Victor Sonnenberg

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  • Última atualização do currículo em 07/03/2018


Possui graduação em Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica pela Fundação Armando Álvares Penteado - FAAP(1991), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (1996) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2001). Atualmente é pesquisador associado ao Laboratório de Sistemas Integrados da Universidade de São Paulo (LSI-USP), professor titular (pleno) da FATEC/SP do CEETPS e adjunto I do Centro Universitário da FEI. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: Capacitor MOS e SOI, caracterização elétrica, Cargas no óxido, transistor MOS e SOI e fabricação de componentes básicos. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Victor Sonnenberg
Nome em citações bibliográficas
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor

Endereço


Endereço Profissional
Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.
Pça Cel. Fernado Prestes,30
Bom Retiro
01124060 - São Paulo, SP - Brasil
Telefone: (11) 33222217
Fax: (11) 33150383
URL da Homepage: http://www.fatecsp.br


Formação acadêmica/titulação


1997 - 2001
Doutorado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI através de Capacitores, Ano de obtenção: 2001.
Orientador: Prof Dr. João Antonio Martino.
Palavras-chave: Capacitor; Tecnologia SOI; Caracterização.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Educação.
1992 - 1996
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (T=77K),Ano de Obtenção: 1996.
Orientador: Prof Dr. João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: Soi Mosfet; Baixa Temperatura; Sublimiar.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Educação.
1987 - 1991
Graduação em Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica.
Fundação Armando Álvares Penteado, FAAP, Brasil.




Atuação Profissional



Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

2009 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: pesquisador, Carga horária: 20


Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, CEETEPS, Brasil.
Vínculo institucional

1993 - Atual
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular (pleno), Carga horária: 39

Atividades

10/2014 - Atual
Direção e administração, FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO, .

Cargo ou função
Suplente de chefe do Departamento do Sistemas Eletrônicos.
5/1996 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.

2/1994 - Atual
Ensino, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Estruturas de Caracterização de Processo e Componentes (4 Aulas semanais)
Processo de Fabricação de Componentes Semicondutores (4 Aulas semanais)
Técnica de Extração de Parâmetros de Processos (4 Aulas semanais)
02/2005 - 12/2017
Conselhos, Comissões e Consultoria, FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO, .

Cargo ou função
Membro de colegiado superior (Congregação).
04/2008 - 09/2010
Direção e administração, FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO, .

Cargo ou função
Suplente de Chefe de Departamento do MPCE.
2/2000 - 12/2003
Direção e administração, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.

Cargo ou função
Coordenador do curso MPCE.
2/2000 - 12/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.

Cargo ou função
Membro de colegiado superior Congregação.

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros, FEI, Brasil.
Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor adjunto I, Carga horária: 14

Atividades

8/2000 - Atual
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Eletrônica I, II e III
Microeletrônica
Simulação de Circuitos e Dispositivos
Circuitos Elétricos

Fundação Armando Álvares Penteado, FAAP, Brasil.
Vínculo institucional

1996 - 2000
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Carga horária: 4

Atividades

2/1996 - 12/2000
Ensino, Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Eletrônica I


Linhas de pesquisa


1.
Caracterização Elétrica de Componentes Semicondutores
2.
Fabricação de capacitores MOS


Projetos de pesquisa


2012 - Atual
Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados para aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transistor (sem capacitor)

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013.
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (4) .
Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.
2010 - 2012
Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013.
Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) .
Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.
2009 - 2013
Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de Transistores SOI FINFET
Descrição: Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (9) / Doutorado: (7) .
Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2009 - 2011
Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013.
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (5) .
Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.
2009 - Atual
Instituto Nacional de Ciências e Tecnologia (INCT) de Sistemas Micro e Nanoeltrônicos
Descrição: INCT de de Sistemas Micro e Nanoeltrônicos, Processo CNPQ 573738/2008-4 e FAPESP 2008/57862-6.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2008 - 2010
Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013.
Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.478437/2007-2) tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Doutorado: (5) .
Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.


Membro de corpo editorial


2006 - 2010
Periódico: Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
2.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos/Especialidade: Circuitos Eletrônicos.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
ITOCAZU, V.2017ITOCAZU, V. ; Sonnenberg, Victor ; MARTINO, JOAO A. ; SIMOEN, EDDY ; E. Simoen . Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 12, p. 82-88, 2017.

2.
ITOCAZU, V.2017ITOCAZU, V. ; SASAKI, K. R. A. ; Sonnenberg, Victor ; MARTINO, J ; CLAEYS, COR ; SIMOEN, EDDY . Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 12, p. 101-106, 2017.

