Antonio Ferreira da Silva

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1A - CA FA - Física e Astronomia

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  • Última atualização do currículo em 28/08/2018


possui graduação em Física pela Universidade Federal da Bahia (1970), mestrado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1975), doutorado em Física - Linköping University, Suécia (1979) estágio de doutorado na Kyoto University , Japão (1979) , estágio na Brown University , EUA (1982) e PD na Linköping University (1996). Atualmente é professor titular da Universidade Federal da Bahia, coordenador da PG-Física da Universidade Federal da Bahia, Membro Fundador da Academia de Ciências da Bahia, Membro Titular da Câmara de Assessoramento e Avaliação Tecnológica da FAPESB- Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia. Coordenador da área de Ciências Matemáticas e Naturais . Membro Titular durante 3 anos do CA do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) (Bahia). Guest Professor - Linköping University (até 2010), professor visitante - Uppsala University e Royal Institute of Technology (Suécia). Tem experiência na área de Física, em Física da Materia Condensada , atuando principalmente no seguinte tema: Propriedades Ópticas e Eletrônicas de Novos Materiais Semicondutores. Com ênfase em absorção óptica, funções dielétricas, condutividade, transição metal-isolante, sistemas de baixa dimensionalidade, materiais rugosos e nanoestruturados, polarização de spin, sistemas magnéticos diluídos. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Antonio Ferreira da Silva
Nome em citações bibliográficas
DA SILVA AF;DASILVA AF;FERREIRADASILVA A;.;David, D.G.F.;Ferreira da Silva, Antonio;Sandoval, M.A. Toloza;Ferreira da Silva, A.;Antônio F. da Silva;ANTÔNIO F. DA SILVA;DA SILVA, ANTONIO FERREIRA

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física, Departamento de Física Geral.
CAMPUS UNIVERSITARIO DE ONDINA
ONDINA
40210340 - Salvador, BA - Brasil
Telefone: (071) 32636616
Fax: (071) 32636606


Formação acadêmica/titulação


1979 - 1979
Doutorado em Physics.
Kyoto University, KYOTO, Japão.
com período co-tutela/sanduíche em (Orientador: ).
Título: Complementação ao Programa de Doutorado em andamento na Linkoping University, Ano de obtenção: 1979.
Orientador: Kouang An Chao.
Coorientador: Takeo Matsubara.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: Density Of States; Disordered Systems; Doped Semiconductors; Matsubara-Toyozawa Model.
1977 - 1979
Doutorado em Física.
LINKOPING UNIVERSITY, LINKO, Suécia.
Título: A STUDY OF DISORDER AND CORRELATION EFECTS IN IMPURE SEMICONDUCTOR, Ano de obtenção: 1979.
Orientador: KOUNG AN CHAO.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
1972 - 1975
Mestrado em Física.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: ESTUDO DA INFLUENCIA DA IONICIDADE NO CALCULO DE FAIXAS DE ENERGIA DO GAAS PELO METODO APW-K.P,Ano de Obtenção: 1975.
Orientador: NELSON DE JESUS PARADA.
Palavras-chave: Absorption; Absorption Coefficient; Analytical Treatment; Approximation Amo; Baixa Energia; Band Approach.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1982 - 1982
Aperfeiçoamento em Physics.
Brown University, BROWN, Estados Unidos.
Título: Heterostructure. Ano de finalização: 1982.
Orientador: Phillip Style.
1967 - 1970
Graduação em Física.
Universidade Federal da Bahia, UFBA, Brasil.


Pós-doutorado


1996 - 1997
Pós-Doutorado.
LINKOPING UNIVERSITY, LINKO, Suécia.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
1985 - 1986
Pós-Doutorado.
LINKOPING UNIVERSITY, LINKO, Suécia.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.


Atuação Profissional



Financiadora de Estudos e Projetos, FINEP, Brasil.
Vínculo institucional

2010 - 2012
Vínculo: Coordenador Projeto CT INFRA, Enquadramento Funcional: Professor Titular - Coordenador, Carga horária: 8, Regime: Dedicação exclusiva.


Academia de Ciências da Bahia, ACB, Brasil.
Vínculo institucional

2010 - Atual
Vínculo: Membro Fundador, Enquadramento Funcional: Membro Titular, Carga horária: 2
Outras informações
Membro Fundador Titular da Academia de Ciências da Bahia-2010


Conselho de Desenvolvimento Industrial do Estado da Bahia, CDI, Brasil.
Vínculo institucional

2010 - Atual
Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Membro do Comitê Temático, Carga horária: 1
Outras informações
Membro do Comitê Temático Transversal de Tecnologia e Inovação do Conselho de Desenvolvimento Industrial do Estado da Bahia. 2010


Agencia Nacional de Investigación e Innovación ?ANII. Uruguay, ANII, Uruguai.
Vínculo institucional

2010 - Atual
Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Assessoria, Carga horária: 1
Outras informações
Agencia Nacional de Investigación e Innovación ?ANII. Uruguay


Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste, CETENE, Brasil.
Vínculo institucional

2009 - Atual
Vínculo: Coordenador Área, Enquadramento Funcional: Coordenação Comitê Gestor NANOCETENE
Outras informações
Comitê de Implantação e atual Membro Gestor Titular do NANOCETENE (CETENE - Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste - Recife) INT/MCT- Co-Coordenação do Comitê Gestor


CENPES_PETROBRAS, CENPES, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Representante, Enquadramento Funcional: Representante da UFBa no CENPES/Petrobras, Carga horária: 1
Outras informações
Representante da UFBa no CENPES/Petrobras. Rede Temática de NanotecnologiaCentro de Pesquisas e Desenvolvimento Leopoldo Américo Miguez de Mello -CENPES,PETROBRAS


UFBa_LIMCET_I,II,III, LIMCET, Brasil.
Vínculo institucional

2008 - Atual
Vínculo: Coordenador Projeto, Enquadramento Funcional: Coordenador Projeto, Carga horária: 2
Outras informações
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET. LIMCET I, II, III


London Centre for Nanotechnology, LCN, Grã-Bretanha.
Vínculo institucional

2007 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Pesquisador Colaborador, Carga horária: 4
Outras informações
Surface and Interface states associated with dopant in silicon acquire growing importance as microelectronic devices shrink. We perform measurements by scanning tunneling microscopy and theory to predict , for instance that s uperlattice of such Bi defects will produce new applications for this material.


Laboratoire d Études des Propriétès Électroniques dês Solides-Lepes. Greno, LEPES, França.
Vínculo institucional

2005 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaboração Científica, Carga horária: 4
Outras informações
Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 21020 to 21021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 51020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.Also for 4H-SiC.The physical properties of the large bandgaps SiC, 3C, 15R, 6H and 4H-SiC ,make them as prominent materials for high-power, high-temperature, and high-frequency devices. Devices like field effect transistors, bipolar storage capacitors, and ultraviolet detectors have been fabricated. We investigate the optical and transport properties of undoped and n-type 4H-SiC, both experimentally and theoretically


Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia:, REMAN, Brasil.
Vínculo institucional

2003 - 2007
Vínculo: Coordenador REMAN, Enquadramento Funcional: Coordenador da REDE Nacional, Carga horária: 4
Outras informações
Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Protótipos e Nanodispositivos (REMAN) ? CNPq/MCT/2007


Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil.
Vínculo institucional

1979 - 1982
Vínculo: Visitor Professor, Enquadramento Funcional: Professor Conferencista
Outras informações
Professor Conferencista /Temporário. Orientação de Mestrado e Doutorado


Universidade Federal da Bahia, UFBA, Brasil.
Vínculo institucional

2005 - Atual
Vínculo: Coordenador da Pos-Graduação, Enquadramento Funcional: Coordenador, Carga horária: 8

Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

02/2005 - Atual
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
Fisica de Semicondutores
Fisica do Estado Solido I e II
01/2005 - Atual
Direção e administração, Colegiado de Pos-Graduação em Fisica, .

Cargo ou função
Coordenador de Programa.
01/2005 - Atual
Extensão universitária , Linkoping University, .

Atividade de extensão realizada
Guest Professor.
10/2003 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Comite Assessor, .

Cargo ou função
Membro do Comite Assessor -FA_Fisica-CNPq.
2/2000 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física Geral.

05/2002 - 06/2002
Outras atividades técnico-científicas , Linkoping University, Linkoping University.

Atividade realizada
Professor do Curso de doutorado proferido na Univ. Linkoping-Suecia.

Instituto de Fisica-UFBa, Brasil.
Vínculo institucional

2005 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Coordenador Pos-Graduação, Carga horária: 15

Atividades

05/2006 - Atual
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Coordenador do Projeto: Laboratório Multi -Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBA ?LAMUME. Proposta aprovada pela Pro -Reitoria como sub-projeto para fazer parte do Projeto de Infra-Estrutura apresentado pela UFBa. Valor aproximado de R$1.300.000.
05/2005 - Atual
Direção e administração, Instituto de Física, .

Cargo ou função
Coordenador Programa Pós-Graduação.
05/2005 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, NPI, .

Cargo ou função
Membro Gestor do Conselho Cientifico e Tecnológico (CCT) do Núcleo de Propriedade Intelectual (NPI). UFBa (Sede)/CEFET-Ba/UFS/UFPB.
01/2005 - Atual
Direção e administração, Centro Interdisciplinar em Energia e Ambiente, .

Cargo ou função
Membro Gestor do Progrma de Doutorado do CIEnAm.
09/2004 - Atual
Direção e administração, REMAN, .

Cargo ou função
Coordenador da REMAN ?Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Protótipos e Nanodispositivos.
01/2004 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .

01/2004 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, .


Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Vínculo institucional

2003 - Atual
Vínculo: Membro do CA-Fisica, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho

Vínculo institucional

2003 - 2006
Vínculo: Comite Assessor, Enquadramento Funcional: CA-Fisica
Outras informações
Memebro do Comite Assessor do CNPq

Atividades

01/2004 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, FAPESB, .

Cargo ou função
Comite Assessor Ciencias Exatas.
2003 - 06/2006
Conselhos, Comissões e Consultoria, Comite Assessor -Fisica, .

Cargo ou função
Comite Assessor.

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia, FAPESB, Brasil.
Vínculo institucional

2011 - Atual
Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Coordenador da Câmara de Assessoramento, Carga horária: 2
Outras informações
Membro Titular da Câmara de Assessoramento e Avaliação Tecnológica da FAPESB- Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia. Coordenador da área de Ciências Matemáticas e Naturais 01/2011 a 12/2012

Vínculo institucional

2004 - Atual
Vínculo: Comite Assessor, Enquadramento Funcional: Comitê Assessor, Carga horária: 2

Atividades

01/2004 - Atual
Serviços técnicos especializados , FAPESB, .

Serviço realizado
Comitê Assessor.

