Ricardo Cardoso Rangel

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  • Última atualização do currículo em 26/10/2018


Possui Mestrado em Ciências pela Escola Politécnica da USP na área de microeletrônica (2014). É graduado em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo - FATEC-SP (2007). Atualmente é especialista de laboratório da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Ricardo Cardoso Rangel
Nome em citações bibliográficas
RANGEL, R. C.;Rangel, R. C.;RANGEL, RICARDO C.;RANGEL, RICARDO CARDOSO

Endereço


Endereço Profissional
Universidade de São Paulo, Escola Politécnica.
Avenida Prof. Luciano Gualberto, travessa 3 nº 380 - LSI
Cidade Universitária
05508-970 - Sao Paulo, SP - Brasil
Telefone: (11) 30915670


Formação acadêmica/titulação


2011 - 2014
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Sequência Simples de Fabricação de Transistores SOI nMOSFET,Ano de Obtenção: 2014.
Orientador: João Antonio Martino.
2004 - 2007
Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos.
Faculdade de Tecnologia de São Paulo, FATEC-SP, Brasil.
Orientador: Francisco Tadeu Degasperi.
2002 - 2003
Curso técnico/profissionalizante em Técnico em Eletrônica.
Escola Técnica Estadual Albert Einstein, ETEAE, Brasil.
2001 - 2003
Ensino Médio (2º grau).
Escola Técnica Estadual Albert Einstein, ETEAE, Brasil.




Formação Complementar


2009 - 2009
Extensão universitária em Microfabricação:Projeto e Construção de CI's MOS. (Carga horária: 80h).
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.


Atuação Profissional



Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Especialista de Laboratório, Carga horária: 40

Atividades

07/2008 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Escola Politécnica, .


Centro Universitário Sant'Anna, UNI-SANT'ANNA, Brasil.
Vínculo institucional

2011 - 2012
Vínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 8


Faculdade de Tecnologia de São Paulo, CEETEPS, FATEC-SP, Brasil.
Vínculo institucional

2016 - Atual
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 20

Vínculo institucional

2005 - 2006
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 16

Atividades

05/2005 - 07/2006
Estágios , Laboratório de Tecnologia do Vácuo - LTV, .

Estágio realizado
Determinação de Campo de Pressão de Ventosas.


Linhas de pesquisa


1.
Fabricação de Dispositivos Semicondutores com Tecnologia SOI nMOSFET
2.
Fabricação de Dispositivos Semicondutores Avançados (Beyond CMOS)


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Micro e Nanoeletrônica.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
YOJO, LEONARDO SHIMIZU2018YOJO, LEONARDO SHIMIZU ; RANGEL, RICARDO CARDOSO ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI ; MARTINO, JOAO ANTONIO . Optimization of Source/Drain Schottky Barrier Height on BE SOI MOSFET. ECS TRANSACTIONS, v. 85, p. 79-84, 2018.

2.
BOMFIM, FRANCISCO A.2018 BOMFIM, FRANCISCO A. ; RANGEL, RICARDO C. ; DA SILVA, DAVINSON M. ; CARVALHO, DANIEL O. ; MELO, EMERSON G. ; ALAYO, MARCO I. ; KASSAB, LUCIANA R.P. . A new fabrication process of pedestal waveguides based on metal dielectric composites of Yb3+/Er3+ codoped PbO-GeO2 thin films with gold nanoparticles. OPTICAL MATERIALS, v. 86, p. 433-440, 2018.

3.
Mammana, S. S.2007Mammana, S. S. ; DEGASPERI, F. T. ; Salvadori, M. C. ; Sparapani, D. C. ; Laino, M. F. ; RANGEL, R. C. ; Teixeira, F. S. ; CATTANI, M. . Critical parameter determination of sonic flow controller diamond microtubes and micronozzles. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, v. 25, p. 1804, 2007.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. ; SASAKI, K. R. A. . Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions. In: EUROSOI 2017 - 13th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, 2017, Athenas, Grécia. EUROSOI 2017 - Conference Proceedings, 2017. v. 1.

2.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . BE SOI MOSFET: A very simple reconfigurable SOI transistor. In: XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2017, 2017, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2017, 2017. v. 1.

3.
YOJO, LEONARDO ; PADOVESE, JOSE A. ; RANGEL, RICARDO C. ; MARTINO, JOAO A. . Back enhanced (BE) SOI pMOSFET behavior at high temperatures. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1.

4.
PADOVESE, J. A. ; YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . Back Enhanced SOI pMOSFET with Dynamic Threshold Voltage Configuration. In: XI Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2016, 2016, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2016, 2016. v. 1.

5.
RANGEL, RICARDO C.; MARTINO, JOAO A. . Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

6.
RANGEL, RICARDO C.; MARTINO, JOAO A. . Proposal of a process design methodology of Fully depleted SOI nMOSFET using only three photolithograph steps for educational application. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

7.
RANGEL, R. C.; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Simple Fabrication Process of SOI nMOSFET.. In: IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. Proceedings of SEMINATEC 2014, 2014. v. 1.

