Eduardo Valença

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  • Última atualização do currículo em 27/10/2018


Com experiência na área de Física, com ênfase em Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos, atuando principalmente nos seguintes temas: refletometria, rrx, mev, microscópio eletrônico de varredura e difratometria. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Eduardo Valença
Nome em citações bibliográficas
VALENÇA, E.;VALENÇA, EDUARDO


Formação acadêmica/titulação


2010
Graduação em andamento em Física.
Universidade Federal de Sergipe, UFS, Brasil.
2008 - 2009
Ensino Médio (2º grau).
Colégio Arquidiocesano Sagrado Coração de Jesus, ARQUIDIOCESANO, Brasil.




Atuação Profissional



Universidade Federal de Sergipe, UFS, Brasil.
Vínculo institucional

2016 - 2017
Vínculo: , Enquadramento Funcional:



Projetos de pesquisa


2018 - Atual
COMUTAÇÃO RESISTIVA EM FILMES FINOS DE ÓXIDO DE GRAFENO
Descrição: Nos últimos anos, muita atenção tem sido manifestada na exploração de materiais que apresentam características de comutação resistiva devido ao eficiente controle entre dois estados de condução (HRS ? high resistance state; LRS ? low resistance state) (Melo e Macêdo, 2016; Waser e Aono, 2007) os quais podem ser alternados através de tensão elétrica aplicada ao material (Chua, 1971; Strukov et al., 2008). Dispositivos que apresentam este tipo de comportamento estão sendo estudados em aplicações como em memórias resistivas de acesso aleatório (ReRAM) ou em memristors que podem se adaptar ao uso através de mudanças graduais da resistência elétrica do material. Normalmente, estes dispositivos são construídos sob uma arquitetura metal-isolante(semicondutor)-metal (Phan et al., 2007). O memristor possui dois terminais que ao se aplicar uma tensão de trabalho, o campo elétrico no interior do isolante pode alterar o estado de resistência, causando um processo de comutação resistiva (Chua, 1971; Jo et al., 2010). Características de comutação resistiva já foram amplamente estudadas em materiais semicondutores como ZnO (Melo e Macêdo, 2016; Poghosyan et al., 2015; Zhang et al., 2014), SrTiO3(Szot et al., 2007; Waser e Aono, 2007), BiFeO3 (Mayr et al., 2012), ou óxidos binários como NiO, TiO2, CuO devido às suas composições simples e fácil fabricação (Kim et al., 2011). Como alternativa promissora ao desenvolvimento de dispositivos que apresentam comutação resistiva, o grafeno é um excelente candidato (Yuhang et al., 2018). Suas características de óxido condutor transparente, associado à sua excelente mobilidade eletrônica à temperatura ambiente e alta condutividade térmica, faz do grafeno um material particularmente atraente para aplicações em dispositivos eletrônicos, baterias, supercapacitores e memristors (He et al., 2012; Porro et al., 2015; Yuhang et al., 2018). Alguns trabalhos explicam que o processo de comutação resistiva em filmes finos de grafeno pode ser causado por criação e destruição de filamentos condutores ou através de modificações na barreira de potencial conhecida como Barreira de Shcottky (Porro et al., 2015; Zhuge et al., 2011). No entanto, características de comutação resistiva e de memristors utilizando filmes finos de óxido de grafeno (GO) depositados sobre substratos de Al, ou filmes finos de GO codepositados simultaneamente com Al via sputtering, não foram ainda estudados, bem como ainda não é conhecida a influência da espessura nas propriedades elétricas de memristor em GO e Al-GO. Dessa forma, esse projeto visa pesquisar as propriedades de comutação resistiva em filmes finos de Al/GO/Al e Al/Al-GO/Al crescidos via magnetron sputtering. Além disso, as propriedades estruturais e cristalinas serão analisadas.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (1) .