Linköping University, IFM, Suécia.
Vínculo institucional

2005 - Atual
Vínculo: Guest Professor, Enquadramento Funcional: Guest Professor
Outras informações
Guest Professor Pesquisas com alguns professores em Propriedades Opticas e de Transporte em Novos Materiais. Professor Convidado ja com cursos proferidos no Doutoramneto e Graduação

Atividades

01/2005 - 06/2006
Pesquisa e desenvolvimento , Department of Physics and Measurements Technology, .


Royal Institute of Technology, KTH, Suécia.
Vínculo institucional

2003 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 4


Uppsala Universitet, U.UPPSALA, Suécia.
Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Visitante-Projeto de Pesquisa, Enquadramento Funcional: Visitante
Outras informações
Mantenho um vinculo Institucional atraves de um projeto STINT- The Swedish Foundation for International Cooperation in - Research and Higher Education (2003-2006). (Suecia)

Atividades

01/2005 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Linkoping University, .

Linhas de pesquisa
Guest Professor
01/2000 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Department of Physics, .


Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Inst. Politéc. Nacional, CINVESTAV, México.
Vínculo institucional

2004 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2


Chalmers University -Gothemburg, CHALMERS, Suécia.
Vínculo institucional

2004 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2


City University of New York, CUNY, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2000 - 2005
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2


Georgia Institute of Technology, GEORGIA TECH, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2004 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 0


Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, INPE, Brasil.
Vínculo institucional

2000 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 2

Atividades

01/2000 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Laboratorio Associado de Sensores e Materiais -LAS, .

Linhas de pesquisa
Spin Polarization

PIBIC-UFBa, PIBIC, Brasil.
Vínculo institucional

2000 - 2001
Vínculo: Comite Local, Enquadramento Funcional: Comite Assessor

Atividades

2000 - 2001
Extensão universitária .

Atividade de extensão realizada
Comite PIBIB-UFBa.

Universidade Estadual de Maringá, UEM, Brasil.
Vínculo institucional

2004 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2


Cogent Physics,Taylor&Francis Group, COAGENT, Grã-Bretanha.
Vínculo institucional

2015 - Atual
Vínculo: Consultor, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 2



Linhas de pesquisa


1.
Spin Polarization
2.
Física da Matéria Condensada

Objetivo: The bandgap energies, dielectric functions, metal nonmetal transition, conductivities of doped and undoped semiconductor materials,as for instance, GaAs,InP,GaN,AlN,InN and their alloys, SbBiI3, PbI2,PbX (X=Br,Cr,Te) CdXTe (X=Zn,Mn and Fe), SiC/Compounds, etc , spin polarization, porous materials and effect of optical transition due to impurity clusters in doped materials have been investigated experimentally and theoretically. Experimentally by transmission (TR),absorption (AB), photoluminescence (PL),Raman , spectroscopic ellipsometry (SE) and Hall measurements. Theoretically by an ab initio full-potential linear augmented plane wave method (FPLM) as well as within a framework of the many-particle random phase approximation (RPA) with the Hubbard local-field correction, conductivity by a generalized Drude approach (GDA), spin polarization by a Rashba model,and optical transition of donor cluster by the ab initio multiconfigurational self-consistent-field (MCSCF) method..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
Palavras-chave: Photoluminescence; Semiconductor Systems; Spin Polarized; Optical Transitions; DIELECTRIC FUNCTION; Random Phase Approximation.
3.
Optical and Transport Properties of Nitrides

Objetivo: Nitrides The wide band gap group III-nitride semiconductors GaN, AlN, InN and their ternary and quaternary alloys have been extensively applied in optoelectronic and electronic device technology such as blue-green light emitting diodes, and high-temperature electronics.. Most of the work reported so far refers to the stable hexagonal (h-)(wurtzite) phase of the materials. However, the metastable cubic (c-)(zinc blende) modification arises as an advantageous alternative for device applications. The fact that the cubic GaN-derived structures are free from modulation due to spontaneous and strain-induced piezoelectric effects makes the studies of their basic properties very important for the understanding of the device characteristic and improvement of their performance . Despite of its technological importance, so far there has been no reported detailed investigation of the bandgap narrowing (BGN) of this material in the presence of high doping. The role of impurities is very important in fabricating devices. For high enough doping concentration the donor electrons are collected at the bottom of the lowest conduction-band. There are two band gaps of interest . The energy distance between the conduction and valence-band extrema, EG,2, and the distance between the Fermi-level and the valence-band top, EG,1. The former energy is called the reduced band-gap energy, which can be determined from emission measurements like photoluminescence, whereas the later energy is called the optical band-gap energy. Photoluminescence (PL) measurements were carried out here to obtain EG,1..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos.
Palavras-chave: NEW MATERIAL; NITRIDES; Electronic Properties.
4.
Guest Professor
5.
MNM Transition and Conductivity of New Semiconductor Materials-App GaAs

Objetivo: Galium Arsenide , Carbon p-type (GaAs:C) The GaAs semiconductors are well recognized as active materials in the design of band-gap engineered devices and as constituents of lattice matched heterostructure. The hole of impuritties in these materials is also very important in fabricating different types of devices. For instance, acceptor carbon in GaAs is for the high-concentration doping of a transistor base in epitaxial of heterobipolar structures and is used for the formation of buried p-type layers in field-effects transistors. We investigated the resistivity of acceptor carbon-doped GaAs (GaAs:C) for temperature ranging from 1.7 to 300 K, with variation of the impurity concentration from the insulating to the metallic range, i.e., from about 10E17 cm-3 to 10E19 cm-3. The band conduction activation energy is obtained from the slope of the resistivity at low impurity concentration.The samples were prepared by ion implantation in Van der Pauw structures delineated in GaAs. The resistivities obtained experimentally are compared with resistivity values calculated from a generalized Drude approach (GDA) at similar temperatures and dopant concentrations. The impurity critical concentration Nc for the metal-nonmetal (MNM) transition is estimated from these results and calculated using three different computational methods,.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
Palavras-chave: Semiconductors; Conductivity; Doped Semiconductors; Electrical Conductivity; Hall Effect.
6.
Guest Professor

Objetivo: Professor nomeado pelo Reitor da Universidade de Linkoping para atuar no Dept. of Physics, Chemistry na Suecia para proferir aulas e colaborar nas areas de pesquisas que ja vem atuando..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
Setores de atividade: Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos; Produtos e Processos Biotecnológicos.
Palavras-chave: Electronic Properties; Correlation Systems; NEW MATERIAL; Random Phase Approximation.
7.
Energy Efficient Windows (Optical Selective Coatings)

Objetivo: Large-bandgap undoped and heavily doped oxide semiconductors of, for instance,Zn, Cd, In, Ti and Sn, and mixture of these, have many important aplications ascoating in optical and conducting aplications. Bandgap widening , for instance, is an important effect in heavily doped oxide semiconductors used as transparent heat-reflectors . They are needed for creating energy-efficient windows with low thermal emittance, as well as for numerous other applications related to energy efficiency. Energy efficient windows require coatings that combine high luminous transmittance with high infrared reflectance or significant electrical conductivity. As an example of oxide (as others as ZnO, TiO2, SnO2,PbO2 ,Al2O3etc ) , In2O3 is ideal since it is transparent in the visible range of the spectrum and has a good chemical inertness and strong adherence to glass. Heavily Sn doped In2O3 , In2O3:Sn , it is a very flexible coating combiningmetal and insulator properties. Electrically, it is a conductor, and optically, it is still transparent in the visible but reflecting in the infrared. These flexible properties can be utilized in energy effective windows..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos; Produtos e Serviços Voltados Para A Defesa e Proteção do Meio Ambiente, Incluindo O Desenvolvimento Sustentado.
Palavras-chave: NEW MATERIAL; Oxide; Optical Absorption.
8.
Electronic and optical properties of rutile tin oxide (SnO2)

Objetivo: SnO2 is an important oxide for efficient dielectrics, catalysis, sensor devices, electrodes and transparent conducting coating oxide technologies. Tin oxide SnO2 (TO) thin film is widely used in glass applications due to its low infra-red heat emissivity. In this work, the SnO2 electronic band-edge structure and optical properties are studied employing a first-principle and fully relativistic full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method within the local density approximation (LDA).The optical band-edge absorption α(ω) of intrinsic SnO2 is investigated experimentally by transmission spectroscopy measurements and their roughness in the light of the Atomic Force Microscopy (AFM) measurements. The sample films were prepared by spray pyrolisis deposition method onto glass substrate considering different thickness layers. We found for SnO2 a very good qualitatively agreement of the calculated optical band-gap energy as well as the optical absorption with the experimental results..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos; Energia.
Palavras-chave: NEW MATERIAL; Oxide; DIELECTRIC FUNCTION; Nanofilms.


