Gabriel Vieira Soares

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 2

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  • Última atualização do currículo em 09/01/2019


Possui Bacharelado em Física (2004) e Doutorado em Microeletrônica pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (2008). Foi bolsista Humboldt no Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (Alemanha) entre 2014 e 2015. Atualmente é professor adjunto IV da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Tem experiência na área de Física e Físico-química, com enfâse em microeletrônica e análise de superfícies e interfaces. Atua principalmente nos seguintes temas: semicondutores alternativos ao silício e materiais bidimensionais como grafeno e MoS2. Possui índice H= 14 com um total de 812 citações. RESEARCHER ID: (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Gabriel Vieira Soares
Nome em citações bibliográficas
SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física, Departamento de Física.
Av Bento Gonçalves 9500 CP 15051
Agronomia
91501970 - Porto Alegre, RS - Brasil
Telefone: (51) 33086526


Formação acadêmica/titulação


2004 - 2008
Doutorado em Microeletrônica.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Título: Propriedades físico-químicas e características elétricas de estruturas dielétrico/SiC, Ano de obtenção: 2008.
Orientador: Fernanda Chiarello Stedile.
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.
Palavras-chave: SiC; Filmes finos dielétricos; SiO2; análise por feixe de íons; mecanismos de difusão/reação.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
2000 - 2004
Graduação em Bacharelado Em Física.
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.


Pós-doutorado


2014 - 2015
Pós-Doutorado.
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, PDI, Alemanha.
Bolsista do(a): Capes-Humboldt, CAPES-HUMBOLDT, Alemanha.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra


Atuação Profissional



Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.
Vínculo institucional

2010 - Atual
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Adjunto III, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/2010 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

03/2010 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

03/2010 - 07/2010
Ensino, Engenharias, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física geral e experimental I

Universidade de Caxias do Sul, UCS, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - 2010
Vínculo: Convidado, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 40

Atividades

08/2009 - 12/2009
Ensino, Matemática, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Prática IV
08/2009 - 12/2009
Ensino, Engenharia de Automatização Industrial, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física : Eletromagnetismo
08/2009 - 12/2009
Ensino, Materiais, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Análise de Materiais por Feixe de Íons
03/2009 - 07/2009
Ensino, Engenharia de Automatização Industrial, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física: Eletromagnetismo
03/2009 - 07/2009
Ensino, Matemática, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Prática II
03/2009 - 07/2009
Ensino, Matemática, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Prática IV
08/2008 - 12/2008
Ensino, engenharias, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Geral II
08/2008 - 12/2008
Ensino, Licenciatura em Química, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física Experimental
08/2008 - 12/2008
Ensino, Materiais, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Propriedades Elétricas dos Materiais
03/2008 - 07/2008
Ensino, engenharias, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Fisica geral e experimental
03/2008 - 07/2008
Ensino, sistemas de informação, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Probabilidade e Estatística
03/2008 - 07/2008
Ensino, Materiais, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Estrutura de Sólidos


Linhas de pesquisa


1.
Síntese e dopagem de materiais 2D: Grafeno e MoS2
2.
Semicondutores Alternativos para a Nova geração de Dispositivos Nanoeletrônicos: Grafeno


Projetos de pesquisa


2016 - Atual
Síntese e dopagem de materiais 2D: Grafeno e MoS2
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
2016 - Atual
Hydrogen-containing species interactions with graphene
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (2) .

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
Financiador(es): Alexander Von Humboldt-Stiftung/Foundation - Auxílio financeiro.
2010 - 2014
Formação de Nanolaminados Dielétricos sobre Semicondutores Alternativos ao Si
Descrição: Processo : Proj. 1008017 FAPERGS.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
2010 - 2013
Nanolaminados dielétricos depositados sobre grafeno: aplicações em dispositivos nanoeletrônicos.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
2010 - 2013
Síntese e caracterização de materiais nano-estruturados através de feixes iônicos
Descrição: Edital FAPERGS 008/2009 Programa: PRONEX. Nº processo: 10/0017-0, Concessão: abril de 2010. Vigência: 2010-2013...
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Integrante / Pedro Luis Grande - Coordenador.
Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul - Auxílio financeiro.
2009 - 2012
Rede de Pesquisa e Formação em Biofuncionalização de Superfícies
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Integrante / Israel Jacob Rabin Baumvol - Coordenador / C. Krug - Integrante / Giovanna Machado - Integrante / FIGUEROA, C - Integrante / GIACOMELLI, C - Integrante / Alexandre Macedo - Integrante.
Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
2009 - 2012
Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Engenharia de Superfícies (INES)
Descrição: A engenharia de superfícies é usada em larga escala nos sistemas produtivos de países com altos índices de desenvolvimento industrial. Trata-se da tecnologia de preparação e modificação das superfícies de componentes de engenharia para cumprir funções específicas dentro de uma aplicação, em geral sem modificar significativamente as dimensões dos componentes para a aplicação projetada. Praticada empiricamente há milênios pelo homem, a consolidação da engenharia de superfícies como tecnologia ainda hoje é dificultada pelo conhecimento limitado das superfícies e interfaces sólidas, que têm comportamento completamente diferente e muito mais complexo do que os volumes dos sólidos. Confirmando isso, o Prêmio Nobel de Química em 2007 foi concedido a Gerhard Ertl, um especialista em fenômenos físico-químicos de superfícies. A frase do físico Wolfgang Pauli, "God made solids, but surfaces were the work of the Devil. ...? continuará ilustrando os esforços para compreender e controlar as superfícies ? esforços que promovem avanços da ciência e produzem soluções eficazes na indústria em áreas prioritárias para o desenvolvimento nacional. Missão A missão do INES é realizar um programa nacional de desenvolvimento e difusão da engenharia de superfícies que colabore para o crescimento sustentável do Brasil pela via da inovação tecnológica. Para isso, este INCT reúne e articula os melhores recursos humanos e de infraestrutura da área existentes nas universidades, centros de pesquisa e indústrias. MEMBROS: http://www.cnpq.br/programas/inct/_apresentacao/inct_engenharia_superficies.html.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Integrante / Israel Jacob Rabin Baumvol - Coordenador / Fernando Lazaro Freire Junior - Integrante / C. Krug - Integrante / Paulo Fichtner - Integrante / Alexandre Umpierre - Integrante / Giovanna Machado - Integrante / GIACOMELLI, C - Integrante / Figueroa, C.A. - Integrante / Perottoni, C.A. - Integrante / Zorzi, J.E. - Integrante / Cíntia L. G. Amorim - Integrante / Amilton Sinatora - Integrante / Clodomiro Alves Jr. - Integrante / Francisco das Chagas Marques - Integrante / Livio Amaral - Integrante / Vladimir Trava Airoldi - Integrante / Carlos Fortis Kwietniewski - Integrante / Dante Franceschini Filho - Integrante / João Henrique Zimnoch dos Santos - Integrante / Marcos Vasconcellos - Integrante / Pedro Luis Grande - Integrante / Valdir Soldi - Integrante / Cláudia Trindade Oliveira - Integrante / Alessandra Venâncio Diniz - Integrante / Alexandre Viecelli - Integrante / Almir Spinelli - Integrante / Carlos Sanchez Tasayco - Integrante / Daniel Weibel - Integrante / Edison Mota - Integrante / Fernando Zawislak - Integrante / Gilmar Tonnieto - Integrante / Janaina S. Crespo - Integrante / Johnny Ferraz Dias - Integrante / Julio Miranda Pureza - Integrante / Leonardo Gregory Brunet - Integrante / Lucia Vieira dos Santos - Integrante / Marina Rodrigues Aguiar - Integrante / Marta Elisa Rosso Dotto - Integrante / Paulo Mei - Integrante / Ricardo Rego Bordalo Correia - Integrante / Roberto Martins de Souza - Integrante / Sebastian Gonçalves - Integrante / Vanessa Schmidt - Integrante / Monica de Mesquita Lacerda - Integrante.
Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2009 - 2011
Multicamadas Nanoestruturadas de Nitretos e Carbetos Metálicos para Aplicações Tribológicas Extremas
Descrição: Descrição: Status: Coordenador. Programa: Edital Jovens Pesquisadores/Nanotecnologia. Nº processo: 577276/2008-5..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2008 - 2010
Revestimentos Biocompatíveis Nanoestruturados Baseados em SiC
Descrição: Descrição: Status: Coordenador. Programa: Edital Universal. Nº processo: 472598/2008-2..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.

