Rede de Colaboração
Diretório de grupos de pesquisa

Gustavo Martini Dalpian
Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 2

Gustavo Dalpian concluiu seu doutorado em Fisica em 2003, no Instituto de Fisica da Universidade de São Paulo. Atualmente é Vice-Reitor da Universidade Federal do ABC. Publicou mais de 30 artigos em revistas científicas especializadas e diversos trabalhos em anais de eventos. Fez pós-doutoramento no National Renewable Energy Laboratory e na University of Texas at Austin, nos Estados Unidos. Em seu currículo Lattes os termos mais freqüentes na contextualização da produção científica são: materiais semicondutores, teoria do funcional da densidade, defeitos e materiais nanoestruturados.
(Texto informado pelo autor)

Última atualização do currículo em 11/11/2011
Endereço para acessar este CV:
http://lattes.cnpq.br/5205312713550726
Dados pessoais
NomeGustavo Martini Dalpian
Nome em citações bibliográficasDALPIAN, G. M.;Dalpian, G. M.;Dalpian, Gustavo M;Dalpian, Gustavo M.;Dalpian, G M;Dalpian, G.
SexoMasculino
Endereço profissionalUniversidade Federal do ABC.
Rua Santa Adélia, 166
Bangu
09210-170 - Santo Andre, SP - Brasil
Telefone: (11) 49963166
URL da Homepage: http://dalpian.ufabc.edu.br

Formação acadêmica/Titulação
2005 - 2006Pós-Doutorado .
University Of Texas At Austin.
2003 - 2005Pós-Doutorado .
National Renewable Energy Laboratory.
2000 - 2003Doutorado em Física .
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: A Natureza de Defeitos em Bulk e na Superficie de semicondutores, Ano de Obtenção: 2003.
Orientador: Adalberto Fazzio.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo ,FAPESP ,Brasil .
1998 - 2000Mestrado em Física .
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge Sobre Si(100), Ano de Obtenção: 2000.
Orientador: Adalberto Fazzio.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo ,FAPESP ,Brasil .
1994 - 1997Graduação em Física Licenciatura Plena .
Universidade Federal de Santa Maria, UFSM, Brasil.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior ,CAPES ,Brasil .

Atuação profissional
Universidade Federal do ABC, UFABC, Brasil.
Vínculo institucional
2008 - Atual Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto II, Regime: Dedicação exclusiva.
Vínculo institucional
2006 - 2008 Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto I, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
02/2010 - AtualDireção e administração, UFABC, Reitoria.
Cargo ou função
Vice-Reitor.
09/2008 - AtualEnsino, Nanociências e Materiais Avançados, Nível: Pós-Graduação.
Disciplinas ministradas
Física da Matéria Condensada I
Metodos Computacionais em Materiais e Nanoestruturas
06/2007 - AtualConselhos, Comissões e Consultoria, UFABC, .
Cargo ou função
Coordenador do Programa de Pós-Graduação em Nanociências e Materiais Avançados.
09/2006 - AtualEnsino, Bacharelado em Ciência e Tecnologia, Nível: Graduação.
Disciplinas ministradas
Fenômenos Térmicos
Estrutura da Matéria
Fenômenos Mecânicos
Fisica Moderna
Linguagem de Programação (JAVA)
Relatividade e Física Quântica
08/2006 - AtualAtividades de Participação em Projeto, Centro de Ciências Naturais e Humanas, .
Projetos de pesquisa
PROJETO JOVEM PESQUISADOR: Defeitos complexos em semicondutores: aplicações em spintronica e materiais de gap largo.
Estudo teórico de nanoestruturas e materiais nanoestruturados
2011 - 2016Atividades de Participação em Projeto, Centro de Ciências Naturais e Humanas, .
Projetos de pesquisa
Projeto Temático FAPESP: PROPRIEDADES ELETRÔNICAS, MAGNÉTICAS E DE TRANSPORTE EM NANOESTRUTURAS
2008 - 2012Atividades de Participação em Projeto, Programa de Pós-Graduação em Nanociências e Materiais Avançados, .
Projetos de pesquisa
Projeto Pró-Engenharias
2009 - 2011Atividades de Participação em Projeto, Centro de Ciências Naturais e Humanas, .
Projetos de pesquisa
Auxílio Regular FAPESP
03/2007 - 04/2008Conselhos, Comissões e Consultoria, Centro de Ciências Naturais e Humanas, .
Cargo ou função
Diretor adjunto do Centro de Ciências Naturais e Humanas.
09/2006 - 08/2007Conselhos, Comissões e Consultoria, UFABC, .
Cargo ou função
Membro da Comissão de Implantação da Pós-Graduação.
University of Texas at Austin, UTexas, Estados Unidos.
Vínculo institucional
2005 - 2006 Vínculo: Pesquisador, Enquadramento Funcional: Postdoc, Carga horária: 60, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
07/2005 - 05/2006Pesquisa e desenvolvimento .
Linhas de pesquisa
Nanomateriais
Semiconductores Magneticos Diluidos
National Renewable Energy Laboratory, NREL, Estados Unidos.
Vínculo institucional
2003 - 2005 Vínculo: Pesquisador, Enquadramento Funcional: Postdoc, Carga horária: 60, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
09/2003 - 07/2005Pesquisa e desenvolvimento .
Linhas de pesquisa
Semicondutores orgânicos
Desenvolvimento de novos materiais fotovoltaicos
Estudo de defeitos em semicondutores
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional
2000 - 2003 Vínculo: Estudante de Pós Graduação, Enquadramento Funcional: Estudante de Pós Graduação, Carga horária: 60, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações Doutorado
Vínculo institucional
1998 - 2000 Vínculo: Estudante de Pós Graduação, Enquadramento Funcional: Estudante, Carga horária: 60, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações Estudante de Mestrado.
Atividades
04/2000 - 08/2003Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, .
Projetos de pesquisa
Projeto de Doutorado - Defeitos em bulk e superfície de semicondutores.
06/2002 - 06/2003Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .
Cargo ou função
Representante Discente junto ao Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
06/2002 - 06/2003Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .
Cargo ou função
Representante Discente junto à Comissão de Pós Graduação.
06/2001 - 06/2002Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .
Cargo ou função
Representante Discente junto ao Conselho do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.
08/2001 - 12/2001Ensino, Fisica, Nível: Graduação.
Disciplinas ministradas
Monitor de Introdução a Física Atômica e Molecular
03/2001 - 08/2001Ensino, Fisica, Nível: Graduação.
Disciplinas ministradas
Monitor de Física II
06/2000 - 06/2001Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .
Cargo ou função
Representante Discente junto à Congregação do Instituto de Física.
08/2000 - 12/2000Ensino, Fisica, Nível: Graduação.
Disciplinas ministradas
Monitor de Introdução a Física da Matéria Condensada
03/1998 - 04/2000Atividades de Participação em Projeto, Instituto de Física, .
Projetos de pesquisa
Projeto de Mestrado - Adsorção de Ge sobre Si(100)
08/1999 - 12/1999Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação.
Disciplinas ministradas
Monitor de Física do Estado Sólido I