Projetos de pesquisa


2005 - 2007
EDITAL FAPESB 002/05 (Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia)
Descrição: Coordenador; Antonio ferreira da Silva Ampliação do Laboratório de Propriedades Óticas e do Laboratório de Energia Solar UFBA/ INST. DE FÍSICA 150.000,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Instituto de Física-UFBa - Auxílio financeiro.
2005 - 2007
Edital CT-Energ/MCT/CNPq nº 017/2005
Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva 550470/2005-0 Antonio Ferreira da Silva UFBA BA R$148.000,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - 2005
Pressure induced phase transition in ErH3
Descrição: The behaviour of hydrogen in the metallic environments governs the physical properties of a wide range of fundamental and technological interest. These include pure metallic hydrogen and metal hydrides, which are formed in the chemical reaction between metals and hydrogen. In particular, the yttrium and rare-earth hydrides display a dramatic changing in their optical properties depending on the hydrogen content. These systems can change reversibly from shiny metallic to transparent insulating films upon hydrogenation by varying the hydrogen gas pressure or by electrochemical means. Such behaviour is a consequence of the structure phase transformation accompanied by a metal-insulator tran-sition that occurs with increasing (decreasing)hydrogenconcentration. The pressure induced phase transition in ErH3 is investigated by ab initio calculation. The electronic structure is using projected augmented wave (PAW) method and the properties for the phase transition were obtained by fitting the energy-volume set to the Murnaghan equation of states. We have found a structural phase transformation accompanied by an insulator-metal transition at 17Gpa in good agreement with the experimental finding. The similar phase transition is predicted to GdH3 as well..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro.
2004 - Atual
Nanoprous_Porous Silicon
Descrição: Focusing in the nanoporous problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution of extend patterns based on the spatio-temporal correlations between large and small amplitude fluctuations of the structure represented as a gradient field .Energy level diagram developed from PL, PLE, and PAS measurements, and molecular electronic structure calculations as described in detail in the text. The highest occupied fluorophor molecular orbital is called the HOMO and the energy levels of the fluorophor from experiment are compared to the energetics for the silicon surface to which the fluorophor is bound. Only the zero point energy level and first SiO dominated vibrational mode are indicated although several higher-lying discrete vibrational quanta exist in the fluorophor ground electronic state ..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual
Thermal lens and photoacoustic spectroscopy to determine the thermal and optical properties in bulk and thin film semiconductors
Descrição: It is well recognized that the characteristic of the photothermal phenomena to determine the thermal and optical properties of materials via the energy transfer processes that results in heat generation is a particular advantage of these methods as compared to others conventional techniques, especially when the studied materials present high degree of: opacity, scattering and reflectance. The purpose of this work is to combine the particular abilities of the photoacoustic spectroscopy with those of the thermal lens spectrometry to study different semiconductor samples. Three of them are in the thin film form, 4H-SiC, Ni80Cr20 and NiO, while the PbI2 is a bulk single crystal. 4H-SiC was grown by hot wall chemical vapor deposition , Ni80Cr20 and NiO were obtained by sputter deposition and the PbI2 single crystal was grown by the Bridgman method with the c-axis oriented perpendicular to the growth axis ..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Universidade Estadual de Maringá - Auxílio financeiro.
2004 - Atual
Si1-xGex alloys
Descrição: Silicon Germanium (Si1-xGex) alloy is good candidate as a substitute material for Si in low-power and high-speed semiconductor device technologies. Optoelectronic devices, such as heterojunction bipolar transistors, are already in industrial production. Si1-xGex is also promising as alloying material for quantum well devices, infrared detectors, and modulation-doped field-effect transistors. Although much efforts have been paid on the growth of Si1-xGex and Si1-xGex /Si as well on electrical characterization, there is still a lack of information about the optical properties of Si1-xGex . We are investigating the electronic structure of this alloy as a function of composition x.Extendind the investigation to the dielectric functions.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro.
2003 - 2007
STINT- The Swedish Foundation for International Cooperation in - Research and Higher Education (Suecia)
Descrição: Coordenadores: Antonio Ferreira da Silva (IF-UFBa) e Borje Johansson (Uppsala University) - Total SKr$4.044.000,00 aproximadamenteUS$500,000.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador / RAJEEV AHUJA - Integrante / Börje Johansson - Integrante.Financiador(es): Uppsala University - Auxílio financeiro / Uppsala University - Auxílio financeiro.
2003 - 2005
/CT-Energ/CNPq 01/2003- ( 2004- )Projeto de Pesquisa Básica, Aplicada ou de Desenvolvimento Tecnologico
Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$154.940,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2003 - 2004
Edital CT-FVA/CNPq 01/2003 Primeira Fase
Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$30.000,00.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Instituto de Física-UFBa - Auxílio financeiro.
2003 - Atual
Electronic and optical properties of rutile titanium oxide (TiO2)
Descrição: The compound rutile titanium dioxide (TiO2) has been recongnized as very promising material with large technological applicabilities, as for instance coating and gas sensores. Since the photocatalytic splitting of water by titanium dioxide (TiO2) was first reported by Fujishima and Honda in 1972 , extensive investigation has been devoted to the study of this wide band-gap semiconductor. Titanium dioxide has been proven to be outstanding in several fields, including applications such as gas sensors , waveguides, and solar energy cells . Particularly, the strong oxidative power of photogenerated carriers on its surface has made TiO2 one of the most practical photocatalytic materials for purification and treatment of polluted water and air . The calculations for absorption, total real and imaginary parts of the dielectric function, as well as the optical band gap energy for the phase rutile were based on density function theory within the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. We corrected the LDA band-gap energy self-consistently with an on-site Coulomb potential. The thin films for the measurements were prepared by DC magnetron sputtering and the transmission spectroscopy technique has been used to obtain the absorption spectrum. The theoretical result for the absorption compared qualitatively well with the experimental finding. The features of the dielectric functions are presented and the transition at the fundamental gap is discussed based on the electronic structure..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro.
2001 - 2005
Triad-Cluster Optical Transition
Descrição: In a lightly n-type doped semiconductor, low-temperature spectroscopic measurements exhibit a series of atomic like lines which correspond to the optical transitions of the isolated impurity atoms. As the impurity concentration increases donor-clusters rapidly become important. As the clusters get more dense the absorption edge drops since one can expect that the clusters with larger numbers of donors will absorb at low energies below the ionization and transition levels of the isolated impurities. The first attempts to explain such low energies were corried out by Nagasaka and Narita. Bajaj et al. have observed a peak on the low energy side of the 1s to 2p transition, denominated as line ''X'', in their spectroscopic investigations of the donors in three different III-V and II-VI semiconductor systems. The investigation of the shallow donors in GaN-based wide band gap semiconductors has recently attracted much interest as an important issue in the fabrication of optoelectronic and electronic devices. Work to date has concentrated on the search for the optical transitions from these donor impurities. In recent Fourier transformed infrared measurements of n-type doped wurtzite GaN by Moore et al. an unidentified sharp absorption line on the low energy side of the 1s to 2p transition was obtained at a certain impurity concentration. However, an explanation to the origin of this line was not provided. Since the position of the line is rather stringent, it cannot be explained in terms of transitions between isolated impurities. With these investigations in mind, we have directed the work to investigate the ``X'' line in n-type GaAs as well as the low energy peak in n-type hexagonal GaN. The electronic structure of the donor-clusters is likely to be strongly affected by electron correlation, and self-consistent field calculations is inadequate even to capture the qualitative characteristics of the absorption for relatively separated molecular configurations. We have.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2001 - Atual
Porous Diamond-Like-Carbon
Descrição: Diamond-like-carbon (DLC) films have many attractive properties which can deal to potential applications. Besides mechanical and tribological characteristics, electrical and optical properties can, also, deserve special attention. More specifically, surface porosity in different kinds of materials exhibit very interesting optical effect related to porous density and size, suggesting new applications. In this work, porous diamond-like-carbon (PDLC) has been investigated with transmission and reflection spectroscopies. Atomic Force Microscopy (AFM) measurements has revealed an intriguing similarity between PDLC and porous silicon. The PDLC thin films were obtained on (100) silicon substrate by DC magnetron sputtering and stored in atmosphere environment. From transmission and reflection data we have observed broad spectra distributions, spanning the wavelength interval 900-350nm , corresponding to phonon energies from 1.46 to 3.50 eV, and with one broad maximum located around 825nm (1.6eV). The results are discussed in terms of surface-band oxidized-like absorber, which can be inferred as the source for the absorption from nanoporous. Porous diamond-like-carbon has been investigated by photoluminescence, absorption and spectroscopic ellipsometry. We present the real and imaginary parts of the dielectric functions for the latest and compare them to the calculation done for diamond by a full-potential linearized augmented plane wave method within the local density approximation. We found a low real dielectric function of about 1.5 at 0.8 eV whereas bulk diamond has e1(0) a value of 5.5 ..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - 2005
Transport Properties of Doped semiconductors at Low Temperatures
Descrição: . We investigated the resistivity of doped semiconductorsfor temperature ranging from 1.7 to 300 K, with variation of the impurity concentration from the insulating to the metallic range. The band conduction activation energy is obtained from the slope of the resistivity at low impurity concentration.The samples were prepared by ion implantation in Van der Pauw structures delineated in Semiconductors as Si:Bi,Si:P,Bi, GaAs:C. The resistivities obtained experimentally are compared with resistivity values calculated from a generalized Drude approach (GDA) at similar temperatures and dopant concentrations. The impurity critical concentration Nc for the metal-nonmetal (MNM) transition is estimated from these results and calculated using three different computational methods,.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual
Spin Polariztion-Spintronic
Descrição: It is worthwhile to figure out that electron spin-filter is a basic spintronic device. However, despeite the fast growing research, and many proposals, there is still no definite experimental realization of such semiconductor device yet. A spin-filter device using nonmagnetic triple barriers III-V semiconductor structures has been recently proposed .It is based on the effect of electron spin polarization by ressonant tunneling, due in turn to the Rashba spin-orbit coupling , where the Kane k.p method has also been used. As a result of such coupling, it has been recently demonstraited the formation of spin-dependent minibands in the case of asymmetric superlattice, with asymmetric double-barrier unit cells. We investigate the spin-dependent current for such superlattices with results for instance to InGaAs based asymmetric structures with different pairs of lattice-matched barriers materials (InP, InAlAs and GaAsSb)and extend the model to spin dependent properties of magnetic dilute semiconductors by means of electronic structure calculation.This method can also been used for MOSFET (metal oxide field effect transition) as well..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - Cooperação / Universidade Federal da Bahia - Remuneração.


Projetos de extensão


2010 - 2012
CT-INFRA MCT/UFBa/FINEP (2010).
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Valor R$ 4.578.818,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2010)..
Situação: Em andamento; Natureza: Extensão.


Projetos de desenvolvimento


2006 - 2008
Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?
Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00.
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008
Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers
Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2004 - 2006
Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN
Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00.
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual
Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films
Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual
Silicio Poroso
Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o.
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.


