Weslley Souza Patrocinio

Possui curso técnico em Mecânica de Usinagem (SENAI São Carlos), graduação em Bacharelado em Física, com ênfase em computação, e mestrado em Fìsica Aplicada pelo Instituto de Física de São Carlos (Universidade de São Paulo). Possui 2 anos de experiência na indústria metalúrgica e de eletrodomésticos, e cerca de 5 anos no desenvolvimento e aplicação de simulações computacionais de propriedades eletrônicas, óticas e magnéticas de materiais semicondutores, usando computação de alto desempenho e TI. Possui como especialidade o desenvolvimento e implementação de modelos numéricos para sistemas físicos e estatísticos. Além disso, possui conhecimentos na área de propriedade intelectual/industrial, assim como algumas experiências com ensino superior. Atualmente trabalha como pesquisador e administrador do centro de processamento de dados do Centro de Pesquisas Avançadas Wernher von Braun, atuando na área de novos materiais para microeletrônica e nanotecnologia em geral.
(Texto informado pelo autor)

Última atualização do currículo em 26/01/2011
Endereço para acessar este CV:
http://lattes.cnpq.br/2582830580370124
Dados pessoais
NomeWeslley Souza Patrocinio
Nome em citações bibliográficasPATROCINIO, W. S.
SexoMasculino
Endereço profissionalCentro de Pesquisas Avançadas Wernher Von Braun.
Av. Alice de Castro Pupo Nogueira Mattosinho, 301
Alphaville
13098-392 - Campinas, SP - Brasil - Caixa-Postal: 369
Telefone: (19) 32622207
URL da Homepage: www.vonbraunlabs.com

Formação acadêmica/Titulação
2008 - 2010Mestrado em Pós-graduação em Física (Aplicada) .
Instituto de Física de São Carlos (USP).
Título: Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras, Ano de Obtenção: 2010.
Orientador: Prof. Dr. Guilherme Matos Sipahi.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior .
Palavras-chave: Spintrônica; Método k.p; Semicondutores magnéticos diluídos; Troca-correlação.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Spintrônica.
Setores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.
2003 - 2007Graduação em Bacharelado em Física - ênfase computacional .
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
2000 - 2001Curso técnico/profissionalizante em Mecância de Usinagem .
Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial - São Carlos.

Formação complementar
2010 - 2010Curso Intermediário de Propriedade Intelectual. (Carga horária: 40h).
Instituto Nacional da Propriedade Industrial.
2009 - 2010Curso de Formação de Tutores de Ensino a Distância. (Carga horária: 120h).
Universidade Aberta do Brasil - Pólo UFSCar.
2009 - 2009Curso Básico de Propriedade Intelectual. (Carga horária: 32h).
Instituto Nacional da Propriedade Industrial.

Atuação profissional
Universidade Aberta do Brasil - Pólo UFSCar, UAB-UFSCAR, Brasil.
Vínculo institucional
2010 - 2010 Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Tutor virtual, Carga horária: 20
Outras informações Tutoria virtual para os alunos de "Física para Engenharia Ambiental I", da Universidade Aberta do Brasil (campus UFSCar).
Centro de Pesquisas Avançadas Wernher Von Braun, VON BRAUN, Brasil.
Vínculo institucional
2010 - Atual Vínculo: Bolsista DTI - CNPq, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações Pesquisa e desenvolvimento em nanotecnologia. Administrador do centro de processamento de dados do grupo de Nanotecnologia. Desenvolvimento de modelo de clusterização e classificação de dados usando estatística multivariada.
Atividades
04/2010 - AtualPesquisa e desenvolvimento , Nanotecnologia, .
Linhas de pesquisa
Cálculo ab-initio
Simulações computacionais
Microeletrônica
Computação de alto desempenho
Clusterização e classificação de dados
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional
2008 - 2010 Vínculo: Aluno de mestrado, Enquadramento Funcional: Aluno de mestrado, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações Aluno de pós-graduação e administrador de rede/informática do Laboratório de Física Computacional, no IFSC-USP.
Vínculo institucional
2008 - 2008 Vínculo: Estagiário, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 6
Outras informações Monitoria da disciplina Estado Sólido para a graduação em Bacharelado em Física - IFSC-USP
Vínculo institucional
2006 - 2008 Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Aluno de Iniciação Científica, Carga horária: 16
Vínculo institucional
2004 - 2005 Vínculo: Estagiário, Enquadramento Funcional: Estagiário de Iniciação Tecnológica, Carga horária: 20
Atividades
03/2006 - 04/2010Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física de São Carlos, Departamento de Física e Informática.
Linhas de pesquisa
Mecânica Quântica
Computação de alto desempenho
Simulação computacional de semicondutores
07/2008 - 11/2008Estágios , Instituto de Física de São Carlos, .
Estágio realizado
Programa de Aperfeiçoamento do Ensino - PAE.
11/2005 - 01/2008Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física de São Carlos, .
Linhas de pesquisa
Interação de muitos corpos em heteroestruturas semicondutoras
Espectros de luminescência de heterosestruturas semicondutoras
06/2004 - 08/2005Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física de São Carlos, Departamento de Física e Ciência dos Materiais.
Linhas de pesquisa
Deposição de filmes finos por sputtering
Tratamento de superfícies com descarga Corona
Electrolux do Brasil S/A, ELECTROLUX, Brasil.
Vínculo institucional
2000 - 2002 Vínculo: Funcionário, Enquadramento Funcional: Aprendiz de ferramenteiro, Carga horária: 20
Outras informações Estagiário em ferramentaria aplicada a matrizes de corte, enquanto cursava o ensino profissionalizante (SENAI - Mecânica de Usinagem)
Atividades
02/2000 - 01/2002Treinamentos ministrados , Electrolux do Brasil S/A, .
Treinamentos ministrados
Ferramentaria aplicada à matrizes de corte

