPIAN, P.G.D.; FONTES, M. B. A.; NICOLETT, A. S.. Participação em banca de Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

3.
AGOPIAN, P.G.D.; Sonnenberg, V.; Andrade M. G. C.. Participação em banca de Luís Felipe Vicentis Caparroz. Efeito de radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

4.
AGOPIAN, P. G. D.; RODRIGUES, M.; Santos Filho, S. G.. Participação em banca de Caio Cesar Mendes Bordallo. Estudo do efeito da radiação de prótons em transistores SOI MOSFETS de múltiplas portas.. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

5.
AGOPIAN, P. G. D.; Sonnenberg, V.; OKA, M. M.. Participação em banca de Rodrigo D'Angelo Mathias. Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

6.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; AGOPIAN, P. G. D.; TORRES, K. F. A.. Participação em banca de Juliana Pinheiro nemer. Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos. 2012. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

7.
PAVANELLO, M. A.; AGOPIAN, P. G. D.; Rotondaro, A.L.P.. Participação em banca de Felipe Neves Souza. Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura. 2010. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

8.
GIACOMINI, Renato; AGOPIAN, P. G. D.; CAMPOS, A. B.. Participação em banca de Almir Takeo Kajihara. Simulação das Características Elétricas de Dispositivos de Efeito de Campo Multiportas Nanométricos. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

9.
CAMPOS, A. B.; AGOPIAN, P. G. D.; GIACOMINI, R. C.. Participação em banca de Moreno Cataneo. Estudo de Efeitos de Corpo em FinFETs com Geometrias Especiais. 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

Teses de doutorado
1.
Manera L. T.; Diniz, J.A.; ORIO, R. L.; TELLES, A. C. C.; AGOPIAN, P.G.D.. Participação em banca de Raphael Ronald Noal Souza. Sintetizador de frequencias baseado em architetura PLL com estrutura robusta à radiação. 2018. Tese (Doutorado em Engenharia elétrica e de computação) - Universidade Estadual de Campinas FEEC-Unicamp.

2.
AGOPIAN, P.G.D.; Santos Filho, S. G.; ONMORI, R. K.; Bellodi, M.; GALETI, H. V. A.. Participação em banca de Caio Cesar Mendes Bordallo. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFETs) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

3.
AGOPIAN, P.G.D.; Santos Filho, S. G.; CHAVES, M. I. A.; BOUDINOV, H. I.; FONTES, M. B. A.. Participação em banca de Márcio Dalla VAlle Martino. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados à circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Qualificações de Doutorado
1.
AGOPIAN, P. G. D.; Santos Filho, S. G.; CHAVES, M. I. A.. Participação em banca de Marcio Dalla Valle Martino. Transistores de Tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

Qualificações de Mestrado
1.
AGOPIAN, P.G.D.; Santos Filho, S. G.; FONSECA, F. J.. Participação em banca de Luis Felipe Vicentis Caparroz. Efeito de radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2016. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

2.
AGOPIAN, P. G. D.; GIMENEZ, S. G.; Sonnenberg, V.. Participação em banca de Rodrigo D'Angelo Mathias. Estudo de transistores MOSFETS fabricados em estruturas FinFETs e estruturas FinFETs modificadas. 2013. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

3.
GIACOMINI, R. C.; AGOPIAN, P. G. D.; SOUZA, M.. Participação em banca de Arianne Soares do Nascimento Pereira. Modelo analítico de resistência parasita para transistores FinFET de porta dupla. 2012. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

4.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; AGOPIAN, P. G. D.; Galeti M.. Participação em banca de Juliana Pinheiro Nemer. Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos. 2012. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

5.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; AGOPIAN, P. G. D.; SOUZA, M.. Participação em banca de Edson Kioshi Goto. Estudo de Auto Aquecimento em Transistores SOI com Canal Gradual. 2011. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

6.
GIACOMINI, R. C.; AGOPIAN, P. G. D.; GIMENEZ, S. G.. Participação em banca de Frederico Marion madeira. Estudo Comparativo entre Tecnologias CMOS, NMOS e SOI aplicadas a um Circuito de Amostragem e Retenção para Pixel. 2011. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

7.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; AGOPIAN, P. G. D.; SOUZA, M.. Participação em banca de Felipe Neves Souza. Efeito da Tensão Mecânica em transistores SOI Operando em Temperaturas Criogênicas. 2010. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

8.
GIACOMINI, R. C.; Sonnenberg, V.; AGOPIAN, P. G. D.. Participação em banca de Marcelo Gonzaga de Oliveira Parada. Análise e Modelagem da Resistência de Espraiamento em Transistores FinFET. 2010. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

9.
PAVANELLO, Marcelo Antonio; AGOPIAN, P. G. D.; Sonnenberg, V.. Participação em banca de Ingrid Catherine Baptista dos Santos. Associação Série de Transistores SOI MOSFET eAnálise de Casamento em Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual Operando em Saturação. 2010. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC).