Integrantes: Gabriel Vieira Soares - Coordenador.
Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.


Membro de corpo editorial


2017 - Atual
Periódico: Current Smart Materials


Revisor de periódico


2010 - Atual
Periódico: Surface & Coatings Technology
2010 - Atual
Periódico: Materials Letters (General ed.)
2011 - Atual
Periódico: Applied Materials and Interfaces
2014 - Atual
Periódico: Materials Science in Semiconductor Processing
2014 - Atual
Periódico: Applied Physics Letters
2015 - Atual
Periódico: Solid State Sciences
2016 - Atual
Periódico: Arabian Journal of Chemistry
2014 - Atual
Periódico: Applied Surface Science


Revisor de projeto de fomento


2015 - Atual
Agência de fomento: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
2014 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: MATERIAIS SEMICONDUTORES.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
3.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.
4.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.
5.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Metalurgia de Transformação/Especialidade: Tratamentos Térmicos, Mecânicos e Químicos.
6.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Físico-Química/Especialidade: Química de Interfaces.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Alemão
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Prêmios e títulos


2017
Professor homenageado da turma de formandos em Engenharia Física 2016/1, .
2014
Humboldt Research Fellowship for Experienced Researchers, Alexander von Humboldt-Foundation.
2004
Destaque Salão de Iniciação Científica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
2003
Destaque Salão de Iniciação Científica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:70
Total de citações:769
Fator H:14
Soares G V  Data: 15/07/2016

SCOPUS

Artigos completos publicados em periódicos

1.
SOARES, G. V.2018 SOARES, G. V.; NAKHAIE, S. ; HEILMANN, M. ; RIECHERT, H. ; Lopes, J. M. J. . Growth of boron-doped few-layer graphene by molecular beam epitaxy. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 112, p. 163103, 2018.

2.
COPETTI, GABRIELA2018COPETTI, GABRIELA ; NUNES, EDUARDO H. ; ROLIM, GUILHERME K. ; Soares, Gabriel V. ; CORREA, SILMA A. ; WEIBEL, DANIEL E. ; Radtke, Cláudio . Reversibility of Graphene Photochlorination. Journal of Physical Chemistry C, v. 122, p. 16333-16338, 2018.

3.
GALVES, L.A.2017GALVES, L.A. ; WOFFORD, J.M. ; Soares, G.V. ; JAHN, U. ; PFÜLLER, C. ; RIECHERT, H. ; LOPES, J.M.J. . The effect of the SiC(0001) surface morphology on the growth of epitaxial mono-layer graphene nanoribbons. Carbon (New York), v. 115, p. 162, 2017.

4.
ROLIM, GUILHERME KOSZENIEWSKI2017ROLIM, GUILHERME KOSZENIEWSKI ; CORRÊA, SILMA ALBERTON ; GALVES, LAUREN ARANHA ; LOPES, JOÃO MARCELO J. ; Soares, Gabriel Vieira ; Radtke, Cláudio . Chemical and morphological modifications of single layer graphene submitted to annealing in water vapor. APPLIED SURFACE SCIENCE, v. 427, p. 825-829, 2017.

5.
Bom, Nicolau Molina2016Bom, Nicolau Molina ; Soares, Gabriel Vieira ; DE OLIVEIRA JUNIOR, MYRIANO HENRIQUES ; LOPES, JOÃO MARCELO J. ; RIECHERT, HENNING ; Radtke, Cláudio . Water Incorporation in Graphene Transferred onto SiO 2 /Si Investigated by Isotopic Labeling. Journal of Physical Chemistry. C, v. 120, p. 201-206, 2016.

6.
COPETTI, GABRIELA2016COPETTI, GABRIELA ; Soares, Gabriel V. ; Radtke, Cláudio . Stabilization of the GeO 2 /Ge Interface by Nitrogen Incorporation in a One-Step NO Thermal Oxynitridation. ACS Applied Materials & Interfaces (Print), v. 8, p. 27339-27345, 2016.

7.
TRENTIN, DANIELLE S.2015 TRENTIN, DANIELLE S. ; SILVA, DENISE B. ; FRASSON, AMANDA P. ; RZHEPISHEVSKA, OLENA ; DA SILVA, MÁRCIA V. ; DE L. PULCINI, ELINOR ; JAMES, GARTH ; Soares, Gabriel V. ; TASCA, TIANA ; RAMSTEDT, MADELEINE ; GIORDANI, RAQUEL B. ; LOPES, NORBERTO P. ; MACEDO, ALEXANDRE J. . Natural Green Coating Inhibits Adhesion of Clinically Important Bacteria. Scientific Reports, v. 5, p. 8287, 2015.

