Leonardo Shimizu Yojo

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  • Última atualização do currículo em 30/11/2018


Possui mestrado em microeletrônica adquirido na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo e graduação na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo com ênfase em sistemas eletrônicos. Realizou intercâmbio na Katholieke Universiteit Leuven, Bélgica, cursando disciplinas na área de microeletrônica. Tem experiência na área de microeletrônica, atuando principalmente no tema transistores SOI. Realizando doutorado na área de microeletrônica atualmente, atuando no tema transistores BE SOI MOSFET (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Leonardo Shimizu Yojo
Nome em citações bibliográficas
YOJO, L. S.;YOJO, LEONARDO;YOJO, L.S


Formação acadêmica/titulação


2018
Doutorado em andamento em Doutorado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Otimização de transistores BE SOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores,
Orientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: SOI; biossensor.
Grande área: Outros
2016 - 2018
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET,Ano de Obtenção: 2018.
Orientador: João Antonio Martino.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: BE SOI MOSFET; caracterização elétrica; modelagem.
2010 - 2015
Graduação em Engenharia elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Projeti BRITE.
Orientador: Marcelo Nelson Páez Carreño.
2013 - 2014
Graduação em intercâmbio.
Katholieke Universiteit Leuven, KU Leuven, Bélgica.
com período sanduíche em Katholieke Universiteit Leuven (Orientador: -).
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
2007 - 2009
Ensino Médio (2º grau).
Colégio Etapa, ETAPA, Brasil.




Idiomas


Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Produções



Produção bibliográfica
Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
YOJO, L.S; RANGEL, R.C. ; SASAKI, K.R.A. ; MARTINO, J.A. . Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 204.

2.
YOJO, L. S.; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . BE SOI MOSFET: A very simple reconfigurable SOI transistor. In: XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2017, São Paulo. Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology, 2017. p. 1-2.

3.
YOJO, L. S.; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . Reconfigurable Back Enhanced (BE) SOI MOSFET used to Build a Logic Inverter. In: 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017.

4.
YOJO, L. S.; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . Is there a Zero Temperature bias point (ZTC) on Back Enhanced (BE) SOI MOSFET?. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. p. 1.

5.
YOJO, LEONARDO; PADOVESE, JOSE A. ; RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO A. . Back enhanced (BE) SOI pMOSFET behavior at high temperatures. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
YOJO, L. S.; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . Estudo do transistor BE SOI MOSFET. In: 23º SIICUSP 1ª fase, 2015, São Paulo. Publicações 23 SIICUSP, 2015.

2.
YOJO, L. S.; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . Estudo do transistor BE SOI MOSFET. In: 23º SIICUSP Mostra de Destaques, 2015, São Paulo. Publicações 23 SIICUSP, 2015.

3.
YOJO, L. S.; NAKAMURA, R. . Desenvolvimento de Jogo Digital com tecnologia de Realidade Aumentada para Reabilitação Motora. In: 20º SIICUSP 1ª fase, 2012, São Paulo. Publicações 20 SIICUSP, 2012.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
23º SIICUSP.Estudo do transistor BE SOI MOSFET. 2015. (Simpósio).

2.
23º SIICUSP - Mostra de destaques.Estudo do transistor BE SOI MOSFET. 2015. (Simpósio).

3.
20º SIICUSP.Desenvolvimento de Jogo Digital com tecnologia de Realidade Aumentada para Reabilitação Motora. 2012. (Simpósio).




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