Trabalhos de conclusão de curso de graduação
1.
Sonnenberg, V.; NICOLLETT, A.; AGOPIAN, P. G. D.. Participação em banca de Vanessa Cristina Pereira da Silca.Estudo por simulações de transistores de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos com diferentes comprimentos de canal. 2015 - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

2.
MARTINO, João Antonio; Sonnenberg, V.; AGOPIAN, P. G. D.. Participação em banca de Sara Dereste dos Santos.Comparação entre o Transistor SOI MOSFET de Porta Única (Single-Gate) e Porta Dupla (Double-gate). 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
Santos Filho, S. G.; AGOPIAN, P. G. D.; GIMENEZ, S. G.. Concurso Público Docente na área de Engenharia Elétrica - Dispositivos Semicondutores. 2014. Faculdade de Tecnologia do Estado de São Paulo.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
233rd ECS MEETING. Improvement of gm/ids method for detection of shelf-heating effects. 2018. (Congresso).

2.
Semiconductor Technology International Conference (CSTIC). Semiconductor Technology International Conference. 2018. (Congresso).

3.
2017 32ND Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). 2017. (Congresso).

4.
EUROSOI-ULIS 2017. Low temperature performance of proton irradiated strained SOI FinFET. 2017. (Congresso).

5.
2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Proton radiation influence on SOI FinFET trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency. 2016. (Congresso).

6.
EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016. Intrinsic Voltage Gain of Line-TFETs and Comparison with Other TFET and MOSFET Architectures. 2016. (Congresso).

7.
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified C. Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. 2016. (Congresso).

8.
2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Performance Comparison Between TFET and FinFET differential pair. 2015. (Congresso).

9.
227th ECS Meeting. Study of Hysteresis in Vertical Ge-Source Heterojunction Tunnel-FETs at Low Temperature. 2015. (Congresso).

10.
227th ECS Meeting. Vertical Nanowire TFET Diameter Influence on Intrinsic Voltage Gain for Different Inversion Conditions. 2015. (Congresso).

11.
EuroSOI-ULIS 2015. Comparison between vertical silicon NW-TFET and NW-MOSFET from analog point of view. 2015. (Congresso).

12.
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Transconductance Hump in Vertical Gate-All-Around Tunnel-FETs. 2015. (Congresso).

13.
10th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EUROSOI 2014. Transport mechanism influence on Vertical Nanowire-TFET analog performance as a function of temperature. 2014. (Congresso).

14.
2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Drain induced barrier thinning on TFETs with different source/drain engineering. 2014. (Congresso).

15.
2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting. The impact of a (Si)Ge heterojunction on the analog performance of Vertical Tunnel FETs. 2014. (Congresso).

16.
IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC. The X-Ray irradiation effect on the back interface of SOI MuGFET devices. 2014. (Congresso).

17.
223rd ECS Meeting. Experimental Comparison Between pTFET and pFinFET under Analog Operation. 2013. (Congresso).

18.
28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2013. Radiation Effect on Standard and Strained Triple -Gate SOI FinFETs Parasitic Conduction. 2013. (Congresso).

19.
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference. Back bias influence on analog performance of pTFET. 2013. (Congresso).

20.
Ninth Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits - EuroSOI 2013. Experimental comparison between tensile and compressive uniaxially stressed MuGFETs under X-ray radiation. 2013. (Congresso).

21.
VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2013.Comparative Study of Self-Heating Effects Influence on Triple-Gate FinFETs Fabricated on Bulk, SOI and Modified Substrates. 2013. (Simpósio).

22.
222nd ECS Meeting - High Purity Silicon 12. Radiation Influence on Biaxial+Uniaxial Strained Silicon MuGFETs. 2012. (Congresso).

23.
27th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2012. Biaxial Stress Simulation and Electrical Characterization of triple-Gate SOI nMOSFETs. 2012. (Congresso).

24.
IEEE International SOI Conference. Experimental Analog Performance of pTFETs as a Function of Temperature. 2012. (Congresso).

25.
VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits - EuroSOI 2012. SEG and Fin dimensions Influence on Biaxial Stress Effectiveness in tri-Gate SOI nMOSFETs. 2012. (Congresso).