8.
ROLIM, GUILHERME KOSZENIEWSKI2015ROLIM, GUILHERME KOSZENIEWSKI ; GOBBI, ANGELO LUIZ ; Soares, Gabriel Vieira ; Radtke, Claudio . Oxygen Transport and Incorporation in Pt/HfO 2 Stacks Deposited on Germanium and Silicon. Journal of Physical Chemistry. C, v. 119, p. 150206034051008, 2015.

9.
CASARIN, LETÍCIA SOPEÑA2015CASARIN, LETÍCIA SOPEÑA ; DE OLIVEIRA CASARIN, FABRÍCIO ; SOARES, TATIANA PACHECO ; AGUZZOLI, CESAR ; FIGUEROA, CARLOS ALEJANDRO ; Soares, Gabriel Vieira ; BRANDELLI, ADRIANO ; TONDO, EDUARDO CESAR . Effect of Plasma Nitriding Surface Modification on the Adhesion of Food Pathogens to Stainless Steel AISI 316 and AISI 304. Journal of Food Safety, v. na, p. n/a-n/a, 2015.

10.
CARLI, LARISSA N.2014CARLI, LARISSA N. ; DAITX, TALES S. ; Soares, Gabriel V. ; CRESPO, JANAINA S. ; MAULER, RAQUEL S. . The effects of silane coupling agents on the properties of PHBV/halloysite nanocomposites. Applied Clay Science (Print), v. 87, p. 311-319, 2014.

11.
SOARES, G. V.2014SOARES, G. V.; FEIJÓ, T. O. ; BAUMVOL, I. J. R. ; AGUZZOLI, C. ; Krug, C. ; Radtke, C. . Thermally-driven H interaction with HfO2 films deposited on Ge(100) and Si(100). Applied Physics Letters, v. 104, p. 042901, 2014.

12.
TRENTIN, DANIELLE S.2014TRENTIN, DANIELLE S. ; BONATTO, FERNANDO ; ZIMMER, KARINE R. ; RIBEIRO, VANESSA B. ; ANTUNES, ANA LÚCIA S. ; BARTH, AFONSO L. ; Soares, Gabriel V. ; KRUG, CRISTANO ; Baumvol, Israel J.R. ; MACEDO, ALEXANDRE J. . N2/H2 plasma surface modifications of polystyrene inhibit the adhesion of multidrug resistant bacteria. Surface & Coatings Technology, v. 245, p. 84-91, 2014.

13.
TRETER, JANINE2014TRETER, JANINE ; BONATTO, FERNANDO ; Krug, Cristiano ; Soares, Gabriel Vieira ; Baumvol, Israel Jacob Rabin ; MACEDO, ALEXANDRE JOSÉ . Washing-resistant surfactant coated surface is able to inhibit pathogenic bacteria adhesion. Applied Surface Science, v. 303, p. 147-154, 2014.

14.
PITTHAN, E.2014PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; Stedile, F. C. . SiO2/SiC structures annealed in D218O: Compositional and electrical effects. Applied Physics Letters, v. 104, p. 111904, 2014.

15.
Corrêa, S.A.2014Corrêa, S.A. ; PITTHAN, E. ; Soares, G.V. ; Stedile, F.C. . Tracing the incorporation of water in SiO2/SiC structures formed by oxide deposition and thermal oxidation. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print), v. 332, p. 19, 2014.

16.
PITTHAN, E.2014PITTHAN, E. ; Corrêa, S.A. ; Soares, G.V. ; Radtke, C. ; Stedile, F.C. . Synthesis and applications of 18O standards for nuclear reaction analysis. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print), v. 332, p. 56, 2014.

17.
Bom, N.M.2014 Bom, N.M. ; OLIVEIRA, M.H. ; Soares, G.V. ; Radtke, C. ; LOPES, J.M.J. ; RIECHERT, H. . Synergistic effect of H2O and O2 on the decoupling of epitaxial monolayer graphene from SiC(0001) via thermal treatments. CARBON, v. 78, p. 298-304, 2014.

18.
Bom, N. M.2014Bom, N. M. ; SOARES, G. V. ; HARTMANN, S. ; BORDIN, A. ; Radtke, C. . GeO2/Ge structure submitted to annealing in deuterium: Incorporation pathways and associated oxide modifications. Applied Physics Letters (on-line), v. 105, p. 141605, 2014.

19.
PITTHAN, E.2013PITTHAN, E. ; PALMIERI, R. ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; Stedile, F. C. . The Role Played in the Improvement of the SiO2/SiC Interface by a Thin SiO2 Film Thermally Grown Prior to Oxide Film Deposition. ECS Solid State Letters, v. 2, p. P8-P10, 2013.

20.
CORREA, S. A.2013CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; TANNER, P. ; HAN, J. ; DIMITRIJEV, S. ; Stedile, F. C. . Hydrogen Incorporation Dependence on the Thermal Growth Route in Dielectric/SiC Structures. ECS Journal of Solid State Science and Technology, v. 2, p. N3041-N3044, 2013.

21.
SOARES, G. V.2013SOARES, G. V.; FEIJO, T. ; BAUMVOL, I. J. R. ; AGUZZOLI, C. ; Krug, C. ; Radtke, C. . Hydrogen Interaction with HfO2 Films Deposited on Ge(100) and Si(100). ECS Transactions (Online), v. 50, p. 97-103, 2013.

22.
SOARES, T.P.2013SOARES, T.P. ; AGUZZOLI, C. ; Soares, G.V. ; Figueroa, C.A. ; Baumvol, I.J.R. . Physicochemical and mechanical properties of crystalline/amorphous CrN/Si3N4 multilayers. Surface & Coatings Technology, v. 237, p. 170-175, 2013.

23.
ROLIM, G. K.2013ROLIM, G. K. ; SOARES, G. V. ; Radtke, C. . The Role of Sulfur-Passivation in the Stability of HfO2/Ge Structures. ECS Solid State Letters, v. 2, p. N43-N45, 2013.

24.
PITTHAN, E.2013PITTHAN, E. ; LOPES, L. D. ; PALMIERI, R. ; CORRÊA, S. A. ; CORRE^A, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Influence of thermal growth parameters on the SiO2-4H-SiC interfacial region. APL Materials, v. 1, p. 022101, 2013.

25.
Bom, Nicolau Molina2012Bom, Nicolau Molina ; Soares, Gabriel Vieira ; Krug, Cristiano ; Pezzi, Rafael Peretti ; Baumvol, Israel Jacob Rabin ; Radtke, Claudio . Evolution of the Al2O3/Ge(100) interface for reactively sputter-deposited films submitted to postdeposition anneals. Applied Surface Science, v. 258, p. 5707-5711, 2012.