Integrantes: Eduardo Valença - Coordenador / Adolfo Henrrique Nunes Melo - Integrante / Rogério Machado - Integrante / MACÊDO, M.A. - Integrante.
Financiador(es): Universidade Federal de Sergipe - Bolsa.
2017 - 2018
Filmes Finos Memristors de ZnO:Cu/ZnO/ITO depositados por Magnetron Sputtering: estudo da transição do processo de dopagem para a comutação resistiva filamentar
Descrição: Com o avanço da tecnologia se faz necessário a criação de processadores mais eficazes e complexos, capazes de realizar mais processamentos sequenciais e decodificação de instruções (JO et al., 2010). Essa complexidade se traduz quando se tenta reproduzir as funções celebrais de animais tais como gatos e aranhas que devido à grande capacidade de conexão entre os neurônios (~104 em um córtex de mamífero) (TANG et al., 2001) que demanda uma quantidade de processamento elevada (IZHIKEVICH; EDELMAN, 2008; JO et al., 2010). Uma das propostas para potencializar a capacidade dos processadores é através da associação destes com dispositivos memristors (CHUA, 1971). O memristor é um dispositivo composto por dois terminais que tem sua resistência elétrica modificada controlando a carga ou fluxo no dispositivo, semelhante ao que ocorre com sistema biológico das sinapses (CHUA, 1971; INDIVERI; CHICCA; DOUGLAS, 2006; JO et al., 2010). O comportamento neuromórfico de memristor é baseado em suaves alterações no estado de resistência controlado por um processo de dopagem induzida eletricamente por campo elétrico aplicado ao dispositivo (HUANG et al., 2013; JO et al., 2010). Esse comportamento neuromórfico dos memristors está apresentado nos trabalhos realizados com Ag-Si/Si (JO et al., 2010), BiFeO3 (BFO) (SAÏGHI et al., 2015), HfOx/TiOx,WOx, Ag/Ag2S (YU et al., 2013) e ZnO (CHEW; LI, 2013; DONGALE et al., 2015; LIU; GAN; YEW, 2012; YUSOFF; ANI; SURYANTO, 2013). Destes materiais o ZnO também se descarta por sua aplicabilidade como transdutores piezelétricos, emissor de luz UV, varistores e células solares (MELO; MACEDO, 2016; MELO; SILVA; MACEDO, 2014; PAUL et al., 2014; PEARTON et al., 2005; SANTOS; JUNIOR; MACEDO, 2010). Neste estudo será investigado as propriedades de memristors para caracterizar o comportamento neuromórfico em filmes finos com diferentes espessuras ZnO:Cu/ZnO/ITO/Vidro visando encontrar alterações no estado da resistência com a variação de campo elétrico e a correlação da espessura da interface de ZnO nessas alterações de resistência..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (1) .

Integrantes: Eduardo Valença - Coordenador / Adolfo Henrrique Nunes Melo - Integrante / Rogério Machado - Integrante / MACÊDO, M.A. - Integrante.
Financiador(es): Fundação de Apoio à Pesquisa e à Inovação Tecnológica do Estado de Sergipe - Bolsa.
2016 - 2017
REFLETOMETRIA DE RAIOS X COMO TÉCNICA NA AVALIAÇÃO DE ESPESSURA, INTERDIFUSÃO E RUGOSIDADE EM FILMES FINOS DE ZnO CRESCIDOS EM DIFERENTES SUBSTRATOS
Descrição: A medição da espessura de filmes finos é de fundamental importância para a compreensão de características como propriedades estruturais, ópticas e elétricas (KANG et al., 2011; ZHANG et al., 2014). Através do controle da espessura de filmes finos é possível obter diversas configurações favorecendo o desenvolvimento da qualidade cristalina, transmissão ótica, e resistividade (MELO; SILVA; MACÊDO, 2014). Já é conhecido que filmes finos de alta qualidade tem proporcionado progresso significante em diversas aplicações como supercondutores, tecnologia de semicondutores, células solares, diodos emissores de luz (LEDs), comutação resistiva em memórias resistivas, moduladores eletro-ópticos, sensores de gás, além de propriedades em materiais luminescentes (KOYANO et al., 2002; LEE et al., 2013). Neste sentido, há diversas técnicas de caracterização como Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET), Microscopia de Força Atômica (MFA), Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS), entre outros, que proporcionam excelentes análises de espessura em filmes finos (TU, 1985). Entre elas, a técnica de Refletometria de Raios X (RRX) tem atraído imensa atenção da comunidade científica por sua capacidade de fornecer informações além da espessura de filmes finos, como rugosidade das camadas (incluindo substrato), densidade atômica e derivações como densidade específica e densidade eletrônica (BANERJEE et al., 2004). No entanto, já foi observado que em alguns casos, filmes finos podem sofrer interdifusão na interface entre filmes ou substratos, na qual átomos do filme fino adentram a matriz do filme inferior ou substrato podendo reagir quimicamente formando uma região intermediária, o que pode prejudicar a medida exata da espessura por técnicas envolvendo microscopias (KUMAR et al., 2016), fazendo-se necessária, portanto, a utilização de técnicas como RRX. Kumar et al. (2016) observaram uma diminuição acentuada da magnetização em amostras de LSMO(La1-xSrxMnO3)/BFO(BiFeO3)/STO(SrTiO3) indicando a interdifusão de átomos de LSMO na camada de BFO, que foi confirmado através de RRX. Filmes finos de ZnO são conhecidos por serem semicondutores com band gap direto de 3,4 eV (WANG, 2004), por apresentar alta transparência na região do visível, forte luminescência à temperatura ambiente, além de possuir estrutura hexagonal do tipo wurtzita sendo um candidato em potencial para aplicações em eletrodos transparentes em telas planas, células solares, emissão de laser ultravioleta, fotodetectores, piezoeletricidade e tecnologia da informação (KHAN, 2011). Neste estudo investigaremos, através da técnica de RRX e de MEV, o processo de interdifusão de filmes finos de ZnO sobre substratos de Al, ITO (óxido de índio dopado com estanho) e vidro, além de verificar possíveis diferenças nas espessuras de ZnO para cada tipo de substrato, ou seja pretendemos identificar efeitos causados pela interdifusão ZnO/substrato, bem como em amostras de Al/ZnO, objetivando analisar a influência da densidade do filme inferior no grau de interdifusão. Também serão analisadas a rugosidade, densidade atômica, específica e eletrônica através da técnica de RRX..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (1) .