Linhas de Pesquisa
1. Semicondutores orgânicos
2. Desenvolvimento de novos materiais fotovoltaicos
3. Estudo de defeitos em semicondutores
4. Nanomateriais
5. Semiconductores Magneticos Diluidos

Projetos de Pesquisa
2011 - 2016Projeto Temático FAPESP: PROPRIEDADES ELETRÔNICAS, MAGNÉTICAS E DE TRANSPORTE EM NANOESTRUTURAS
Descrição: O objetivo deste projeto é o estudo das propriedades físicas de novos materiais, através de métodos ab initio ("estado-da-arte"), focando em nanosistemas..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação ( 1) / Mestrado acadêmico ( 2) / Doutorado ( 2) .
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / Antônio José Roque da Silva - Integrante / Gustavo Martini Dalpian - Integrante.
Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.Número de orientações: 4.
2009 - 2011Auxílio Regular FAPESP
Descrição: Este projeto pretende estudar o efeito da utilização de funcionais híbridos para o termo de troca e correlação em simulações de estrutura eletrônica baseados na Teoria do Funcional da Densidade. Serão estudados defeitos em diferentes tipos de materiais, incluindo semicondutores magnéticos diluídos, nanoestruturas e outros materiais. Esse tipo de funcional híbrido corrige o gap desses materiais e, portanto, espera-se também que níveis de defeitos também sejam corrigidos, dando informações mais precisas sobre energias de formação, população de defeitos e níveis de transição. Valor aprovado: R$40000,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação ( 2) / Mestrado acadêmico ( 1) / Doutorado ( 1) .
Integrantes: Jeverson Teodoro Arantes - Integrante / Aline Luciana Schoenhalz - Integrante / Maria Isabel Almeida de Oliveira - Integrante / Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.
Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro..
2008 - 2012Projeto Pró-Engenharias
Descrição: Sou coordenador do projeto, que visa solidificar a rede de colaboração do programa de pós-graduação em Nanociências e Materiais Avançados da UFABC com programas de pós-graduação da USP e UFSCAR. Valor Aprovado: R$350.000,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Integrantes: Adalberto Fazzio - Integrante / Osvaldo Novais de Oliveira Jr. - Integrante / Maurício Baptista - Integrante / Edson Roberto Leite - Integrante / professores PPG-NANO - Integrante / Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.
Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro..
2006 - 2008PROJETO JOVEM PESQUISADOR: Defeitos complexos em semicondutores: aplicações em spintronica e materiais de gap largo.
Descrição: O presente projeto visa o estudo de defeitos complexos em semicondutores magnéticos diluídos (DMS) e em semicondutores de gap largo utilizando métodos de primeiros princípios baseados na Teoria do Funcional da Densidade. DMSs são materiais de extrema relevância para o desenvolvimento de dispositivos utilizando-se os princípios da spintrônica. Entre as aplicações desse tipo de material estão dispositivos futuros baseados em correntes de spin e o computador quântico. Os semicondutores de gap largo que serão utilizados são o GaN e o ZnO. O GaN possui enormes aplicações para dispositivos óticos, como os LEDs azuis; o ZnO é um material novo, com potenciais aplicações similares ao GaN. Alguns dos defeitos a serem estudados são: Metais de Transição juntamente com átomos doadores ou aceitadores em GaAs, GaN e ZnO; defeitos intrínsecos em GaN e ZnO sob pressão; propriedades de crescimento de metais de transição em GaAs(100) e GaN(100); defeitos em interfaces de GaAs/MnAs. Valor: R$116.000,00..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação ( 1) / Doutorado ( 1) .
Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.
.
2006 - 2008Estudo teórico de nanoestruturas e materiais nanoestruturados
Descrição: O presente projeto tem como principal objetivo o estudo teórico das propriedades de nanoestruturas e materiais nanoestruturados, isolados ou em interação com um meio específico, focando principalmente pontos quânticos (quantum dots) semicondutores. Edital MCT/CNPq nº 042/2006 - Valor aprovado: R$100.000,00..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação ( 1) / Doutorado ( 1) .
Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.
Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro..
2000 - 2003Projeto de Doutorado - Defeitos em bulk e superfície de semicondutores.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / Antonio José Roque da Silva - Integrante / Gustavo Martini Dalpian - Integrante.
.
1998 - 2000Projeto de Mestrado - Adsorção de Ge sobre Si(100)
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Integrantes: Adalberto Fazzio - Coordenador / Antonio José Roque da Silva - Integrante / Gustavo Martini Dalpian - Integrante.
.