26.
BONATTO, F.2012BONATTO, F. ; ROVANI, S. ; Kaufmann, I.R. ; Soares, G.V. ; Baumvol, I.J.R. ; Krug, C. . Complementary low energy ion scattering and X-ray photoelectron spectroscopy characterization of polystyrene submitted to N2/H2 glow discharge. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print), v. 273, p. 189-191, 2012.

27.
Corrêa, S.A.2012Corrêa, S.A. ; Soares, G.V. ; Radtke, C. ; Stedile, F.C. . Unraveling the role of SiC or Si substrates in water vapor incorporation in SiO2 films thermally grown using ion beam analyses. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print), v. 273, p. 139-141, 2012.

28.
Bom, N.M.2012Bom, N.M. ; Soares, G.V. ; Krug, C. ; Baumvol, I.J.R. ; Radtke, C. . Probing the stability of Al2O3/Ge structures with ion beams. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print), v. 273, p. 146-148, 2012.

29.
S.R.M. da Silva2012S.R.M. da Silva ; ROLIM, G. K. ; Soares, G. V. ; Baumvol, I.J.R. ; C. Krug ; MIOTTI, L ; FREIRE JR, F. L. ; da Costa, Marcelo E.H. Maia ; C. Radtke . Oxygen transport and GeO2 stability during thermal oxidation of Ge. Applied Physics Letters, v. 100, p. 191907, 2012.

30.
STEDILE, FERNANDA CHIARELLO2012STEDILE, FERNANDA CHIARELLO ; Radtke, Cláudio ; Soares, Gabriel Vieira ; Pitthan, Eduardo ; Palmieri, Rodrigo ; Corrêa, Silma A. . SiO2/SiC Interfacial Region: Presence of Silicon Oxycarbides and Effects of Hydrogen Peroxide and Water Vapor Thermal Treatments. Materials Science Forum (Online), v. 717-720, p. 747-752, 2012.

31.
Pitthan, Eduardo2012Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; Palmieri, Rodrigo ; Soares, Gabriel Vieira ; Boudinov, Henri I. ; STEDILE, FERNANDA CHIARELLO . Improvement in the SiO2/4H-SiC Interfacial Region by Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide. Materials Science Forum (Online), v. 717-720, p. 753-756, 2012.

32.
Radtke, C.2012Radtke, C. ; ROLIM, G. K. ; DA SILVA, S. R. M. ; SOARES, G. V. ; Krug, C. ; BAUMVOL, I. J. R. . Desorption of Ge Species during Thermal Oxidation of Ge and Annealing of HfO2/GeO2 Stacks. ECS Transactions, v. 45, p. 137-144, 2012.

33.
Strapasson, G.2011Strapasson, G. ; Badin, P.C. ; Soares, G.V. ; Machado, G. ; Figueroa, C.A ; Hubler, R. ; Gasparin, A.L. ; Baumvol, I.J.R. ; C.Aguzzoli, ; Tentardini, E.K. . Structure, composition, and mechanical characterization of dc sputtered TiN-MoS2 nanocomposite thin films. Surface & Coatings Technology, v. 205, p. 3810-3815, 2011.

34.
SOARES, G. V.2011SOARES, G. V.; Krug, C. ; MIOTTI, L. ; Bastos, K. P. ; LUCOVSKY, G. ; BAUMVOL, I. J. R. ; Radtke, C. . Intermixing between HfO[sub 2] and GeO[sub 2] films deposited on Ge(001) and Si(001): Role of the substrate. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 98, p. 131912, 2011.

35.
FILLA, J.2011FILLA, J. ; AGUZZOLI, C. ; SONDA, V. ; Farias, M.C.M. ; Soares, G.V. ; Baumvol, I.J.R. ; Figueroa, C.A. . Nanoscale friction of partially oxidized silicon nitride thin films. Surface & Coatings Technology, p. 4528, 2011.

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Pitthan, Eduardo2011Pitthan, Eduardo ; Corre^a, Silma A. ; Palmieri, Rodrigo ; Soares, Gabriel V. ; Boudinov, Henri I. ; Stedile, Fernanda C. . Effect of Reoxidations and Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide in the SiO2/SiC Interfacial Region. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 14, p. H368, 2011.

37.
Crespi, Ângela E.2011Crespi, Ângela E. ; da Costa, Marcelo E.H. Maia ; Figueroa, Carlos A. ; Dotto, Marta E.R. ; Kauling, Alan P. ; Soares, Gabriel V. ; Baumvol, Israel J.R. ; Giacomelli, Cristiano . Carbon nitride film deposition by active screen plasma nitriding. Materials Letters (General ed.), v. 65, p. 2985-2988, 2011.

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Radtke, C.2010Radtke, C. ; Krug, C. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; Lopes, J. M. J. ; Durgun-Ozben, E. ; NICHAU, A. ; SCHUBERT, J. ; MANTL, S. . Physicochemical and Electrical Properties of LaLuO[sub 3]/Ge(100) Structures Submitted to Postdeposition Annealings. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 13, p. G37, 2010.

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AGUZZOLI, C.2010AGUZZOLI, C. ; MARIN, C. ; Figueroa, C. A. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. . Physicochemical, structural, and mechanical properties of Si[sub 3]N[sub 4] films annealed in O[sub 2]. Journal of Applied Physics, v. 107, p. 073521, 2010.

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SOARES, G. V.2010SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; Corre^a, S. A. ; Radtke, C. ; Stedile, F. C. . H Quantification and Profiling in SiO[sub 2]/SiC Submitted to Annealing in Water Vapor. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 13, p. G95, 2010.

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Rovani, A.C.2010Rovani, A.C. ; Fischer, R.R. ; Cemin, F. ; Echeverrigaray, F.G. ; Basso, R.L.O. ; AMORIM, C.L.G. ; Soares, G.V. ; Baumvol, I.J.R. ; Figueroa, C.A. . Effect of hydrogen on plasma post-oxidation of ferrous alloys. Scripta Materialia (Oxford), v. 62, p. 863-866, 2010.

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Milani, R.2010Milani, R. ; R.F. de Lorenzi ; SOARES, G. V. ; Figueroa, C. A. ; Cardoso, R.P. ; Belmonte, T. ; BAUMVOL, I ; Perottoni, C.A. ; Zorzi, J.E. . Hardness and wear resistance of the ZrN layer made by plasma nitriding of yttria partially-stabilized zirconia. Cerâmica (São Paulo. Impresso), v. 56, p. 300-304, 2010.

