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Rafael Peretti Pezzi

Possui bacharelado (2002), mestrado (2004) e doutorado (2009) em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Realizou estágios de verão no Laboratório de Análises Nanométricas do T.J. Watson Research Center da IBM em 2004, 2005 e 2006, onde também foi pesquisador entre os anos de 2007 e 2008. Tem experiência na área de Física, com ênfase no desenvolvimento teórico e experimental de métodos analíticos baseados em feixes de íons com resolução sub-nanométrica e no desenvolvimento de materiais avançados para a microeletrônica e nanotecnologia. Atualmente é professor adjunto em regime de dedicação exclusiva no Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
(Texto informado pelo autor)

Última atualização do currículo em 28/10/2010
Endereço para acessar este CV:
http://lattes.cnpq.br/9282310402722246
Dados pessoais
NomeRafael Peretti Pezzi
Nome em citações bibliográficasPEZZI, R. P.;PEZZI, R.
SexoMasculino
Endereço profissionalUniversidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física, Departamento de Física.
Av. Bento Gonçalves, 9500 Instituto de Física / Sala N120
Agronomia
91540-000 - Porto Alegre, RS - Brasil
Telefone: (51) 33086440
URL da Homepage: http://www.ionscattering.org

Formação acadêmica/Titulação
2009 - 2010Pós-Doutorado .
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Físico-Química / Especialidade: Eletroquímica.
2007 - 2008Pós-Doutorado .
IBM - T.J. Watson Research Center.
2004 - 2009Doutorado em Física .
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Análise de materiais nanoestruturados utilizando feixes de íons, Ano de Obtenção: 2009.
Orientador: Israel Jacob Rabin Baumvol.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior .
2003 - 2004Mestrado em Física .
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Avanços na determinação da distribuição em profundidade de elementos leves com resolução subnanométrica utilizando reações nucleares ressonantes, Ano de Obtenção: 2004.
Orientador: Israel Jacob Rabin Baumvol.
1997 - 2002Graduação em Bacharelado Em Física .
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Dielétricos de porta alternativos ao óxido de silício.
Orientador: Israel Jacob Rabin Baumvol.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul .

Atuação profissional
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Vínculo institucional
2010 - Atual Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Ibm Coorporation, IBM, Estados Unidos.
Vínculo institucional
2004 - 2006 Vínculo: Estagiário, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 40
Atividades
06/2006 - 09/2006Estágios , Tj Watson Research Center, .
Estágio realizado
Estágio realizado.
6/2005 - 9/2005Estágios , Tj Watson Research Center, .
Estágio realizado
Estágio de Verão.
7/2004 - 10/2004Estágios , Tj Watson Research Center, .
Estágio realizado
Estágio de Verão.

Áreas de atuação
1. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular / Especialidade: Inf. sobre Átomos e Moléculas Obtidos Experimentalmente; Instrumentação e Técnicas.
2. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Emissão Eletrônica e Iônica por Líquidos e Sólidos; Fenômenos de Impacto.
3. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).
4. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

Idiomas
Inglês Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Português Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Bem.


Produção em C,T & A
Produção bibliográfica
Citações
Web of Science
Total de trabalhos34Total de citações308Fator H10
Pezzi, R. P.; Pezzi, R.  Data: 28/10/2010
Artigos completos publicados em periódicos
1. FEIL, A.F. ; MIGOWSKI, P. ; SCHEFFER, F. R. ; PIEROZAN, M. D. ; CORSETTI, R. R. ; RODRIGUES, M. ; PEZZI, R. P. ; MACHADO, G. ; AMARAL, L. ; TEIXEIRA, S. R. ; WEIBEL, D. E. ; DUPONT, J. . Growth of TiO2 nanotube arrays with simultaneous Au nanoparticles impregnation: photocatalysts for hydrogen production. Journal of the Brazilian Chemical Society (Impresso), v. 21, p. 1359-1365, 2010.
2. DRIEMEIER, C ; PEZZI, R ; BAUMVOL, I . Nuclear reaction analysis of 1H and 2H in hafnium silicate films on Si. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 266, p. 1824-1827, 2008.
3. MIOTTI, L ; PEZZI, R ; COPEL, M ; BAUMVOL, I . Post deposition annealing of Hf aluminate films on Si investigated by ion backscattering and nuclear reaction analyses. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 266, p. 1162-1165, 2008.
4. Radtke, C. ; STEDILE, F. C. ; SOARES, G. V. ; KRUG, C. ; da Rosa, E. B. O. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. . Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO[sub 2]. Applied Physics Letters, v. 92, p. 252909, 2008.