8.
RANGEL, RICARDO C.; POJAR, MARIANA ; SEABRA, ANTONIO C. ; FILHO, SEBASTIAO G. SANTOS ; MARTINO, JOAO A. . Fully electron-beam-lithography SOI FinFET. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013). p. 1.

9.
RANGEL, R. C.; POJAR, MARIANA ; SEABRA, ANTONIO C. ; FILHO, SEBASTIAO G. SANTOS ; MARTINO, J. A. . 3D Transistor (FinFET) Fabricated with Three Lithography. In: VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2013, Campinas. Proceedings of SEMINATEC 2013, 2013. v. 1.

10.
RANGEL, R. C.; CARRENO, M. N. P. ; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Design, Fabrication and Characterization of Self-Aligned Silicon-Gate nMOSFET Technology. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of SEMINATEC 2012, 2012. v. 1.

11.
DEGASPERI, F. T. ; RANGEL, R. C. . Determinação da Razão de Volumes para o Método de Expansão Estática em Metrologia de Pressão em Vácuo.. In: Congresso da Qualidade em Metrologia., 2007, São Paulo. Enqualab 2007, 2007.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
YOJO, L. S. ; Rangel, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . Is there a Zero Temperature bias point (ZTC) on Back Enhanced (BE) SOI MOSFET?. In: 2017 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, Burlingame. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017. p. 1.

2.
YOJO, LEONARDO ; RANGEL, RICARDO C. ; SASAKI, KATIA R. A. ; MARTINO, JOAO A. . Reconfigurable back enhanced (BE) SOI MOSFET used to build a logic inverter. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

3.
PADOVESE, J. A. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, JOAO A. . Estudo de Transistores 3D: Redução do Efeito Transistor Lateral Parasitário Usando uma configuração de Limiar Dinânico.. In: JNIC 2016: Jornada Nacional de Iniciação Científica, 2016, Porto Seguro - BA. Anais da JNIC 2016, 2016. v. 1.

4.
PADOVESE, J. A. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . Dynamic Threshold Voltage Configuration to Reduce The Parasitic Edge Transistor Effect on SOI Technology. In: SFORUM 2015: Microeletronics Students Forum, 2015, Salvador - BA. Proceedings of SFORUM 2015, 2015. v. 1.

5.
RANGEL, R. C.; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. A. . Microelectronics Education: Comparison of Two Different NMOS Process. In: 14th Microelectronics Students Forum - SForum 2014, 2014, Aracaju - SE. Proceedings of SForum 2014, 2014. v. 1.

6.
SPARAPANI, D. ; LAINO, M. ; RANGEL, R. C. ; SA, F. T. ; MAMMANA, S. ; SALVADORI, M. C. B. ; DEGASPERI, F. T. . Caracterização de Bocais de Diamante em Pré-Vácuo.. In: Congresso Brasileiro de Aplicações do Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC, 2006, Itatiba. CBRAVIC, 2006.

7.
PAULO, A. C. de ; RANGEL, R. C. ; DEGASPERI, F. T. . Procedimento Experimental para a Determinação de Throughput para Medidores de Vazão de Gases para Sistemas de Vácuo.. In: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC, 2006, Itatiba. CBRAVIC, 2006.

8.
RANGEL, R. C.; LYRA, J. ; UEHARA, R. ; COELHO, B. ; MAKDISSE, E. ; DEGASPERI, F. T. . Estudo Teórico e Experimental de Desempenho de Ventosas.. In: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC, 2006, Itatiba. CBRAVIC, 2006.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. A. ; MARTINO, J. A. . Optimization of Source/Drain SchottkyBarrier Height on BE SOI MOSFET. In: 233rd ECS MEETING, 2018, SEATTLE WA. 233rd ECS MEETING, 2018.

2.
PADOVESE, J. A. ; YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . Influence of UV Light on (BE) SOI pMOSFET. In: XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. Workshop Proceedings, 2018. p. 3-4.

3.
PADOVESE, JOSE A. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . Estudo de Transistores 3D: Redução do Efeito Transistor Lateral Parasitário Usando uma Configuração de Limiar Dinâmico. In: 23º SIICUSP - Simpósio de Iniciação Científica da USP, 2015, São Paulo. Anais do 23º SIICUSP 2015, 2015. v. 1.

4.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . ESTUDO DO TRANSISTOR BE SOI MOSFET. In: 23º SIICUSP - Simpósio de Iniciação Científica da USP, 2015, São Paulo. Anais do 23º SIICUSP 2015, 2015. v. 1.

5.
SASAKI, K. R. A. ; RANGEL, R. C. ; MARTINO, J. A. . SEQUÊNCIA DE FABRICAÇÃO DE TRANSISTORES NMOSFETS COMO UMA ESTRATÉGIA DE ENSINO-APRENDIZAGEM EM MICROELETRÔNICA. In: COBENGE2014 - XLII Congresso Brasileiro de Ensino em Engenharia, 2014, Juiz de Fora - MG. Anais do Cobenge 2014, 2014. v. 1.