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Stedile, Fernanda C.2010Stedile, Fernanda C. ; Corrêa, Silma A. ; Radtke, Cláudio ; Miotti, Leonardo ; Baumvol, Israel J.R. ; Soares, Gabriel V. ; Kong, Fred ; Han, Ji Sheng ; Hold, Leonie ; Dimitrijev, Sima . Consequences of NO Thermal Treatments in the Properties of Dielectric Films / SiC Structures. Materials Science Forum (Online), v. 645-648, p. 689-692, 2010.

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46.
Milani, R.2009Milani, R. ; Cardoso, R.P. ; Belmonte, T. ; Figueroa, C.A. ; Perottoni, C.A. ; Zorzi, J.E. ; SOARES, G. V. ; Baumvol, I.J.R. . Nitriding of yttria-stabilized zirconia in atmospheric pressure microwave plasma. Journal of Materials Research, v. 24, p. 2021-2028, 2009.

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S.A. Corrêa2009S.A. Corrêa ; C. Radtke ; SOARES, G. V. ; MIOTTI, L ; BAUMVOL, I. J. R. ; S. Dimitirjev ; J. Han ; L. Hold ; F. Kong ; F.C. Stedile . Effects of nitrogen incorporation on the interfacial layer between thermally grown dielectric films and SiC. Applied Physics Letters, v. 94, p. 251909, 2009.

48.
PORTOLAN, E.2009PORTOLAN, E. ; AMORIM, C.L.G. ; Soares, G.V. ; AGUZZOLI, C. ; Perottoni, C.A. ; Baumvol, I.J.R. ; Figueroa, C.A. . Carbon occupancy of interstitial sites in vanadium carbide films deposited by direct current reactive magnetron sputtering. Thin Solid Films, v. 517, p. 6493-6496, 2009.

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Corre^a, S. A.2009Corre^a, S. A. ; Marmitt, G. G. ; Bom, N. M. ; da Rosa, A. T. ; Stedile, F. C. ; Radtke, C. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; Krug, C. ; Gobbi, A. L. . Enhancement in interface robustness regarding thermal oxidation in nanostructured Al[sub 2]O[sub 3] deposited on 4H-SiC. Applied Physics Letters, v. 95, p. 051916, 2009.

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SOARES, G. V.2009SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; Corre^a, S. A. ; Radtke, C. ; Stedile, F. C. . Water vapor interaction with silicon oxide films thermally grown on 6H-SiC and on Si. Applied Physics Letters, v. 95, p. 191912, 2009.

51.
Radtke, C.2008Radtke, C. ; Stedile, F. C. ; Soares, G. V. ; Krug, C. ; da Rosa, E. B. O. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. . Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO[sub 2]. Applied Physics Letters, v. 92, p. 252909, 2008.

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Corre^a, Silma A.2008Corre^a, Silma A. ; Radtke, Cla?udio ; Soares, Gabriel V. ; Baumvol, Israel J. R. ; Krug, Cristiano ; Stedile, Fernanda C. . Presence and Resistance to Wet Etching of Silicon Oxycarbides at the SiO[sub 2]/SiC Interface. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 11, p. H258, 2008.

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KAULING, A2008KAULING, A ; SOARES, G. V. ; FIGUEROA, C ; DEOLIVEIRA, R ; BAUMVOL, I ; GIACOMELLI, C ; MIOTTI, L . Polypropylene surface modification by active screen plasma nitriding. Materials Science & Engineering. C, Biomimetic Materials, Sensors and Systems, p. 1, 2008.

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SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira2007SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke ; F.C. Stedile . Enchanced hydrogen bonding strengh observed in hydrogenated SiC and SiO2/SiC. Applied Physics Letters, v. 90, p. 081906, 2007.

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SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira2007SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; L. Hold ; F. Kong ; J. Han ; S. Dimitirjev ; C. Radtke ; F.C. Stedile . Sequential thermal treatments of SiC in NO and O2: atomic transport and electrical characteristics. Applied Physics Letters, v. 91, p. 041906-1-041906-3, 2007.

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SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira2006SOARES, G. V.; C. Radtke ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . Morphological and compositional changes in the SiO2/SiC interface region induced by oxide thermal growth. Applied Physics Letters, v. 88, p. 04190, 2006.

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SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira2006SOARES, G. V.; TROMBETTA, F. ; SCHUTZ, P. ; C. Radtke ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . Ion beam analysis of the SiO2/SiC interface. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 249, p. 444-446, 2006.

58.
DRIEMEIER, C.2005DRIEMEIER, C. ; K.P.BASTOS ; SOARES, G. V. ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PUNCHAIPENT, G ; PANT, G. ; GNADE, B. E. ; WALLACE, R. . Atomic transport and chemical stability of nitrogen in ultrathin HfSiON gate dielectrics. Applied Physics. A, Materials Science & Processing, v. 80, p. 1045-1047, 2005.

59.
K.P.Bastos2004K.P.Bastos ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; DRIEMEIER, C. ; LUCOVSKY, G. ; HINKLE, C. . Thermal stability of plasma-nitrided aluminum oxide films on Si. Applied Physics Letters, v. 84, n.1, p. 97-99, 2004.

60.
MIOTTI, L.2004MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. ; DRIEMEIER, C. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; K.P.Bastos ; MORAIS, J. ; A. L. P. Rotondaro ; M. R. Visokay ; J. J. Chambers . Exchange-diffusion reactions in HfSiON during annealing studied by Rutherford backscattering spectrometry, nuclear reaction analysis and narrow resonant nuclear reaction profiling. Applied Physics Letters, v. 85, p. 4460-4462, 2004.

61.
SOARES, G. V.;Soares, G.V.;Soares, Gabriel V.;Soares, Gabriel Vieira2004SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; LUCOVSKY, G. ; HINKLE, C. ; PEZZI, R. P. ; K.P.Bastos ; MIOTTI, L. ; DRIEMEIER, C. . Nitrogen bonding, stability, and transport in AlON films on Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, Estados Unidos, v. 84, n.24, p. 4992-4994, 2004.

62.
K.P.Bastos2004K.P.Bastos ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; MORAIS, J. ; H.H.TSENG ; P.J.TOBIN ; R.I.HEGDE . Thermal stability of the Hf02/SiOxNy-Si interface. Journal of the Electrochemical Society, v. 151, p. 153, 2004.