Outros Projetos


2015 - Atual
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET V.
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET V. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências, Instituto de Química e Instituto de Matemática. Incluindo Sistema de Computação de Alto Desempenho. Valor Apoiado R$ 2.201.647,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2012). CHAMADA PÚBLICA MCT/FINEP/CT-INFRA ? PROINFRA ? 01/2012 - LIMCET V.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2014 - Atual
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II.
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Valor R$ 4.578.818,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2009). CHAMADA PÚBLICA MCT/FINEP/CT-INFRA ? PROINFRA ? 01/2009 - LIMCET II.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2014 - Atual
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET IV.
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET IV. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Incluindo Microscópio de Transmissão. Valor Apoiado R$ 5.301.070,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2011). CHAMADA PÚBLICA MCT/FINEP/CT-INFRA ? PROINFRA ? 01/2011 - LIMCET IV.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2013 - Atual
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET. Construção prédio para laboratório no Instituto de Geociências e compra de Microscópio de Força Atômica. Projeto de Infra-Estrutura.CT-INFRA UFBa/FINEP (2008).Valor app. R$1.500.000,00 CHAMADA PÚBLICA MCT/FINEP/CT-INFRA ? PROINFRA ? 01/2008 - LIMCET.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2013 - Atual
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET III
Descrição: Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET III. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Valor Apoiado R$ 2.141.323,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2010). CHAMADA PÚBLICA MCT/FINEP/CT-INFRA ? PROINFRA ? 01/2010 - LIMCET III.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2013 - Atual
Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física III
Descrição: Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física do Instituto de Física da UFBa. Edital 010/2013 Programa de Infra-Estrutura de Pesquisa ? Faixa 01- FAPESB. R$195.959,22.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
Alunos envolvidos: Graduação: (60) / Mestrado acadêmico: (40) / Doutorado: (30) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2013 - Atual
Laboratório Multiusuário de Nanotecnologia do CETENE ? LMNano/SisNANO
Descrição: Laboratório Estratégico no Sistema Nacional de Laboratórios em Nanotecnologias ? SisNANO (MCTI) . Vice- Coordenador do C/SisNANO -2013. Recursos financeiros aportados 2014: R$ 1.200.000,00 Laboratório Multiusuário de Nanotecnologia.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2012 - Atual
Programa Ciência sem Fronteiras ? CNPq. Linha 2. Pesquisador Visitante Especial
Descrição: Programa Ciência sem Fronteiras ? CNPq. Linha 2. Pesquisador Visitante Especial. França. ?Espectroscopia de perda de energia de fotoelétrons para o estudo de novos materiais na energia solar e na eletrônica ?(Photoelectron Energy Loss Spectroscopy PEELS) . Exchange Programme. CHAMADA DE PROJETOS MEC/MCTI/CAPES/CNPq/FAPs Nº 61/2011. Implantação 2012..
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2012 - Atual
Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física
Descrição: Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física do Instituto de Física da UFBa. Edital 011/2012 Programa de Infra-Estrutura de Pesquisa ? Faixa 01- FAPESB. R$197.837,40.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
Alunos envolvidos: Graduação: (60) / Mestrado acadêmico: (60) / Doutorado: (30) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2011 - Atual
Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento ?II
Descrição: Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento ?II PRONEX/CNPq/FAPESB ((NUMANES) (Núcleo de Excelência) ? 2011/2014. Valor. R$ 997.916.80. EDITAL FAPESB/CNPq No 024/2010.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2010 - 2013
Desenvolvimento de Materiais Nanoestruturados Aplicados à Produção de Hidrogênio
Descrição: Desenvolvimento de Materiais Nanoestruturados Aplicados à Produção de Hidrogênio. CNPq Edital 04/2010 ? Linha de Pesquisa 2 : Hidrogênio. Valor R$154.100,00 Mais Bolsa de Doutorado- GD (1), Bolsa de Mestrado ? GM (2), Bolsa Iniciação Tecnológica Industrial ? ITI (2). Prorrogado para 2013. Edital MCT/CNPq/CT- Energ Nº 04/2010.
Situação: Concluído; Natureza: Outra.
2010 - 2013
Implantação do Laboratório Multi-Usuário de Microscopia Eletrônica
Descrição: -Implantação do Laboratório Multi-Usuário de Microscopia Eletrônica do Núcleo de Pesquisa em Materiais Nano-Estruturados para Energia e Sensoriamento. Projeto dentro das Redes Temáticas em Nanotecnologia, Implantação 2010, Petrobras/CENPES. Valor R$407.000,00. Termo de Cooperação FAPEX 0050.0047677.08.9 ? SAP 4600307304.
Situação: Concluído; Natureza: Outra.
2010 - Atual
Laboratório Multi - Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBa ?FINEP/MCT (LAMUNE)
Descrição: CT-INFRA Plano de Desenvolvimento da Infra-Estrutura Institucional de Pesquisa - Edital 01/2005. MCT/FINEP - 1140/06, Projeto Excelência em Artes, Saúde e Tecnologia da UFBa. Valor app. R$1.000.000,00 Compra MEV. Implantação 2010..
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
2010 - Atual
Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física do Instituto de Física da UFBa
Descrição: Fortalecimento da Infra-Estrutura do Programa de Pós-Graduação em Física do Instituto de Física da UFBa. Edital 06/2010 Programa de Infra-Estrutura de Pesquisa ? Faixa 01- FAPESB. R$149.961,95.
Situação: Em andamento; Natureza: Outra.
Alunos envolvidos: Graduação: (40) / Mestrado acadêmico: (60) / Doutorado: (40) .
Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2008 - 2010
Materiais Avançados Para Energias Alternativas e Sensores?
Descrição: Projeto em Temas Estratégicos :?Materiais Avançados Para Energias Alternativas e Sensores?. FAPESB 2008/2010. R$349.810,00. Edital 008/2008.
Situação: Concluído; Natureza: Outra.
2007 - 2010
Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento
Descrição: Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento ? PRONEX/CNPq/FAPESB ((NUMANES) (Núcleo de Excelência) ? 2007/2010. Valor app. R$ 650.000,00. T.O. 05/2007.
Situação: Concluído; Natureza: Outra.
Carbides,4H-SiC,MNM Transition,Conductivity
Situação: Desativado; Natureza: Outra.


Membro de corpo editorial


2015 - Atual
Periódico: Cogent Physics,Taylor&Francis Group


Revisor de periódico


2005 - 2006
Periódico: Journal de Physique. IV
2004 - Atual
Periódico: Journal of Crystal Growth
2001 - Atual
Periódico: Physica Status Solidi. B, Basic Research
1990 - Atual
Periódico: Physical Review B - Solid State
2005 - Atual
Periódico: Applied Surface Science
2000 - Atual
Periódico: Solid State Communications
2002 - Atual
Periódico: Physica Status Solidi. A, Applied Research
2005 - Atual
Periódico: Journal of Non-Crystalline Solids
2004 - Atual
Periódico: Physica Scripta. Topical Issues
2006 - Atual
Periódico: The Journal of Physical Chemistry B (1520-6106)
2010 - Atual
Periódico: Journal of Applied Physics

2010 - Atual
Periódico: Computational Materials Science



Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..
3.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.
4.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
5.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.
6.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).


Idiomas


Inglês
Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.


Prêmios e títulos


2010
Membro Fundador da Academia de Ciências da Bahia, Secretaria de Ciência, Tecnologia e Inovação - SECTI (Bahia).
2005
Menção Honrosa , LAWNP Pôster: ? Modeling Complex Nanostructured Samples from 2D KPZ Equation?. Argentina, Nov. 2005, LAWNP.
2005
Guest Professor, Linköping University -Sweden.
2000
PROFESSOR TITULAR, UFBA.
2000
Segudo melhor Poster da Reunião de Fisica da Materia Condensada- Caxambu, SBF.
1999
Ranking da Ciência., -Folha de São Paulo.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:200
Total de citações:2475
Fator H:24
DASILVA AF , Da Silva AF , FERREIRADASILVA A, Antonio F da Silva, A Ferreira da Silva, Ferreira da Silva A,  Data: 31/05/2017

Outras
Total de trabalhos:200
Total de citações:2139
A Ferreira da Silva, AF da Silva, DaSilva AF  Data: 30/06/2016

Artigos completos publicados em periódicos

1.
CARVALHO, R. P.2018CARVALHO, R. P. ; MIRANDA, C. R. ; Ferreira da Silva, A. . The role of Cr on the electronic and optical properties of -InCrN: a first principles study. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 499, p. 13-17, 2018.

2.
SANDOVAL, M. A. T.2018SANDOVAL, M. A. T. ; PADILLA, J. E. L. ; Ferreira da Silva, A. ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Mesoscopic g-factor renormalization for electrons in III-V interacting nanolayers. PHYSICAL REVIEW B, v. 98, p. 075312-075312-6, 2018.

3.
RAMOS, L. C.2017RAMOS, L. C. ; SOUSA, L. J. ; SILVA, A. F. ; FALCAO, V. G. ; LIMA, S. T. C. . Evaluation of Electro-Flocculation for Biomass Production of Marine Microalgae Phaodactylum tricornutum. World Academy of Science, Engineering and Technology International Journal of Biological, Biomolecular, Agricultural, Food and Biotechnological Engineering, v. 11, p. 343-346, 2017.

4.
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FABBRI, M.1983DA SILVA AF; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Bandwidth Narrdwing In N-Type Many-Valley Semiconductors. JOURNAL NON-CRIST. SOLIDS, v. 55, p. 103-110, 1983.

206.
SILVA, A. F.1983DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; MICNAS, R. ; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. . The Impurity Conductivity N-Type Cds: A Two Band Approach. PHYSICA STATUS SOLIDI B, v. 120, p. 101-111, 1983.

207.
LIMA, I. C. C.1983DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Two-Dimensional Density Of States For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers At The Semiconductor-Insulator Interface. SURFACE SCIENCE, v. 134, p. 135-141, 1983.

208.
FABBRI, M.1983DA SILVA AF; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Impurity Sates In N-Type Many-Valley Semiconductors. REV. BRAS. FIS. SPECIAL ISSUE, p. 370-379, 1983.

209.
LIMA, I. C. C.1983DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Density Of Sates For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers. BULL. AM. PHYS. SOC., v. 28, p. 322-322, 1983.

210.
SILVA, A. F.1983DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. ; LIMA, I. C. C. . Electron Hopping Energy Influence On The Specific Heat Of Phosphorous Doped Silicon. PHYS. SAT. SOLIDI B, v. 115, p. 311-318, 1983.

211.
KISHORE, R.1982DA SILVA AF; KISHORE, R. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Electron And Impurity Correlations In Doped Semiconductors. PHYS. REV. B, v. 26, p. 1038-1045, 1982.

212.
CHAO, K. A.1982DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. ; RIKLUND, R. . A Computer Study On The Metal-Nonmetal Transitions In Heavily Doped Semiconductors. SUPPL. PROG. THEOR. PHYS., v. 72, p. 181-192, 1982.

213.
LIMA, I. C. C.1982DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Diagonal And Off-Diagonal Disorder In Doped Semiconductors. PHYSICA STATUS SOLIDI B, v. 111, p. 69-74, 1982.

214.
SILVA, A. F.1981DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. . Electric Conduction In N-Type Germanium And Cadmium Sulfide. PHYS. LETT. A, v. 83, p. 463-468, 1981.

215.
SILVA, A. F.1981DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; KISHORE, R. ; LIMA, I. C. C. . The Hubbard Model For Disordered Systems: An Application To The Specific Heat Of Phosphorous Doped Silicon. PHYS. REV. B, v. 23, p. 4035-4043, 1981.

216.
SILVA, A. F.1981DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; NJ, P. . A Mixed Bonding Band Structure Calculation For Gaas And Alas Using Ap.. J. PHYS. CHEM. SOLIDS, v. 42, p. 291-296, 1981.

217.
LIMA, I. C. C.1981DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; PARADA, N. J. . Self Consistent Apw-K.P. Method Ii. Application To Naci. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 20, p. 933-940, 1981.

218.
LIMA, I. C. C.1981DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; PARADA, N. J. . Self-Consistent Apw-K.P. Method I. Theory. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 19, p. 681-691, 1981.

219.
SILVA, A. F.1980SILVA, A. F. ; DA SILVA AF . Um Modelo Autoconsistente Para O Estudo de Desordem e Correlacao Em Semicondutores Dopados. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 57-61, 1980.

220.
SILVA, A. F.1980DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; Um Modelo de Cluster Para O Estudo de Estado de Impurezas Em Semicondutores. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 66-70, 1980.

221.
SILVA, A. F.1980DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. . Efeito de Correlacao de Eletrons No Calor Especifico de Impurezas No Si. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 62-65, 1980.

222.
LIMA, I. C. C.1980DA SILVA AF; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. ; SILVA, A. F. . Um Tratamento Autoconsistente Para O Modelo de Hubbard Para Impurezas Em Semicondutores. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 52-56, 1980.

223.
GRANATO, E.1980DA SILVA AF; GRANATO, E. ; RANVAUD, R. ; SOUZA, J. P. ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. . Conducao Bidimensional Em Implantacoes Rasas No Si. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 552-556, 1980.

224.
RIKLUND, R.1980DA SILVA AF; RIKLUND, R. ; SILVA, A. F. ; CHAO, K. A. . Modified Mott-Hubbard-Anderson Model: Results Of An Unrestricted Hartree-Fock Pseudocluster Calculation. PHIL. MAG. B, v. 42, p. 755-761, 1980.

