Nilton Itiro Morimoto

Bolsista de Produtividade Desen. Tec. e Extensão Inovadora do CNPq - Nível 2

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  • Última atualização do currículo em 14/09/2018


Possui graduação em Bacharelado em Física pelo Instituto de Física (1984), mestrado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (1987) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (1995). Coordenador Geral do Programa CI Brasil - (MCTI) Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação, bolsista de produtividade DT 2 do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, professor convidado - Faculdade de Tecnologia de São Paulo, Presidente da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, Diretor Vice-Presidente da Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico; Coordenador da IC Design House do LSI-TEC e coordenador da DMI/PSI/EPUSP da Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: óxido de silício, microeletrônica, PECVD, TEOS e sensores integrados. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Nilton Itiro Morimoto
Nome em citações bibliográficas
MORIMOTO, N. I.;MORIMOTO, N;Morimoto, N.I.;Morimoto, Nilton I.;Nilton Itiro Morimoto;Nilton Morimoto;Nilton Itiro Morimoto;MORIMOTO, NILTON ITIRO;Morimoto,N.I.;Morimoto, NI;MORIMOTO, N I;MORIMOTO, N.

Endereço


Endereço Profissional
Universidade de São Paulo, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.
Avenida Prof. Luciano Gualberto, travessa 3 número 158
Butantã
05508010 - São Paulo, SP - Brasil
Telefone: (11) 30915314
Fax: (11) 30915665
URL da Homepage: http://www.lsi.usp.br/~dmi


Formação acadêmica/titulação


1990 - 1995
Doutorado em Engenharia Elétrica.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Título: Desenvolvimento de um Sistema Multicâmara Integrado para Deposição e Recozimento de Filmes de SiO2., Ano de obtenção: 1995.
Orientador: Jacobus Willibrordus Swart.
Palavras-chave: CVD; óxido de silício; deposição de filmes finos; sistemas multicâmara; TEOS.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Informática; Desenvolvimento de Novos Materiais.
1985 - 1987
Mestrado em Engenharia Elétrica.
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, POLI/USP, Brasil.
Título: Caracterização de Filmes Finos de Siliceto de Titânio por Técnicas de Difração de Raio X.,Ano de Obtenção: 1987.
Orientador: Jacobus Willibrordus Swart.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Palavras-chave: difração de raios X; Filmes finos; silicetos de titânio.
Grande área: Engenharias
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Informática; Desenvolvimento de Novos Materiais.
1988 - 1989
Especialização em Estagio de Especialização. (Carga Horária: 720h).
Centro de Pesquisas da Philips, NAT LAB, Holanda.
Título: PECVD Silicon Oxide Deposition process.
Orientador: Andre Montree.
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
1985 - 1985
Especialização em Tópicos de Programação. (Carga Horária: 240h).
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
1984 - 1985
Especialização em Especialização Em Análise de Sistemas. (Carga Horária: 720h).
Fundação Armando Alvarez Penteado, FAAP, Brasil.
1981 - 1984
Graduação em Bacharelado em Física.
Instituto de Física, USP/IF, Brasil.
1977 - 1979
Curso técnico/profissionalizante em Curso Técnica Em Eletrotécnica.
Escola Técnica Industrial Lauro Gomes, ETI LAURO GOMES, Brasil.




Formação Complementar


1997 - 1997
An Introduction on MEM'S Microsensors and actuator. (Carga horária: 8h).
Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1991 - 1991
Treinamento de Operação Para Sistemas de Deposição. (Carga horária: 40h).
Thermco Inc, THERMCO, Estados Unidos.
1991 - 1991
Treinamento de Manutenção Para Sistemas de Deposiç. (Carga horária: 40h).
Thermco Inc, THERMCO, Estados Unidos.
1990 - 1990
I Brazilian Microelectronics School. (Carga horária: 80h).
Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1988 - 1988
Reduced Thermal Processing for ULSI. (Carga horária: 80h).
Nato Summer School, NATO, Estados Unidos.
1987 - 1987
Deposição e Processamento de Filmes Finos Para Mic. (Carga horária: 24h).
Instituto Militar de Engenharia, IME, Brasil.
1986 - 1986
Análise de Superfícies e Interfaces. (Carga horária: 24h).
Instituto Militar de Engenharia, IME, Brasil.
1978 - 1979
Inglês. (Carga horária: 180h).
Instituto Roosevelt de Idiomas, ROOSEVELT, Brasil.


Atuação Profissional



(MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação.
Vínculo institucional

2016 - Atual
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: DT2

Vínculo institucional

2013 - Atual
Vínculo: colaborador voluntario, Enquadramento Funcional: Coordenador do Programa CI Brasil, Carga horária: 2

Vínculo institucional

2007 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Membro do Comite gestor do Programa CI Brasil

Vínculo institucional

1999 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador

Vínculo institucional

2009 - 2018
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Membro do CATI
Outras informações
Membro do Comitê da Área de Tecnologia da Informação ? CATI

Vínculo institucional

1999 - 2016
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: PQ2


Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Vínculo institucional

1987 - Atual
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Coordenador da DMI/LSI/PSI/EPUSP, Carga horária: 40
Outras informações
Coordenador da Divisão de Microssistemas Integrados do Laboratório de Sistemas Integráveis do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo

Vínculo institucional

1985 - 1987
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Bolsista de Mestrado, Carga horária: 0, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

1981 - 1984
Vínculo: Bolsista de Iniciação científi, Enquadramento Funcional: Bolsista de graduação, Carga horária: 12
Outras informações
Atuação como bolsista de iniciação científica na USP

Vínculo institucional

1981 - 1982
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Monitor do Laboratório didático de Física, Carga horária: 12

Atividades

5/2000 - Atual
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Referee técnico da revista Thin Solid Films.
12/1998 - Atual
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no Convenio que entre si celebram a Motorola Industrial Ltda e a Universidade de São Paulo, através da Escola Politécnica - Departamento de Engenharia Eletrônica, para o programa de cooperação técnica e científica - projeto "Integração de Sis.
9/1997 - Atual
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no quadro de assessores do PADCT III.
3/1996 - Atual
Direção e administração, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.

Cargo ou função
Coordenador da Divisão de Microssistemas Integrados-LSI/PEE/EPUSP.
3/1996 - Atual
Direção e administração, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.

Cargo ou função
Coordenador da Seção de Filmes Finos da DMI/LSI/PEE/EPUSP.
6/1995 - Atual
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no quadro de assessores da FONDECYT (Chilean Research Council).
2/1990 - Atual
Serviços técnicos especializados , Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.

Serviço realizado
Operação e manutenção do difratometro de raios X.
9/1987 - Atual
Pesquisa e desenvolvimento , Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.

7/2003 - 8/2003
Outras atividades técnico-científicas , Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos.

Atividade realizada
Professor Visitante na Universidade Rennes I - França na área de Microeletrônica junto ao Grupo de Microeletrônica.
1/1998 - 12/2001
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Convênio de Cooperação Técnico Científico Educacional entre o Centro Estadual de Educação Tecnológica "Paula Souza" e a Universidade de São Paulo para a Re-estruturação do Curso Superior de Tecnologia em Materiais, Processos e Componentes E.
9/2001 - 10/2001
Outras atividades técnico-científicas , Escola Politécnica, Escola Politécnica.

Atividade realizada
Professor Visitante na Universidade Rennes I - França na área de Microeletrônica junto ao Grupo de Microeletrônica e Visualização.
10/1999 - 9/2001
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador Brasileira da rede Projeto ALFA fase B3, "Doctoral Resources for Strengthening Europe and South America Relationship in Smart Sensor Area" patrocinado pela Comunidade Comum Européia..
2/1999 - 1/2001
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Desenvolvimento de microestruturas aplicadas a sensores. Projeto CNPq/PADCT III.
1/1998 - 1/2001
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador Técnico Projeto de Cooperação CAPES/COFECUB Desenvolvimento de microestruturas e transistores de filmes finos utilizando filmes finos de silício policristalino dopados "in-situ" depositado pela técnica LPCVD e dióxido de silício depositado.
2/2000 - 2/2000
Treinamentos ministrados , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Treinamentos ministrados
Ministrou parte do curso de treinamento "Técnicas de Caracterização aplicados a Dispositivos Microeletrônicos" no âmbito do projeto Latinchip.
3/1996 - 12/1999
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação

Disciplinas ministradas
PEE-727: Tecnologia de vácuo para aplicações em microeletrônica
PEE-838: Processos avançados em microeletrônica
PEE-749: Técnicas de Análise de Materiais para Microdispositivos
PEE-740 - Tópicos de Fabricação de Microestruturas
10/1999 - 11/1999
Outras atividades técnico-científicas , Escola Politécnica, Escola Politécnica.

Atividade realizada
Professor Visitante na Universidade Rennes I - França na área de Microeletrônica junto ao Grupo de Microeletrônica e Visualização.
11/1997 - 10/1999
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Contrato que entre si Celebram o Instituto de Pesquisas Tecnológicas do Estado de São Paulo S/A e a Universidade de São Paulo, através da Escola Politécnica - Departamento de Engenharia Eletrônica, no Projeto: Estudo, Pesquisa e Avaliação d.
9/1999 - 9/1999
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação em bancas de concurso público para o provimento de docentes da Universidade de São Paulo - Candidato: Josemir Coelho dos Santos.
4/1999 - 8/1999
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Presidente da Comissão eleitoral para a eleição de conselheiros da Sociedade Brasileira de Microeletrônica em 1999.
7/1996 - 7/1999
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
¨ Conselheiro eleito da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
10/1996 - 9/1998
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador Brasileira da rede Projeto ALFA fase B1 "Doctoral Resources for Strengthening Europe and South America Relationship in Smart Sensor Area"patrocinado pela Comunidade Comum Europeia..
6/1998 - 7/1998
Outras atividades técnico-científicas , Escola Politécnica, Escola Politécnica.

Atividade realizada
Professor Visitante na Universidade Rennes I - França na área de Microeletrônica junto ao Grupo de Microeletrônica e Visualização.
4/1998 - 7/1998
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Presidente da Comissão eleitoral para a eleição da diretoria da Sociedade Brasileira de Microeletrônica em 1998.
3/1998 - 3/1998
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação em Comitê Assessor para julgamento de projetos PADCT - Física Aplicada.
3/1993 - 12/1997
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador Técnico Administrativo do Convênio de Cooperação Técnico Científico Educacional, na Área de Engenharia Elétrica, entre o Centro Estadual de Educação Tecnológica "Paula Souza" e a Universidade de São Paulo..
4/1997 - 7/1997
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Presidente da Comissão eleitoral para a eleição de conselheiros da Sociedade Brasileira de Microeletrônica em 1997.
4/1997 - 5/1997
Outras atividades técnico-científicas , Escola Politécnica, Escola Politécnica.