Revisor de periódico
2004 - Atual Periódico: Physical Review Letters
2004 - Atual Periódico: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
2006 - Atual Periódico: Physica Status Solidi. B, Basic Research
2005 - Atual Periódico: Nature (London) (0028-0836)
2005 - 2005 Periódico: Computational Materials Science (0927-0256)
2006 - Atual Periódico: Brazilian Journal of Physics
2006 - Atual Periódico: Solid State Communications
2007 - Atual Periódico: Nano Letters
2007 - Atual Periódico: Nature Materials
2007 - Atual Periódico: Journal of the Brazilian Chemical Society
2007 - Atual Periódico: Nanotechnology (Bristol)
2008 - Atual Periódico: Nanoscale Research Letters
2008 - Atual Periódico: Journal of Physics. Condensed Matter
2009 - Atual Periódico: Journal of Physics. D, Applied Physics
2009 - Atual Periódico: Journal of Magnetism and Magnetic Materials
2010 - Atual Periódico: Chemical Physics Letters (Print)
2011 - Atual Periódico: Journal of Electronic Materials

Áreas de atuação
1. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
2. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.
3. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos.

Idiomas
Inglês Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Italiano Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente.
Espanhol Compreende Razoavelmente Lê Razoavelmente.

Prêmios e títulos
2008Melhor trabalho na área de Estrutura da Matéria para a aluna de IC Danyelle Lucchese, 1º Simpósio de Iniciação Científica da UFABC.
2007Bolsa de Produtividade em Pesquisa CNPq - Nível 2, CNPq.
2003Melhor Tese de Doutoramento - Menção Honrosa, Sociedade Brasileira de Física.