Apresentações de Trabalho
1.
YOJO, L. S. ; RANGEL, R. C. ; SASAKI, K. R. A. ; MARTINO, J. A. . Optimization of Source/Drain SchottkyBarrier Height on BE SOI MOSFET. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

2.
RANGEL, R. C.; MARTINO, J. A. . Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

3.
RANGEL, R. C.; MARTINO, J. A. . Proposal of a process design methodology of Fully depleted SOI nMOSFET using only three photolithograph steps for educational application. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

4.
RANGEL, R. C.. Proposal of a Process Design Methodology of Fully Depleted SOI nMOSFET using only Three Photolithograph Steps for Educational Application.. 2014. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

5.
RANGEL, R. C.; POJAR, MARIANA ; SEABRA, ANTONIO C. ; FILHO, SEBASTIAO G. SANTOS ; MARTINO, J. A. . Fully electron-beam-lithography SOI FinFET. 2013. (Apresentação de Trabalho/Congresso).


Produção técnica
Trabalhos técnicos
1.
DEGASPERI, F. T. ; RANGEL, R. C. . Arranjo Experimental para Ensaio e Medição do Campo de Pressão de Ventosas. 2005.


Demais tipos de produção técnica
1.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; RANGEL, R. C. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. 2016.. 2016. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

2.
MARTINO, J. A. ; CARRENO, M. N. P. ; RANGEL, R. C. . OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS (TECNOLOGIA SOI-nMOSFET) - 2016. 2016. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

3.
MARTINO, J. A. ; AGOPIAN, P. G. D. ; RANGEL, R. C. . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2015. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 MARTINO, J. A. ; RANGEL, R. C. . Transistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricação. 2015, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR10201502097, título: "Transistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricação" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 28/08/2015



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Trabalhos de conclusão de curso de graduação
1.
YAMAMOTO, R. K.; AYALA, A. S.; RANGEL, R. C.. Participação em banca de Fábio Campopiano, José R.C. da Silva, Rogério C.A. Alvarenga.Veículo com braço robótico remotamente controlado para manipulação de artefatos explosivos: Robô Anti-Bomba. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Eletrônica Industrial) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

2.
DEGASPERI, F. T.; RANGEL, R. C.; OLIVEIRA, T. C.. Participação em banca de Lucas Rocha da SIlva e Leo Masaharu Amaya Kitagawa.Aprimoramento do método do volume variável para metrologia de vácuo. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

3.
DEGASPERI, F. T.; HERNANDEZ, L. F.; RANGEL, R. C.; OLIVEIRA, T. C.. Participação em banca de Gabriel Geidson Johanson de Sousa.Análise, Modelagem e medição de sistemas complexos de pré-vácuo bombeados no regime viscoso laminar de escoamento. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

4.
RANGEL, R. C.; YAMAMOTO, R. K.; NICOLETT, A. S.. Participação em banca de DANILO LANGELLOTTI, GUSTAVO ROBERTO ROSA e RAFAEL SILVA BEGA.SISTEMA DE AUTENTICAÇÃO VEICULAR POR RFID. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Eletrônica Industrial) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

5.
RANGEL, R. C.. Participação em banca de ANDERSON KENJI KAWAGUTI.PREPARAÇÃO DE FONTE DOPANTE LÍQUIDA DE FÓSFORO PARA DOPAGEM DE SILÍCIO. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

6.
RANGEL, R. C.. Participação em banca de Nathália Araujo da Silva.Metrologia de Vácuo pelo Método de Expansão Estática ? 760 Torr até 10-2 Torr. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

7.
RANGEL, R. C.; ZAMBOM, L. S.; SONNENBERG, V.. Participação em banca de Vinícius Gomes Barbosa.Caracterização Elétrica de Dispositivos e Tecnologia MOS. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.




Orientações



Orientações e supervisões concluídas
Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
DANILO LANGELLOTTI, GUSTAVO ROBERTO ROSA e RAFAEL SILVA BEGA. SISTEMA DE AUTENTICAÇÃO VEICULAR POR RFID. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Eletrônica Industrial) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Ricardo Cardoso Rangel.

2.
Vinícius Gomes Barbosa. Caracterização Elétrica de Dispositivos MOS Educacionais. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Ricardo Cardoso Rangel.



Inovação



Patente
1.
 MARTINO, J. A. ; RANGEL, R. C. . Transistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricação. 2015, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR10201502097, título: "Transistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricação" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 28/08/2015



Educação e Popularização de C & T



Apresentações de Trabalho
1.
RANGEL, R. C.. Proposal of a Process Design Methodology of Fully Depleted SOI nMOSFET using only Three Photolithograph Steps for Educational Application.. 2014. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).




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