Integrantes: Eduardo Valença - Coordenador / Adolfo Henrrique Nunes Melo - Integrante / Rogério Machado - Integrante / MACÊDO, M.A. - Integrante.
Financiador(es): Universidade Federal de Sergipe - Bolsa.
Número de produções C, T & A: 2


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
2.
Grande área: Outros / Área: Robótica, Mecatrônica e Automação.


Idiomas


Inglês
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Produções



Produção bibliográfica
Artigos completos publicados em periódicos

1.
MELO, ADOLFO HENRIQUE NUNES2019 MELO, ADOLFO HENRIQUE NUNES ; VALENÇA, EDUARDO ; RODRIGUES, CLEBER LIMA ; MACÊDO, MARCELO ANDRADE . Transition from homogeneous to filamentary behavior in ZnO/ZnO-Al thin films. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, v. 770, p. 1200-1207, 2019.

2.
SANTOS, Y.P.2018 SANTOS, Y.P. ; VALENÇA, E. ; MACHADO, R. ; MACÊDO, M.A. . A novel structure ZnO-Fe-ZnO thin film memristor. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, v. 86, p. 43-48, 2018.

Apresentações de Trabalho
1.
VALENÇA, E.; MELO, A. H. N. ; MACEDO, M. A. ; MACHADO, R. . REFLETOMETRIA DE RAIOS X COMO TÉCNICA NA AVALIAÇÃO DE ESPESSURA, INTERDIFUSÃO E RUGOSIDADE EM FILMES FINOS DE AL CRESCIDOS EM ZNO. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

2.
VALENÇA, E.; CHAMUSCA, C. F. B. . Mini Curso de Impressão 3D para o ENSEF 2017. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

3.
VALENÇA, E.. Análise de interdifusão de filmes finos de Al e ZnO através de Refletometria de Raio X. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).



Educação e Popularização de C & T



Apresentações de Trabalho
1.
VALENÇA, E.; MELO, A. H. N. ; MACEDO, M. A. ; MACHADO, R. . REFLETOMETRIA DE RAIOS X COMO TÉCNICA NA AVALIAÇÃO DE ESPESSURA, INTERDIFUSÃO E RUGOSIDADE EM FILMES FINOS DE AL CRESCIDOS EM ZNO. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

2.
VALENÇA, E.; CHAMUSCA, C. F. B. . Mini Curso de Impressão 3D para o ENSEF 2017. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).




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