Produção em C,T & A
Produção bibliográfica
Citações
Web of Science
Total de trabalhos41Total de citações633Fator H14
dalpian gm  Data: 11/11/2011
Artigos completos publicados em periódicos
1. Milioni, AZ ; Gonçalves, J ; DALPIAN, G. M. . Da concepção à implantação da pós-graduação na UFABC: o Programa em Nanociências e Materiais Avançados. RBPG. Revista Brasileira de Pós-Graduação, v. 8, p. 209-233, 2011.
2. Chelikowsky, James R ; Alemany, M M G ; Chan, T-L ; Dalpian, G M . Computational studies of doped nanostructures. Reports on Progress in Physics (Print), v. 74, p. 046501, 2011.
3. Khoo, K. ; Arantes, J. ; Chelikowsky, James ; Dalpian, G. . First-principles calculations of lattice-strained core-shell nanocrystals. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 84, p. 075311, 2011.
4. Podila, R. ; Queen, W. ; Nath, A. ; Arantes, Jeverson T. ; Schoenhalz, Aline L. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. ; He, J. ; Hwu, Shiou J. ; Skove, Malcolm J. ; Rao, Apparao M. . Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured ZnO. Nano Letters, p. 100302111141082, 2010.
5. Schoenhalz, Aline L. ; Arantes, Jeverson T. ; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo M. . Surface and Quantum Confinement Effects in ZnO Nanocrystals. Journal of physical chemistry. C, v. 114, p. 18293-18297, 2010.
6. FILETI, E. E. ; Dalpian, G. M. ; Rivelino, R. . Liquid separation by a graphene membrane. Journal of Applied Physics, v. 108, p. 113527, 2010.
7. Pontes, Renato B. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. . Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 79, p. 033412, 2009.
8. Chan, Tzu-Liang ; Zayak, Alexey T. ; Dalpian, Gustavo M. ; Chelikowsky, James R. . Role of Confinement on Diffusion Barriers in Semiconductor Nanocrystals. Physical Review Letters, v. 102, p. 025901, 2009.
9. Arantes, J. T. ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, G. M. . Effects of Side-Chain and Electron Exchange Correlation on the Band Structure of Perylene Diimide Liquid Crystals: A Density Functional Study. Journal of Physical Chemistry. B, v. 113, p. 5376-5380, 2009.
10.   SCHOENHALZ, A. L. ; Arantes, J. T. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, G. M. . Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures. Applied Physics Letters, v. 94, p. 162503, 2009.
11. Dalpian, Gustavo M. ; Da Silva, Juarez L. F. ; Wei, Su-Huai . Ferrimagnetic Fe-doped GaN: An unusual magnetic phase in dilute magnetic semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 79, p. 241201(R), 2009.
12. Martinho, H ; Rettori, C ; Dalpian, G M ; da Silva, J L F ; Fisk, Z ; Oseroff, S B . Evidence for a subtle structural symmetry breaking in EuB. Journal of Physics. Condensed Matter, v. 21, p. 456007, 2009.
13. DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Dalpian and Chelikowsky Reply. Physical Review Letters, v. 100, p. 179703, 2008.
14. Arantes, J. T. ; Dalpian, G. M. ; FAZZIO, A. . Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: A first-principles study. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 78, p. 045402, 2008.
15. Silva, Juarez L F Da ; Dalpian, Gustavo M ; Wei, Su-Huai . Carrier-induced enhancement and suppression of ferromagnetism in Zn Cr Te and Ga Cr As: origin of the spinodal decomposition. New Journal of Physics, v. 10, p. 113007, 2008.
16.   DALPIAN, G. M. ; WEI, S. H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Phenomenological Band Structure Model of Magnetic Coupling in Semiconductors. Solid State Communications, v. 138, n. 7, p. 353-358, 2006.
17. ZHANG, Y. ; DALPIAN, G. M. ; FLUEGEL, B. ; WEI, S.-H. ; MASCARENHAS, A. ; HUANG, X. ; LI, J. ; WANG, L. W. . A novel approach to tune the physical properties of organic-inorganic hybrid semiconductors. Physical Review Letters, v. 96, n. 026405, p. 026405, 2006.
18. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Electron-mediated ferromagnetism and negative s-d exchange splitting in semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 73, n. 245204, p. 245204, 2006.
19. DALPIAN, G. M. ; TIAGO, M. L. ; PUERTO, M. L. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Symmetry considerations in CdSe nanocrystals. Nano Letters, v. 6, n. 3, p. 501-503, 2006.
20. DALPIAN, G. M. ; YAN, Y. ; WEI, S.-H. . Impurity-induced phase stabilization of semiconductors. Applied Physics Letters, v. 89, p. 011907, 2006.
21. MOON, C.-Y. ; DALPIAN, G. M. ; ZHANG, Y. ; WEI, S.-H. ; HUANG, X. ; LI, J. . Structural Stability of Organic-Inorganic Hybrid nano semiconductors. Chemistry of Materials, v. 18, n. 12, p. 2805-2809, 2006.
22.   DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Self purification in semiconductor nanocrystals. Physical Review Letters, v. 96, n. 226802, p. 226802, 2006.
23. DALPIAN, G. M. ; WEI, S. H. . Carrier Mediated stabilization of ferromagnetism in semiconductors: holes and electrons. Physica Status Solidi. B, Basic Research, v. 243, n. 9, p. 2170-2187, 2006.
24. Norberg, N. S ; DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. ; Gamelin, D. R. . .Pinned Magnetic Impurity Levels in Doped Quantum Dots (online). Nano Letters, v. 6, p. 2887-2892, 2006.
25. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Impurity-Stabilized Zinc-Blende Phase of Wurtzite Compounds. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 66, p. 2008, 2005.
26. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Transition from ferromagnetism to antiferromagnetism in Ga1-xMnxN. Journal of Applied Physics, v. 98, n. 083905, p. 083905, 2005.
27. WEI, S. H. ; GONG, X. G. ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . First Principles study of Mn-induced local magnetic moments in host semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 71, n. 14, p. 144409, 2005.
28. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Photoinduced cation interstitial diffusion in II VI semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 72, n. 075208, p. 075208, 2005.
29. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Electron-induced stabilization of ferromagnetism in Ga1 xGdxN. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 72, n. 115201, p. 115201, 2005.
30. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface. Surface Science, v. 566, p. 688-692, 2004.
31. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Initial Stages of Ge and Si Growth near monoatomic SB steps on Si(100). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 70, p. 193306, 2004.
32.   DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Hole-Mediated stabilization of cubic GaN. Physical Review Letters, v. 93, p. 216401, 2004.
33. YAN, Y. ; DALPIAN, G. M. ; AL-JASSIM, M. M. ; WEI, S.-H. . Energetics and Electronics Structure of Stacking Faults in ZnO. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 70, n. 19, p. 193206, 2004.
34. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of a Possible MnXSi1-x Ferromagnetic semiconductor. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 68, n. 113310, p. 113310, 2003.
35. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. ; VENEZUELA, P. . Ab Initio calculations of vacancies in Si1-xGex.. Applied Physics Letters, v. 81, p. 3383-3385, 2002.
36. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in Si1-xGex.. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 65, n. 198806, p. 193306, 2002.
37. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface defrees of freedom. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 63, n. 20, p. 205303-5306, 2001.
38. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, v. 482-48, p. 507-511, 2001.
39.   SILVA, A. J. R. ; DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Two-Atom Structures of Ge on Si(100): Dimers versus Adatom Pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 036104, 2001.
40. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Determination of the atomistic structure of SixGe1-x alloy. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 64, n. 19, p. 19320, 2001.
41. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, p. 19-23, 2001.
42. DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge growth on Si(100): Ad-Atoms, Ad-Dimers and Ad-Trimers.. Physica. B, Condensed Matter, v. 273, p. 589-592, 1999.
Resumos publicados em anais de congressos
1. Chan T-L ; Zayak, A. T. ; Dalpian, Gustavo M ; CHELIKOWSKY, J. R. . The role of confinement on the diffusion barriers in semiconductor nanocrystals. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.
2. Arantes JT ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, Gustavo M. . Perylene diimide liquid crystals: A density functional study. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.
3. SCHOENHALZ, A. L. ; Arantes JT ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. . Ferromagnetism driven by extended defects in nanostructured ZnO. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.
4. SCHOENHALZ, A. L. ; Dalpian, Gustavo M . Co-DOPED ZnO NANOCRYSTALS. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.
5. de Oliveira, MIA ; Dalpian, Gustavo M. . ELECTRONIC AND STRUCTURAL PROPERTIES OF TWODIMENSIONAL SEMICONDUCTORS WITH GRAPHENE-LIKE STRUCTURE. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.
6. Arantes JT ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, Gustavo M . PERYLENE DIIMIDE LIQUID CRYSTALS: THE EFFECT OF HYBRID FUNCTIONALS AND SELF INTERACTION CORRECTION. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.
7. de Oliveira, MIA ; Dalpian, Gustavo M . Electronic and structural properties of two- dimensional semiconductors with graphene-like structure,. In: XXXII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2009, Aguas de Lindoia. XXXII ENFMC, 2009.
8. da Silva JLF ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Suppresion of ferromagnetism in Zn$_x$Cr$_{1-x}$Te: A DFT study. In: 2008 APS March Meeting, 2008, New Orleans. 2008 March Meeting, 2008.
9. DALPIAN, G. M. ; da Silva JLF ; WEI, S.-H. . CARRIER-INDUCED ENHANCEMENT AND SUPPRESSION OF FERROMAGNETISM IN ZnTe:Cr AND. In: International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio de Janeiro. ICPS, 2008.
10. Arantes JT ; Dalpian, G. M. ; FAZZIO, A. . QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS ON Mn-DOPED InAs NANOCRYSTALS. In: International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio de Janeiro. icps, 2008.
11. DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Self-purification in semiconductor nanostructures. In: 2007 APS March Meeting, 2007, Denver. 2007 March Meeting, 2007.
12. DALPIAN, G. M. . Phase Selectivity in organic-inorganic hybrid semiconductors,. In: Simposio Brasileiro de Quimica Teorica, 2007, Poços de Caldas. Simposio Brasileiro de Quimica Teorica, 2007.
13. ZHANG, Y. ; DALPIAN, G. M. ; FLUEGEL, B. ; WEI, S.-H. ; MASCARENHAS, A. ; LI, J. ; HUANG, X. . Exciton-polariton emission and absorption in inorganic-organic hybrid crystals ZnTe(en)$_{0.5}$. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.
14. MOON, C.-Y. ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; ZHANG, Y. ; HUANG, X. ; LI, J. . Characterizing the structural properties of organic-inorganic hybrid semiconductors by first-principles calculations. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.
15. WEI, S.-H. ; DALPIAN, G. M. . Electron-mediated ferromagnetism and negative s-d exchange splitting in semiconductors. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.
16. DALPIAN, G. M. ; TIAGO, M. L. ; PUERTO, M. L. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Symmetry considerations for semiconductor nanocrystals. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.
17. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; ZHANG, Y. ; FLUEGEL, B. ; MASCARENHAS, A. ; HUANG, X. ; LI, J. . Fully Ordered and Nano-Structured Inorganic-Organic Hybrid Semiconductors. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.
18. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Transition from Ferromagnetism to Antiferromagnetism in Ga{1-x}Mn{x}N. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.
19. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Band structure model of magnetic coupling in II-VI and III-V semiconductors. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.
20. DALPIAN, G. M. . Band Structure Model for Magnetic Coupling in Semiconductors. In: 47th Annual TMS Conference on Electronic Materials, 2005, Santa Barbara. ., 2005.
21. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Band Structure Model for Magnetic Coupling in II-VI and III-V Semiconductors. In: Spintech III, 2005, Avaji Island. ., 2005.
22. DALPIAN, G. M. . Electron-mediated stabilization of ferromagnetism in semiconductors: the case of GaGdN. In: Workshop on Computational Materials and Molecular Electronics, 2005, Austin. ., 2005.
23. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Stabilization of Zinc-Blende Semiconductors Through 3d impurities and holes. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004, Flagstaff. 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004.
24. DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . GaMN ternary alloys and superlattices: zinc-blende versus wurtzite phases. In: 14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 2004, Denver. 14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 2004.
25. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. In: XXVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2003, Caxambu. XXVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2003.
26. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption and Incorporation of Mn on Si(100). In: 22nd European Conference on Surface Science, 2003, Praga. 22nd European Conference on Surface Science, 2003.
27. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Adsorption of Si and Ge in Monoatomic Si(100) steps. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003.
28. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, 2003, Aarhus. 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, 2003.
29. DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-Mediated Diffusion in Disordered Alloys: Ge self-diffusion in SixGe1-x. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, Sao Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.
30. DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of vacancies in SixGe1-x. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, Sao Laourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.
31. DALPIAN, G. M. . Si incorporation in Si(100) steps. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, São Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.
32. DALPIAN, G. M. . Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, São Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.
33. DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in SixGe1-x. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgo. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.
34. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption of Si and Ge o Si(100) terraces and steps. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgo. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.
35. DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Theoretical Study of the Adsorption of Ge Atoms at Single-Height Si(100) Steps. In: 10th Brazilian workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian workshop on Semiconductor Physics, 2001.
36. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 10th Brazilian workshop on semiconductor physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian workshop on semiconductor physics, 2001.
37. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Estudo Sistemático da Liga siGe e seus Defeitos Intrínsecos. In: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, 2001.
38. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Surface Degrees of Freedom on the Si(100) Surface. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Florianópolis, 2001.
39. FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. . Systematical Study of teh Sige Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, 2001.
40. SILVA, A. J. R. ; DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Theoretical Studies of small Ge Structures on Si(100). In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, 2001.
41. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its intrinsic defects. In: MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, 2001.
42. VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy Related Defects on Si(x)Ge(1-x) alloy. In: School on Computational Physics - ICCMP, 2001, Brasília, 2001.
43. DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Ge Monomers and Dimers Adsorbed on the Si(100) Surface. In: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2000, São Lourenço - MG, 2000.
44. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge growth on Si(100). In: X Workshop on computational Materials Science, 2000, Villasimius - Sardenha, 2000.
45. DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge Growth on Si(100).. In: X European Conference on Surface Science, 2000, Madrid. X European Conference on Surface Science, 2000.
46. SILVA, A. J. R. ; VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, C. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Studies of the Si(1-x)Ge(x) alloy and its Intrinsic Defects. In: X Workshop on Computational Materials Science (CMS2000), 2000, Vilassimius, 2000.
47. DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Initial Stages of Growth of Ge on Si(100). In: XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1999, São Lourenço, 1999.
48. SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. . Stability of Ge Ad-Dimers on the Si(100) Surface. In: 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte - MG, 1999.
49. DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Study of the Chemical Bonds of Small Ge Structures on Si(100). In: X Simpósio Brasileiro de Química Teórica, 1999, Caxambu - MG, 1999.
50. SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. . Initial Stages of Ge Growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers and ad-trimers. In: The 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20), 1999, Berkeley, 1999.
Apresentações de Trabalho
1. DALPIAN, G. M. . Core-Shell nanocrystals: electronic and structural properties (Seminario - UFABC). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
2. DALPIAN, G. M. . Defeitos em nanoestruturas: necessários ou nao? (DF - UFSM). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
3. DALPIAN, G. M. . Nanociencias e Materiais Avançados (UFABC). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
4. DALPIAN, G. M. . Computação Científica de Alto Desempenho na UFABC: simulações em nanociências e materiais avançados. 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
5. DALPIAN, G. M. . Nanotecnologia. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
6. DALPIAN, G. M. . Simulação Computacional em Materiais. 2008. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
7. DALPIAN, G. M. . Probing the Properties of Nanostructured Materials through Ab Initio Calculations (Seminário - University of Washington, Chemistry Department). 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
8. DALPIAN, G. M. . Simulação de Nanoestruturas Semicondutoras através de Métodos de Primeiros Princípios (Seminario - DFMT - IFUSP). 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
9. DALPIAN, G. M. . Auto-purificação de nanocristais semicondutores (Colóquio - IF - UNICAMP). 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra).
10. DALPIAN, G. M. . Ferromagnetismo em GaMnN e GaMnAs. 2004. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
11. DALPIAN, G. M. . A natureza de defeitos em Bulk e em superficie de semicondutores. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
12. DALPIAN, G. M. . A natureza de defeitos em Bulk e em superficie de semicondutores. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
Produção técnica
Trabalhos técnicos
1. DALPIAN, G. M. . Parecer Ad Hoc para projetos CAPES. 2011.
2. DALPIAN, G. M. . Parecer Ad Hoc para projetos NSF (National Science Foundation - Estados Unidos). 2010.
3. DALPIAN, G. M. . Parecer Ad Hoc para projetos diversos FAPESP. Início. 2009.
4. DALPIAN, G. M. . Parecer Ad Hoc para projetos diversos CNPq. Início. 2008.
Demais tipos de produção técnica
1. DALPIAN, G. M. . Teoria Quantica de Moleculas e Solidos. 2004. (Editoração/Livro).