3.
SANTOS, EMERSON ROBERTO2016SANTOS, EMERSON ROBERTO ; MORAES, JOSÉ IGOR BALBINO DE ; TAKAHASHI, CHRISTINE MIWA ; Sonnenberg, Victor ; BURINI, ELVO CALIXTO ; YOSHIDA, SATORU ; TAKIMOTO, HERICK GARCIA ; ONMORI, ROBERTO KOJI ; HUI, WANG SHU . Low cost UV-Ozone reactor mounted for treatment of electrode anodes used in P-OLEDs devices. Polímeros: ciência e Tecnologia, v. 1, p. 1-10, 2016.

4.
CHRISTIANO, V.2013CHRISTIANO, V. ; SONNENBERG, V. ; S. G. Santos . Modelo de corrente de fuga para aluminato de háfnio utilizando medidas de capacitância-tensão. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, v. BT/35, p. 22-28, 2013.

5.
DOS SANTOS FILHO, S.G.2012 DOS SANTOS FILHO, S.G. ; SONNENBERG, V. ; HORA, W.G. ; DA SILVA, D.M. ; KASSAB, L.R.P. . Effects of thermal annealing on the semi-insulating properties of radio frequency magnetron sputtering-produced germanate thin films. Thin Solid Films, v. online, p. in press-2700, 2012.

6.
GOZZI, Giuliano2011GOZZI, Giuliano ; Christiano, V. ; SONNENBERG, V. ; dos Santos Filho, S. G. . CARACTERIZAÇÃO DE FILMES HIGH-K Al2O3 COMO DIELÉTRICOS DE PORTA PREPARADOS POR ANODIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE ALUMÍNIO. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, v. BT32, p. 6-11, 2011.

7.
RODRIGUES, Michele2010RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS EM TRANSISTOR DE PORTA TRIPLA (SOI FINFET) DE ÓXIDOS ULTRA FINOS USANDO CURVAS CAPACITÂNCIA x TENSÃO. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, v. BT28, p. 20-24, 2010.

8.
RODRIGUES, Michele2008RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Parameters Extraction from C-V Curves in Triple-Gate FinFET. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 3, p. 77-81, 2008.

9.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2007SONNENBERG, V.; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Estudo dos efeitos da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em capacitores MOS. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, v. BT/22, p. 5-10, 2007.

10.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2005 SONNENBERG, V.; MARTINO, J . SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics, inglaterra, v. 49, n.1, p. 109-116, 2005.

11.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2005SONNENBERG, V.; NICOLETT, Aparecido S ; MARTINO, João Antonio . Extração de Parâmetros da Tecnologia SOI através de Capacitores. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. BT18, p. 5-13, 2005.

12.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2005SONNENBERG, V.; NICOLETT, Aparecido S ; MARTINO, João Antonio . Estudo do Comportamento da Resistência Série em Transistores SOI nMOSFET's de Camada Fina. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. BT18, p. 21-29, 2005.

13.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2003SONNENBERG, V.; NICOLETT, Aparecido S . Transistores MOSFETS Fabricados na Tecnologia de Silício sobre Isolante - SOI MOSFET: A Caminho do Futuro. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. BT14, p. 14-23, 2003.

14.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2001SONNENBERG, V.; MARQUES, Angelo e B ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; NAVIA, Alan Rodrigues ; MARTINO, João Antonio . Physical and Electrical Characterization of Thin Nicckel Films Obtained from Electroless Plating onto Aluminum. Physica Status Solidi. A, Applied Research, Berlin, v. 187, n.1, p. 75-84, 2001.

15.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor2000SONNENBERG, V.; NAVIA, Alan Rodrigues ; MARQUES, Angelo e B ; MARTINO, João Antonio ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Caracterização Elétrica de Filmes de Níquel Obtidos por Depsição Química Espontânea sobre Aluminio, através de Capacitores MOS. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. BT08, p. 5-9, 2000.

16.
Sonnenberg, Victor1999 Sonnenberg, Victor; MARTINO, João Antonio . Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction. Solid-State Electronics, Inglaterra, v. 43, p. 2191-2199, 1999.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
ITOCAZU, V. T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; BARRAUD, S. ; VINET, M. ; FAYNOT, O. . Analog parameters on pMOS SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width for different back gate bias. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 192.

2.
SILVA, V. C. P. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Subthreshold region analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with different channel lengths and silicon thickness. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

3.
ITOCAZU, VITOR T. ; ALMEIDA, LUCIANO M. ; Sonnenberg, Victor ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

4.
ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Influence of different UTBB SOI technologies on analog parameters. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1.

5.
ITOCAZU, V. ; SASAKI, K. R. A. ; MANINI, M. B. ; Sonnenberg, Victor ; MARTINO, J. A. ; E. Simoen ; C. Claeys . Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes. In: 227 th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions, 2015. v. 66. p. 109-115.

6.
ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Ground Plane influence on UTBB SOI nMOSFET analog parameters. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1.