63.
MIOTTI, L.2004MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; DRIEMEIER, C. ; E.B.O. da Rosa ; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; K.P.Bastos . Thermal stability of nitrided high-k dielectrics. Physica Status Solidi. A, Applied Research, v. 201, n.5, p. 870-880, 2004.

64.
PEZZI, R. P.2004PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; K.P.Bastos ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; DRIEMEIER, C. ; PUNCHAIPENT, G ; WALLACE, R. ; GNADE, B. E. . Hydrogen and Deuterium incorporation and transport in hafnium-based dielectric films on silicon. Applied Physics Letters, v. 85, p. 3540-3542, 2004.

65.
K.P.Bastos2004K.P.Bastos ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; DRIEMEIER, C. ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; WALLACE, R. . Thermal stability of Hf-based high-k dielectric films on silicon for advanced CMOS devices. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, v. 112, n.2-3, p. 134-138, 2004.

66.
Bastos, K. P.2004Bastos, K. P. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; da Silva, R. C. G. ; Boudinov, H. ; BAUMVOL, I. J. R. ; Hegde, R. I. ; Tseng, H.-H. ; Tobin, P. J. . Thermal Stability and Electrical Characterization of HfO[sub 2] Films on Thermally Nitrided Si. Journal of the Electrochemical Society, v. 151, p. F153, 2004.

67.
SILVEIRA, E.2004SILVEIRA, E. ; A.P. Umpierre ; L.M. Rossi ; G. Machado ; MORAIS, J. ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; TEIXEIRA, S. ; FICHTNER, P. ; DUPONT, J. . The Partial Hydrogenation of Benzene to Cyclohexene by Nanoscale Ruthenium Catalysts in Imidazolium Ionic Liquids at Room Temperature. Chemistry - A European Journal, v. 10, n.15, p. 3734-3740, 2004.

68.
PEZZI, R. P.2003PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; MORAIS, J. ; K.P.Bastos ; MIOTTI, L. ; BAUMVOL, I. J. R. ; FREIRE JR, F. L. ; S.R. DAHMEN . Thermal behavior of hafnium-based ultrathin films on silicon. Journal of Vacuum Science and Technology. Part A. Vacuum, Surfaces and Films, v. 21, n.4, p. 1424-1430, 2003.

69.
BAUMVOL, I. J. R.2002 BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; R.I.HEGDE ; H.H.TSENG ; P.J.TOBIN ; K.P.BASTOS . Oxygen reaction-diffusion in metalorganic chemical vapor deposition HfO2 films annealed in O2. Applied Physics Letters, v. 81, n.9, p. 1669-1671, 2002.

70.
MORAIS, J.2002MORAIS, J. ; SOARES, G. V. ; PEZZI, R. P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; K.P.BASTOS ; MIOTTI, L. ; A. L. P. Rotondaro ; J. J. Chambers ; M. R. Visokay ; L. Colombo . Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 81, n.16, p. 2995-2997, 2002.

Capítulos de livros publicados
1.
BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; K.P.Bastos ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. ; F.C. Stedile ; E.B.O. da Rosa ; C. Radtke ; SOARES, G. V. ; C. Krug . Thermally-driven atomic transport in silicon oxynitride and high-k films on silicon. In: R.E. Sah; K.B. Sundaram; M.J. Deen; D. Landeer; W.D. Brown; and D. Misra. (Org.). Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films. : , 2003, v. 7, p. 106-118.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
SOARES, G. V.; C. Radtke ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . Hydrogen incorporation, depth distribution and thermal desorption from SiC and SiO2 films on SiC. In: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces - ICSFS 13, 2006, San CARlos de Bariloche. Proceedings of the 13th International Conference on Solid Films and Surfaces - ICSFS 13, 2006., 2006.

2.
SOARES, G. V.; C. Radtke ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . The behavior of Hydrogen and Oxygen in SiC and SiO2/SiC structures. In: Brazilian MRS (Materials Research Society) Meeting, 2006, 2006, Florianópolis (SC). Proceedings of the 5th Brazilian MRS (Materials Research Society) Meeting, 2006.

3.
K.P.Bastos ; MIOTTI, L. ; PEZZI, R. P. ; SOARES, G. V. ; MORAIS, J. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. . Stability of Nitrogen and Hydrogen in High-k Dielectrics. In: 2003 MRS Fall Meeting, Simposium E, 2003, Boston, MA. 2003 Fall Meeting Proceedings, 2003. v. 786. p. E241-E2411.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
F.C. Stedile ; BAUMVOL, I. J. R. ; SOARES, G. V. ; C. Radtke ; R. Loloee ; R.N. Gosh . Effects of hydrogen incorporation in thermally grown SiO2 films on 4H-SiC(0001) and 6H-SiC(0001). In: 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2007, 2007, Otsu-JAP. Proceedings of the 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2007, 2007.

2.
F.C. Stedile ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke ; F. Kong ; J. Han ; L. Hold ; S. Dimitirjev . Atomic transport and electrical characteristics of the SiOxNy/SiC interface in different thermal routes of O2 and NO processing of SiC. In: 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2007, 2007, Otsu-JAP. Proceedings of the 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2007, 2007.

3.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke ; L. Hold ; J. Han ; F. Kong ; S. Dimitirjev ; F.C. Stedile . Effects of the nitridation and oxidation sequence on dielectric films thermally grown on SiC. In: International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures ICSI-5, 2007, 2007, Marseille-FRA. Proceedings of the International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures ICSI-5, 2007. p. 210-211., 2007.

4.
K.P.BASTOS ; SOARES, G. V. ; MIOTTI, L. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. . Chemical Properties and Stability of Aluminum Oxynitride Films on Si under Vacuum and O2 Annealings. In: 3rd Brazil MRS Meeting, 2004, Foz do Iguaçu. Procedings of the 3rd Brazil MRS Meeting, 2004.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
GALVES, L.A. ; WOFFORD, J.M. ; Soares, G. V. ; JAHN, U. ; PFULLER, C. ; RIECHERT, H. ; Lopes, J. M. J. . 'The effect of the SiC(0001) surface morphology on the growth of epitaxial monolayer graphene nanoribbons. In: Compound Semiconductor Week, 2017, Berlin. Compound Semiconductor Week, 2017.

2.
Bom, Nicolau Molina ; Radtke, C. ; Soares, G.V. ; Lopes, J. M. J. ; OLIVEIRA, M. ; RIECHERT, H. . Oxygen intercalation in epitaxial graphene on SiC(0001) upon O2 and H2O annealings. In: MRS Spring Meeting, 2014, São Francisco. Abstracts of the 2014 MRS Spring Meeting, 2014. p. 355.