Bancas
Participação em bancas examinadoras
Dissertações
1. Castilho, CMC; Dalpian, Gustavo M; Rivelino R. Participação em banca de Paulo Vinicius da Costa Medeiros. Estudo da adsorção de alcalinos e de halogênios sobre grafeno via teoria do funcional da densidade. 2010. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia.
2. DALPIAN, G. M.; Piquini, P; Rodrigues, V.. Participação em banca de Mauricio Jeomar Piotrowski. Propriedades de clusters de metais de transição. 2009. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria.
3. DALPIAN, G. M.; FAZZIO, A.; Salvadori MCBS. Participação em banca de José Eduardo Padilha de Sousa. Vacâncias em nanotubos de carbono: propriedades eletrônicas, estruturais e de transporte. 2008. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.
4. DALPIAN, G. M.; Piquini, P; L. F. Schelp. Participação em banca de Vagner Alexandre Rigo. Estudo da Estabilidade Térmica de Nanofios de Silício. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria.
Teses de doutorado
1. SILVA, A. J. R.; H. Toma; L. M. R. Scolfaro; R. B. Capaz; DALPIAN, G. M.. Participação em banca de Renato Borges Pontes. Investigação em eletrônica molecular: um estudo via cálculos de primeiros princípios. 2007. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.
Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1. Schelp, LF; DALPIAN, G. M.; Baierle, RJ. Física - Estados Eletrônicos. 2010. Universidade Federal de Santa Maria.
2. Lustosa P.; Gobato Y; DALPIAN, G. M.. Concurso público para Professor Adjunto. Sintese e Caracterização de Materiais Semicondutores. 2008. Universidade Federal do ABC.