7.
MARTINO, João Antonio ; SONNENBERG, V ; ITOCAZU, V. ; E. Simoen ; C. Claeys . Substrate Effect on Threshold Voltage of long and short channel UTBB SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2014 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona / Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1.

8.
ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Influence of high temperature on substrate effect of UTBB SOI nMOSFETs. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1.

9.
ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Substrate effect on UTBB SOI nMOSFET. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1.

10.
CHRISTIANO, VERONICA ; Sonnenberg, Victor ; DOS SANTOS, SEBASTIAO G. . Leakage modeling of AlHfO<inf>3.5</inf> semi-insulating dielectrics for power devices. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1.

11.
SONNENBERG, V.; ITOCAZU, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; C. Claeys . Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs With and Without Ground Plane. In: 222nd ECS Meeting Semiconductor-on- Insulator, 2013, Canadá. ECS Transactions., 2013. v. 53. p. 85-91.

12.
MARTINO, J ; Sonnenberg, Victor ; GALETI, M. ; AOULAICHE, M. ; E. Simoen ; CLAYES, C. . Transistor-Based Extraction of Carrier Lifetime and Interface Traps in Silicon-on-Insulator Materials. In: High Purity Silicon 12 - 222nd meeting of the ECS, 2012, Honolulu - Hawai. ECS Transactions.. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 225-236.

13.
ITOCAZU, V. ; Sonnenberg, Victor ; E. Simoen ; C. Claeys ; MARTINO, João Antonio . Analysis of the Silicon Film Thickness and the Ground Plane Influence on Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFETs. In: : Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasilia. ECS Transactions.. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 511-517.

14.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V ; MARTINO, João Antonio ; N. Collaert ; E. Simoen ; C. Claeys . Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices. In: 219th ECS Meeting - Symposium: E8 - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15, 2011, Montreal, Canadá. ECS Transactions. New York: The Electrochemical Society, Inc, 2011. v. 35. p. 151-156.

15.
SONNENBERG, V; V. Christiano ; G. Gozzi ; SANTOS FILHO, S. G. . Conductance Modeling of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. In: 25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010, 2010, São Paulo. Proceedings of the 25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010. New Jersey: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 333-340.

16.
G. Gozzi ; V. Christiano ; S. A. Conceição ; SONNENBERG, V. ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Characterization of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. In: 24th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2009, 2009, Natal / Rio Grande do Norte. Proceedings of the 24th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2009. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 11-17.

17.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Corner Effect on Capacitance-Voltage Curves in Triple Gate FinFET. In: 23th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2008, 2008, Gramado. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2008. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 223-231.

18.
SONNENBERG, V.; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance-Voltage Curves. In: 22nd International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 9-18.

19.
RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of the Tunneling Gate Current in C-V Curves. In: 21st International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006, 2006, Ouro Preto. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 301-307.

20.
SONNENBERG, V.; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Simple Method to Determine the Polysilicon Gate Doping Concentration Based on Poly Depletion Effect. In: 20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2005, 2005, Florianópolis. Proceedings of the 20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2005. Pennington,NJ,USA: The Electrochemical Society, 2005. v. 2005-8. p. 180-187.

21.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . Parameter Extraction of the Graded Channel SOI Capacitor. In: 4st IEEE Latin American Test Workshop (LATW03), 2003, Natal. 4st IEEE Latin American Test Workshop (LATW03), 2003. p. 248-251.

22.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded Channel SOI Capacitor. In: 18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the 18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003. Pennington,NJ,USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. 2003-9. p. 38-47.

23.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . Determining of the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-NMOS Gate Capacitor. In: 17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of the 17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 2-11.

24.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . Determination of Silicon Film Doping Concentration and Back Oxide Density using SOI-MOS Capacitor. In: 10th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 2001, Washington. Proceedings of the 10th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 2001. v. 2001-3. p. 109-115.

25.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . New Methods for Determining the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. In: International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis. Anais do SBMICRO 2001-XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 28-33.

26.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Determination of Silicon Film Thickness in SOI Capacitors. In: 1ST IEEE Latin American Test Workshop, 2000, Rio de Janeiro. Anais do 1ST IEEE Latin American Teste Workshop, 2000. p. 181-184.

27.
NAVIA, Alan Rodrigues ; SONNENBERG, V. ; MARQUES, Angelo e B ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; MARTINO, João Antonio . Electrical Characterization of Thin Nickel Films Obtained from electroless Plating onto Aluminum Gate of MOS Capacitors. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. Anais do SBMICRO 2000-XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 286-291.

28.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . Determination of Oxide Charge Density at the Gate Oxide/Silicon Film Interface in SOI-MOS Capacitor. In: International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. Anais do SBMICRO 2000-XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 208-212.

29.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Determination of Silicon Film Thickness by SOI-MOS Capacitor without the Influence of Accumulation Layer. In: International Conference on Microeletronics and Packaging, 1999, Campinas. Anais do ICMP'99-International Conference on Microeletronics and Packaging, 1999. p. 295-297.