225.
CHAO, K. A.1980DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; RIKLUND, R. ; SILVA, A. F. . Roles Of The Lower And The Upper Hubbard Bands And The Dondr-Excitonic Semicondutors. PHYSICAL REVIEW B, v. 21, p. 5745-5748, 1980.

226.
SILVA, A. F.1980DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; The Impurity Resistivity Of In Doped Cds. JOURNAL OF PHYSICS C, v. 13, p. 427-431, 1980.

227.
SILVA, A. F.1979DA SILVA AF; SILVA, A. F. ; RIKLUND, R. ; CHAO, K. A. . Cluster Model Of Impurity States In Doped Semiconductors. PROG. THEOR. PHYSICS, v. 62, p. 584-594, 1979.

228.
CHAO, K. A.1979DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Generalized Matsubara-Toyozawa Theory For The Specific Heat In Heavily Phosphorous-Doped Silicon. PHYS. REV. B, v. 19, p. 4125-4129, 1979.

229.
CHAO, K. A.1979DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Specific Heat Of Heavily P Doped Si. INST. PHYS. CONF. SER., v. 43, n.26, p. 956-968, 1979.

230.
CHAO, K. A.1978DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Matrix Elements In The Matsubara-Toyozawa Theory Of Impurity Band. PHYS. STAT. SOLIDI, v. 90, p. 153-155, 1978.

231.
CHAO, K. A.1978DA SILVA AF; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . The Impurity Conductivities Of Si:P, Ge:Sb And Cds:C1. J. PHY. C, v. 11, p. 3661-3665, 1978.

232.
CHAO, K. A.1978CHAO, K. A. ; DA SILVA AF ; SILVA, A. F. . Molecular Model Of Impurity Bands In Semiconductors. Ii-The Validity Of The One-Band Amo-Mt Model. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 12, p. 461-468, 1978.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
FREITAS, J. A. ; HANSER, D. ; FERREIRADASILVA A ; KOUKITU, A. . Journal of Crystal Growth. 310. ed. Amsterdam: Elsevier, 2008. v. 1. 130p .

2.
SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF ; LEITE, J. R. . Physica Status Solidi-Conferences and Critical Reviews. 1. ed. Berlin: WILEY-VCH Berlin, 2004. v. 1. 290p .

Capítulos de livros publicados
1.
DA SILVA AF; PERSSON, C. . Optical and Electronic Properties of 3C?, nH?SiC (n = 2, 4, and 6) and III?N (III = Al, B, Ga, and In). In: M. Henini and M. Razeghi. (Org.). Optoelectronic Devices: III-V Nitride. London: Elsevier Ltd, 2005, v. I, p. 479-559.

2.
CANUTO, S. ; DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Absorption Of Infrared By Donor-Pair And Donor-Triad Molecules In Sb-Doped Germanium. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 519-522.

3.
COSTA, E. A. G. ; MOTA, F. B. ; DA SILVA AF . Optical Properties At Semiconductors Heteroestruture Interfaces. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 336-340.

4.
SOUZA, J. C. ; GUEDES, G. P. ; MOTA, F. B. ; PEPE, B. L. ; DAVID, D. G. F. ; SALES FILHO, J. B. V. ; DA SILVA AF ; BANDEIRA, I. N. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. . On The Use Of Photoacoustic And Photoconductivity Technique For Investigating The Optical Properties Of Semiconductors. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 509-512.

5.
DA SILVA AF; MOTA, F. B. . A Theoretical Model To Determine The Dieletric Susceptibility And The Metal-Nonmetal Transition In Semiconductors Systems. INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS SEMICONDUCTORS, 21. PROCEEDINGS. : ED., 1992, v. , p. 101-105.

6.
DA SILVA AF. Shallow Impurity States In Silicon Inversion Layers. INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS SEMICONDUCTORS, 21. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 753-756.

7.
DA SILVA AF. Impurity States In Low And Three Dimensional Systems. ELETRONIC STRUCTURE OF ATOMS MOLECULES AND SOLIDS. : WORLD SCIENTIFIC, 1990, v. , p. 66-88.

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
FERREIRADASILVA A. Landolt-Bornstein. Landolt-Bornstein, p. 144 - 144, 22 dez. 2008.

2.
DA SILVA AF; PERSSON, C. ; NORMAN, P. ; ALMEIDA, J. S. ; SILVA, A. J. ; AHUJA, R. . Evidence of donor-triad cluster in GaN and GaAs. PhantomsNewsleter, Madrid, p. 4 - 5, 01 out. 2003.

3.
DA SILVA AF. Como Selecionar Eletrons. Pesquisa Fapesp, São Paulo, p. 28 - 28, 05 fev. 2003.

4.
DA SILVA AF. Impureza Valiosa. Pesquisa Fapesp, São Paulo, p. 56 - 57, 05 dez. 2002.

5.
FERREIRADASILVA A. LANDOLT_BÖRNSTEIN Numerical Data. Landolt-Börnstein Numerical Data and Functional Relatioship in Science and Technology, Berlin, p. 63 - 66, 12 dez. 1987.

6.
DA SILVA AF. A Nova Revolução do Silício,. INPE - Notícias, dezembro (1997)., Sao Jose dos Campos.

7.
DA SILVA AF. Novos Materiais,. Jornal Folha de São Paulo, Mais, abril (1998)., Sao Paulo.

8.
DA SILVA AF. Electronic Structure of AlXGa1-XAs Alloys,. Phantoms Newsletter, 15, 1 (1998)., Belgica.

9.
DA SILVA AF. Pesquisadores Testam Novo Semicondutor,. Jornal Gazeta Mercantil, maio (1998)., Brasil.

10.
DA SILVA AF. Novas Descobertas sobre Silício Poroso,. Technological Information Promotion System - TIPS, IBICT/CNPq/MCT, julho (1998)..

11.
DA SILVA AF. Brasil é Pioneiro em Pesquisa de Silício Poroso na América Latina,. Jornal O Estado de São Paulo, Geral-Tecnologia, julho (1999)..

12.
DA SILVA AF. 5. Supercurtas. Super Interessante. 5. Supercurtas. Super Interessante. Ano 12, N. 6, junho de 1998, pg. 16..

13.
DA SILVA AF. Propriedades Ópticas e Eletrônicas de Novos Materiais Semicondutores. Jornal O Globo, Ciência e Vida, junho (1997)., Brasil.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
FERREIRADASILVA A; MEIRA, M. V. C. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. ; CANESTRARO, C. D. ; MORENO, T. V. ; ROMAN, L. S. . ?Growth, Electrical and Optical Properties of SnO2:F on ZnO, Si and Porous Si Structures ?. In: Nanotech 2009 NSTI- Nano Science and Technology Institute, 2009, Houston. Technical Proceedings Vol. 1 Fabrication, Particles, Characterization, MEMS, Electronics and Photonics. New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009. v. 1. p. 352-355.

2.
FERREIRADASILVA A; MEIRA, M. V. C. ; FREITAS, J. A. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. . Growth, Optical Characterization and Modeling of ZnO Nanorods on Si, SiC Microporous Si Structures. In: NSTI- Nano Science and Technology Institute-Nanotech2009, 2009, Houston. Tech. Proc. Nanotech 2009. New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009. v. 3. p. 206-209.

3.
DANTAS, N. S. ; DA SILVA AF ; ARWIN, H. ; RAPPL, P. ; PERSSON, C. . Optical characterization of rocksalt Pb(1-x)Sn(x)Te alloys. In: International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-4), 2007, Estocolmo. physica Status Solidi. Amsterdam: Elsevier, 2007. v. 11. p. xxx-xxx2.

4.
DA SILVA AF; DANTAS, N. S. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; TORRES, E. ; PERSSON, C. ; LINDGREN, T. ; ALMEIDA, J. S. ; AHUJA, R. . Electronic and Optical Properties of TiO2. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2005, Mellville, New York. AIP Conference Proceedings. New York: AIP J. Menendez and C. van de Walle, 2005. v. 772. p. 175-176.

Resumos expandidos publicados em anais de congressos
1.
DA SILVA AF; MACEDO, A. G. ; VALASKI, R. ; VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. . Light emitting devices based on porous Silicon having Fluorine doped Tin oxide as a transparent electrode. In: 5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology, 2006, Sitges - Barcelona. Materials of the 5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology, 2006.

2.
DA SILVA AF; PEPE, I. ; SANTOS, L. V. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; ROSA, R. R. ; ARWIN, H. ; LINDQUIST, O. P. A. ; ROMAN, L. S. . Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering. In: Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering, 2004, Cullera. Porous Semiconductors- Science and Technology. Valencia: Technical University of Valencia, 2004. v. 4. p. 238-239.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
BORGES, L. S. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Aquisição de Dados e Formas de Onda. In: XXI Seminário Estudantil de Pesquisa, 2003, Salvador. Anais do XXI Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.

2.
DA SILVA AF; PEPE, I. ; BORGES, L. S. . Aquisição de Dados. In: XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002, Salvador. Anais do XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.

3.
DA SILVA AF; PEPE, I. ; VIANNA, A. L. R. . Espectroscopia Ótica de Semicondutores e Desenvolvimento de Sistemas de Instrumentação, de Aquisição de Dados e Controle. In: XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002, Salvador. Anais do XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.

Resumos publicados em anais de congressos (artigos)
1.
DA SILVA AF;DASILVA AF;FERREIRADASILVA A;.;David, D.G.F.;Ferreira da Silva, Antonio;Sandoval, M.A. Toloza;Ferreira da Silva, A.;Antônio F. da Silva;ANTÔNIO F. DA SILVA;DA SILVA, ANTONIO FERREIRA2001DA SILVA AF; SARACHIK, M. ; SOUZA, J. P. . Resistivity of Si:Bi and Si:P,Bi between 1.8 K and Room temperature. Bulletim American Physical Society, Estados Unidos, v. March, p. 1156-1156, 2001.

Artigos aceitos para publicação
1.
SANDOVAL, M. A. T. ; Ferreira da Silva, A. ; ROCCA, G. C. L. ; SILVA, E. A. A. E. . Electron g-factor Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells. Physics Procedia, 2014.