26.
VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012.Analysis of the analog performance in nMuGFET devices submitted to different stress techniques. 2012. (Outra).

27.
219th ECS Meeting. Global and/or Local Strain Influence on p- and nMuGFET Analog Performance. 2011. (Congresso).

28.
EuroSOI. Analog Performance of 60 MeV Proton-Irradiated SOI MuGFETs with Different Strain Technologies. 2011. (Congresso).

29.
IEEE International SOI Conference. Uniaxial Stress Efficiency for Different Fin Dimensions of Triple-Gate SOI nMOSFETs. 2011. (Congresso).

30.
Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011. Temperature Influence on Tunnel Field Effect Transistors (TFETs) with Low Ambipolar Currents. 2011. (Congresso).

31.
EuroSOI. Study of the Transconductance Ramp in FinFET Devices. 2010. (Congresso).

32.
IEEE International SOi Conference. Fin Shape Influence on the Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs. 2010. (Congresso).

33.
Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Cross-Section Features Influence on Surrounding MuGFETs. 2010. (Congresso).

34.
Ninth Interntioanl Workshop on Low Temperature Electronics - WOLTE 9. SEG and Uniaxial Strain influence on FinFET Performance at Low Temperature. 2010. (Congresso).

35.
215th ECS Meeting. The U Shape Behavior of GIFBE in Function of Back Gate Bias in FinFets. 2009. (Congresso).

36.
24th Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2009. 2009. (Congresso).

37.
EuroSOI. Gate Induced Floating Body Effect behavior in Uniaxially Strained SOI nMOSFETs. 2009. (Congresso).

38.
23th Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2008. HALO OPTIMIZATION FOR 0.13um SOI CMOS TECHNOLOGY. 2008. (Congresso).

39.
211th ECS meeting.The "C" Shape Behavior of the Gate Induced Floating Body Effect in function of temperature in PD SOI nMOSFETs. 2007. (Simpósio).

40.
22th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2007. The Impact of the Gate Oxide Reduction on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI nMOSFETs. 2007. (Congresso).

41.
21th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2006. Series Resistance Influence on the Linear Kink Effect in Twin-Gate Partially Depleted SOI NMOSFETS. 2006. (Congresso).

42.
20th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2005. Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI NMOSFETs. 2005. (Congresso).

43.
7º Simpósio de Iniciação Científica da USP.7º Simpósio de Iniciação Científica da USP. 1999. (Simpósio).


Organização de eventos, congressos, exposições e feiras
1.
MARTINO, J.A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; Seabra, A.C. ; Moretto, E. ; MORIMOTO, N. ; Rangel, R. ; Santos Filho, S. G. ; Sonnenberg, V. . XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2017. 2017. (Outro).

2.
MARTINO, J. A. ; Seabra, A.C. ; Santos Filho, S. G. ; MORIMOTO, N. ; Sonnenberg, V. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Rangel, R. ; Moretto, E. . IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2014. 2014. (Outro).

3.
PAVANELLO, M. A. ; SOUZA, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; Doria, R.T. ; GIMENEZ, S. G. ; GIACOMINI, R. C. . VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012. 2012. (Outro).

4.
MARTINO, J. A. ; CLAEYS, C ; PAVANELLO, M. A. ; ARAUJO, G. ; ORAILOGLU, A ; AGOPIAN, P. G. D. ; SOUZA, M. ; Sonnenberg, V. ; SWART, J. ; Diniz, J.A. ; MORIMOTO, N. ; KLEIN, F. ; CARRENO, M. ; GIACOMINI, R. C. . Chip in Sampa - SBMicro 2010, SBCC 2010, SForum 2010. 2010. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Walter Gonçalez Filho. Estudo de circuitos implementados com TFETs. Início: 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. (Orientador).

Tese de doutorado
1.
Carlos Augusto Bergfeld Mori. Projeto e Fabricação de um BE SOI Túnel-FET como Biossensor. Início: 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Coorientador).

2.
Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo de transistores avançados para aplicação em biossensor. Início: 2018. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

3.
Christian Nemeth Macambira. Estudo do transistor de efeito de campo por tunelamento (TFET) como biossensor. Início: 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Coorientador).

Iniciação científica
1.
LETICIA MICHELE DAL COL VILELA. Estudo e projeto de um circuito eletrônico de eletrocardiograma (ECG). Início: 2018. Iniciação científica (Graduando em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. (Orientador).

2.
Welder Fernandes Perina. Estudo e caracterização elétrica de transistores FinFETs para aplicações espaciais. Início: 2018. Iniciação científica (Graduando em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. (Orientador).