30.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . A Simple Method to Extract the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: 9th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 1999, Seattle. Proceedings of the 9th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 1999. v. PV99-3. p. 189-194.

31.
SONNENBERG, V.; MARTINO, João Antonio . A New Method for Determination of the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging, 1998, Curitiba. Anais do ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging, 1998. p. 564-569.

32.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Influence of the Back Interface Accumulation on the Interface Traps Density Extraction in Thin Film SOI nMOSFET. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - Minas Gerais. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997. v. CD-ROM.

33.
SIMOEN, E. ; CLAYES, C. ; LUKYANCHICOVA, N. ; PETRICHUK, M. ; GARBUR, N. ; MARTINO, J. A. ; SONNENBERG, V. . Extraction of the Interface and Oxide Charge Density in Silicon-On-Insulator MOSFET's. In: 7th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 1996, Los Angeles. Proceedings of the 7th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington ,NJ: Electrochemical Society, 1996. v. PV96-3. p. 309-317.

34.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Analysis of the Subthreshold Slope Transition Region in SOI nMOSFET. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia - São Paulo. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996. p. 333-338.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Simple Method to Reduce the Transient Effect in SOI nMOSFET at 77k. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia - São Paulo. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996. p. 428-430.

Resumos publicados em anais de congressos (artigos)
1.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor1999 SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Simple Method for Minimizing the Transient Effect in SOI MOSFET at Low Temperature. Electrochemical And Solid State Letters, Estados Unidos, v. 11, p. 585-586, 1999.

2.
SONNENBERG, V.;SONNENBERG, V;Sonnenberg, Victor1998 SONNENBERG, V.; MARTINO, J. A. . Influence of Accumulation Layer on Interface Trap Density Extraction. Electronics Letters, Inglaterra, v. 34, p. 2439-2441, 1998.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
AGOPIAN, P. G. D.; SONNENBERG, V; ANDRADE, M. G. C.. Participação em banca de Luís Felipe Vicentis Caparroz. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

2.
PETRACONI FILHO, G.; MASSI, M.; GRIGOROV, K. G.; Sonnenberg, Victor. Participação em banca de Gabriela Leal. Estudo de Filmes Finos de Carbeto de Silicio para Aplicação em Sensores Piezoresistivos. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Aeronâutica e Mecânica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

3.
MARTINO, João Antonio; SONNENBERG, V.; Gimenes, S. P.. Participação em banca de Leonardo Navarenho de Souza Fino. Estudo experimental do OCTO SOI MOSFET para a implementação de circuitos integrados analógicos e digitais. 2012. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

4.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Cesar Augusto Alves de Souza. Caracterização Elétrica de oxinitretos de Silício Ultrafinos para porta PMOS obtidos por Implantação de Nitrogênio na Estrutura Si-Poli/Sio2/Si. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

5.
Marcello Bellodi; SANTOS FILHO, S. G.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Ana Paula Borges Ziliotto. Avaliação do Comportamento Elétrico de Capacitores MOS em Altas Temperaturas. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros.

6.
SONNENBERG, V.; OKA, M. M.; FONSECA, F.. Participação em banca de Flávio Sousa Silva. Estudo do Fenômeno de Formação de Gotas de Solda durante a Montagem da Placas de Circuitos Impressos por Tecnologia de Montagem em Superfície (SMT). 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Teses de doutorado
1.
GIACOMINI, R. C.; SONNENBERG, V; NICOLETT, Aparecido S; REGIS, T. N.; s martinie. Participação em banca de Arianne Soares do Nascimento Pereira. Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta simétricos e assimétricos. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.

2.
PAVANELLO, M. A.; SONNENBERG, V; SANTOS, R. B. B.; MANERA, L. T.; ANDRADE, M. G. C.. Participação em banca de Genaro Mariniello da Silva. Estudo das propriedades térmicas de transistores MOS nanométricos. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.

3.
E. A. Barros; SONNENBERG, V; Ricardo Cury Ibrahim; ZAVAGLIA, C. A. C.; Eduardo Acedo Barbosa. Participação em banca de Victor Inácio de Oliveira. Estudo de dispositivos CMUTS fabricados com métodos e materiais alternativos para aplicação potencial em ensaios não destrutivos. 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade de São Paulo.

4.
Ricardo Cury Ibrahim; SONNENBERG, V; ZAVAGLIA, C. A. C.; Delson Torikai; Vicente Afonso Ventrella. Participação em banca de Lucas Gonçalves Dias Mendonça. Desenvolvimento de um Micro-Transdutor acústico capacitivo. 2013. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade de São Paulo.