5.   PEZZI, R. P. ; KRUG, C. ; Grande, P. L. ; da Rosa, E. B. O. ; Schiwietz, G. ; BAUMVOL, I. J. R. . Analytical energy loss distribution for accurate high resolution depth profiling using medium energy ion scattering. Applied Physics Letters, v. 92, p. 164102, 2008.
6. GRANDE, P ; HENTZ, A ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I ; SCHIWIETZ, G . An analytical energy-loss line shape for high depth resolution in ion-beam analysis. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 256, p. 92-96, 2007.
7.   PEZZI, R ; GRANDE, P ; COPEL, M ; SCHIWIETZ, G ; KRUG, C ; BAUMVOL, I . Advanced ion energy loss models: Applications to subnanometric resolution elemental depth profiling. Surface Science, v. 601, p. 5559-5570, 2007.
8. BARRADAS, N ; PEZZI, R ; BAUMVOL, I . Use of the gamma function for straggling in simulation of RBS spectra. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 261, p. 422-425, 2007.
9. MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; COPEL, M. ; KRUG, C. ; BAUMVOL, I. J. R. . Atomic transport and integrity of Al[sub 2]O[sub 3](2.0?nm)?HfO[sub 2](2.5?nm) gate stacks on Si. Applied Physics Letters, v. 90, p. 052913, 2007.
10. Jagannathan, Hemanth ; Nishi, Yoshio ; Reuter, Mark ; Copel, Matthew ; Tutuc, Emanuel ; Guha, Supratik ; Pezzi, Rafael P. . Effect of oxide overlayer formation on the growth of gold catalyzed epitaxial silicon nanowires. Applied Physics Letters, v. 88, n. 10, p. 103113, 2006.
11. COPEL, M. ; PEZZI, R. P. ; NEUMAYER, D. ; JAMISON, P. . Reduction of hafnium oxide and hafnium silicate by rhenium and platinum. Applied Physics Letters, v. 88, n. 07, p. 072914, 2006.
12. PEZZI, R. P. ; COPEL, M. ; GORDON, M. ; CARTIER, E. ; BAUMVOL, I. J. R. . Oxygen transport and reaction mechanisms in rhenium gate contacts on hafnium oxide films on Si. Applied Physics Letters, v. 88, n. 24, p. 243509, 2006.
13. DRIEMEIER, C ; MIOTTI, L ; PEZZI, R ; BASTOS, K ; BAUMVOL, I . The use of narrow nuclear resonances in the study of alternative metal-oxide semiconductor structures. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 249, p. 278-285, 2006.
14. DRIEMEIER, C. ; Bastos, K.P. ; Soares, G.V. ; MIOTTI, L. ; Pezzi, R.P. ; Baumvol, I.J.R. ; PUNCHAIPETCH, P. ; PANT, G. ; Gnade, B.E. ; Wallace, R.M. . Atomic transport and chemical stability of nitrogen in ultrathin HfSiON gate dielectrics. Applied Physics. A, Materials Science & Processing, v. 80, p. 1045-1047, 2005.
15. BARRADAS, N. P. ; ADDED, N. ; ARNOLDBIK, W. M. ; BOGDANOVIC-RADOVIC, I. ; BOHNE, W. ; CARDOSO, S. ; DANNER, C. ; DYTLEWSKI, N. ; FREITAS, P. P. ; PEZZI, R. P. . A round robin characterisation of the thickness and compostion of thin to ultra-thin AlNO films. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, Holanda, v. 227, p. 397-419, 2005.
16. COPEL, M. ; PEZZI, R. P. ; Cabral, C. . Interfacial segregation of dopants in fully silicided metal-oxide-semiconductor gates. Applied Physics Letters, v. 86, n. 25, p. 251904, 2005.
17. PEZZI, R. P. ; COPEL, M. ; Cabral, C. ; BAUMVOL, I. J. R. . Aluminum mobility and interfacial segregation in fully silicided gate contacts. Applied Physics Letters, v. 87, n. 16, p. 162902, 2005.
18. BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HINKLE, C. ; Lucovsky, G. . Thermal stability of plasma-nitrided aluminum oxide films on Si. Applied Physics Letters, Melville, v. 84, n. 1, p. 97, 2004.
19. MIOTTI, L. ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; O da Rosa, E. B. ; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. . Thermal stability of nitrided high-k dielectrics. Physica Status Solidi. A, Applied Research, v. 201, n. 5, p. 870-880, 2004.