Atividade realizada
Professor Visitante na Universidade Rennes I - França na área de Microeletrônica junto ao Grupo de Microeletrônica e Visualização.
3/1994 - 4/1997
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no Projeto Desenvolvimento de Materiais, Processos e Equipamentos para Microeletrônica. FINEP-FNDCT.
8/1996 - 8/1996
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação em bancas de concurso de acesso de professores da Faculdade de Tecnologia de São Paulo Candidatos: Aparecido Sirley Nicoletti e Victor Sonnemberg.
9/1994 - 8/1996
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador do Projeto de Cooperação USP/COFECUB Elaboração e Caracterização de Interfaces entre Silício Policristalino Dopado in-situ com boro ou Fósforo pela Técnica LPCVD e Filmes Finos de Dióxido de Silício Dopado ou não Dopado..
7/1995 - 6/1996
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Atualização da Infraestrutura da Divisão de Materiais e Processos de Microeletrônica do Laboratório de Sistemas Integráveis. FAPESP Projeto de Infraestrutura.
3/1994 - 6/1996
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Materiais para Passivação e Interconexão de Circuitos Integrados". FINEP-PADCT..
4/1993 - 3/1996
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Medida de Stress em Filmes Finos aplicados em Tecnologia de Fabricação de Circuitos Integrados. Projeto Temático FAPESP..
3/1993 - 2/1996
Direção e administração, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Cargo ou função
Vice-Coordenador da Divisão de Materiais e Processos de Microeletrônica do LSI/PEE/EPSP.
3/1989 - 2/1996
Direção e administração, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Cargo ou função
Coordenador do Grupo CVD do LSI/PEE/EPUSP.
2/1991 - 12/1995
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
PEA-211 - Materiais Elétricos e Processos
PEE-215 - Introdução à Eletrônica
PEE-327 - Laboratório de Eletrônica III
5/1995 - 7/1995
Conselhos, Comissões e Consultoria, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Cargo ou função
Membro de conselho de unidade.
4/1990 - 5/1994
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Caracterização de materiais para microeletrônica por espectroscopia de infravermelho com transformada de Fourier. FAPESP.
3/1990 - 7/1993
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Construção de um forno de recozimento térmico rápido acoplado a um sistema de deposição por plasma remoto. PADCT/FINEP.
3/1990 - 2/1993
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Estudo e aplicação de siliceto de cobalto em circuitos integrados. FBB.
6/1990 - 5/1992
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Pesquisa e formação de recursos humanos em materiais e processos de microeletrônica. SCTDE..
5/1989 - 3/1992
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Pesquisa e formação de recursos humanos em materiais e processos de microeletrônica. Termo Aditivo I. FINEP(FNDCT).
3/1989 - 2/1992
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Coordenador Técnico do Projeto "Deposição de passivante por LPCVD em junções expostas de semicondutores de potência" - Convênio SEMIKRON/LSI..
3/1989 - 7/1991
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Construção de um forno de recozimento térmico rápido acoplado a um sistema de deposição por plasma remoto - PADCT/FINEP.
3/1989 - 2/1991
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Construção de equipamento para deposição a vapor induzida por plasma para SiO2 FAPESP.
2/1986 - 2/1989
Extensão universitária , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Atividade de extensão realizada
Participação no projeto Pesquisa e formação de recursos humanos em materiais e processos de microeletrônica - FINEP..
11/1982 - 12/1984
Estágios , Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.

Estágio realizado
Estagiário de Graduação do Laboratório de Sistemas Integráveis do Departamento de Engenharia Eletrônica da EPUSP.
7/1981 - 11/1982
Estágios , Instituto de Física, Departamento de Física Experimental.

Estágio realizado
Monitor do Laboratório de Física Geral do Instituto de Física da USP.
7/1981 - 11/1982
Outras atividades técnico-científicas , Universidade de São Paulo, Universidade de São Paulo.

Atividade realizada
Monitoria dos laboratórios didáticos de Física I, II, III e IV.

Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico, LSITEC, Brasil.
Vínculo institucional

2017 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Vice-Presidente

Vínculo institucional

2000 - 2017
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Diretor Administrativo e Financeiro


Associação do Laboratório de Sistem Integráveis Tecnológico Nordeste, LSITEC NORDESTE, Brasil.
Vínculo institucional

2013 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Diretor Presidente

Vínculo institucional

2007 - 2013
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Diretor Administrativo e Financeiro


Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
Vínculo institucional

2018 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Presidente

Vínculo institucional

2016 - 2018
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Presidente

Vínculo institucional

2012 - 2016
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Vice-Presidente

Vínculo institucional

2008 - 2012
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Presidente, Carga horária: 1

Vínculo institucional

2006 - 2008
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Vice-Presidente, Carga horária: 1
Outras informações
Participação em diversas atividades da Sociedade

Vínculo institucional

2002 - 2006
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Diretor Financeiro, Carga horária: 1

Atividades

9/2006 - Atual
Direção e administração, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Vice Presidente.
9/2002 - 9/2006
Direção e administração, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Diretor Financeiro.
9/2000 - 9/2002
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Membro de conselho superior.
4/2000 - 9/2000
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Presidente da comissão eleitoral para a eleição da diretoria da SBMICRO.
4/1999 - 9/1999
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Presidente da comissão eleitoral para a eleição dos conselheiros da Sbmicro.
7/1995 - 7/1999
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Membro de conselho superior.
4/1998 - 9/1998
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Presidente da comissão eleitoral para a eleição da diretoria da SBMICRO.
4/1997 - 9/1997
Conselhos, Comissões e Consultoria, Sociedade Brasileira de Microeletrônica, .

Cargo ou função
Presidente da comissão eleitoral para a eleição dos conselheiros da SBMICRO.

Facldade de Tecnologia de São Paulo, FATEC, Brasil.
Vínculo institucional

1993 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor convidado, Carga horária: 8
Outras informações
Professor convidado da Faculdade de Tecnologia de São Paulo atraves de convenio de cooperação técnico científico

Vínculo institucional

1981 - 1982
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Auxiliar docente, Carga horária: 40

Atividades

1/1996 - Atual
Direção e administração, Coordenadoria do Curso de Materiais Processos e Componentes Eletrônicos, .

Cargo ou função
Coordenador de Curso.
2/1994 - Atual
Ensino, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos, Nível: Graduação

Disciplinas ministradas
Física do Estado Sólido
Técnicas de Caracterização de Materiais II
2/1981 - 3/1982
Outras atividades técnico-científicas , Departamento de Ensino Geral, Departamento de Ensino Geral.

Atividade realizada
Apoio Técnico às aulas de Laboratório e revisão de material didático.

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Vínculo institucional

2016 - Atual
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de Produtividade DT 2

Vínculo institucional

1999 - 2016
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista produtividade em pesquisa - PQ
Outras informações
Bolsa de produtividade em pesquisa

Atividades

9/1999 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Engenharia Elétrica, .

Cargo ou função
Consultor Ad-hoc.
3/1998 - 3/1998
Conselhos, Comissões e Consultoria, Física Aplicada, .

Cargo ou função
Membro do Comitê Assessor para julgamento de projetos PADCT - Física Aplicada.

Chilean Research Council, FONDECYT, Chile.
Vínculo institucional

1995 - Atual
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: CONSULTOR, Carga horária: 0
Outras informações
Participação no quadro de assessores da FONDECYT

Atividades

6/1995 - Atual
Conselhos, Comissões e Consultoria, Chilean Research Council, .

Cargo ou função
Consultor.

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer, CTI, Brasil.
Vínculo institucional

2005 - 2009
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: ordenador de despesas


Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Vínculo institucional

2001 - 2015
Vínculo: Participação em projeto, Enquadramento Funcional: Outro, Carga horária: 4
Outras informações
Participação na coordenação de projetos de pesquisa


Escola Técnica Estadual Getúlio Vargas, ETEGV, Brasil.
Vínculo institucional

1985 - 1985
Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 12

Atividades

4/1985 - 12/1985
Ensino,

Disciplinas ministradas
Máquinas, Ferramentas e Dispositivos
Laboratório de Eletrônica I

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Vínculo institucional

1985 - 1987
Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de mestrado, Regime: Dedicação exclusiva.


Companhia do Metropolitano de São Paulo, METRO, Brasil.
Vínculo institucional

1980 - 1980
Vínculo: Estagiário, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 40

Atividades

7/1980 - 12/1980
Serviços técnicos especializados , Departamento de Manutenção, Setor de Especificação de Materiais e Componentes.

Serviço realizado
Especificação dos materiais e componentes utilizados no METRO-SP.

Apf Engenharia Ltda, APF, Brasil.
Vínculo institucional

1982 - 1984
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Técnico projetista, Carga horária: 12
Outras informações
Projetista de instalações elétricas industriais e residenciais.

Atividades

7/1982 - 8/1984
Serviços técnicos especializados , Apf Engenharia Ltda, .

Serviço realizado
Projeto de instalações elétricas.

Associação Brasileira da Indústria Elétrica e Eletrônica, ABINEE, Brasil.
Vínculo institucional

2018 - Atual
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Diretor Financeiro
Outras informações
Diretor Financeiro do Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento Tecnológico do Complexo Eletroeletrônico e Tecnologia da Informação (IPD Eletron) é uma Entidade Tecnológica Setorial, sem fins econômicos, criada pela Associação Brasileira da Indústria Elétrica e Eletrônica (ABINEE) com o intuito de promover o desenvolvimento e a inovação tecnológica.



Linhas de pesquisa


1.
Processos de microeletrônica
2.
Sensores Inteligentes
3.
Filmes finos
4.
Materias Semicondutores


Projetos de pesquisa


2013 - Atual
Projeto Start-Up Brasil - APEX ? Internacional: Chamada Encomenda ? COAPD SEPIN
Descrição: Projeto CNPq/MCTI no âmbito do Programa Start-Up Brasil que concede bolsas DTC (Desenvolvimento Tecnológico em TICs) para empresas participantes do programa..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2012 - 2016
NAMITEC II (TECnologias de MIcro e NAnoeletrônica para sistemas integrados inteligentes)
Descrição: O Instituto NAMITEC visa a complementar o esforço da política industrial brasileira de atendimento a áreas estratégicas ao país, sobretudo as de micro e nano-eletrônica, contribuindo com o desenvolvimento técnico-científico, transferência tecnológica a empresas e formação de recursos humanos. NAMITEC enquadra-se especificamente dentro da área estratégica de Tecnologia da Informação e Comunicação do plano de ação em C,T&I. No entanto NAMITEC enquadra-se e contribuirá também, de certa forma, nas seguintes áreas estratégicas: Nanotecnologias (materiais, estruturas e dispositivos nanotecnológicos, ferramentas de EDA para o projeto de nanocircuitos), fontes renováveis de energia (células solares orgânicas), agronegócios (aplicações de redes de sensores para agricultura de precisão), Amazônia e mudanças climáticas (aplicações de redes de sensores para monitoramento ambiental no ecossistema amazônico), saúde (sensores e telemedicina) e defesa (dispositivos eletrônicos e sensores). O NAMITEC cobre todas as regiões do país, tendo maior concentração de membros nas regiões sul e sudeste. Temos também uma representação significativa na região nordeste e menor na região norte. O instituto certamente dará uma grande ajuda ao desenvolvimento da microeletrônica nestas regiões. Valor total : R$3.424.800,00.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2010 - 2016
Programa de Desenvolvimento de Satélites de Pequeno Porte - Convênio que entre si Celebram a Agência Espacial Brasileira-AEB, Autarquia Federal Vinculada ao Ministério da Ciência e Tecnologia ? MCT e o Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico
Descrição: Os satélites de pequeno porte, de modo geral apresentam uma série de vantagens, do ponto de vista filosófico e político, que podem ser fundamentais para um rápido desenvolvimento do setor. Pode-se testar novas metodologias de gestão de projetos, como o design conjunto dos subsistemas, funcionando como um laboratório de concepções de soluções alternativas e inovadoras e melhorando as novas ferramentas de gestão de projetos. As inovações normalmente ocorrem nas Universidades, ao passo em que formam recursos humanos altamente qualificados, e seguem um padrão passando por centros de pesquisas e atingem a ?maturidade? quando são transferidas para a indústria e posteriormente produzidas para a sociedade por meio dos ?spins-offs?. Neste sentido os Satélites de Pequeno porte são praticamente imbatíveis quando se trata da reutilização dos subsistemas e a utilização da inovação em um subsistema com redundância, onde está presente o novo sem deixar de lado o já qualificado, propiciando o desenvolvimento regional através de um acesso rápido e barato ao espaço, numa abordagem até então inexistente no Brasil. Além da vocação de formação existente nos satélites de pequeno porte há também os objetivos técnicos, como científicos, meteorológicos e até sociais. Destacam-se as aplicações de ordem científica, meteorológica e também de sensoriamento remoto, as quais podem ser utilizadas em prol dos estudos demográficos, do manejo florestal, da defesa das fronteiras, do planejamento urbano, da agricultura e da defesa civil. Por fim, o modelo de negócios envolvido nos programas de satélites de pequeno porte possui o foco voltado para a formação de recursos humanos e desenvolvimento de componentes realizado no País, fortalecendo a indústria e evitando problemas com embargos estrangeiros. Os subsistemas desenvolvidos são reutilizáveis, o que diminui o custo individual, com o aumento de missões, e o tempo de desenvolvimento, fabricação e integração, o que torna o programa menos propenso a.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2009 - 2013
Modernização da Infra-Estrutura Tecnológica das Instituições de Ensino e Pesquisa - Atualizações de Software e Ferramentas de Projeto de Circuitos Integrados. ? (ICDSW)
Descrição: As metas deste projeto específico são: a) Prover recursos de software para a realização de projetos e ensino de microeletrônica para as instituições brasileiras de pesquisa e ensino superior b) Fomentar o interesse sobre a área de microeletrônica no País c) Fomentar a integração entre empresas e programas universitários.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2009 - 2012
NAMITEC II (TECnologias de MIcro e NAnoeletrônica para sistemas integrados inteligentes)

Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Jacobus Willibrordus Swart em 21/08/2012.
Descrição: Coordenador: Prof. Dr. Jacobus W. Swart da UNICAMP. Este projeto dá continuidade ao projeto anterior (Namitec ? Institutos do Milênio) e amplia a rede de cooperação em pesquisa estabelecida pelo Namitec. Neste projeto serão adquiridos diversos equipamentos que complementarão os já existentes no laboratório. Também foi previsto vários itens de custeio e manutenção dos laboratórios do LSI, contribuindo para o bom andamento das diversas atividades acadêmicas em curso. Como membro do comitê gestor do projeto, o grupo é responsável pelas atividades relacionadas à integração de processos para dispositivos sensores. Valor total do projeto: R$7.629.167,22.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2007 - 2012
Cooperação Acadêmica que entre si Celebram o Centro Estadual de Educação Tecnológica ?Paula Souza? e a USP, por intermédio da Escola Politécnica, no curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos da Faculdade de Tecnologia de São Paulo
Descrição: O objeto deste Convênio é a cooperação acadêmica na área de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, e mais especificamente nos cursos de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos (MPCE) e Eletrônica, ministrada para os alunos das Faculdades de Tecnologia (FATECs) do Centro Paula Souza, representada pela utilização de laboratórios da EPUSP-PSI, para a realização de atividades práticas relacionadas com os cursos, mediante a manutenção, pelo CEETEPS, de parte das instalações do Laboratório de Sistemas Integráveis. As metas esperadas para a realização do Convênio são: ? Colaborar na formação profissional do aluno, possibilitando a operação de equipamentos de caracterização de materiais e a operação de equipamentos complexos de processos; ? Facilitar o acesso do aluno à prática da análise de materiais e controle de processos; ? Possibilitar ao aluno o contato com equipamentos e materiais utilizados em atividades de pesquisa aplicada e desenvolvimento de estudos relacionados ao controle de qualidade de etapas do processo e de componentes eletrônicos; ? Promover a avaliação prática dos métodos de confiabilidade e análise de falhas e da vistoria dos materiais analisados;.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2005 - 2009
Modernização da Infra-Estrutura Tecnológica das Instituições de Ensino e Pesquisa - Atualizações de Software e Ferramentas de Projeto de Circuitos Integrados. ? (ICDSW)
Descrição: As metas deste projeto específico são: a) Prover recursos de software para a realização de projetos e ensino de microeletrônica para as instituições brasileiras de pesquisa e ensino superior b) Fomentar o interesse sobre a área de microeletrônica no País c) Fomentar a integração entre empresas e programas universitários.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2005 - 2008
Construção de Um Forno de Recozimentotérmico Rápido A Vácuo Para o Desenvolvimento de Sensores Inteligentes e Materias Nanoestruturados
Descrição: Neste projeto contruiremos um Forno de Recozimento Térmico Rápido (RTP) que será acoplado ao Sistema Multicâmara de Deposição PECVD. Este equipamento foi construído no LSI e possui três câmara de processo, um braço robotizado central para a manipulação de amostras e uma ante câmara para inserção de amostras; além de um sistema completo de injeção de diversos gases de processo, sistema de vácuo com capacidade de bombeamento de 500 m3/h e sistema manual de controle das válvulas do sistema de vácuo. As câmaras de processo são: câmara de deposição PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), câmara de deposição HDPECVD (High Density PECVD) ambas para a deposição de filmes finos de óxido de silício e uma terceira câmara de deposição RPECVD (Remote Plasma PECVD) que será desativada para a instalação do Forno de RTP a vácuo. A construção deste Forno de Recozimento Térmico a Vácuo possibilitará a obtenção de filmes finos de óxido de silício de melhor qualidade (óxido de porta de transistores MOS), principalmente em relação a presença de cargas na interface, pois permitirá o recozimento destes filmes sem que a amostra seja exposta ao ambiente (recozimento de defeitos a vácuo). Permitirá o desenvolvimento de processos de obtenção de dielétricos (óxidos, nitretos ou oxinitretos) ultra finos, bastando para isso realizarmos o recozimento em ambiente de oxigênio ou N2O (óxido nitroso) ou ainda uma mistura destes ou outros gases. Também será possível desenvolvermos outras estruturas para dielétricos como depositarmos uma camada de óxido de silício sobre uma camada de nitreto crescido termicamente numa mesma etapa de vácuo, entre outras diversas variações. Outra aplicação do Forno RTP é no desenvolvimento de nanofibras de carbono obtidas de polímeros, onde no processo de recozimento térmico é muito importante diminuirmos a concentração de oxigênio do sistema, pois a presença de oxigênio residual no processo, resulta na oxidação do polímero..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2005 - 2008
Sensores para Análise de Misturas Bi-combustíveis Automotivas
Descrição: Este trabalho propõe o desenvolvimento de um microssensor capacitivo para determinação da proporção de compostos presentes em uma mistura de dois ou mais líquidos combustíveis. Este é o caso, por exemplo, da mistura gasolina-etanol comumente utilizada no Brasil. Para atender a esta demanda o sensor deve ser do tipo interdigitado, de dimensões reduzidas, de baixo custo e fabricado por processos adaptados da microeletrônica. Além disso, é necessário estabelecer uma metodologia de projeto-fabricação-caracterização adequada para esse sensor, de forma que possam ser projetados sensores otimizados para diferentes tipos de líquidos e misturas. Desta forma, a proposta objetiva a formação de um grupo que será capaz de: a) realizar modelagens e simulações computacionais de diferentes etapas do projeto, visando sempre o aumento da sensibilidade do sensor a diferentes misturas de líquidos (água + álcool; vários tipos de óleos; gasolina + álcool); b) estabelecer uma seqüência de fabricação dos microssensores de baixo custo e alta reprodutibilidade; c) estabelecer métodos de aquisição, caracterização e calibração em bancada que permitam prever o desempenho dos microssensores em campo; Entre as possíveis aplicações podemos citar: verificação da qualidade e composição dos combustíveis em postos de gasolina; sistema de controle de ignição em carros bi-combustíveis; processos que envolvam misturas de dois líquidos miscíveis na indústria petroquímica e química, indústria alimentícia, indústria de refrigerantes, indústria farmacêutica, etc..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2005 - 2008
TECnologias de MIcro e NAnoeletrônica para sistemas integrados inteligentes -NAMITEC
Descrição: a) Objetivos: O projeto tem como objetivo principal realizar pesquisa e desenvolvimento em sistemas micro e nanoeletrônicos integrados inteligentes, que propiciem a realização de sistemas eletrônicos autônomos tais como redes de sensores inteligentes, sistemas embarcados e sistemas auto-ajustáveis, com várias aplicações em potencial, em particular em agricultura de precisão, no controle ambiental, em energia, na instrumentação biomédica, na indústria automotiva e aeroespacial e nas telecomunicações. Dentro desse contexto listamos os seguintes objetivos: 1. Pesquisar e desenvolver sistemas em chip e sistemas de redes de sensores. 2. Pesquisar e desenvolver metodologias e ferramentas de projeto e teste de circuitos integrados com baixo consumo de potência, tolerantes a falhas, incluindo circuitos analógicos, RF, digitais e sensores embarcados, bem como circuitos integrados com dispositivos nanoeletrônicos. 3. Pesquisar e desenvolver dispositivos micro e nanoeletrônicos, fotônicos e optoeletrônicos, orgânicos, MEMS e NEMS e seus processos de integração e encapsulamento. 4. Pesquisar materiais e técnicas de micro e nanofabricação necessários para a fabricação dos dispositivos e circuitos integrados. Os temas de pesquisa descritos acima fazem parte de uma área extremamente dinâmica, com rápida evolução e com grande demanda e espaço para inovação. Há demanda por sistemas com alta autonomia, com eficiente sistema de comunicação, baixo consumo de potência e interface com o meio através de grande variedade de micro ou nanotransdutores, muitas vezes trabalhando em rede. A evolução na área requer inovação em cada um dos quatro subtemas citados..
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.
2002 - 2008
Desenvolvimento de Dispositivos MEMS e Tecnologias para Aquisição de Informações sobre Processos e Objetos
Descrição: O objetivo geral deste projeto é o desenvolvimento de novas tecnologias de aquisição-gerenciamento-processamento de dados utilizando os sistemas de monitoramento e controle de parâmetros físico-químicos baseados em MEMS. Os objetivos específicos são: - domínio da tecnologia de fabricação de microdispositivos sensores e atuadores integrados, utilizando o conceito de MEMS aplicados à computação óptica, biomedicina, agricultura e ao controle ambiental, - desenvolvimento e fabricação de protótipos de sensores químico e opto-químico para análises de meios gasoso e /ou líquidos, - formação de recursos humanos habilitados em Tecnologia de Informação voltada aos sistemas de me-didas em sistemas/redes e tecnologias de microfabricação, - transferência de tecnologias desenvolvidas para empresas interessadas em produção dos sistemas de controle/monitoramento remoto usando conceitos de MEMS.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2001 - 2005
Rede de Pesquisa em Sistema em Chip, Microssensores e Nanoeletrônica
Descrição: Objetivos: - articular os grupos que atuam na área de nanofabricação - gerenciar e disponibilizar tecnologias de micro e nanofabricação em rede/sistema multiusuário - integrar e divulgar para a sociedade as competências dos integrantes da rede - identificar as tendências e necessidades em nanofabricação do setor produtivo - articular a interação entre universidades, centros de pesquisa e empresas, no país e no exterior - Formar recursos humanos, especialmente com experiência em cooperação inter-institucional - Interagir com outras redes e organizações científicas. Metas: 1. Desenvolver encapsulamento de components de alta-performance 2. Estudar o crescimento e transporte em nanoestruturas semicondutoras 3. Estudar a síntese de nano e microestruturas de InGaN em Silício 4. Estudar a síntese de nano-tubos de carbono para micro e nano dispositivos 5. Fabricação, caracterização e aplicações de nanoestruturas semicondutoras no grupo IV 6. Desenvolver amplificadores ópticos de semicondutores para aplicações analógicas 7. Desenvolver fontes de larga banda espectral com emissão potente na região do infra-vermelho próximo (banda C) 8. Desenvolver laser de microdiscos com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica 9. Desenvolver fotodetectores para o infra-vermelho médio 10. Desenvolver moduladores de amplitude semicondutores 11. Otimizar e desenvolver processos de litografia holográfica para gravação em diferentes tipos de substratos. 12. Desenvolver processos de corrosão otimizados para uso pelos participantes da rede 13. Caracterizar o processo de obtenção de fibras poliméricas, em escala nanométrica, obtidas através do processo de deposição eletrostática (electrospinning). 14. Estudos dos mecanismos de formação de nanoestruturas em carbono para armazenamento de gases combustíveis 15. Desenvolvimento de gerador integrado de números aleatórios para aplicações em criptografia 16. Implementação de micro e nano elementos.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Universidade Federal do Rio Grande do Sul - Cooperação / Universidade de Brasília - Cooperação / Universidade Estadual de Campinas - Cooperação / Universidade Federal de Santa Catarina - Cooperação / Universidade Federal do Rio de Janeiro - Cooperação.