5.
MARTINO, João Antonio; SONNENBERG, V; SANTOS FILHO, Sebastião G dos; Antonio Luia Pacheco Rotandaro; Fernando Josepetti Fonseca. Participação em banca de Luciano Mendes Almeida. Estudo de Célula de Memória Dinâminca de apenas um Transistor SOI de óxido Enterrado Ultrafino. 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

6.
SANTOS FILHO, Sebastião G dos; MORIMOTO, N. I.; Mário Ricardo Gongora Rubio; SONNENBERG, V.; Yoshiaki Dói. Participação em banca de Alexandre Ichiro Hashimoto. Estudo da Deposição Química de Cobalto em Superfícies de Silício Pré-Ativadas por Paládio. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

7.
Inés Pereyra; DINIZ, J. A.; SANTOS FILHO, S. G.; SWART, J. W.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Kátia Franklin Albertin. Estudo de Camadas Dielétricas para Aplicação em Capacitores MOS. 2007. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

8.
Maria Cecilia Salvadori; SANTOS FILHO, Sebastião G dos; Marcelo Carreño; Mauro Cattani; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Deilton reis Martins. Análise Quantitativa na Fidelidade de Microestruturas em Réplicas de Diamente e Rocobrimento de DLC. 2006. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

9.
SONNENBERG, V.; SANTOS FILHO, S. G.; MARTINO, João Antonio; SWART, J. W.; DINIZ, J. A.. Participação em banca de Willian Aurelio Nogueira. Obtenção de Óxidos de Porta MOS Ultrafinos: Influência da Limpeza Química e Estudo da Ruptura Dielétrica. 2003. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Trabalhos de conclusão de curso de graduação
1.
SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; K. Franklin. Participação em banca de Tiago Marques Fraga.Caracterização Elétrica e Extração de Parâmetros de Capacitores MOS com óxido de Alumínio (Al2O3). 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

2.
K. Franklin; ZAMBOM, Luis da Silva; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Bruno Akio Mota Nobaro e Takuya Niwa.Estudo de filmes de TiOxNy e sua aplicação em capacitores MOS como camada dielétrica. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

3.
KASSAB, L. R. P.; SONNENBERG, V.; Martinelli, J. R.. Participação em banca de Leonardo Bontempo.Caracterização Elétrica de Filmes Finos de TeO2-ZnO Preparados com Au2O3 por Sputtenring. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

4.
RICOTTA, R. M.; Eduardo Acedo Barbosa; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Luiz Gustavo dos Santos Alves.Diodo Túnel. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

5.
MARTINO, J. A.; ZAMBOM, Luis da Silva; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Jeferson André da Silva.Caracterização de Tecnologia MOS fabricado no LSI. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

6.
ZAMBOM, Luis da Silva; SANTOS FILHO, S. G.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Sthefane Alves da Conceição.Fabricação de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta.. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

7.
ZAMBOM, Luis da Silva; SANTOS FILHO, Sebastião G dos; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Verônica Christiano.Caracterização elétrica de Capacitores MOS com óxido de alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

8.
AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Leonardo Primante Santos.Projeto de máscaras com dispositivos e estruturas de teste usando o Microwind. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

9.
PJB Marcos; SONNENBERG, V.; H. Furlan. Participação em banca de Mirian Oliveira da Silva.Construção de um CLP Didático. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

10.
Eduardo dos Santos Ferreira; SONNENBERG, V.; Roberto Katsuhiro Yamamoto. Participação em banca de Marcelo Mamoru Ono.Hardware e Software para Medições das Potências Ativa, Reativas e Aparentes. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

11.
Roberto Katsuhiro Yamamoto; Edson Moriyoshi Ozono; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Christos Aristóteles Harissis.Monitoração de Buchas de Alta e Extra-Alta Tensão através da Medição de Correntes de Fuga. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

12.
MARTINO, J. A.; AGOPIAN, P. G. D.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Sara Dereste dos Santos.Comparação entre o Transistor SOI MOSFET de Porta Única (Single-Gate) e Porta dupla (double Gate). 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

13.
FONTES, M. B. A.; ZAMBOM, Luis da Silva; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Fábio Luis Hajpek.Sensores para detecção de Hidrogênio. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

14.
SONNENBERG, V.; NICOLETT, Aparecido S; Juliana Cardoso. Participação em banca de Livia Hernades Martim.Desenvolvimento de programas de controle dos equipamentos HP4140 e HP4145. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

15.
ZAMBOM, Luis da Silva; FONTES, M. B. A.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Daniel Diego Loureiro.Caracterização elétrica de estruturas MOS com diferentes etapas de processos. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

16.
VIANA, C. E.; Roberto Katsuhiro Yamamoto; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Alex Satochi Abe.Contribuição para o Estudo das Propriedades de Filmes de Silício Policristalino Obtidos por LPCVD e Dopados de P e de B. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