Apresentações de Trabalho
1.
FERREIRADASILVA A. Renormalization of the Electron g-Factor in Semiconductor Quantum We. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

2.
FERREIRADASILVA A; QIAN, Z. . RENEWABLE ENERGY: WHAT DOES THE FUTURE HOLD?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

3.
Ferreira da Silva, Antonio. Bulk Properties of InN Films Deposited by Ion Beam Assisted Technique ?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

4.
Ferreira da Silva, A.. Optical Properties of the Photo-catalyst BiTaO4 / BiNbO4. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

5.
Ferreira da Silva, A.. Electron g-factor Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

6.
FERREIRADASILVA A. Optical Properties of TiO2-xNx. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

7.
FERREIRADASILVA A; ALMEIDA, J. S. . Study of Native Defects in Thalium Nitride. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

8.
FERREIRADASILVA A. Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences. 2011. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

9.
FERREIRADASILVA A. Optical Properties of the Photocalyst BiTaO4. 2011. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

10.
.. Materiais Avançados e nanotecnologia. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

11.
FERREIRADASILVA A. Optical and Transport Properties in Semiconductor Systems. 2010. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

12.
FERREIRADASILVA A; SILVA, M. V. S. ; FREITAS, J. A. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; WILLANDER, M. ; KLASON P ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. . Growth, Optical Characterization and Modeling of ZnO Nanorods on Si, SiC Microporous Si Structures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

13.
FERREIRADASILVA A; SILVA, M. V. S. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. ; CANESTRARO, C. D. ; MORENO, T. V. ; ROMAN, L. S. . Growth, Electrical and Optical Properties of SnO2:F on ZnO, Si and Porous Si Structures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

14.
FERREIRADASILVA A. Materiais Complexos: Propriedades Ópticas, Morfológicas e Condutivas. Aplicações em NanoBioEstruturas. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

15.
FERREIRADASILVA A. Nanotecnologia e suas Aplicações. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

16.
FERREIRADASILVA A; THOMAZI, F. ; ROMAN, L. S. ; PERSSON, C. . Electronic structure and band-edge optical absorption of rutile SnO2 and TiO2. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

17.
DA SILVA AF. Complex bulk and surface materials: morphological, optical and conduction investigations. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

18.
FERREIRADASILVA A. Ferromagnetism in Disordered Doped III-V Dilute Magnetic Semiconductors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

19.
FERREIRADASILVA A. Ferromagnetism in Doped Ga(1-x)Mn(x)As Dilute Magnetic Semiconductors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

20.
FERREIRADASILVA A; SANDOVAL, M. A. T. ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Variational Solution for the Rashba Splitting in AlGaAs/GaAs Hetrojunction. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

21.
FERREIRADASILVA A; NEVES, R. S. ; KISHORE, R. . Ferromagnetism in Disordered Dilute Magnetic Semiconductors Applied to GaMnAs. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

22.
FERREIRADASILVA A. High Doping Effects on Fundamental Properties of SiC and Diamond. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

23.
DA SILVA AF. Optical and transport properties of the double-donor system Si:P,Bi. 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

24.
PERSSON, C. ; DA SILVA AF . Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N(III=B,Al,Ga, and In). 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

25.
DA SILVA AF. Optical and Transport Properties of doped and undoped semiconductor materials. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

26.
DA SILVA AF. Optical Properties of SiGe. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

27.
DA SILVA AF. Electronic and optical properties of intrinsic and heavily doped III-N (III = B, Al, Ga, In, Tl). 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

28.
DA SILVA AF. Electronic and Optical Properties of Intrinsic and Heavily Doped Semiconductors?. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

29.
DA SILVA AF. -?Projetos em Ciência dos Materiais:Nanotecnologia?. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

30.
DA SILVA AF. -? Ciência e Tecnologia: Nanotecnologia um Desafio ? Indicado pelo CNPq.. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

31.
DA SILVA AF. Optical Properties of AlN and TlN ?-. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

Outras produções bibliográficas
1.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. ; ROCCA, G. C. L. . Rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor hetrojuctions. New York: American Institute of Physics and Americal Physical Society, 2009 (Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology).

2.
ARAÚJO, C. M. G. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. . . Electron spin-orbit split minibands in semiconductor asymmetric superlattices.. New York: American Institute of Physics and American Physical Society, 2002 (Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology).


Produção técnica
Assessoria e consultoria
1.
A, F. S. ; DA SILVA AF . Applied Physics Letters. 2007.

2.
DA SILVA AF. Membro Gestor do Conselho Cientifico e Tecnológico (CCT) do Núcleo de Propriedade Intelectual (NPI). UFBa (Sede)/CEFET-Ba/UFS/UFPB. 2006.

3.
DA SILVA AF. JOHN WILEY & SONS EDITORA. 2000.

4.
DA SILVA AF. PHYSICA STATUS SOLIDI. 2000.

5.
DA SILVA AF. CNPQ. 2000.

6.
DA SILVA AF. MATERIALS RESEARCH BULLETIM. 2000.

7.
DA SILVA AF. PHYSICAL REVIEW A , B. 1999.

8.
DA SILVA AF. APPLIED PHYSICAL LETTERS. 1999.

9.
DA SILVA AF. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 1999.

10.
DA SILVA AF. PADCT-III (EVENTO 1 E 2). 1998.

11.
DA SILVA AF. PADCT-III. 1997.

12.
DA SILVA AF. CAPES. 1996.

13.
DA SILVA AF. UERJ. 1995.

Produtos tecnológicos
1.
CARDENAS, J. R. ; VASCONCELOS, E. A. ; AZEVEDO, W. M. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A . Heterojunções de Silicio-Polianilina como Fotodetector de Radiação Ultra-Violeta. 2007.

2.
MACEDO, A. G. ; DA SILVA AF ; VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. . Dispositivo Emissor de Luz com Base em Silicio Poroso Utilizando o Óxido de Estanho Dopado com Flúor (FTO) como Eletrodo Transparente. 2007.

3.
ANDRADE, J. B. ; SILVA, L. A. .. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Filtro Óptico de Sulfito de Valência Mista para a Luz Vermelha . 2004.

Trabalhos técnicos
1.
DA SILVA AF. Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento. 2007.

2.
DA SILVA AF. Coordenador do Projeto: Laboratório Multi -Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBA ?LAMUME. Proposta aprovada pela Pro -Reitoria como sub-projeto para fazer parte do Projeto de Infra-Estrutura apresentado pela UFBa. Valor aproximado de R$1.300.000,00.. 2006.

3.
DA SILVA AF. -Coordenador do Projeto de Implantação do Programa de Doutorado do IF -UFBa. 2006.

4.
PORSANI, N. ; DA SILVA AF ; ANDRADE, J. B. ; TORRES, E. . Membro Gestor do Progrma de Doutorado do CIEnAm-Centro Interdisciplinar em Energia e Ambiente. 2005.

5.
DA SILVA AF. CIENTISTA DOS MAIS CITADOS RANKING DA CIÊNCIA. 1999.


Demais tipos de produção técnica
1.
DASILVA AF. Materiais Semicondutores Complexos: Propriedades Ópticas , Morfológicas e Condutivas e suas Aplicações. 2008. (Curso de curta duração ministrado/Outra).

2.
DA SILVA AF. International Summer Course in Material Processes. 2007. .

3.
DA SILVA AF. Spin-dependent quantum transport, impurity and optical absorption in semiconductor nanostructures_Doutorado_Suecia. 2002. (Curso de curta duração ministrado/Outra).

Demais trabalhos
1.
FERREIRADASILVA A. Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II. 2010 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .

2.
DA SILVA AF. Estudo e Desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos. 2004 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .

3.
DA SILVA AF; JOAHANSSON, B. . The Swedish Foundation for International Cooperation in. 2004 (REDE DE PESQUISA) .

4.
DA SILVA AF; SILVA, JR, E. F. . Rede Multi-institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Prototipos e Nanodispositivos- REMAN. 2004 (REDE DE PESQUISA) .

5.
DA SILVA AF. iMPLANTAÇÃO LABORATORIO DE FEITO HALL E PROP. OPTICAS. 2003 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 ANDRADE, J. B. ; SILVA, L. A. .. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Filtro Óptico de Sulfito de Valência Mista para a Luz Vermelha . 2004, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: PI MU8401977-8, título: "Filtro Óptico de Sulfito de Valência Mista para a Luz Vermelha " . Depósito: 03/08/2004; Pedido do Exame: 03/08/2004. Instituição(ões) financiadora(s): UFBa/CNPq.

2.
 MACEDO, A. G. ; VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. ; Ferreira da Silva, A. . Dispositivo emissor de luz com base em silício poroso utilizando o óxido de estanho dopado com flúor (FTO) como eletrodo transparente. 2007, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: PI07012322, título: "Dispositivo emissor de luz com base em silício poroso utilizando o óxido de estanho dopado com flúor (FTO) como eletrodo transparente" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 11/06/2007; Depósito PCT: 11/06/2007.

3.
 LIMA, S. T. C. ; Ferreira da Silva, A. . Proteínas de choque térmico (HSP)s como marcadoras de leveduras starters de Saccharomyces cerevisiae mais resistentes ao estresse em processos fermentativos. 2013, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR1020130327352, título: "Proteínas de choque térmico (HSP)s como marcadoras de leveduras starters de Saccharomyces cerevisiae mais resistentes ao estresse em processos fermentativos" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 07/11/2013; Depósito PCT: 07/11/2013.


Desenho industrial
1.
 DA SILVA AF . Dispositivo Emissor de Luz com Base em Silicio Poroso Utilizando o Óxido de Estanho Dopado com Flúor (FTO) como Eletrodo Transparente. 2007, Brasil.
Patente: Desenho Industrial. Número do registro: PI0701232-2, data de registro: 10/01/2007, título: "Dispositivo Emissor de Luz com Base em Silicio Poroso Utilizando o Óxido de Estanho Dopado com Flúor (FTO) como Eletrodo Transparente" . Instituição(ões) financiadora(s): CNPq.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
DA SILVA AF. Participação em banca de Carolina Melo de Abreu. Mecanismos de Emissão Fosforescence do Composto CdSiO3. 2010. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Sergipe.

2.
DA SILVA AF. Participação em banca de Thanayut Kaewmaraya. The theoretical study of water interaction with cation point defects on ZnO(1010) surface. 2010. Dissertação (Mestrado em Physics) - Uppsala University.

3.
DA SILVA AF. Participação em banca de Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni. Análise Matemático-Computacional de Superfícies Irregulares: Aplicações para Materiais Ativos Nanoestruturados. 2005. Dissertação (Mestrado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

4.
DA SILVA AF. Participação em banca de Rogério de Carvalho Brito. Ambiente Gráfico Flyby para Análise de Padrões Gradientes de Silício Poroso. 2004. Dissertação (Mestrado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

5.
DA SILVA AF. Participação em banca de Joelmo Jesus de Oliveira. Cálculo de Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Materiais Hipotéticos Via Método Ab-Initio. 2004. Dissertação (Mestrado em Curso de Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia.

6.
DA SILVA AF; BOUDINOV, H. S. B. S. J.. Participação em banca de Artur Vicente Pfeifer Coelho. Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons. 2003. Dissertação (Mestrado em Programa de Pós Graduação em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Teses de doutorado
1.
A, F. S.; DA SILVA AF. Participação em banca de Marcus Vinicius Santos da Silva. Fabricação de Filmes Finos de CuInSe2 para Aplicação em Células Fotovoltáicas. 2011. Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa.

2.
DA SILVA AF. Participação em banca de Elias Silva dos Santos. Prospecção de Inibidores para o Controle da Biossulfetogênese na Indústria de Petróleo e Gás Natural?. 2011. Tese (Doutorado em Biotecnologia) - Instituto de Ciências da Saúde.