Projetos de extensão


2005 - 2009
PROGRAMA DE ATUALIZAÇÃO DE E-CAD PARA INSTITUIÇÕES DE ENSINO SUPERIOR
Descrição: tecnológica numa economia com a complexidade e dimensões da brasileira. Há consciência também de que no setor de semicondutores, existem importantes lacunas a serem preenchidas nos marcos regulatórios, deficiências estruturais nas áreas de logística e transportes; além de incertezas quanto aos rumos tecnológicos. Adiciona-se às dificuldades uma competição mundial acirrada, tanto pela atração de novos investimentos como pela expansão das plantas em operação e domínio tecnológico. Mas os desafios geram oportunidades, às quais o nosso País tem plenas condições de aproveitar, tanto por dispor de uma indústria capaz de responder às grandes demandas nacionais, como ficou comprovado por meio da implementação de soluções em automação bancária e no processo de votação eletrônica, como também porque possui uma base científica respeitável, plenamente capacitada a formar os recursos humanos necessários à concepção e implementação dessa política, que é denotado tanto pela qualidade das nossas publicações científicas quanto pela aceitação de nossos profissionais pelas grandes empresas internacionais. Desta forma, desejamos desenvolver e dominar nichos de mercado, entre eles: - Atendimento de grandes demandas nacionais por meio de soluções de microeletrônica/semicondutores; ou seja, estímulo ao uso da microeletrônica como um recurso para agregação de valor - Inclusão social - através do desenvolvimento de equipamentos e sistemas de baixo custo e da difusão dos conhecimentos de TI (Tecnologia da Informção) nas camadas menos favorecidas da população. - Energia, Consumo/Entretenimento, TV Digital, Identificação, Sensores/MEMS, Automotivo, Médico- Hospitalar, Comunicação, Agronegócios, Aviônica /Aeronáutica, Defesa, Transportes (trens e carros elétricos), Mostradores de informação, etc. - Bens de capital / Equipamentos eletromecânicos.
Situação: Concluído; Natureza: Extensão.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Sociedade Brasileira de Microeletrônica - Outra.


Projetos de desenvolvimento


2018 - Atual
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMART PHONES
Descrição: Objetivo e Escopo do Projeto: O objetivo do projeto é realizar o desenvolvimento do software embarcado em novos modelos da LGE nas tecnologias Android N (Nougat) e Android O (Oreo) para o mercado da América Latina, propondo a resolução de desafios técnico-científicos regionais existentes e atendendo os requisitos técnicos locais, e ao mesmo tempo, formando uma equipe de profissionais capacitada para o desenvolvimento de software para dispositivos móveis em projetos futuros Para cada modelo, país e operadora e versão de software é gerado um software embarcado específico. Em 2018, no desenvolvimento do software embarcado para smartphones estão previstas as seguintes atividades: ? Desenvolvimento de software embarcado para 6 novos modelos de smartphones LGE para operadoras da América Latina utilizando a nova solução Android O (Oreo). Estão previstas as atividades de desenvolvimento de software embarcado com Android O para atender todos os 6 novos modelos em diferentes países e operadoras da América Latina, gerando 200 softwares embarcados específicos. ? Desenvolvimento de software embarcado para upgrade de 8 modelos de smartphones LGE para o mercado da América Latina utilizando a nova solução Android O (Oreo). Estão previstas as atividades de desenvolvimento de software embarcado com Android O para atender o upgrade de software de 8 modelos em diferentes países e operadoras da América Latina, gerando 222 softwares embarcados específicos. ? Desenvolvimento de software embarcado para upgrade de 2 modelos de smartphones LGE para o mercado da América Latina utilizando a solução Android N (Nougat). Estão previstas as atividades de desenvolvimento de software embarcado com Android N para atender o upgrade de software de 2 modelos em diferentes países e operadoras da América Latina, gerando 4 softwares embarcados específicos. ? Atualização dos processos de qualidade de software. É conhecido que anualmente o Android é disponibilizado numa nova versão de seu software de gerenciamento de smartphones, contendo melhorias e novas funcionalidades. Em 2018, é previsto que os novos smartphones sejam lançados com o Android O e que haja a migração dos smartphones já adquiridos para o Android O e em menor escala para o Android N. Para evidenciar a evolução contínua do Android, podemos citar, para versão O, algumas novas funcionalidades ou melhorias das já existentes, e que farão parte do escopo do projeto, como: ? Otimização de bateria através da limitação de recursos para aplicativos em segundo plano. ? Gerenciamento das notificações por canal de notificação. ? Nova API para Audio (AAudio API for Pro Audio) para aplicativos que exigem qualidade de áudio de alta performance e baixa latência. ? Wi-Fi Aware - dispositivos com hardware compatível poderão se comunicar via Wi-Fi Aware quando próximos. ? Ativação automática do Wi-Fi em redes seguras. ? Otimização de performance com Java 8 e otimizações da máquina virtual. ? Modo PiP (Picture in Picture)..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2018 - Atual
Programa CI Brasil ? Apoio aos Centros de Treinamentos do Programa CI-Brasil