20. BASTOS, K. P. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; da Silva, R. C. G. ; BOUDINOV, H. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HEGDE, R. I. ; Tseng, H.-H. ; TOBIN, P. J. . Thermal Stability and Electrical Characterization of HfO[sub 2] Films on Thermally Nitrided Si. Journal of the Electrochemical Society, v. 151, n. 6, p. F153, 2004.
21. MIOTTI, L. ; BASTOS, K. P. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; ROTONDARO, A. L. P. ; Visokay, M. R. ; CHAMBERS, J. J. ; Quevedo-Lopez, M. ; COLOMBO, L. . Exchange-diffusion reactions in HfSiON during annealing studied by Rutherford backscattering spectrometry, nuclear reaction analysis and narrow resonant nuclear reaction profiling. Applied Physics Letters, v. 85, n. 19, p. 4460, 2004.
22. PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BASTOS, K. P. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PUNCHAIPETCH, P. ; PANT, G. ; GNADE, B. E. ; WALLACE, R. M. ; Rotondaro, A. ; Visokay, J. M. ; CHAMBERS, J. J. ; COLOMBO, L. . Hydrogen and deuterium incorporation and transport in hafnium-based dielectric films on silicon. Applied Physics Letters, v. 85, n. 16, p. 3540, 2004.
23. SOARES, G. V. ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HINKLE, C. ; Lucovsky, G. . Nitrogen bonding, stability, and transport in AlON films on Si. Applied Physics Letters, v. 84, n. 24, p. 4992, 2004.
24. BASTOS, K ; DRIEMEIER, C ; PEZZI, R ; SOARES, G ; MIOTTI, L ; MORAIS, J ; BAUMVOL, I ; WALLACE, R . Thermal stability of Hf-based high-k dielectric films on silicon for advanced CMOS devices. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, v. 112, n. 2-3, p. 134-138, 2004.
25. PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; DAHMEN, S. R. ; BASTOS, K. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; Freire, F. L. . Thermal behavior of hafnium-based ultrathin films on silicon. Journal of Vacuum Science and Technology. Part A. Vacuum, Surfaces and Films, Estados Unidos, v. 21, n. 4, p. 1424, 2003.
26. PEZZI, R. P. ; KRUG, C. ; ROSA, E. B. O. da ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. . Ion beam studies of high-k ultrathin Films deposited on Si. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 109, p. 510-513, 2002.
27. RADKE, C. ; BRANDAO, R. V. ; PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; STEDILE, F. C. . Characterization of SiC thermal oxidation. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 190, p. 579-582, 2002.
28. ROSA, E. B. O. da ; KRUG, C. ; RADKE, C. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. ; STEDILE, F. C. . Surface and interface investigation of nanometric dielectric films on Si and on SiC. Surface Review and Letters, v. 9, n. 1, p. 393-400, 2002.
29. BASTOS, K. P. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HEGDE, R. I. ; TSENG, H. H. ; TOBIN, P. J. . Oxygen reaction-diffusion in metalorganic chemical vapor deposition HfO[sub 2] films annealed in O[sub 2]. Applied Physics Letters, v. 81, n. 9, p. 1669, 2002.
30. ROSA, E. B. O. da ; MORAIS, J. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. . Annealing of ZrAlxOy Ultrathin Films on Si in a Vacuum or in O2. Journal of the Electrochemical Society, v. 148, n. 12, p. G695-G703, 2002.
31. MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; TEIXEIRA, S. R. ; PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; ROTONDARO, A. L. P. ; CHAMBERS, J. J. ; VOSOKAY, M. R. ; COLOMBO, L. . Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si. Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 81, n. 16, p. 2995-2997, 2002.
32. MORAIS, J. ; ROSA, E. B. O. da ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I. J. R. . Stability of zirconium silicate films on Si under vacuum and O2 annealing. Applied Physics Letters, v. 78, n. 17, p. 2446-2448, 2001.
33. MORAIS, J. ; ROSA, E. B. O. da ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. . Composition, atomic transport, and chemical stability of ZrAlxOy ultrathin films deposited on Si(001).. Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 79, n. 13, p. 1998-2000, 2001.
34. LANDHEER, D. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. . Thermal stability and diffusion in gadolinium silicate gate dielectric films. Applied Physics Letters, Estados Unidos, v. 79, n. 16, p. 2618-2620, 2001.
Capítulos de livros publicados
1. BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . Stability of Nitrogen and Hydrogen in High-k Dielectrics. In: C.R. Abernathy; E. P. Gusev; D. Schlom; S. Stemmer. (Org.). Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces. Warrendale: , 2004, v. 786, p. 123-133.