17.
SONNENBERG, V.; FONTES, M. B. A.; João Eduardo Kogler Jr.. Participação em banca de Ricardo Barbosa de Lima.Desenvolvimento de programa para controle do equipamento HP4280 via LabVIEW. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

18.
FONTES, M. B. A.; SONNENBERG, V.; Antonio Willian Lima. Participação em banca de Fernando Luis de Almeida.Montagem e caraterização de catetes para biossensores. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

19.
SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; Willian Aurélio Nogueira. Participação em banca de Fabricação e caracterização elétrica de Capacitores MOS.Rodrigo de Jesus Marques. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

20.
Ricardo Cury Ibrahim; FONTES, M. B. A.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Lucas Gonçalves Dias Mendonça.Micro-sensor para Medição de Concentração de uma Mistura de Dois Líquidos. 2005. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

21.
SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; TOQUETTI, Leandro Zeidan. Participação em banca de Cesar Augusto Alves de Souza.Caracterização Elétrica da Eficiência da Limpeza Química inicial e Oxidação Térmica de porta através de Capacitores MOS. 2004. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

22.
SONNENBERG, V.; SOARES JR, J. N.; MOREIRA, L. C.. Participação em banca de Fernando Pedro Henriques de Miranda.Divisor de Freqüência N/N+1. 2003. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

23.
SONNENBERG, V.; VIANA, C. E.; GONÇALVES, L. C. D.. Participação em banca de João Luiz dos Reis Santos.Influência do Fluxo de TEOS e da Exposição da Interface Si/SiO2 ao Plasma Obtido por PECVD. 2003. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

24.
SONNENBERG, V.; RICOTTA, R. M.; MORIMOTO, N. I.. Participação em banca de Cristiane Cabral de Melo.Análise de Textura e Determinação do Tamanho da Concha do Barnacle Austromegalolanus Psittacus. 2002. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

25.
SONNENBERG, V.; SIMÕES, E. W.; FONTES, M. B. A.. Participação em banca de Marcio Vieira de Melo.Sensores Integrados Aplicados à Área de Aviação. 2002. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

26.
SONNENBERG, V.; MORIMOTO, N. I.; OKA, M. M.. Participação em banca de Isaias Ribeiro da Costa.Condução Elétrica e Térmica de um Metal na Teoria Semiclássica. 2001. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

27.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Eduardo Fonseca Braga.Caracterização Elétrica da Camadas de Silício Poroso. 2001. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

28.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Rogério Alexandre Cabral.Análise Experimental e Teórica dos Dados da produção pra Determinação da Estudo da Tecnologia SOI e Comparação com a Tecnologia Convencional. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

29.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Gerson dos Santos.Análise e Projeto de Fontes de Alimentação Aplicadas à Dispositivos de Microondas. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

30.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Alan Rodrigo Navia.Estudo da Deposição Química Espontânea de Níquel e Caracterização através de Capacitores MOS. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

31.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Angela Christina Finholdt Baratelli e Gabriel de Andrade.Projeto e construção de câmara de teste de eletrodos de tocha de plasma. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

32.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Wanderson Rodrigues Mendes.Sensores Térmicos. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

33.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Eliana Akemi Watanabe.Datação de sedimentos de Dunas do litoral Paulista, SP, pelos Métodos da Termoluminescência (TL) e Luminescência Opticamente Estimulada (LOE). 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

34.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Marcos Antonio de Oliveira Augusto.Interface Registrador XY Hewlett Packard - IBM PC. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

35.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Enrique Klai de França.Termoluminescência e Ressonância de Spin Eletrônico de Cristais de Apatita Aplicadoa à Datação de Formações Geológicas. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

36.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Carlos Alexandre Garcia Martines e Laurentino da Costa Lorit.Projeto e Confecção de uma Estufa com Capacidade de Controle de Temperatura. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

37.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Alexandre Eiji Furukawa.Aquisição de Dados para Caracterização de Microdispositivos Fluídicos. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

38.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Mario Dreik Pierozzi Matijascic.Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

39.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Paulo Alexandre Sacrini.Dinamômetro Digital. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

40.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Roberto Eduardo Bruzetti Leminski.Estudo de Microestruturas de Silício. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

41.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Douglas Gomes dos Santos.Programa de Controle e Aquisição de Dados do Equipamento HP 4145B. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

42.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Leandro Paula de Carvalho.Levantamento da Temperatura Local no Substrato de Si, Utilizando um Diodo Semicondutor PN e um Resistor Difundido. 1997. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

43.
SONNENBERG, V.. Participação em banca de Luciano Ferrari e Ulisses Nogueira Lima.Caracterizador Elétrico Estatístico de Dispositivos Semicondutores. 1997. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
Roberto Katsuhiro Yamamoto; SONNENBERG, V.; FONTES, M. B. A.. Auxiliar docente para a a área de engenharia elétrica da Coordenadoria de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos ? Processo 3330/2006 em 26/06/2007. 2007. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