3.
DA SILVA AF; L. V. Assali; M C Fantini; D S Galvão; LIMA, I. C. C.. Participação em banca de Joelson Colt Garcia. Propriedades Físicas de Diamantóides. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

4.
DA SILVA AF; M Cremona; C M Lepienski; Leni Campos Akcelrud; ROMAN, L. S.. Participação em banca de Carla Daniele Canestraro. Dispositivos Fotovoltaicos Orgânicos: Estudo de Camadas Ativas e Eletrodos. 2010. Tese (Doutorado em Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materia) - Universidade Federal do Paraná.

5.
DA SILVA AF. Participação em banca de Alim Fulati. Mechanical Characterization and Electrochemical Sensor Applications of Zinc Oxide Nanostructures. 2010. Tese (Doutorado em Física) - LINKOPING UNIVERSITY.

6.
DA SILVA AF. Participação em banca de Ferenc Diniz Kiss. Efeitos de dimensão nas Propriedades Físicas e Processos de Adsorção em Nanopartículas de Prata. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

7.
DA SILVA AF; LIMA, I. C. C.; GOBATO, Y. G.; OLIVEIRA, N. A.; BRACCO, M. E.. Participação em banca de Érika Dias Cabral. Estudo de propriedades elétricas e magnéticas em nanestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica. 2009. Tese (Doutorado em Física) - Universidade do Estado do Rio de Janeiro.

8.
DA SILVA AF; LENZI, E. K.; BAESSO, M. L.; EVANGELISTA, L. R.; MACHADO, F. L. A.. Participação em banca de Nelson Guilherme Castelli Astrath. Determinação e Análise de Porpiredades Térmicas e Óticas de Sólidos não Cristalinos em Altas e Baixas Temperaturas. 2006. Tese (Doutorado em Pós-Graduação em Física) - Universidade Estadual de Maringá.

9.
DA SILVA AF; AZEVEDO, W. M.; de Jesus, E. F. O.; Khoury, H. J.; HAZIN, C. A.. Participação em banca de Jane Maria Gonçalves Laranjeira. Fabricação e Caracterização Elétrica de Heterojunções de Polianilina-Silício para Aplicação em Dosimetria de Radiações Ionizantes. 2004. Tese (Doutorado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco.

Qualificações de Doutorado
1.
DA SILVA AF; RAMOS, F. M.; ROSA, R. R.; VELHO, H. F. C.; PONTES, J. R. M.. Participação em banca de Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni. Simulação e Caracterização Computacional de Micro e Nano Estruturas em Células do Tipo Hele-Shaw. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

2.
DA SILVA AF; AN, C. Y.; NONO, M. C. A.. Participação em banca de Nilton Souza Dantas. Simulação Computacional de Novos Materiais Semicondutores Através de Teoria Funcional Densidade. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em ETE/Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Professor titular
1.
DA SILVA AF. PROFESSOR TITULAR. 2012. Universidade de São Paulo.

2.
DA SILVA AF. Materiais Cerâmicos. 2011. Universidade Federal do ABC.

3.
DA SILVA AF. Concurso Professor Titular. 2010. Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

4.
DA SILVA AF. Concurso Professor Titular - Roberto Fernandes Silva Andrade. 2009. Instituto de Física-UFBa.

5.
DA SILVA AF. Concurso Professor Doutor - IF USP (MS-3). 2009. Universidade de São Paulo.

6.
DA SILVA AF; FAZZIO, A.; Enrique Anda; Rita Maria Cunha de Almeida; Mario José de Oliveira. Concurso Professor Assistente. 2006. Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

7.
DA SILVA AF. Banca Examinadora da Promoção da Carreira de classe de Adjunto para Titular do Prof. Marcelo Albano Moret Simões Gonçalves. 2005. Universidade Estadual de Feira de Santana.

Livre docência
1.
Ferreira da Silva, Antonio; YANG, W.. PhD Thesis. ?Interactions de Radionucléides et de CO2 les Argilles: Mécanismes à Élucider à l?Echelle. 2014. Université Lille1 Science et Technologies.

2.
DA SILVA AF. Comissão Julgadora do Concurso de Livre-Docência da Profa. Euzi Conceição Fernandes da Silva-Dept. Física dos Materiais e Mecânica. IF-USP. 09 a 11/02/2004 .. 2004. Universidade de São Paulo.

Outras participações
1.
DA SILVA AF. 7º Prêmio Destaque do Ano na Iniciação Científica_CNPq. 2009. Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.

2.
DA SILVA AF. Comissão de Avaliação do Processo de Progresso na Carreira do Professor Thierry Jacques Lemaire. 2002. Universidade Estadual de Feira de Santana.

3.
DA SILVA AF. Avaliação do Processo de Pedido de Incentivo Funcional por Produção Científica do Prof. Dr. Fábio de Jesus Ribeiro. 2002. Universidade Estadual de Feira de Santana.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Brazil-Sweden Innovation Learning Laboratory / Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences.Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences. 2011. (Simpósio).

2.
VII th International Workshop on Bulk Nitride semiconductors. Optical Properties of TiO2N and Study of Native Defects in Thallium Nitride. 2011. (Congresso).

3.
15th Semiconducting and Insulating Materials Conference. 15th Semiconducting and Insulating Materials Conference. 2009. (Congresso).

4.
II Workshop on Simulation and Analysis of Complex Systems and IV Workshop on Complex Systems. Complex bulk and surface materials: morphological, optical and conduction. 2008. (Congresso).

5.
Materials Research Society - Fall Meeting.Materials Research Society - Fall Meeting. 2008. (Encontro).

6.
II Conferência Estadual de CT&I na Bahia. Nanotecnologia/Tecnologia de Materiais. 2007. (Congresso).

7.
International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-4). Optical characterization of rocksalt Pb(1-x)Sn(x)Te alloys. 2007. (Congresso).

8.
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors V.International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors V. 2007. (Oficina).

9.
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (II = B, Al, Ga and In). 2006. (Congresso).

10.
5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology. Light emitting devices based on porous Silicon having Fluorine doped Tin oxide as a transparent electrode. 2006. (Congresso).

11.
International Workshop on Multifunctional Materials III.Optical and Transport Properties of Doped and Undoped Semiconductor Materials. 2006. (Simpósio).

12.
Micro and Nanotechnology at PIM: MINAPIM -Suframa.Cooperative Network on Nanoscience/Nanotechnology. 2006. (Simpósio).

13.
Programa de Seminários do Curso de Pós-Graduação em Computação Aplicada.Rede de Nanociência e Aplicações em Propriedades Óticas e Eltetrônicas de Novos Materiais. 2006. (Seminário).

14.
Seminário de Tecnologia & Desenvolvimento.Nanotecnologia. 2006. (Seminário).

15.
Workshop de Nanociência da Bahia.Rede Multi-Institucional de Materiais Avançados e Nanotecnologia (REMAN). 2006. (Oficina).

16.
XXIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.MODELING COMPLEX NANOSTRUCTURED SAMPLES FROM 2d+1 KPZ EQUATION. 2006. (Encontro).

17.
10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-10). Electronic and optical properties of intrinsic and heavily doped III-N (III = B, Al, Ga, In, Tl). 2005. (Congresso).

18.
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2005. (Oficina).

19.
13th International Congress on Thin Films 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures ICTF 13/ACSIN 8. Thin Film Modelling. 2005. (Congresso).

20.
IXth Latin American Workshop on Nonlinear Phenomena.Modeling Complex Nanostructured Samples from 2D-KPZ Equation. 2005. (Oficina).

21.
Laboratoire d? Études des Propriétès Électroniques dês Solides-Lepes.? Electronic and Optical Properties of Intrinsic and Heavily Doped Semiconductors?. 2005. (Seminário).

22.
Nano SemiMat - 4º Encontro da Rede Cooperativa para Pesquisa em Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2005. (Oficina).

23.
Nanotechnologies in Photonics: Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II: Optoelectronics 2005. Optical Properties of SiGe . 2005. (Congresso).

24.
13th International Conference on Photoacoustic and Phototermal Phenomena. 2004. (Congresso).

25.
3rd Brazilian MRS Meeting. Optical Properties of Titanium Dioxide .. 2004. (Congresso).

26.
4th International Conferece on Porous Semiconductors - Science and Technology. 2004. (Congresso).

27.
III Encontro da SBPMAT-Brazil-MRS. Electronic Structure, Effective mass..Rutile Titanium Dioxide. 2004. (Congresso).

28.
Indicado pelo CNPq - Seminario Evento SBPC.-?Ciência e Tecnologia: Nanotecnologia um Desafio ?. 2004. (Simpósio).

29.
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III. Optical Properties of AlN and TlN -. 2004. (Congresso).

30.
IV Encontro Regional de Matemática Aplicada e Computacional + III Escola Brasileira de Ciências Emergentes. Maresias. - Projetos em Ciência dos Materiais:Nanotecnologia . 2004. (Congresso).

31.
Porous Semiconductors-Science and Technology. Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering. 2004. (Congresso).

32.
XXII Encontro de Fisicos do Norte e Nordeste.-?Rede Nacional de Nanotecnologia ?.. 2004. (Encontro).

33.
Colóquio do Instituto de Física da UFRGS.Semicondutores de Gaps Largos: Efeitos de Impureza, aglomerados moleculares e polarização de spin. 2003. (Outra).

34.
EXC!TING Summer School "DFT beyond the ground state".Optical Properties of Oxide Compounds PbO, ZnO, SnO2 and TiO2. 2003. (Outra).

35.
II Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. 2003. (Encontro).

36.
Seminário Geral da Física. Modelamento de Propriedades Óticas e Eletrônicas de Semicondutores de "Gaps" Largos. 2003. (Congresso).

37.
Seminários Gerais em Física.Propriedades Eletrônicas, Ópticas e Morfológicas de Materiais Semicondutores de Gaps Largos: Efeitos de Impurezas e Aglomerados Moleculares. 2003. (Seminário).

38.
Electronic Materials Branch Seminar.Modeling the Optical and Electronic Properties of Wide Bandgap Semiconductors. 2002. (Seminário).

39.
Fall 2002 Materials Reseach Society Meeting, Boston.Spin-dependent current in semiconductor asymmetric superlattices. 2002. (Seminário).

40.
International conference on electronic structure theory in honor of the 60th birthday of Prof. B. Johansson, 10-11 June. 2002. (Encontro).

41.
Naval Research Laboratory.Modeling the Optical and Electronic Properties of Wide Bandgap Semiconductors. 2002. (Seminário).

42.
Seminário Especial.Propriedades Óticas e de Transporte em Novos Materiais Semicondutores. 2002. (Seminário).

43.
53ª Reunião Anual da SBPC, UFBA - 13 a 18 de julho.Minicurso (Nivel Avançado) em Propriedades Ópticas, Térmicas e de Condução de Novos Materiais Semicondutores. 2001. (Encontro).