Projeto certificado pela empresa SMART MODULAR TECHNOLOGIES INDUSTRIA DE COMPONENTES ELETRONICOS LTDA. em 15/09/2018.
Descrição: Objetivos O objetivo do projeto é apoiar financeiramente as ações dos centros de treinamento de projetistas de circuitos integrados, durante dois anos, que é uma das principais atividades do Programa CI Brasil (Programa Prioritário da SEPIN/MCTIC), conforme segue: a) fornecer 15 bolsas de estudos para alunos FASE I e FASE II durante 1 ano; (de março de 2018 a fevereiro de 2019) b) fornecer 10 bolsas de estudos para alunos na FASE III durante 1 ano; (de março de 2018 a fevereiro de 2019) c) fornecer 10 bolsas de estudos para alunos na FASE III durante 1 ano; (de março de 2019 a fevereiro de 2020) Resultados Esperados a) Desenvolvimento de conhecimento e treinamento de profissionais com capacidade para empreender e inovar com soluções tecnológicas nacionais e/ou globais de plataformas com elevado valor agregado nas áreas de telecomunicações, IOT (internet das coisas), dentre outras. b) Auxiliar na criação de uma massa crítica de profissionais que leve a conquista de autonomia tecnológica nacional em nichos tecnológicos estratégicos; c) Inclusão digital em larga escala; d) Buscar a complementação da capacitação do Brasil como um polo de excelência mundial em projetos de circuitos integrados; e) Fomentar: ? 15 Bolsas fase 1 e 2 (SDT-G) de fevereiro/18 a janeiro/19 ? 10 Bolsas fase 3 (SDT-F) de fevereiro/18 a janeiro/19 ? 10 Bolsas fase 3 (SDT-F) de fevereiro/19 a janeiro/20 f) Apoiar a realização de uma (1) turma de treinamento, podendo ser treinados até 40 profissionais no CT-SP, iniciando em Março 2018 e término em Fevereiro de 2020..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2017 - 2017
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMARTPHONES
Descrição: Objetivo do Projeto: É conhecido que anualmente o Android é disponibilizado numa nova versão de seu software de gerenciamento de smartphones, contendo melhorias e novas funcionalidades. Em 2017, é previsto a consolidação do Android N (atualmente só 1% dos dispositivos tem o Android N) e o lançamento de uma nova versão do Android. Para evidenciar a evolução contínua do Android, podemos citar, para versão N, algumas novas funcionalidades ou melhorias da já existentes como: ? Aprimoramento do software de câmera, ? Daydream (Plataforma para Realidade Virtual), ? Modo de luz noturna, ? Atualizações em segundo plano, ? Notificações com o sensor biométrico, ? Encriptação nativa (Segurança), ? Modo Doze aprimorado (Economia de Energia). Dado a evolução rápida e contínua das tecnologias (tanto de software, como de hardware) presentes nos smartphones, é imprescindível que profissionais que trabalhem neste segmento sejam constantemente capacitados. Desta maneira, o projeto tem por objetivo principal garantir a atualização da equipe LSI-TEC nos conhecimentos mais atuais na área de dispositivos móveis, capacitando, assim, profissionais de alto nível através da transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico e aplicativos. Metodologia: O aprimoramento da capacitação da equipe será realizado através da transferência de conhecimentos realizadas pelos profissionais especialistas da LGE para os profissionais da LSI-TEC. Essa transferência se dará principalmente através do desenvolvimento em conjunto dos novos modelos de smartphones com o novo sistema Android N (Nougat) embarcado. Além disso, haverá também o desenvolvimento de projetos de upgrade de SW. Em alguns modelos que já estão em mercado com a versão Android L será realizado o upgrade para versão Android M e em outros que já estão com a versão Android M , o upgrade se dará para a versão N. O desenvolvimento de cada modelo se subdivide em projetos. O projeto é constituído de um modelo, uma operadora e um país ou região. Para o primeiro semestre de 2017, o número estimado de modelos novos e de modelos para upgrade a serem trabalhados é dado conforme a tabela abaixo: Novos Modelos Upgrade para Android M Upgrade para Android N Nro Modelos 4 7 5 Nro Projetos 159 40 108 Para o segundo semestre de 2017, o número de modelos e projetos a serem trabalhados deve ser semelhante ao do primeiro semestre. Para abranger todo o escopo de funcionalidades e conhecimento do sistema Android, a equipe será dividida em três grandes áreas do desenvolvimento: Framework, Plataform e Integração/Configuração..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2017 - Atual
ACORDO DE COOPERAÇÃO TÉCNICA QUE ENTRE SI CELEBRAM A UNIÃO, POR INTERMÉDIO DA SECRETARIA DE POLÍTICA DE INFORMÁTICA - SEPIN, DO MINISTÉRIO DA CIÊNCIA, TECNOLOGIA, INOVAÇÕES E COMUNICAÇÕES ? MCTIC, E A ASSOCIAÇÃO DO LABORATÓRIO DE SISTEMAS INTEGRÁVEIS TECN
Descrição: ACORDO DE COOPERAÇÃO TÉCNICA Nº. 1/2017/SEI-MCTIC ACORDO DE COOPERAÇÃO TÉCNICA QUE ENTRE SI CELEBRAM A UNIÃO, POR INTERMÉDIO DA SECRETARIA DE POLÍTICA DE INFORMÁTICA - SEPIN, DO MINISTÉRIO DA CIÊNCIA, TECNOLOGIA, INOVAÇÕES E COMUNICAÇÕES ? MCTIC, E A ASSOCIAÇÃO DO LABORATÓRIO DE SISTEMAS INTEGRÁVEIS TECNOLÓGICO, PARA EXECUÇÃO DE PROJETO DE INTERESSE NACIONAL, COM UTILIZAÇÃO DE RECURSOS DOS PROGRAMAS PRIORITÁRIOS (PPI) PREVISTOS NA LEGISLAÇÃO DE INFORMÁTICA. O presente Acordo de Cooperação Técnica tem por objeto a execução do Projeto denominado ?Programa CI-Brasil?, no âmbito dos Programas e Projetos Prioritários de Informática (PPI), cujo detalhamento é o constante do Plano de Utilização apresentado pela EXECUTORA e aprovado pela CONCEDENTE e que constitui parte integrante deste instrumento..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2016 - 2016
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMARTPHONES
Descrição: Introdução Cenário Atual de Dispositivos Móveis : Em 2015 o número de smartphones ultrapassou o de computadores pessoais no Brasil. Percebe-se hoje uma tendência crescente na utilização do smartphone como a principal ferramenta de acesso à internet e outras funcionalidades. Desta maneira, a necessidade do mercado faz com que a evolução dos sistemas embarcados se torne primordial, assim como também o desenvolvimento de novas tecnologias e de novos aplicativos. Objetivo: Garantir a crescente capacitação de profissionais de alto nível com a transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW Básico e Aplicativos para dispositivos móveis, incluindo as novas tecnologias associadas (4G, NFC, etc.). Metodologia: Em 2016, estão previstos desenvolvimentos de projetos de novos modelos de smartphones, bem como projetos de upgrade de SW nos modelos já existentes em mercado. Para atender esta demanda é fundamental a manutenção do número de profissionais capacitados em SW básico de dispositivos móveis. Passado a fase de capacitação geral dos profissionais em SW básico de dispositivos móveis, haverá em 2016, uma reestruturação da equipe visando um aprofundamento do conhecimento e especialização do SW básico em seus diversos módulos, tais como Protocolos, NFC, Smartcards, Sensores, etc. Resultados Esperados e Conclusão: Em 2016, espera-se um aumento considerável no nível de conhecimento e especialização em sistemas móveis nas tecnologias vigentes para os profissionais formados no projeto. Além disso, é esperado também, a capacitação desses profissionais em novas áreas de tecnologias móveis (Fusão de Dados de Múltiplos Sensores, Biometria, etc.). Assim, cada vez mais consolida-se a formação de uma grande equipe brasileira com conhecimento amplo em desenvolvimento de software básico para dispositivos móveis, o que proporciona, por sua vez, a oportunidade de realização de pesquisas e desenvolvimentos de novos produtos em âmbito nacional. Para proporcionar às camadas de menores rendas da população brasileira a inclusão digital através da aquisição de um smartphone, é fundamental, dentre outros fatores, que se diminua o custo de produção destes dispositivos. Neste contexto, a formação de profissionais nesta área de desenvolvimento de software básico de dispositivos móveis e aplicativos é fator relevante para se atingir tal objetivo..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2015 - 2017
Desenvolvimento de Circuito Integrado NFC
Descrição: O LSI-TEC se incumbirá do gerenciamento do projeto, design (hardware e firmware), prototipagem e testes para o desenvolvimento de um controlador NFC integrado. Os parceiros que se fizerem necessários para este desenvolvimento (foundry, encapsuladora, test-house e logística) deverão ser identificados e contratados pelo LSI-TEC para que se possa garantir a entrega de um lote de engenharia encapsulado e testado, bem como sua documentação, ao final do projeto..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2015 - 2015
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMARTPHONES
Descrição: Objetivo: Aumentar e expandir a capacitação de profissionais de alto nível com a transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW Básico e Aplicativos para dispositivos móveis, incluindo as novas tecnologias associadas (4G, NFC, etc.). Metodologia: Em 2015 é esperado um aumento de demanda nos projetos de desenvolvimento de SW para dispositivos móveis. Estão previstos desenvolvimentos de projetos de novos modelos de smartphones, bem como projetos de upgrade de SW nos modelos já existentes em mercado. Para atender esta demanda crescente será necessário expandir o número de profissionais capacitados em SW básico de dispositivos móveis. Serão contratados 13 novos desenvolvedores até janeiro de 2015 (5 em novembro de 2014, 5 em dezembro de 2014 e mais 3 em Janeiro de 2015). Os mesmos serão treinados e capacitados por membros equipe da LSITEC já devidamente capacitados na área. Para otimizar o processo de desenvolvimento serão contratados também 2 testadores de AST3 (em novembro 2014), assim como um auxiliar técnico para monitorar a execução dos diversos Jobs que serão executados. Será necessário alocarmos uma nova área e adequá-la para as nossas atividades. Resultados Esperados e Conclusão: O resultado esperado para este projeto é a formação de mais profissionais na área de desenvolvimento de software básico e aplicativos para dispositivos móveis. Além disso, é esperado também, o contínuo aperfeiçoamento dos profissionais já formados pelo projeto, capacitando-os nas novas áreas e tecnologias vigentes (NFC, Fusão de Dados de Múltiplos Sensores, Biometria, etc.). Deste modo, haverá a formação de uma grande equipe brasileira com conhecimento em desenvolvimento de software básico para dispositivos móveis, o que proporciona, por sua vez, a oportunidade de realização de pesquisas e desenvolvimentos de novos produtos em âmbito nacional. No cenário mundial é crescente a utilização de aplicativos em dispositivos móveis que utilizam a internet para a comunicação e realização de transações comerciais. No Brasil, com a crescente demanda por smartphones em detrimento aos ?features phones?, há também uma expectativa de uso crescente de aplicativos, e dentre eles, os de setores bancários e de compras. Isso gerará dados sensíveis, criando a oportunidade de capacitação em sistemas de segurança da informação. Para proporcionar às camadas de menores rendas da população brasileira a inclusão digital através da aquisição de um smartphone, é fundamental, dentre outros fatores, que se diminua o custo de produção destes dispositivos. Neste contexto, a formação de profissionais nesta área de desenvolvimento de software básico de dispositivos móveis e aplicativos é fator relevante para se atingir tal objetivo..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2015 - Atual
Camada de comunicação para sistema preemptivo de aplicação no Smart Grid
Descrição: Será implementada a camada de comunicação por radiofrequência do Dispositivo Embarcado para Sistema Preemptivo de Aplicação no Smart Grid - DSPSG, responsável pela transmissão das informações coletadas em tempo real pelos equipamentos em campo (sensores inteligentes) e o sistema de banco de dados, e deste aos atuadores. O sistema de comunicação deverá ser compatível com o protocolo DNP3 e outros que fizerem necessários para se garantir a interoperabilidade do dispositivo com os novos equipamentos da IMS e também com equipamentos mais antigos ainda em uso pelas distribuidoras de energia elétrica. A concepção do projeto envolve o desenvolvimento de PCB e modens, microprocessadores e demais componentes disponíveis no mercado, e a implementação de firmware responsável pelos protocolos de comunicação . A fabricação e montagem de PCB?s deverá ser terceirizada, e talvez seja necessário alugar equipamentos específicos para os testes de aplicação (servidor) O LSI-TEC irá desenvolver os protocolos e interface de rede de comunicação entre o hardware dos dispositivos e o sistema embarcado permitindo a conexão e integração com o centro de operações, integrando ao hardware e firmware que serão desenvolvidos pela IMS. O escopo do trabalho é em T&D-Transmissão e Distribuição, com a estrutura de comunicação comunicando com infraestrutura de energia. Os sistemas podem ser centralizados (legado) ou distribuídos (proposto no projeto INOVA Energia). Os produtos resultantes do Projeto devem ser usados tanto nos sistemas legados (modem GPRS via UART para PowerNET P-600 com protocolos MODBUS) quanto ao sistema proposto (Gateway WiFi para GSM/GPRS com protocolo a ser definido e receptor GPS para DEI). Os equipamentos da infraestrutura de energia são Bancos de capacitores, Religadores (recloser), Chaves (circuit breaker), Sensores de QEE (Power Quality Sensores), Transformadores (transformer) e Medidores da IMS ou de outros fabricantes (a grande maioria), legados (a grande maioria) ou propostos (neste projeto)..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2014 - 2014
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMARTPHONES
Descrição: Objetivo: Aumentar e expandir a capacitação de profissionais de alto nível com a transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW Básico e Aplicativos para dispositivos móveis, incluindo as novas tecnologias associadas (4G, NFC, etc.). Metodologia: Histórico Entre 2006 e 2012 foram realizados treinamentos e desenvolvimentos em várias plataformas de desenvolvimento para celulares. Foram elas: 2006 : Plataforma ADI (Analog Devices). 2007 ? 2010: Plataformas Infineon E-Gold e S-Gold 2010 ? 2012: Plataforma Infineon A-Gold e plataforma MTK (MediaTek). A partir de 2013, com o crescimento do mercado de smartphones, houve a capacitação técnica no desenvolvimento de modelos celulares na plataforma Android. Atual: Aproveitando todo o conhecimento obtido nos anos anteriores, em 2014 está previsto a capacitação técnica e o desenvolvimento de projetos de smartphones em novas versões do Android com tecnologia 4G bem como o desenvolvimento de novos aplicativos para o Android. Essas tarefas se realizarão da seguinte forma: 1 ? Capacitação Técnica para as novas versões do Android: ? Estudo e Desenvolvimento nas novas versões da plataforma Android. 2 ? Desenvolvimento de competência em NFC: ? Estudo e Desenvolvimento de Aplicações NFC para Android. 3 ? Projetos: ? Realização do Projeto LGE G2, que consiste no desenvolvimento de um modelo celular na plataforma Android versão 4.4 (KitKat). ? Desenvolvimento de aplicações para Android: ? Smart Call ? para aparelhos Multi-SIM; escolha automática e otimizada do SIM-Card a ser utilizado, dependendo do número do destinatário. ? Testes ? aplicações para testes automáticos. ? Realização de novos projetos de modelos celulares na plataforma Android, incluindo modelos com a tecnologia 4G e aplicativos NFC. ? Desenvolvimento de novos aplicativos na plataforma Android, incluindo os com tecnologia NFC..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2014 - 2014
Montagem e Implantação Centro de Treinamento 3 (CT-3) do Programa CI-Brasil