2. BAUMVOL, I. J. R. ; STEDILE, F. C. ; MORAIS, J. ; KRUG, C. ; RADKE, C. ; ROSA, E. B. O. da ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. . Thermally-driven atomic transport in silicon oxynitride and high-k films on silicon. In: C.R. Abernathy; E. Gusev; D.G. Schlom; S. Stemmer. (Org.). Interface Characterization. Pennington: , 2004, v. 2003-2, p. 106-118.
3. BASTOS, K. P. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BOUDINOV, H. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HEGDE, R. I. ; TSENG, H. H. ; TOBIN, P. J. . Thermal Stability of the HfO2/SiOxNy-Si Interface. In: S. Kar; D. Misra; R. Singh; F. Gonzalez. (Org.). Physics and Technology of High k Gate Dielectrics I. : , 2003, v. , p. 207-218.
4. MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; BOUDINOV, H. ; BAUMVOL, I. J. R. ; VOSOKAY, M. R. ; CHAMBERS, J. J. ; ROTONDARO, A. L. P. . Integrity of Hafnium Silicate/Silicon Dioxide Ultrathin Films on Si. In: S. Kar; D. Misra; R. Singh; F. Gonzalez. (Org.). Physics and Technology of High k Gate Dielectrics I. : , 2003, v. , p. 179-188.
Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1. PEZZI, R. P. ; WALLACE, R. M. ; COPEL, M. ; BAUMVOL, I. J. R. . Subnanometric resolution profiling using ion scattering and narrow resonant nuclear reactions. In: International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, 2005, Dallas. Proceedings of the International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, 2005.
2. BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . Stability of Nitrogen and Hydrogen in High-k Dielectrics. In: 2003 MRS Fall Meeting, 2003, Boston. Proceedings of the 2003 MRS Fall Meeting, 2003. v. 786. p. 241-244.
3. PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; ROSA, E. B. O. da ; MORAIS, J. . Effects of nitrogen incorporation into Al2O3 films on Si for advanced MOS devices. In: 2nd Brazilian MRS Meeting, 2003, Rio de Janeiro. Proceedings of the 2nd Brazilian MRS Meeting, 2003.
4. ROSA, E. B. O. da ; STEDILE, F. C. ; MORAIS, J. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; PAPALEO, R. M. ; BAUMVOL, I. J. R. . Diffusion And Reaction of Oxygen in High-k Films on Si. In: International Workshop on Device Technology, 2001, Porto Alegre. Proceedings of the International Workshop on Device Technology, 2001.
5. LANDHEER, D. ; WU, X. ; SPROULE, G. I. ; MOISA, S. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; LENNARD, W. N. ; KIM, J. K. . Gadolinium and Lanthanum Silicate Films Deposited on Si(100) by Electron-Beam Evaporation: Stability and Diffusion. In: International Workshop on Device Technology, 2001, Porto Alegre. Alternatives to SiO2 as Gate Dielectrics for Future Si-Based Microelectronics, 2001.
Resumos publicados em anais de congressos
1. BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; MIOTTI, L. ; DRIEMEIER, C. ; SANTOS, V. M. . Profiling with high depth resolution, a case study on high-k dielectrics. In: XVII International Conference on Ion Beam Analysis, 2005, Sevilha. Proceedings of the XVII International Conference on Ion Beam Analysis, 2005.
2. BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. . High Resolution profiling using nuclear resonant reactions. In: International Workshop on High-Resolution Depth Profiling, 2005, Bar Harbor. Proceedings of the International Workshop on High-Resolution Depth Profiling, 2005.
3. COPEL, M. ; PREISLER, E. J. ; PEZZI, R. P. ; BOJARCZUK, N. A. ; REUTER, M. C. ; GUSEV, E. ; GUHA, S. ; MCFEELY, F. R. . Gate Metal/HfO2 Interactions in MOSFET Stacks: Dissolved Oxygen and Other Pitfalls. In: MRS Spring Meeting, 2005, San Francisco. 2005 MRS Spring Meeting Proceedings, 2005.
4. PEZZI, R. P. ; COPEL, M. . Thermal behavior and oxygen diffusion in advanced materials for future MOSFET devices. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its applications, 2005, Angra dos Reis. Proceeding of the XII Latin American Congress of Surface Science and its applications, 2005.
5. COPEL, M. ; CABRAL JR., C. ; PEZZI, R. P. ; KEDZIERSKI, J. . Threshold tunning of fully siliicided (FUSI) CMOS by silicide/dielectric interface modification. In: 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2004, San Diego. Proceedings of the 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2004.