Eventos
Participação em eventos
1. PALESTRA CONVIDADA: Efeitos de superfície em nanoestruturas.I Simpósio em Nanociências e Materiais Avançados. 2010. (Simpósio).
2. PALESTRA CONVIDADA:Efeitos de superfície em nanoestruturas semicondutoras.XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. 2010. (Outra).
3. INVITED TALK. Overcoming Doping Bottlenecks in nanostructures. DFT2008.Overcoming Doping Bottlenecks in nanostructures.. 2008. (Congresso).
4. PALESTRA CONVIDADA: Modelos fenomenológicos para semicondutores magnéticos diluídos.XI Escola Brasileira de Estrutura Eletronica. 2008. (Outra).
5. PALESTRA CONVIDADA: Defeitos em Nanomateriais. III Workshop em Nanociências.Defeitos em Nanomateriais.. 2008. (Outra).
6. INVITED TALK: Doping Semiconductor Nanocrystals.13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2007. (Congresso).
7. INVITED TALK: Electron-induced Stabilization of Ferromagnetism in Semiconductors.2007 MRS Spring Meeting. 2007. (Congresso).
8. INVITED TALK: Electron-mediated stabilization of ferromagnetism..Workshop on Computational Materials and Molecular Electronics. 2005. (Outra).
9. INVITED TALK: Theoretical study of the structural, electronic and optical properties of a photovoltaic organic semiconductor: perylene diimide.NREL CSC Workshop. 2004. (Outra).
10. Adsorption of Ge on Si(100).Workshop on Application of Density-Functional Theory in Condensed Matter Physics, Surface Physics, Chemistry, Engineering and Biology. 2001. (Outra).
Organização de eventos
1. Dalpian, G. M. . V ISAMN. 2010. (Congresso).
2. SILVA, A. J. R. ; Dalpian, G. M. ; Arantes, J. T. ; Coutinho, K ; Miwa, RH . XII Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. 2010. (Outro).
3. Alves, WA ; Bastos, EL ; Ferreira, M ; Dalpian, G. M. ; Casseli, L ; OLIVEIRA, L. C. . I Simpósio em Nanociências e Materiais Avançados. 2010. (Outro).
4. Dalpian, G. M. . IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures 2009 (Coordenador geral do Simpósio. Recursos totais obtidos (CNPq, CAPES, FAPESP) da ordem de R$ 80.000,00.). 2009. (Congresso).
5. Arantes JT ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; Capelle, K . ESCOLA BRASIL-ARGENTINA de SIMULAÇÃO COMPUTACIONAL em NANOMATERIAIS. 2009. (Outro).
6. FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M ; SILVA, A. J. R. . IV Encontro da Rede Theo-Nano. 2009. (Outro).