Projeto certificado pela empresa SMART MODULAR TECHNOLOGIES INDUSTRIA DE COMPONENTES ELETRONICOS LTDA. em 15/09/2018.
Descrição: Objetivos O objetivo deste projeto é o treinamento de recursos humanos especializados e capacitação tecnológica na área de projetos de circuitos integrados consistindo na montagem e implantação de um Centro de Treinamento de Projetistas de Circuitos Integrados na USP. Resultados Esperados a) Desenvolvimento de conhecimento e treinamento de profissionais com capacidade para empreender e inovar com soluções tecnológicas nacionais e/ou globais de plataformas com elevado valor agregado nas áreas de telecomunicações, IOT (internet das coisas), dentre outras. b) Auxiliar na criação de uma massa crítica de profissionais que leve a conquista de autonomia tecnológica nacional em nichos tecnológicos estratégicos; c) Inclusão digital em larga escala; d) Buscar a complementação da capacitação do Brasil como um polo de excelência mundial em projetos de circuitos integrados; e) Treinamento adicional de no mínimo 25 projetistas por ano, no CT-3, condicionado à disponibilidade de bolsas do CNPq; f) Realização de uma (1) turma de treinamento, podendo ser treinados até 40 profissionais no CT3, iniciando em Março 2014 e término em Fevereiro de 2015..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2014 - Atual
Desenvolvimento de um sistema de automação, com estabilização giroscópica e integrável a sistemas de armas (comando remoto por computador de bordo) para canhões de calibres diversos.
Descrição: O presente projeto visa o desenvolvimento de um sistema de automação, com estabilização giroscópica e integrável a sistemas de armas (comando remoto por computador de bordo) para canhões de calibres diversos. Este sistema será baseado em um circuito integrado de aplicação específica (ASIC) com firmware e eletrônica de apoio. Estes canhões deverão atender à demanda brasileira para defesa contra ameaças aéreas e de superfície, notadamente mísseis, na Marinha do Brasil (MB) e no Exército Brasileiro (EB). A produção de canhões, atualmente, é restrita a um pequeno número de países que possuem a capacitação tecnológica necessária para o projeto e a fabricação deste tipo de equipamento. Há um mercado potencial para canhões na Esquadra Brasileira (EsqB), no Corpo de Fuzileiros Navais (CFN) e no EB. Além desse mercado, há uma demanda no exterior, considerando que aproximadamente 60 (sessenta países) empregam canhões de calibre 40mm, que serão utilizados como teste piloto para o projeto. Tem-se também demanda para a modernização do sistema de automação dos canhões antigos, passando de automação eletro-hidráulica para eletroeletrônica. Cabe ressaltar que, além da EsqB, CFN e o EB, existem dois potenciais mercados para o canhão: na Força Aérea Brasileira (FAB) para defesa antiaérea dos radares de vigilância do espaço aéreo brasileiro; e pela indústria naval brasileira, que tem a exportação de embarcações impedida devido a embargos dos fabricantes estrangeiros de canhões. Outro aspecto importante é que, em se tratando de material de defesa, têm-se restrições na aquisição de componentes eletrônicos de elevada confiabilidade como ocorre com os requisitos de funcionamento da automação de canhões utilizando microeletrônica. Assim, o emprego de microeletrônica de domínio nacional nesse projeto possui cunho estratégico, tendo em vista as restrições que o País pode sofrer na produção ou na manutenção de equipamento para uso militar. Tais restrições são previstas na Estratégia Nacional de Defesa (END) que incentiva inciativas no País para a redução da dependência nacional da importação material de defesa. Além dos aspectos estratégicos relacionados à END, a tecnologia envolvida trará ganhos à capacitação nacional nas áreas de engenharia inercial, de controle e de automação com elevado grau de confiabilidade, com desdobramentos para a aplicação na indústria em produtos de emprego civil. Exemplos de usos civis são: posicionamento de antenas, telescópios, máquinas-ferramenta (tornos, fresas), etc. Estima-se uma demanda para este tipo de canhão em torno de 100 unidades nos próximos 5 a 10 anos. Num horizonte mais próximo, a MB pretende renovar a sua frota de patrulha (50 embarcações com um canhão cada) até a Copa de 2014; assim como o EB, que tem a intenção de utilizar esse tipo de canhão para patrulhamento (defesa antiaérea) nos jogos Olímpicos de 2016 e na Copa do Mundo de 2014. Em se tratando de microeletrônica, essas demandas são bastante pequenas, mas um canhão tem custo individual estimado de US$4.000.000,00. Além disso, considerando necessidades estratégicas e de desempenho e dificuldades de aquisição de componentes para a implementação do sistema de automação de canhões por outros meios, justifica-se a integração dos circuitos proposta para esse projeto. Portanto, o desenvolvimento do sistema de automação de canhões (em particular o de 40mm) utilizando microeletrônica redundará em maior capacitação material e tecnológica de relevante importância para a economia, para a Estratégia Nacional de Defesa e para o desenvolvimento socioeconômico do País..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2014 - Atual
Desenvolvimento de uma plataforma nacional de hardware e software embarcado para cartão inteligente PKI que seja interoperável,e multiaplicação,
Descrição: O objetivo do projeto denominado de ?Smart-BR? é desenvolver, no prazo de 24 meses, uma plataforma nacional de hardware e software embarcado para cartão inteligente PKI que seja interoperável, multiaplicação, segura e mais competitiva em preço do que as plataformas internacionais. Em termos de escopo, a plataforma nacional de cartão inteligente PKI deve ser composta por dois componentes principais bem definidos, a saber: 1) Projeto do Circuito Integrado (microcontrolador, memórias, unidades de criptografia, interfaces de I/O e gerenciamento de energia, todos integrados em um único chip, ou SoC): corresponde ao projeto, desenvolvimento e testes dos componentes de hardware que formam o SoC (System on Chip), empregando todas as tecnologias necessárias de microeletrônica para a posterior fabricação do chip, corte, encapsulamento, testes, montagem e produção dos cartões inteligentes; 2) Software Embarcado: corresponde ao projeto, desenvolvimento e testes do software interoperável que será embarcado no microcontrolador (cartão inteligente), com o pleno atendimento aos requisitos de segurança e interoperabilidade padronizados e voltados para as aplicações em massa. Este componente deve envolver os algoritmos criptográficos, o COS (Card Operating System), a JCVM (Java Card Virtual Machine), a camada GP (Global Platform) e os Applets necessários para a operação e uso do cartão inteligente. Este projeto situa-se em um panorama de volume de mercado para cartões inteligentes PKI estimado em 100 milhões de cartões a serem comercializados no Brasil para os próximos 5 anos, representando um volume médio anual de 20 milhões de cartões/ano. Esta estimativa pode ainda ser revisada para valores maiores, reforçando a importância do projeto "Smart-BR" para o desenvolvimento tecnológico brasileiro. Um cartão inteligente (smart card) PKI é aquele formado por um microcontrolador (chip) que possui, além de funcionalidades básicas (como por exemplo, controle de acesso por PIN, interpretação de comandos, controle de memória etc), também co-processamento criptográfico que permite ao cartão executar funcionalidades avançadas de criptografia simétrica, criptografia assimétrica, geração de números aleatórios, biometria etc. De uma forma geral, cartões inteligentes já são amplamente utilizados em diversas aplicações, tais como, controle de acesso físico, controle de acesso lógico, autenticação de entidades em sistemas de transações eletrônicas seguras principalmente para o setor financeiro (cartões bancário, de crédito e de débito), sistemas de telefonia (SIM Cards), sistemas de saúde, certificação digital, transporte público, comércio eletrônico, passaporte eletrônico, identificação e autenticação de cidadãos em sistemas de governo eletrônico, dentre outras. Pode-se reparar que as duas últimas, são aplicações típicas para cartões inteligentes PKI. O crescimento do uso dos cartões inteligentes pode ser visto por diversas razões ou vantagens, tais como, segurança, flexibilidade tecnológica, facilidade de uso, ampla aceitação por parte dos usuários, existência de boa padronização já definida, possibilidade de uso em grande número de aplicações e também por permitir o seu uso com outras tecnologias de autenticação e identificação segura, tais como, biometria e certificação digital (PKI)..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2013 - 2017
IMPLANTAÇÃO E OPERAÇÃO DE CENTROS DE TREINAMENTO DE PROJETISTAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS 2013
Descrição: Objetivos: Aquisição de licenças de software de projeto de circuitos integrados para as instituições sem fins lucrativos que integram o Programa CI-Brasil e para as instituições de ensino e pesquisa públicas ou privadas sem fins lucrativos que desenvolvem atividades de ensino, pesquisa e projeto de circuitos integrados. Manutenção da infraestrutura operacional, da administração e operação dos centros de treinamento que integram o projeto ?Capacitação em Projetos de Design em CI?. Apoio à criação e implantação de um novo centro de treinamento de projetistas, integrante do projeto ?Capacitação em Projetos de Design em CI?. Resultados Esperados: Divide-se os resultados em dois grupos: um institucional e outro quantitativo. Os resultados institucionais refletem a aderência com as políticas estruturantes de desenvolvimento promovidas pelos agentes de Estado. Assim, os resultados Institucionais esperados são: ? Desenvolvimento de conhecimento e treinamento de profissionais com capacidade para empreender e inovar com soluções tecnológicas nacionais e/ou globais de plataformas com elevado valor agregado nas áreas de telecomunicações, internet das coisas, sistemas embarcados, controle e automação, smart grids, e outras áreas que demandem tais tecnologias. ? Auxiliar na criação de uma massa crítica de profissionais que leve a conquista de autonomia tecnológica nacional em nichos tecnológicos estratégicos; ? Inclusão digital em larga escala; ? Buscar a complementação da capacitação do Brasil como um polo de excelência mundial em projetos de circuitos integrados; Os resultados quantitativos esperados são: ? Treinamento adicional de no mínimo 100 projetistas por ano, nos CTs, condicionado à disponibilidade de bolsas do CNPq; ? Realização de quatro (4) turmas de treinamento, duas em cada CT, podendo ser treinados até 240 profissionais. No CT1, seriam duas turmas iniciando em Ago/2013 e Ago/2014. No CT2, seriam duas turmas uma iniciada em Maio/2013 e outra em 2014. ? Aquisição e disponibilização de licenças comerciais para as instituições do Programa CI Brasil, mínimo de 100 usuários/ano. ? Concessão de até 100 pacotes de licenças Educacionais a Instituições de Ensino Superior com atuação em graduação e pós-graduação na área de semicondutores. Com esta ação, busca-se que mais de 2.000 alunos tenham acesso a EDA para Microeletrônica. ? Formação de 10 instrutores para os centros de treinamento, na forma de cursos e treinamentos. ? Realização de duas (02) rodadas de fabricação de CI decorrentes dos projetos realizados durante a Fase II do modelo de treinamento em curso nos Centros de Treinamento. Projetos estes realizados conjuntamente pelos instrutores e alunos treinados. Uma rodada de prototipação em 2013 e outra em 2014. Através do sucesso operacional dos projetos enviados para fabricação, visa-se construir um indicador para medir a qualidade do treinamento e, com isto, aprimorá-lo continuamente. ? Estabelecimento de uma unidade aceleradora de negócios visando dar suporte ao surgimento de empresas com foco em modelo de negócio do tipo fabless, criando um núcleo com até seis integrantes com forte experiência de gestão e visão de mercado no setor de tecnologia..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2013 - 2013
P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES SMART PHONES
Descrição: Objetivo Aumentar e expandir a capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares da família 4G. Metodologia O treinamento inicial realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices, que era a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. Entre 2007 e 2010, os modelos de celulares passaram a utilizar a tecnologia Infineon plataformas E-Gold e S-Gold da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), sendo esta última uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares, combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estéreo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processador ARM 926 especialmente desenvolvido para aplicações wireless. Entre 2010 e 2012, utilizou-se, para o desenvolvimento dos modelos celulares, novas plataformas como a Infineon A-Gold e a MTK. Para 2013, com o crescimento do mercado de smartphones, está prevista a capacitação técnica e o desenvolvimento de modelos celulares na plataforma Android, incluindo dentre eles modelos com a tecnologia 4G. Essas tarefas se realizarão da seguinte forma: 1 ? Capacitação Técnica em Android: ? Estudo do ambiente e arquitetura da plataforma Android. ? Treinamento em desenvolvimento em ambiente Android, com o suporte de profissionais da LGE. 2 ? Projetos: ? Realização do Projeto LGE Optimus Black, que consiste no desenvolvimento de um modelo celular na plataforma Android 4.0 (ICS). ? Realização de novos projetos com modelos celulares na plataforma Android, incluindo modelos com a tecnologia 4G. Vale ressaltar que, com o advento da tecnologia 4G no país e a devida capacitação de recursos humanos nas plataformas de desenvolvimento que suportam esta tecnologia, abrem-se novas possibilidades de pesquisa e desenvolvimento de novas aplicações para dispositivos móveis, principalmente aquelas que necessitam de informações em tempo real, com altas taxas de transferência e segurança..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2012 - 2015
Bolsas Tecnológicas para a IC Design House - Edital MCT/ CNPq N º 64/2010 ? CI-Brasil
Descrição: O objetivo do presente projeto é dar continuidade às atividades desenvolvidas na IC DH LSI-TEC. As bolsas aprovadas por este projeto servirão para remunerar alguns dos nossos colaboradores antigos e também para viabilizar a contratação de novos colaboradores, garantindo uma pequena expansão nos quadros atuais necessária para dar prosseguimento aos projetos em execução ou que já foram enquadrados e esperam o final dos trâmites legais para início das atividades. Existe um planejamento para que alguns colaboradores passem a ser remunerados pelos próprios projetos e isso deve ocorrer gradualmente nos próximos meses e anos, de forma sustentável. A manutenção das bolsas, ora pleiteadas, permitirá uma transição entre esses dois cenários (subsídio governamental x sustento via verbas de projeto), garantindo que os recursos investidos até o momento não sejam perdidos devido à retirada prematura do apoio governamental..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2012 - 2012
CONSOLIDAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER
Descrição: Objetivo Capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares. Metodologia O treinamento realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices (veja em: http://www.analog.com/en/prod/0,2877,AD20MSP500,00.html), que é a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. A partir de 2007, os novos modelos passaram a utilizar a moderna e sofisticada plataforma S-GOLD da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), que é uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares, combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estéreo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processador ARM 926 especialmente desenvolvido para aplicações wireless. Acompanhando a constante evolução tecnológica da área de dispositivos móveis, em 2009 foi realizado o treinamento e desenvolvimento nas plataformas A-Gold e WISE e em 2011 deu-se início ao treinamento em Java e Android. No biênio de 2012/2013 será dado continuidade a projetos nas plataformas E-Gold e A-Gold e ao treinamento em Java e Android com o objetivo de iniciar o desenvolvimento em Android e LTE..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2012 - Atual
Desenvolvimento de circuito integrado (Chip) para a averiguação da qualidade da energia elétrica
Descrição: O objetivo do projeto é o de desenvolver, um circuito integrado (Chip) para a averiguação da qualidade da energia elétrica distribuída no país (conforme implementação do programa PRODIST e SMART GRID), e/ou para controle local das indústrias. O Chip fará parte de produtos a serem desenvolvidos e comercializados pela interveniente, podendo também ser comercializado isoladamente..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - 2013
Tecnológicas para a IC Design House ? Extensão do Edital MCT/ CNPq N º 64/2010 ? CI-Brasil 2010
Descrição: O objetivo do presente projeto é dar continuidade às atividades desenvolvidas na IC DH LSI-TEC. As bolsas aprovadas por este projeto servirão para remunerar alguns dos nossos colaboradores antigos e também para viabilizar a contratação de novos colaboradores, garantindo uma pequena expansão nos quadros atuais necessária para dar prosseguimento aos projetos em execução ou que já foram enquadrados e esperam o final dos trâmites legais para início das atividades. Existe um planejamento para que alguns colaboradores passem a ser remunerados pelos próprios projetos e isso deve ocorrer gradualmente nos próximos meses e anos, de forma sustentável. A manutenção das bolsas, ora pleiteadas, permitirá uma transição entre esses dois cenários (subsídio governamental x sustento via verbas de projeto), garantindo que os recursos investidos até o momento não sejam perdidos devido à retirada prematura do apoio governamental..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - 2012
Desenvolvimento de um Dispositivo Multiplex aplicável a uma nova versão do sistema Spare DRAM in DIMM