2.
NICOLETT, Aparecido S; SONNENBERG, V.; Eduardo dos Santos Ferreira. Professor para a área de engenharia elétrica - disciplina Eletricidade Aplicada I e II ? Processo 2457/2005 em 25 e 26/05/2006. 2006. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

3.
NICOLETT, Aparecido S; SONNENBERG, V.; Eduardo dos Santos Ferreira. Auxiliar docente para a disciplina Eletricidade Aplicada I e II ? Processo 1381/2005 em 11/05/2006. 2006. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

4.
SONNENBERG, V.; Antônio Carlos da Fonseca Bragança Pinheiro; Mauricio Massazumi Oka. Professor para a área de engenharia elétrica - disciplina Eletricidade Aplicada I e II - Processo 2808/2004 em 04 e 05/04/2005. 2005. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

5.
SONNENBERG, V.. Professor para a disciplina Eletricidade Aplicada I e II - Processo 2491/2002 em 14 e 15/06/2003. 2003. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

6.
SONNENBERG, V.. Auxiliar docente das disciplinas Eletrônica I,II e III e Microprocessadores I, II e III - Processo 1723/2000 em 31/08/2000. 2000. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

7.
SONNENBERG, V.. Professor a nível de Assistente da disciplina Microprocessadores I e II - Processo 3210/1997 em 30 e 31/08/2000. 2000. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Avaliação de cursos
1.
SONNENBERG, V.; Roger, L. L. B. Processo: CEE no 209/2010.- Renovação do Reconhecimento do Curso de Tecnologia Eletrônica com ênfase em Telecomunicações -Portaria CEE-GP no 258/2010. 2010. Centro Universitário Fundação Santo André.

2.
SONNENBERG, V.. Processo: CEE no 543/2001.Interessado: Faculdade de Engenharia do campus de Bauru (UNESP). Assunto: Renovação de reconhecimento do Curso de Engenharia Elétrica.Portaria CEE-GP no 85, de 14/02/2008, publicada no DOE de 26/03/2008, Seção I, p.19.. 2008. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

3.
SONNENBERG, V.. Processo: CEE no 575/2001. Interessado: Faculdade de Engenharia do campus de Guaratinguetá (UNESP). Assunto: Renovação de reconhecimento do Curso de Engenharia Elétrica. Portaria CEE-GP no 614, de 22/11/2007, publicada no DOE de 24/11/2007, Seção I, p.125.. 2007. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

4.
SONNENBERG, V.; PRADO, Pedro Paulo Leite Do. Processo: CEE no 20/2005. Interessado: Centro Universitário Fundação Santo André. Assunto: Reconhecimento do Curso de Tecnologia Eletrônica com ênfase em Telecomunicações. Comissão de Especialistas: Prof. Dr. Pedro Paulo Leite do Prado e Prof. Dr. Victor Sonnenberg, consultores do CEE, conforme Portaria CEE-GP no 144/2005, de 02/06/2005, publicada no DOE de 03/06/2005, Seção I, p.19. 2005. Centro Universitário Fundação Santo André.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
227 th ECS Meeting.Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes. 2015. (Simpósio).

2.
29th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2014. Influence of High Temperature on Substrate Effect of UTBB SOI nMOSFET. 2014. (Congresso).

3.
222nd ECS Meeting Semiconductor-on- Insulator.Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs With and Without Ground Plane. 2013. (Simpósio).

4.
28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013,. Substrate effect on UTBB SOI nMOSFET. 2013. (Congresso).

5.
27th Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012. Analysis of the Silicon Film Thickness and the Ground Plane Influence on Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFETs. 2012. (Congresso).

6.
219th ECS Meeting - Symposium: E8 - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices. 2011. (Congresso).

7.
25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010.Conductance Modeling of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. 2010. (Simpósio).

8.
23th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2008.Corner Effect on Capacitance-Voltage Curves in Triple Gate FinFET. 2008. (Simpósio).

9.
22nd International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007.Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance-Voltage Curves. 2007. (Simpósio).

10.
21st International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006.Influence of the Tunneling Gate Current in C-V Curves. 2006. (Simpósio).

11.
20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2005.Simple Method to Determine the Polysilicon Gate Doping Concentration Based on Poly Depletion Effect. 2005. (Simpósio).

12.
18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003.Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded Channel SOI Capacitor. 2003. (Simpósio).

13.
17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002.Determining of the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-NMOS Gate Capacitor. 2002. (Simpósio).

14.
International Conference on Microelectronics and Packaging.New Methods for Determining the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. 2001. (Simpósio).

15.
1ST IEEE Latin American Test Workshop. Determination of Silicon Film Thickness in SOI Capacitors. 2000. (Congresso).