Linhas de Pesquisa
1. Deposição de filmes finos por sputtering
Objetivos: Estudar as propriedades de microfilmes de platina em superfícies dielétricas, com o intuito de desenvolver novos dispositivos eletrônicos mais resistentes a temperatura..
2. Tratamento de superfícies com descarga Corona
3. Mecânica Quântica
Objetivos: Utilização das ferramentas da Mecânica Quântica em simulações computacionais de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade..
4. Computação de alto desempenho
Objetivos: Utilizar novas bibliotecas e métodos para realizar cálculos massivos..
5. Simulação computacional de semicondutores
Objetivos: Simular estruturas semicondutoras, tendo como objetivo obter as propriedades óticas e magnéticas de novos materiais, propondo novas aplicações tecnológicas..
6. Interação de muitos corpos em heteroestruturas semicondutoras
Objetivos: Novo modelo de descrição, usando a interação XC dentro de cada orbital atômico da rede cristalina, fazendo uso de diversas parametrizações LDA e LSDA..
7. Espectros de luminescência de heterosestruturas semicondutoras
8. Cálculo ab-initio
9. Simulações computacionais
10. Microeletrônica
11. Computação de alto desempenho
12. Clusterização e classificação de dados

Áreas de atuação
1. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
2. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas.
3. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.
4. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Spintrônica.
5. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Ciência da Computação / Subárea: Metodologia e Técnicas da Computação / Especialidade: Computação de alto desempenho.
6. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Ciência da Computação / Subárea: Metodologia e Técnicas da Computação / Especialidade: Linguagens de Programação.

Idiomas
Inglês Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.

Prêmios e títulos
2001Electrolux do Brasil S/A, SENAI.


Produção em C,T & A
Produção bibliográfica
Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.   PATROCINIO, W. S. ; SIPAHI, G. M. . Simulação de estruturas <Mn>-delta-doped via método k.p. In: XI SIGE, 2009, São José dos Campos - SP. Simpósio de aplicações operacionais em áreas de defesa, 2009.
Apresentações de Trabalho
1.   PATROCINIO, W. S. ; SIPAHI, G. M. . Simulação de estruturas <Mn>-delta-doped via método k.p. 2009. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

Eventos
Participação em eventos
1. XI SIGE.Simulação de estruturas <Mn>-delta-doped via método k.p. 2009. (Simpósio).
2. XIII Workshop da Pós-Graduação do IFSC.Simulação de estruturas <Mn>-delta-doped de Si, via método k.p. 2009. (Outra).
3. Fifth International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS V).Exchange-correlation parameterizations effects in DMS: (Ga,Mn)As. 2008. (Congresso).
4. XVI SIICUSP.Estudo do potencial de troca-correlação em DMH s. 2008. (Simpósio).
5. XII Workshop da Pos-Graduacao do IFSC.Efeitos do potencial de troca-correlação em DMS: (Ga,Mn)As. 2008. (Outra).
6. XV SIICUSP.Parametrizações LSDA do "potencial" de troca-correlação. 2007. (Simpósio).
7. XIV SIICUSP.Cálculo de espectros de luminescência de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. 2006. (Simpósio).
Página gerada pelo Sistema Currículo Lattes em 10/02/2012 às 16:32:49