Projeto certificado pela empresa SMART MODULAR TECHNOLOGIES INDUSTRIA DE COMPONENTES ELETRONICOS LTDA. em 15/09/2018.
Descrição: Objetivos O objetivo deste projeto é desenvolver um dispositivo multiplex que representará uma estrutura usada em uma nova versão do módulo RDIMM para fornecer a capacidade de substituir um dispositivo DRAM com defeito por uma DRAM em boas condições que estará disponível no módulo RDIMM. Será concebido um chip multiplex que irá decodificar um comando que designa a necessidade de reposição da memória DRAM, desta forma será possível substituir o dispositivo com falha. Resultados Esperados Ao final desse projeto, espera-se obter um circuito integrado com uma funcionalidade de multiplexação que poderá ser utilizado no módulo RDIMM com capacidade de detectar CI com alto índice de falhas e efetuar a troca sem a necessidade de troca do dispositivo em operação. Esta será a primeira vez que um CI DRAM sobressalente será aplicado em um módulo DIMM. Isso implica na implementação de um projeto inovador, de forma a evitar impactos no desempenho do sistema enquanto provê a capacidade de CI sobressalente. Também exigirá uma inovação no empacotamento do módulo DIMM para fazer caberem todos os componentes necessários em um fator de forma padrão RDIMM. Este produto terá aplicabilidade em produtos high-end, servidores de alta disponibilidade, que são utilizados em aplicações críticas..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - 2012
Melhoria do processo produtivo através do modelamento e análise dos componentes químicos/ sólidos da água utilizada durante o processo de fabricação de semicondutores

Projeto certificado pela empresa SMART MODULAR TECHNOLOGIES INDUSTRIA DE COMPONENTES ELETRONICOS LTDA. em 15/09/2018.
Descrição: Objetivos O objetivo geral deste projeto é caracterizar a empresa e apresentar as opções de P2 em relação a água. A meta implícita neste projeto, considerando-se a vantagem estratégica da empresa ao encontrar-se em um condomínio industrial, é definir meios de reciclar ou destinar de 90 a 100% da água consumida no processo produtivo de semicondutores. Observação importante: este projeto pressupõe, em média, uma visita por semana ao site da empresa até o final da caracterização deste (período de 2 meses). Resultados Esperados Ao final desse projeto, espera-se obter um pré-projeto que permita a implantação de sistemas de P2 para água utilizada no processo produtivo da empresa. Considerando-se que o conhecimento acadêmico disponível para empresas com esse perfil (área de SMD e em condomínio) é exíguo, o conhecimento adquirido, de caracter tecnológico, poderá ser adaptado a outros sites da mesma corporação ou de empresas com perfil semelhante..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - 2011
DRAM Sparing in DIMM

Projeto certificado pela empresa SMART MODULAR TECHNOLOGIES INDUSTRIA DE COMPONENTES ELETRONICOS LTDA. em 15/09/2018.
Descrição: O objetivo deste projeto é desenvolver uma estrutura que será usada em um módulo RDIMM para fornecer a capacidade de substituir um dispositivo DRAM com defeito por uma DRAM em boas condições que estará disponível no módulo RDIMM. Será concebido um chip, que inicialmente será incorporado por um FPGA que irá decodificar um comando que designa a necessidade de reposição da memória DRAM, desta forma será possível substituir o dispositivo com falha e relatório de status retorna ao FPGA quando a operação for concluída com sucesso..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - 2011
CONSOLIDAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER
Descrição: Objetivo Capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares. Metodologia O treinamento realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices (veja em: http://www.analog.com/en/prod/0,2877,AD20MSP500,00.html), que é a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. A partir de 2007, os novos modelos passaram a utilizar a moderna e sofisticada plataforma S-GOLD da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), que é uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares, combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estéreo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processador ARM 926 especialmente desenvolvido para aplicações wireless. No biênio de 2011/2012, além da Plataforma Infineon A-Gold, é prevista a utilização da plataforma Infineon S-Gold além daplataforma WISE. Estão previstos para serem desenvolvidos em 2011 os modelos de celulares da LG Anna, Angela, Spring Roll, Hopper, Sweet, Etna+, Goya, Barbie e Alicia que serão lançados ao longo do ano base 2010 para o mercado sul americano..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2011 - Atual
Desenvolvimento de prótese Auditiva Integrada ? Projeto Financiado pelo FUNTEC do BNDES
Descrição: O objetivo do projeto é o de desenvolver um aparelho auditivo de baixo custo e baixo consumo de energia, idealizado para atender às populações de baixa renda, e completamente baseado no uso de um circuito integrado (Chip) de processamento digital cujo projeto, desenvolvimento e integração ao produto final serão conseguidos através desta linha de fomento. Ao longo do projeto, será empregado um IP (Intellectual Property ou Propriedade Intelectual) de um DSP comercial, mas também é objetivo deste projeto, que ao final do prazo tenhamos desenvolvido um equivalente nacional para esse bloco, dada sua importância estratégica e ao seu peso relativo no custo final do aparelho..
Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
2010 - 2010
CONSOLIDAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER

Projeto certificado pela empresa LG Electronics do Brasil em 22/08/2012.
Descrição: Capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares. O treinamento realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices (veja em: http://www.analog.com/en/prod/0,2877,AD20MSP500,00.html), que é a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. A partir de 2007, os novos modelos passaram a utilizar a moderna e sofisticada plataforma S-GOLD da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), que é uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares, combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estéreo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processador ARM 926 especialmente desenvolvido para aplicações wireless. No biênio de 2009/2010, além da Plataforma Infineon S-Gold, é prevista a utilização das plataformas Infineon E-Gold e A-Gold além daplataforma WISE. Estão previstos para serem desenvolvidos em 2010 os modelos de celulares da LG Anna, Angela, Spring Roll, Hopper, Sweet, Etna+, Goya, Barbie e Alicia que serão lançados ao longo do ano base 2010 para o mercado sul americano..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2009 - 2009
CONSOLIDAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER
Descrição: Objetivo Capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares. Metodologia O treinamento realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices (veja em: http://www.analog.com/en/prod/0,2877,AD20MSP500,00.html), que é a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. A partir de 2007, os novos modelos passaram a utilizar a moderna e sofisticada plataforma S-GOLD da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), que é uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares, combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estéreo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processador ARM 926 especialmente desenvolvido para aplicações wireless. No ano de 2009, além da Plataforma Infineon S-Gold, é prevista a utilização das plataformas Infineon E-Gold e A-Gold. Serão desenvolvidos os modelos de celulares da LG Sapphire Folder, Ruby V, Brio, Andante, Madison, Kate, Viewty 2 que serão lançados ao longo do ano base 2009 para o mercado sul americano..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2008 - 2011
Implantação e operação da Unidade de Testes de Qualidade e Validação de Aparelhos Celulares da LG Electronics do Brasil