3.
SOARES, G. V.; C. Radtke ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . A interface SiO2/SiC investigada por traçagem isotópica e reações nucleares. In: 26º Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2006, 2006, Águas de Lindóia-SP. Anais da 26º Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2006 p. 46, 2006.

4.
SOARES, G. V.; FABIANE, ; TROMBETTA, F. ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile . nvestigation of the SiO2/SiC interface using nuclear reactions analysis and atomic force microscopy. In: 5th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2006, Mangaratiba (RJ). Proceedings of the 5th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2006. p. 75., 2006.

5.
BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile ; DRIEMEIER, C. ; SOARES, G. V. ; C. Radtke . Surface and Interface Hydrogen Nanoscopic Dielectrics on Si and on SiC. In: 5th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2006, Mangaratiba (RJ). Proceedings of the 5th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science, 2006. p. 15., 2006.

6.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke ; F.C. Stedile . Hydrogen incorporation in SiO2/SiC structures upon different thermal treatment sequences. In: 2006 Materials Research Society - MRS - Spring Meeting, 2006, San FRancisco-CA. Proceedings of the 2006 Materials Research Society - MRS - Spring Meeting, 2006. p. 72., 2006.

7.
F.C. Stedile ; BAUMVOL, I. J. R. ; SOARES, G. V. ; C. Radtke . How C influences the dry thermal oxidation of 6H-SiC ?. In: Brazilian MRS (Materials Research Society) Meeting, 2006, 2006, Florianópolis (SC). Proceedings of the Brazilian MRS (Materials Research Society) Meeting 2006, p 54, 2006.

8.
SOARES, G. V.; TROMBETTA, F. ; SCHUTZ, P. ; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke ; F.C. Stedile . Ion beam analysis of the SiO2/SiC interface. In: 17th International Conference on Ion Beam Analysis, 2005, Sevilha-ESP. Proceedings of the 17th International Conference on Ion Beam Analysis, 2005 v1, 2005.

9.
F.C. Stedile ; SOARES, G. V. ; SCHUTZ, P. ; TROMBETTA, F. ; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke . The SiO2/SiC interface: abruptness, oxygen and hydrogen incorporation. In: 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2005, Pittsburgh (PA) E.U.A. Proceedings of the 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2005. p. 81-81., 2005.

10.
BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. ; DRIEMEIER, C. ; SOARES, G. V. ; F.C. Stedile . Profiling nanoscopic systems. In: workshop New Trends in Ion Beam Research, 2005, Gramado-RS. Proceedings of the Workshop New Trends in Ion Beam Research, 2005., 2005.

11.
SOARES, G. V.; C. Radtke ; F.C. Stedile ; BAUMVOL, I. J. R. . Dry thermal oxidation of SiC and its relationship with C clusters. In: Brazilan MRS Meeting, 2004, Foz do Iguaçu. Book of Abstracts, 2004.

12.
F.C. Stedile ; SOARES, G. V. ; BAUMVOL, I. J. R. ; C. Radtke . Oxygen profiles in SiO2/SiC structures and their relation with C clusters. In: 35th IEEE 2004 SISC (Semiconductors Interface Specialist Conference), 2004, San Diego-CA. Proceedings of the 35th IEEE 2004 SISC (Semiconductors Interface Specialist Conference), 2004. v. -. p. 331-332., 2004.

13.
SOARES, G. V.; MORAIS, J. . Transporte Atomico, estabilidade termica e ligação do Nitrogênio em filmes de AlON sobre Si. In: XVI Salão de Iniciação Científica, 2004, Porto Alegre. Livro de Resumos do XVI Salão de Iniciação Científica, 2004.

14.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. . Estabilidade Térmica de Filmes Ultrafinos de HfSiON Depositados sobre Silício. In: XV Salão de Iniciação Científica 2003, 2003, Porto Alegre. Resumos do XV Salão de Iniciação Científica 2003, 2003.

15.
K.P.Bastos ; PEZZI, R. P. ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; SOARES, G. V. ; MORAIS, J. ; MIOTTI, L. . Stability of Hafnium oxide and silicate under thermal annealing. In: Workshop on Surface Science: Structural and Electronic Properties of Nanodeposits, 2003, Porto Alegre. Book of Abstracts, 2003.

16.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; MORAIS, J. ; PEZZI, R. P. ; MIOTTI, L. . Estabilidade Térmica de Nano Filmes Dielétricos Depositados em Silício. In: Iniciação Científica em Relatos, 2002, Porto Alegre. Iniciação Científica em Relatos, 2002.

Apresentações de Trabalho
1.
Soares, G.V.. Hydrogen incorporation in multilayer graphene investigated with nuclear reaction analysis. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

2.
Soares, Gabriel Vieira; WOFFORD, J. M. ; RIECHERT, HENNING ; Lopes, J. M. J. . Boron-doped graphene grown by molecular beam epitaxy. 2016. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

3.
SOARES, G. V.; WOFFORD, J. M. ; LOPES, J. J. M. ; RIECHERT, H. . Towards the large-area growth of graphene on dielectrics using molecular beam epitaxy. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

4.
Bom, Nicolau Molina ; Soares, G.V. ; Radtke, Claudio ; Lopes, J. M. J. ; OLIVEIRA, M. ; RIECHERT, H. . Oxygen Intercalation in Epitaxial Graphene on SiC(0001) upon O2 and H2O Annealings. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

5.
Soares, G.V.. Thermal stability of high-k films: Role of the substrate. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

6.
Soares, G.V.; Krug, Cristiano ; BAUMVOL, I. J. R. ; AGUZZOLI, C. ; T.O. Feijó ; C. Radtke . Hydrogen Interaction with HfO2 films deposited on Ge(001) and Si(001). 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

7.
Soares, G. V. ; C. Radtke ; C. Krug ; Bastos, K. P. ; MIOTTI, L ; BAUMVOL, I. J. R. ; LUCOVSKY, G. . Atomic Transport During annealing of HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001) and Si(001).. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

8.
C. Radtke ; C. Krug ; BAUMVOL, I. J. R. ; K.P.BASTOS ; MIOTTI, L. ; LUCOVSKY, G. ; SOARES, G. V. . Intermixing between HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001): Role of the substrate. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

9.
TRENTIN, D. ; ZIMMER, K. R. ; ROVANI, S. ; BONATTO, F. ; Krug, C. ; SOARES, M. ; A. Macedo ; T. Tasca ; BAUMVOL, I. J. R. ; SOARES, G. V. . N2/H2 plasma modification of polystyrene inhibits Staphylococcus epidermidis pathogenic biofilm formation. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