6. BAUMVOL, I. J. R. ; STEDILE, F. C. ; MORAIS, J. ; KRUG, C. ; RADKE, C. ; ROSA, E. B. O. da ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. . Thermally driven atomic transport in silicon oxynitride and high-k films on silicon. In: 203rd Meeting Electrochemical Society, 2003, Paris. Proceedings 203rd Meeting Electrochemical Society, 2003.
7. MIOTTI, L. ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. . Stability of hafnium oxide and silicate under thermal annealing. In: Workshop on Surface Science: Structural and Electronic Properties of Nanodeposits, 2003, Porto Alegre. Book of Abstracts, 2003.
8. BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . Thermal Stability of Hf-Based high-k dielectric films on silicon for advanced CMOS devices. In: 2nd Brazil - MRS Meeting, 2003, Rio de Janeiro. Book of abstracts, 2003.
9. MIOTTI, L. ; MORAIS, J. ; BASTOS, K. P. ; PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; ROSA, E. B. O. da ; BAUMVOL, I. J. R. . Thermal stability of nitrogen in high-k dielectrics. In: 4th German/Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2003, Tegernsee. Proceedings of 4th German/Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2003.
10. MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. ; RAMOS, A. Y. ; ALVES, M. C. M. . Structural investigation of novel gate dielectrics. In: XII Reunião anual dos usuários do LNLS, 2002, Campinas. Livro de Resumos, 2002.
11. BASTOS, K. P. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BOUDINOV, H. ; BAUMVOL, I. J. R. ; HEGDE, R. I. ; TSENG, H. H. ; TOBIN, P. J. . Thermal stability of the HfO2/SiOxNy-Si interface. In: 202nd Meeting Electrochemical Society, 2002, Salt Lake City. Proceedings of the 202nd Meeting Electrochemical Society, 2002.
12. MORAIS, J. ; ROSA, E. B. O. da ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I. J. R. . Surface and interface characterization of nanometric CVD - ZrSiO films on Si submitted to thermal annealing for advanced MOS devices. In: 3rd Brazilian German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Itapema - SC. Proceedings of the 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001.
13. KRUG, C. ; RADKE, C. ; PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . Surface and interface characterization of nanometric JVD - ZrSiO films on Si submitted to thermal annealing for advanced MOS devices. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Itapema - SC. Proceedings of the 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001.
14. ROSA, E. B. O. da ; MORAIS, J. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. . Surface and interface characterization of nanometric ZrAlO films on Si submitted to thermal annealing for advanced MOS devices. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Itapema - SC. Proceedings of the 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001.
15. KRUG, C. ; RADKE, C. ; ROSA, E. B. O. da ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BRANDAO, R. V. ; STEDILE, F. C. ; MORAIS, J. ; SALGADO, T. D. M. ; BAUMVOL, I. J. R. . Atomic Transport and Chemical Reaction Studies in Ultrathin Dielectric Films on Si and on SiC. In: Inter-American Workshop on the Use of Synchrotron Radiation for Research and Symposium on Nanotechnologies, 2001, Campinas - SP. Proceedings of Inter-American Workshop on the Use of Synchrotron Radiation for Research and Symposium on Nanotechnologies, 2001. p. 46.
16. ROSA, E. B. O. da ; KRUG, C. ; RADKE, C. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BRANDAO, R. V. ; STEDILE, F. C. ; SALGADO, T. D. M. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . Surface and Interface Investigation in Nanometric Dielectric Films on Si and SiC. In: XIII International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics - VUV XIII, 2001, Trieste. Proceeding of the Thirteenth International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, 2001. p. Tu055.
17. STEDILE, F. C. ; RADKE, C. ; BRANDAO, R. V. ; PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; BAUMVOL, I. J. R. . LEIS and ARXPS characterization of in-situ SiC oxidation and removal of an oxide thermally grown after SiC bombardment. In: 15th International Conference on Ion Beam Analysis, 2001, Cairns. Proceeding of the 15th International Conference on Ion Beam Analysis, 2001.
Demais tipos de produção bibliográfica
1. PEZZI, R. P. . Avanços na determinação da distribuição em profundidade de elementos leves com resolução subnanométrica utilizando reações nucleares ressonantes. Porto Alegre: Biblioteca IF/UFRGS, 2004 (Dissertação de Mestrado).
2. MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BASTOS, K. P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; RAMOS, A. Y. ; ALVES, M. C. M. . Structural investigation of novel gate dieletrics. Campinas 2001 (Activity Report 2001/ Brazilian Synchrotron Light Laboratory).
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