Orientações
Orientações em andamento
Dissertação de mestrado
1. Yohel D. Larrauri Pizarro. Defeitos em óxidos semicondutores: analisando correções para melhorar a comparação entre a teoria e resultados experimentais. Início: 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do ABC, Universidade Federal do ABCb. (Orientador).
2. Fernando Steffler. Nanoestruturas de TiO2: nanofios ou nanotubos. Início: 2011. Dissertação (Mestrado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC. (Orientador).
3. Juan Camilo Alvarez Quiceno. Estudo de novos materiais semicondutores com aplicações em células solares. Início: 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do ABC, Universidade Federal do ABCb. (Orientador).
4. Luiz Zenko Corrêa Leite Hirakawa. Estudos das propriedades de superficies em nanocristais de GaN. Início: 2009. Dissertação (Mestrado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC. (Orientador).
Tese de doutorado
1. Antonio Claudio Michejev Padilha. Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo. Início: 2011. Tese (Doutorado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).
2. Alexandre Ramalho. Estudo Teórico de Compostos de Terras Raras. Início: 2010. Tese (Doutorado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).
Iniciação científica
1. Raphael Augusto da Silva. Ligações Químicas: um estudo teórico-computacional. Início: 2011. Iniciação científica (Graduando em Bacharelado em Ciência e Tecnologia) - Universidade Federal do ABC, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).
Supervisões e orientações concluídas
Dissertação de mestrado
1. Maria Isabel Almeida de Oliveira. Estudo Sistemático das Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Semicondutores Bidimensionais com Estrutura tipo Grafeno. 2010. Dissertação (Mestrado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.
Tese de doutorado
1. Aline Luciana Schoenhalz. Efeitos de superfície em nanoestruturas de ZnO. 2011. Tese (Doutorado em Nanociências e Materiais Avançados) - Universidade Federal do ABC, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.
Supervisão de pós-doutorado
1. Jeverson Teodoro Arantes Junior. 2008. Universidade Federal do ABC, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Gustavo Martini Dalpian.
2. Renato Borges Pontes. 2007. Universidade Federal do ABC, Universidade Federal do ABCb. Gustavo Martini Dalpian.
Iniciação Científica
1. Carolina Marques. Propriedades eletrônicas de átomos, moléculas e sólidos.. 2009. Iniciação Científica - Universidade Federal do ABC, Universidade Federal do ABCb. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.
2. Danyelle Lucchese. Estudo teórico das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios metálicos e semicondutores unidimensionais. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Bacharelado em Ciência e Tecnologia) - Universidade Federal do ABC, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.
3. Guilherme H. Casanova. Estudo teórico das propriedades de materiais semicondutores. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Bacharelado em Ciência e Tecnologia) - Universidade Federal do ABC, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.
4. Danyelle Lucchese. Estrutura cristalina de sólidos: ordem, desordem e simulação. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Bacharelado em Ciência e Tecnologia) - Universidade Federal do ABC, Universidade Federal do ABCb. Orientador: Gustavo Martini Dalpian.

Outras informações relevantes 
EVIDENCIA NA MIDIA:

http://www.physorg.com/news70115009.html ; 

http://www.foresight.org/publications/weekly0055.html ; 

http://www.intel.com/portugues/pressroom/releases/2007/1008.htm ; 

http://www.revistapesquisa.fapesp.br/?art=3427&bd=1&pg=1&lg= ; 

http://www.tacc.utexas.edu/research/users/features/chel.php ; 

http://www.nature.com/materials/nanozone/news/060622/portal/m060622-2.html ; 

http://pubs.acs.org/cen/science/84/8435sci1.html ; 

http://revistapesquisa.fapesp.br/?art=5390&bd=2&pg=1&lg=;


**** Em meados de 2008, o artigo "Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors" foi divulgado pelos editores da revista Solid State Communications como sendo um dos 5 mais citados da revista no ano de 2006****.
Página gerada pelo Sistema Currículo Lattes em 10/02/2012 às 22:04:16