10.
SOARES, G. V.; AGUZZOLI, C. ; MARIN, C. ; Figueroa, C. A. ; BAUMVOL, I. J. R. . Physicochemical, structural, tribological and mechanical properties of Si3N4 films annealed in O2. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

11.
MARIN, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; FIGUEROA, C ; AGUZZOLI, C. ; SOARES, G. V. . Physicochemical and tribological properties of Si3N4 thin films deposited on Si by reactive magnetron sputtering. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

12.
C. Radtke ; S.A. Corrêa ; Stedile, F. C. ; SOARES, G. V. ; C. Krug ; da Rosa, E. B. O. ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. . Evidence of the Interaction of Oxidation By-products of 4H-SiC with SiO2. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

13.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; S.A. Corrêa ; C. Radtke ; Stedile, F. C. . Effects of water vapor incorporation in SiO2 films thermally grown on SiC and on Si. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

14.
SOARES, G. V.; BAUMVOL, I. J. R. ; S.A. Corrêa ; C. Radtke ; Stedile, F. C. . Water Vapor interactions with SiO2 films thermally grown on SiC and Si. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

15.
C. Radtke ; S.A. Corrêa ; Stedile, F. C. ; SOARES, G. V. ; C. Krug ; E.B.O. da Rosa ; BAUMVOL, I. J. R. ; PEZZI, R. P. . How Oxidation By-products of 4H-SiC interact with the SiO2 Overlayer. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).


Produção técnica
Produtos tecnológicos
1.
BAUMVOL, I. J. R. ; DRIEMEIER, C. ; F.C. Stedile ; SOARES, G. V. . Projeto e construção de sistema para reutilização de água enriquecida em 18O e D. 2004.

2.
C. Radtke ; DRIEMEIER, C. ; BAUMVOL, I. J. R. ; F.C. Stedile ; SOARES, G. V. . Projeto e construção de forno de alto-vácuo.. 2004.



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 Soares, G.V.; BAUMVOL, I. J. R. ; Kauling, Alan P. ; Giacomelli, Cristiano ; Figueroa, C. A. ; MIOTTI, L. . PROCESSO SUPORTADO POR TELA ATIVA EM/SOBRE SUPERFÍCIES E ESTRUTURAS OBTIDAS A PARTIR DE TAL PROCESSO. 2009, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: PI0901469, título: "PROCESSO SUPORTADO POR TELA ATIVA EM/SOBRE SUPERFÍCIES E ESTRUTURAS OBTIDAS A PARTIR DE TAL PROCESSO" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 06/05/2009

2.
 Radtke, C. ; PITTHAN, E. ; F.C. Stedile ; Soares, G.V. ; S.A. Corrêa . Processo de sintese de padroes de oxigenio-18 com barreira passivadora em um substrato. 2012, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR1020120260441, título: "Processo de sintese de padroes de oxigenio-18 com barreira passivadora em um substrato" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 11/10/2012



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
BRUNNET, L. G.; ALVES JUNIOR, C.; SOARES, G. V.. Participação em banca de Saulo Cordeiro Lima. Desenvolvimento de um sistema de nitretação a plasma e investigação da influência da temperatura e composição da atmosfera na nitretação da liga Ti-6Al-4V. 2010. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

2.
TENTARDINI, E.; SOARES, G. V.. Participação em banca de Fernanda Miotto. Reação de desinserção em SbxCoSb3-x. 2010. Dissertação (Mestrado em Materiais) - Universidade de Caxias do Sul.




Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Materials Research Society Spring Meeting. Evidence of the Interaction of Oxidation By-products of 4H-SiC with SiO2. 2008. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
ESTER RIEDNER FIGINI GERLING. Síntese de grafeno e formação de heteroestruturas van der Waals. Início: 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Tese de doutorado
1.
Taís Orestes Feijó. Síntese e dopagem de materiais 2D para aplicações em dispositivos nanoeletrônicos: Grafeno e MoS2. Início: 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

Iniciação científica
1.
LETICIA HUYER KRONHARDT. Produção de monocamadas de MoS2. Início: 2018. Iniciação científica (Graduando em Engenharia Química) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Taís Orestes Feijó. Crescimento de grafeno por CVD e sua interação físico-química com hidrogênio. 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

2.
Ivan Rodrigo Kaufmann. Estabilização de Filmes Finos de Óxido de Germânio por Incorporação de Nitrogênio Visando à Aplicações em Nanoeletrônica. 2013. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

3.
Cristiane Marin. Revestimentos protetores de nitreto de silício para aplicações tribológicas extremas. 2010. Dissertação (Mestrado em Materiais) - Universidade de Caxias do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Gabriel Vieira Soares.

4.
Raquel Milani. Nitretação a plasma de zircônia parcialmente estabilizada. 2009. Dissertação (Mestrado em Materiais) - Universidade de Caxias do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Gabriel Vieira Soares.

5.
Felipe Perini. PROPRIEDADES MECÂNICAS E MICROESTRUTURAIS DE AÇOS DE ALTA RESISTÊNCIA E BAIXA LIGA SOLDADOS. 2008. Dissertação (Mestrado em Materiais) - Universidade de Caxias do Sul, . Orientador: Gabriel Vieira Soares.

Supervisão de pós-doutorado
1.
Eduardo Pitthan Filho. 2018. Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Gabriel Vieira Soares.

Iniciação científica
1.
Pedro Enrique Carlesso Silveira. Síntese controlada de grafeno dopado. 2017. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

2.
HELOÍSA ORO DE LÍRIO. Incorporação de hidrogênio em grafeno crescido por epitaxia de feixe molecular. 2016. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia de Energia) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

3.
LUCAS ARAUJO DA COSTA. Nitretação térmica de substratos de Ge. 2012. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

4.
Ícaro Stumpf. Estudo da nitretação de superfícies de semicondutores alternativos ao Si.. 2011. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

5.
Taís Orestes. FORMACAO DE NANOLAMINADOS DIELETRICOS SOBRE SEMICONDUTORES ALTERNATIVOS AO SI. 2010. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharias) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gabriel Vieira Soares.

6.
Francisco Lanferdini Serafin. Nitretação de alumínio para aplicações tribológicas. 2009. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia de Materiais) - Universidade de Caxias do Sul. Orientador: Gabriel Vieira Soares.



Outras informações relevantes


ResearcherID: 	E-5065-2010



Página gerada pelo Sistema Currículo Lattes em 17/02/2019 às 8:10:08