3.
Carlos Augusto Zan Malaguti. Estudo comparativo da performance de transistores MOSFETs convencionais e transistores SOI MOSFETs na tecnologia de 130nm. Início: 2017. Iniciação científica (Graduando em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI MOSFETs avançados. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

2.
Carlos Augusto Bergfeld Mori. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Coorientador: Paula Ghedini Der Agopian.

3.
Henrique Lanza Faria Torres. Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla.. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

4.
Luís Felipe Vicentis Caparroz. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

5.
Vinicius Mesquita do Nascimento. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em SOI FinFETs radiados e tensionados. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Paula Ghedini Der Agopian.

6.
Caio Cesar Mendes Bordallo. Estudo do efeito da radiação de prótons em transistores SOI MOSFETs de múltiplas portas. 2014. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI (SBC), Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

7.
Rodrigo D`Angelo. Estudo de transistores MOSFETs fabricados em estruturas FinFET e estruturas FinFETs modificadas. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, . Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

Tese de doutorado
1.
Caio Cesar Mendes Bordallo. ESTUDO DO COMPORTAMENTO DE TRANSISTORES DE TUNELAMENTO INDUZIDO POR EFEITO DE CAMPO (TFET) OPERANDO EM DIFERENTES TEMPERATURAS. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

2.
Marcio Dalla Valle Martino. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, . Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

3.
Alberto Vinícius de Oliveira. Estudo Teórico e Experimental de Transistores 3D Construídos em Lâminas de Silício e Silício sobre Isolante. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Paula Ghedini Der Agopian.

4.
Felipe Neves Souza. Estudo do Transistor de Efeito de Campo por Tunelamento (TFET). 2015. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Paula Ghedini Der Agopian.

Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Anjos, C; Nagamine, KA; Koyanagi,M; Madeira,NM; Vieira, RMB. Video SMART. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

2.
Ferreira, GLB; Iurilli, PH; Silva, RB; Miyaguchi, RN. FACILITA Zona Azul. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

3.
Antunes,B; Cosme, DM; Furuta,F; Schult,J; Sousa,MJ; Santos,P. Multisinalizador Programável. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

4.
Harris, AL; Pereira, FAGC; Barbosa, FL; Vendramini, GV. Refrigerador com monitoramento de conteúdo. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

5.
Silva,A; Montanari,B; Nakayassu,E; Silva,F; RelvasH, Hyodo,T. Monitoramento de vagas automatizado representado graficamente. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

6.
Madeira,F; Chaves,L; Arruda,P; Cavaleiro,R; Ramos,S; Silva,W. Painel Automotivo com projeçào de dados. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

7.
Silva, C; Frein,D; Conde,F; Silva,J; Lourenço,W. Secadora de roupas automatizada. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

8.
Silva,A; Zaitz,D; Isola,M; Moreno,R; Taquetto,R. Data Manager. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

Iniciação científica
1.
Thales Mota Braga. Estudo, simulação e caracterização elétrica de portas lógicas operando em ambientes hostis. 2018. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

2.
Letícia Micehele Dal'Cól Vilela. Estudo de transistores MOSFETs comerciais operando em alta temperatura. 2017. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

3.
Carlos Augusto Bergfeld Mori. Estudo transistores 3D em baixas temperaturas. 2013. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

4.
Alberto vinícius de Oliveira. Estudo da Influência dos estados de interface nos parâmetrosbásicos de transistores SOI MOSFETs. 2012. Iniciação Científica - Centro Universitário da FEI (SBC), Fundação Educacional Inaciana. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

5.
Carolina de Fátima Garcez Sanavio. ESTUDO DE MODELOS DE SIMULAÇÃO SPICE APLICADOS A INVERSORES CMOS OPERANDO EM DIFERENTES TEMPERATURAS. 2010. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.

6.
JOCEMAR FRANCISCO DE SOUZA LUCIANO. Estudo e Simulação Numérica das Características Elétricas de Transistores FinFETs. 2009. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, Fundação Educacional Inaciana. Orientador: Paula Ghedini Der Agopian.



Educação e Popularização de C & T



Cursos de curta duração ministrados
1.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P.G.D. ; Rangel, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

2.
MARTINO, J A ; AGOPIAN, P. G. D. ; Rangel, R. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. 2017. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).



Outras informações relevantes


1.Chapter Vice-Chair da South Brazil Section da Electron Devices Society (EDS) do IEEE desde março de 2011; 
2. Senior Member da IEEE desde 2015;
3.Conselheiro eleito da Sociedade Brasileira de Microeletrônica para o período 2015-2018.



Página gerada pelo Sistema Currículo Lattes em 11/12/2018 às 5:46:33