44.
53ª Reunião Anual da SBPC, UFBA - 9ª SBPC Jovem, 13 a 18 de julho.Novos materiais: um desafio para dispositivos mais eficientes. 2001. (Encontro).

45.
Doping Issue in Wide Band-gap Semiconductors. Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN. 2001. (Congresso).

46.
March Meeting of the American Physical Society. Resistivity of Si:Bi and Si:P,B between 1.8 K and Room Temperature. 2001. (Congresso).


Organização de eventos, congressos, exposições e feiras
1.
SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interface ?ICFSI. 2007. (Congresso).

2.
DA SILVA AF; KOUKITU, A. . 5th Int. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. 2007. (Congresso).

3.
DA SILVA AF; AHUJA, R. . Swedish-Brazilian Workshop on Advanced Functional Materials. 2007. (Congresso).

4.
DA SILVA AF; ROSA, R. R. . Workshop sobre Cooperação em Pesquisa e Tecnologia de Materiais Avançados. 2007. (Congresso).

5.
DA SILVA AF; ROMAN, L. S. ; ROSA, R. R. ; PEPE, I. ; SILVA, JR, E. F. ; BOUDINOV, H. . II Workshop da REMAN-. 2006. (Congresso).

6.
DA SILVA AF. ?Workshop de Nanociências da Bahia ?. 2006. (Congresso).

7.
KOUKITU, A. ; DA SILVA AF . : 4th Int. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. 2006. (Congresso).

8.
SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . Co-Chairperson 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces. From Semiconductors to Nanoscience and Applications in Biology 2007. 2006. (Congresso).

9.
DA SILVA AF; ROMAN, L. S. ; SILVA, JR, E. F. ; BOUDINOV, H. ; FREITAS, J. A. ; ROSA, R. R. ; PEPE, I. . I Workshop da REMAN. 2005. (Congresso).

10.
DA SILVA AF; FREITAS, J. A. . ? Challenges in Bulk Nitride Growth: Future Directions and Measures?. 2005. (Congresso).

11.
RAZEGHI, M. ; DA SILVA AF . Nanotechnologies in Photonics: Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II: Optoelectronics 2005 : SPIE International Symposium. 2005. (Congresso).

12.
A, F. S. ; PEPE, I. ; PERSSON, C. ; WILLANDER, M. ; DA SILVA AF . Short Workshop on Nanotechnology. 2005. (Congresso).

13.
SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. 2004. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Harliton Jonas da Costa. Filmes de óxidos obtidos por deposição assistida por feixe de íons. Início: 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Coorientador).

Tese de doutorado
1.
Bianca Jardim Mendonça. Bianca Jardim Mendonça. Início: 2018. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Coorientador).

2.
Rodrigo Pereira de Carvalho. Investigation of Optical and Electronic Properties of New Semiconductor Materials. Início: 2018. Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

3.
Jhon Elber Leon. Estudo do fator g de spin para elétrons em superredes semicondutoras. Início: 2016. Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. (Orientador).

4.
Rogerio da Silva Alves. Estudo de Ferromagnetismo em Semicondutores Magnéticos Diluídos (DMS) Desordenados: Aplicação no GaMnAs. Início: 2007. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. (Orientador).

Supervisão de pós-doutorado
1.
Marcelo Alejandro Toloza Sandoval. Início: 2015. Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Rodrigo Pereira de Carvalho. Um Estudo Sobre a Elipsometria com Aplicação na caracterização de Amostras de Si,SiO2:F, WO3 e DLC. 2016. Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, . Coorientador: Antonio Ferreira da Silva.

2.
Carla Araújo Sena. Produção de hidrogênio por fotodissociação da água. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

3.
JHON ELBER LEON. ANISOTROPIA GIROMAGN ETICA PARA EL ETRONS EM PO COS QU^ANTICOS ACOPLADOS. 2014. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

4.
Rafael Barros Neves de Araújo. ?Investigação Teórica das Propriedades Eletroquímicas de Materiais para Armazenamento de Energia?. 2011. Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Antonio Ferreira da Silva.

5.
Marcelo Alejandro Toloza Sandoval. Polarizaçao de spin de elétrons em nanoestruturas de semicondutores III-V. 2008. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

6.
Rogerio da Silva Alves. Sistemas Magneticos Diluídos. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

7.
Everton Carlos Santana Magalhãs. Propriedades Ópticas de Filmes Finos de Dióxido de Estanho Puro e Dopado com Flúor. 2006. Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

8.
Joseph Ogren. ?Investigation of Optical Properties of Promising Semiconductor Systems?.. 2005. Dissertação (Mestrado em Master in Science) - Linkoping University, Linkoping University. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

9.
Adriano de Jesus da Silva. Estudo das Transições Óticas por Aglomerados de Impurezas em Semicondutores?.. 2005. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

10.
Milena Ventura da Conceição. Estudo dos Espectros de Absorção Ótica e da Difusividade Térmica de Materiais Semicondutores Utilizando a Espectroscopia Fotoacústica?.. 2005. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

11.
Carlos Moysés Graça Araújo. Contribuições ao estudo da estrutura eletrônica de semicondutores:bulk e heteroestruturas. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

12.
JAILTON SOUZA DE ALMEIDA. INVESTIGAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS EM ESTRUTURAS MOSFET. 2001. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

13.
TENILSON SOUZA DA SILVA. CARACTERIZAÇÃO TÉRMICA E ÓPTICA DE NOVOS MATERIAIS SEMICONDUTORES POR ESPECTROSCOPIA FOTOACÚSTICA. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

14.
NILTON SOUZA DANTAS. UM ESTUDO DA TRANSIÇÃO METAL-ISOLANTE E CONDUTIVIDADE EM SISTEMAS SEMICONDUTORES. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

15.
ALVARO SANTOS ALVES. ESTUDO DE PROPRIEDADES ÓPTICAS DE MATERIAIS SEMICONDUTORES UTILIZANDO FOTOACÚSTICA E FOTOCONDUTIVIDADE. 1999. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

16.
EDMARIO ANTONIO GUIMARAES COSTA. Modelo de Pares Doadores Em Sistemas de Baixa Dimensionalidade. 1994. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

17.
FERNANDO DE BRITO MOTA. Um Estudo das Propriedades Opticas Em Semicondutores Dopados Perto da Transicao Metal-Isolante. 1993. Dissertação . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

18.
JAILTON CAETANO DE SOUZA. Desenvolvimento de Um Espectrometro Fotoacustico Com Aplicacao Em Medidas de Espectro de Absorcao de Semicondutores, Terras Raras e Outros Materiais. 1993. Dissertação . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

19.
MAURICIO FABBRI. Estudo dos Estados Eletronicos e de Propriedades Fisicas Ligadas As Impurezas Substitucionais Em Semicondutores Dopados. 1981. Dissertação - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

Tese de doutorado
1.
Marcelo Alejandro Toloza Sandoval. Fenômenos Dependentes de Spin em Semicondutores Nanoestruturados. 2014. Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

2.
Milena Ventura Castro Meira. Análise Espectroscópica de Óxidos Semicondutores Usando a Técnica Fotoacústica. 2013. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal da Bahia, . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

3.
Milena Ventura da Conceição. Análise Espectroscópica de Óxidos Semicondutores Usando a Técnica Fotoacústica. 2013. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

4.
Nilton Souza Dantas. Simulacao Computacional de Novos Materiais Atraves da Teoria do Funcional da Densidade. 2009. Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia Espaciais) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

5.
Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni. SIMULAÇÃO, ANÁLISE E CARACTERIZAÇÃO COMPUTACIONAL DE PADRÕES DE "FINGERING" EM DESLOCAMENTOS DE FLUIDOS EM MEIOS POROSOS. 2009. Tese (Doutorado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Antonio Ferreira da Silva.

6.
MAURICIO FABBRI. Correlacao e Desordem Em Semicondutores Dopados. 1984. Tese (Doutorado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, . Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

Iniciação científica
1.
Elaine da Luz Rocha. Determinação da absorção ótica de amostras de carbeto de silicio. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Fisica) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

2.
Valmara Silveira Ponte. Desenvolvimento de um sistema de aquisição de espectros de absorção de luz por amostras semicondutoras. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Fisica) - Instituto de Física-UFBa, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

3.
Sara Santedicola Ribeiro. Estudo de propriedades de transporte em óxidos semicondutores. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

4.
Rafael Almeida Bittencourt. .. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

5.
Rafael Barros Neves de Araújo. .. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

6.
André Telles da Cunha Lima. Energia de ligação de impurezas rasas em poços quanticos de GaAs/AlAs. 1996. Iniciação Científica. (Graduando em Instituto de Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

Orientações de outra natureza
1.
Jailton Souza de Almeida. Pesquisador Visitante (vindo de Uppsala University, Suécia). 2007. Orientação de outra natureza. (Física) - Universidade Federal da Bahia. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.

2.
Tiago Fróes. Desenvolvimento de Software e Cluster Computacional para Obtenção de Prop. Opticas e eletricas de Novos materiais. 2006. Orientação de outra natureza. (Física) - Universidade Federal da Bahia, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia. Orientador: Antonio Ferreira da Silva.



Inovação



Patente
1.
 LIMA, S. T. C. ; Ferreira da Silva, A. . Proteínas de choque térmico (HSP)s como marcadoras de leveduras starters de Saccharomyces cerevisiae mais resistentes ao estresse em processos fermentativos. 2013, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR1020130327352, título: "Proteínas de choque térmico (HSP)s como marcadoras de leveduras starters de Saccharomyces cerevisiae mais resistentes ao estresse em processos fermentativos" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 07/11/2013; Depósito PCT: 07/11/2013.


Outros projetos


Outras informações relevantes


CT-INFRA/Projetos/Laboratórios ? Coordenações
-Laboratório Multi - Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBa ?FINEP/MCT (LAMUNE). CT-INFRA Plano de Desenvolvimento da Infra-Estrutura Institucional de Pesquisa - Edital 01/2005. MCT/FINEP - 1140/06, Projeto Excelência em Artes, Saúde e Tecnologia da UFBa. Valor app. R$1.000.000,00 Compra MEV. Implantação 2010.
-Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET. Construção prédio para laboratório no Instituto de Geociências e compra de Microscópio de Força Atômica. Projeto de Infra-Estrutura.CT-INFRA UFBa/FINEP (2008).Valor app. R$1.500.000,00
-Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Valor R$ 4.578.818,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2009).
-Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET III. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Valor Apoiado R$ 2.141.323,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2010).
-Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET IV. Projeto Integrado Instituto de Física, Instituto de Geociências e Instituto de Química. Incluindo Microscópio de Transmissão. Valor Apoiado R$ 5.301.070,00. Projeto de Infra-Estrutura UFBa/FINEP (2011).
 	Programa Ciência sem Fronteiras ? CNPq. Linha 2. Pesquisador Visitante Especial e Exchange Estudante .França. ?Espectroscopia de perda de energia de fotoelétrons para o estudo de novos materiais na energia solar e na eletrônica ?(Photoelectron Energy Loss Spectroscopy PEELS) .2012



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