16.
International Conference on Microeletronics and Packaging.A Simple Method to Extract the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. 1999. (Simpósio).

17.
ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging. New Method for Determination of the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. 1998. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Thyago Vieira Calaça. Construção de um Sistema de Irrigação Inteligente. Início: 2017. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. (Orientador).

Iniciação científica
1.
Sidinei dos Santos Sousa. Spinner de Baixo Custo, Compacto e Controlado por Arduíno. Início: 2017. Iniciação científica (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Tese de doutorado
1.
Michele Rodrigues. Caracterização Elétrica de Capacitores de Porta de transistores FinFET. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Victor Sonnenberg.

Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Bruno Siqueira Dias, Richard F. Pereira e Pedro N. Flório. Construção de Segway de Baixo Custo. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

2.
Cássio Benedito Casarotti, Elieser do Ó Araújo e Rafael Henr. DESENVOLVIMENTO DE UM MODELO DE ?HOVERCRAFT. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

3.
Albano de Almeida. Estudo de Encapsulamento em Dispositivos OLEDs. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

4.
Daniele Yoshie Tanaka e Renan Gazola Fernandes. FURADEIRA CNC DE PEQUENO PORTE. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

5.
Tiago Carapinheiro Siqueira. Comparação das tecnologias SOI Ultra fina (UTBB) e MUgFET.. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

6.
Vanessa Cristina Pereira da Silva. Estudo por Simulação de Transistores de Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos com Diferentes Comprimentos de Canal. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

7.
José I. B. de Moraes. Estudo da Camada de TCO e d PVK em Dispositivos OLEDs e Elaboração de um reator de UV Ozônio. 2013. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

8.
Leonardo Primante Santos. Projeto de máscaras com dispositivos e estruturas de teste usando o Microwind. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

9.
Jeferson André da Silva. Caracterização de tecnologia MOS fabricado no LSI. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp. Orientador: Victor Sonnenberg.

10.
Daniel Diego Loureiro. Caracterização elétrica de estruturas MOS com diferentes etapas de processos. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp. Orientador: Victor Sonnenberg.

11.
Alex de Macedo e Peter Lubomir Polak. Análise Experimental e Teórica dos Dados da produção pra Determinação da Taxa de Falhas Prematuras de Placas com Tecnologia de Montagem em Superfície (SMT). 2002. 40 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

12.
Alan Rodrigues Navia. Estudo da Deposição Química espontânea de Níquel e Caracterização através de Capacitores MOS. 2000. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Victor Sonnenberg.

13.
Rogério Alexandre Cabral. Estudo da Tecnologia SOI e Comparação com a Tecnologia Convencional. 2000. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

14.
Gerson dos Santos. Análise e Projeto de Fontes de Alimentação Aplicadas à Dispositivos de Microondas. 2000. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

15.
Marcos Antonio de Oliveira Augusto. Interface Registrador XY Hewlett Packard - IBM PC. 1999. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

16.
Mario Dreik Pierozzi Matijascic. Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET. 1998. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Victor Sonnenberg.

17.
Paulo Alexandre Sacrini. Dinamômetro Digital. 1998. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza. Orientador: Victor Sonnenberg.

Iniciação científica
1.
Anderson Daniel Moreira do Nascimento. Estudo de Material Emissor em OLEDs Utilizando Polifluoreno Misturado Com Alq3. 2017. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

2.
Gabriel Favero Poço. Comparação do Desempenho de Dispositivos OLEDs Comercial e Montado em Laboratório. 2014. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

3.
Ivan Rodrigues Costa. Estudo de Diferentes Solventes em Filmes com PVK para Dispositovos P-OLEDs. 2011. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

4.
Erick V. Guerra. Estudo do desempenho de dispositivos poliméricos eletroluminescentes utilizando camada de PDOT:PSS. 2010. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

5.
Tiago Marques Fraga. Fabricação e Caracterização Elétrica de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta.. 2009. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

6.
Sthefane Alves da Conceição. Fabricação de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta.. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

7.
Verônica Christiano. Caracterização elétrica de Capacitores MOS com óxido de alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

8.
Livia Hernandes Martim. Desenvolvimento de programa para controle do equipamento HP4145 via LabVIEW. 2007. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

9.
Ricardo Barbosa de Lima. Desenvolvimento de programas de controle do equipamento HP4280 via labview. 2006. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Victor Sonnenberg.

10.
Rodrigo de Jesus Marques. Fabricação e caracterização elétrica de Capacitores MOS. 2006. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Victor Sonnenberg.

11.
Cesar Augusto Alves de Souza. Caracterização Elétrica da Eficiência da Limpeza Química inicial e Oxidação Térmica de porta através de Capacitores MOS. 2004. 78 f. Iniciação Científica. (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Victor Sonnenberg.




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