Projeto certificado pela empresa LG Electronics do Brasil em 22/08/2012.
Descrição: Este projeto tem como objetivo o desenvolvimento de testes de qualidade do software para a validação do processo de desenvolvimento de software básico de celulares (CA (country adaptation), BM (base models) e interfaces com usuário (UI)), principalmente quanto ao aspecto de interoperabilidade e conectividade com as redes de telefonia móvel latino americana. Devido à crescente ascensão do mercado de celulares na América Latina, o desenvolvimento regionalizado dos aplicativos embarcados tornou-se um importante fator competitivo nos aparelhos celulares, pois contemplam requisitos locais, tornando-se mais atraentes e funcionais para o público consumidor. Várias funcionalidades dos aparelhos celulares dependem ou são fornecidas pelas empresas operadoras de telefonia celular. Desta forma, os testes de interoperabilidade e conectividade dos aparelhos celulares devem ser exaustivamente testados para que os serviços sejam devidamente prestados ao consumidor. Assim, a metodologia de testes de celulares é fundamental para o desenvolvimento e ampliação da rede de serviços de TI sem fio. O primeiro passo para o domínio da tecnologia de testes de celulares na América Latina é a internalização do desenvolvimento da metodologia de testes. Para tanto, a LG Electronics se dispõe a fornecer os recursos necessários para o treinamento de pessoal especializado para o desenvolvimento de testes de celulares no Brasil..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2008 - 2008
CONSOLIDAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER
Descrição: Objetivo Capacitação de RH de alto nível e transferência de tecnologia no desenvolvimento de SW básico para aparelhos celulares. Metodologia O treinamento realizado pela equipe técnica do projeto utilizou as plataformas de desenvolvimento da Analog Devices (veja em: http://www.analog.com/en/prod/0,2877,AD20MSP500,00.html), que é a principal plataforma utilizada pela LGE em seus modelos até 2006. A partir de 2007, os novos modelos passarão a utilizar a moderna e sofisticada plataforma S-GOLD da Infineon (veja em: http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2007/218150.html), que é uma plataforma especialmente desenvolvida para suportar os mais variados recursos multimídia para celulares inteligentes (smartphones), combinando recursos de comunicação internet GPRS/EGPRS com alta performance dos aplicativos, alta fidelidade estereo (MP3), games online, MIDI, m-commerce e video streaming. A plataforma S-Gold é baseado no processodor ARM 926 especilamente desenvolvido para aplicações wireless. Serão desenvolvidos os modelos de celulares da LG Venus, Emeral, Manaslu e Ruby que serão lançados ao longo do ano base 2008 para o mercado sul americano..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2007 - 2010
Integração de Sistemas em Chips
Descrição: Objetivo Geral(Objeto da Proposta) 1) Desenvolver, para a Novus, o processo de fabricação de um sensor de pressão baseado em micro strain gauges piezoresitivos discretos fundidos diretamente em diafragmas de aço inoxidável compatível com qualquer meio líquido, gasoso ou pastoso industrial. 2) Projetar, fabricar e testar 3 circuitos integrados utilizando tecnologia CMOS 0.7um ou 0.8um HV para uso nos produtos das empresas Novus, Digicrom e Tretech, contendo: a) circuitos de seleção, condicionamento e processamento de sinal para sensores de pressão, químicos e outros, destacando-se o desenvolvimento de amplificadores operacionais com baixíssimo Off-Set (obtido através de técnicas avançadas de auto-zero) e de estruturas de controle programável de ganho b) circuitos de comunicação serial c) circuitos de recepção e transmissão de sinais baseados em protocolos 4-20mA e 0-10V d) circuitos digitais de configuração do Chip Cada empresa receberá um Chip específico para seus produtos..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador.Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.
2007 - 2010
Sistema de monitoramento em tempo real do isolamento de buchas de alta tensão? (SIMTRIBAT)

Projeto certificado pela empresa Treetech Sistemas Digitais em 21/08/2012.
Descrição: Objetivo Geral(Objeto da Proposta) Os objetivos gerais da proposta são: 1- Aperfeiçoamento de monitor on-line de buchas de alta tensão (138kV - 750 kV) já existente para a execução de funções inteligentes de detecção e diagnóstico preditivo de falhas em buchas de transformadores , disjuntores, divisores capacitivos de potencial e em transformadores de corrente. 2- Desenvolvimento de Hardware e software dedicado com base em recursos de inteligência computacional voltado para detecção e predição de falhas em buchas de transformadores , disjuntores divisores capacitivos de potencial - DCP e transformadores de corrente visando incrementar a eficiência na aplicação dos recursos de manutenção. 3- Desenvolvmento de um sensor de gás hidrogênio dissolvido em óleo mineral utilizado em buchas e transformadores elétricos para monitoração de seu estado de funcionamento..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador / Sebastião Gomes dos Santos Filho - Integrante.Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.
2007 - 2007
IMPLANTAÇÃO DA UNIDADE DE P&D DE SOFTWARE BÁSICO PARA CELULARES DO LG (YONAM) - USP IT CENTER
Descrição: Objetivo Os objetivos deste projeto são: ? Realizar a capacitação de recursos humanos especializados no desenvolvimento de software básico para aparelhos celulares no Brasil, para se integrarem ao LG - USP IT CENTER. ? Desenvolver software básico para aparelhos celulares da LGESP. Metodologia A fim de capacitar o centro de P&D para que se torne auto-suficiente nas atividades de produção regional de software básico de celulares, é proposta uma metodologia de treinamento intensivo aplicado. Esta metodologia prevê o treinamento de uma equipe local de alta especialização do LSITEC por uma equipe já capacitada da LGE. Contudo, no intuito de atingir de forma rápida e efetiva os resultados, será utilizada a metodologia de treinamento aplicado, na qual serão escolhidos casos reais de projeto a serem desenvolvidos pela equipe da LGE com o envolvimento da equipe LSITEC, gerando uma sinergia positiva de aprendizado orientado e repasse tecnológico. Serão selecionados inicialmente três casos de desenvolvimento, de forma a criar uma transferência tecnológica gradual, fazendo com que a equipe LSITEC possa adquirir maior independência conforme a evolução dos projetos..
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2005 - 2011
Linha piloto de montagem em tecnologia SMT

Projeto certificado pela empresa LG Electronics do Brasil em 22/08/2012.
Descrição: O projeto em parceria entre a LG e o LSI-Tec prevê a instalação de uma linha piloto de montagem de sistemas eletrônicos em tecnologia SMT (Surface Mount Technology). Os equipamentos serão doados à Universidade de São Paulo, mas por causa da dificuldade de alocar um espaço físico para a instalação dos equipamentos a curto prazo, serão montados na FATEC-SP sob regime de comodato. A linha piloto será totalmente compatível com as linhas de montagem da LG. Isso permitirá montar as mesmas placas fabricadas pela LG, viabilizando comparar os resultados de montagens que implementem as mudanças de materiais e processos que vierem a ser propostas como resultado da pesquisa desenvolvida com um processo convencional. A linha piloto será usado para: - treinamento prático dos alunos de graduação do curso MPCE da FATEC, complementando as matérias teóricas que já são oferecidas - realização de trabalhos de graduação (TG) dos alunos que tiverem interesse em trabalhar na área de montagem de sistemas eletrônicos - realização de trabalho de pesquisa e desenvolvimento, com alunos da FATEC e da USP - cursos de especialização a serem oferecidos pela FATEC.
Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Nilton Itiro Morimoto - Coordenador / Ana Neilde Rodrigues da Silva - Integrante / Maurício Massazumi Oka - Integrante.Financiador(es): LG Electronics do Brasil - Auxílio financeiro.


Membro de comitê de assessoramento


2012 - 2015
Agência de fomento: (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
2012 - 2015
Agência de fomento: (EU) Comissão Europeia
1999 - Atual
Agência de fomento: (MCTI) Ministério da Ciência, tecnologia e Inovação
1997 - 1997
Agência de fomento: (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico


Revisor de periódico


2000 - Atual
Periódico: Thin Solid Films
2006 - Atual
Periódico: Journal of the Electrochemical Society


Revisor de projeto de fomento


1999 - Atual
Agência de fomento: Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
2002 - Atual
Agência de fomento: Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo


Áreas de atuação


1.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
2.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais Dielétricos, Piezoelétricos e Ferroelétricos.
3.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Eletroóticos e Magnetoóticos, Materiais Fotoelétricos.
4.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estrutura de Líquidos e Sólidos; Cristalografia.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Francês
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Pouco.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.


Prêmios e títulos


2001
Programa Missão XXI - 2000 - Prof. Orientador, Motorola do Brasil Ltda.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:4
Total de citações:19
Fator H:2
Morimoto, Nilton I  Data: 14/09/2018

Artigos completos publicados em periódicos

1.
SIARKOWSKI, A L2013SIARKOWSKI, A L ; RODRIGUES, B S ; MORIMOTO, N I . Fabrication of phosphorus doped polysilicon thin-film strain gauges using a 50 microns silicon substrate thickness. JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES (PRINT), v. 421, p. 012010, 2013.

2.
RODRIGUES, B DA SILVA2013RODRIGUES, B DA SILVA ; SIARKOWSKI, A L ; SAGAZAN, O DE ; CRAND, S ; MOHAMMED-BRAHIM, T ; MORIMOTO, N I . Sensors based in suspended gate field effect transistors for pH measurements. JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES (PRINT), v. 421, p. 012006, 2013.

3.
SIARKOWSKI, A. L.2012SIARKOWSKI, A. L. ; BORGES, B. H. V. ; Nilton Itiro Morimoto . Sensing based on Mach-Zehnder interferometer and hydrophobic thin films used on volatile organic compounds detection. Optical Engineering (Bellingham. Print), v. 51, p. 054401, 2012.

4.
Del Cacho, V.D.2011Del Cacho, V.D. ; da Silva, D.M. ; Kassab, L.R.P. ; Siarkowski, A.L. ; Morimoto, N.I. . PbOâ "GeO2 rib waveguides for photonic applications. Journal of Alloys and Compounds, v. 509, p. S434-S437, 2011.

5.
Gomes, Demetrius S.2007Gomes, Demetrius S. ; Silva, Ana N. R. da ; Morimoto, Nilton I. ; Mendes, Luiz T. F. ; Furlan, Rogerio ; Ramos, Idalia . Characterization of an electrospinning process using different PAN/DMF concentrations. Polímeros (São Carlos. Impresso), v. 17, p. 206-211, 2007.

6.
BARBOSA, E2007BARBOSA, E ; PRETO, A ; SILVA, D ; CARVALHO, J ; MORIMOTO, N. I. . Denisiuk-type reflection holography display with sillenite crystals for imaging and interferometry of small objects. Optics Communications, p. 408-414, 2007.

7.
CACHO, Vanessa D D2006CACHO, Vanessa D D ; KASSAB, L. R. P. ; OLIVEIRA, S. L. ; MORIMOTO, N. I. . Blue cooperative emission in Yb3+ - doped GeO2 - PbO glasses.. Materials Research, v. 9, p. 21-24, 2006.

8.
KASSAB, Luciana dos Reis Pires2005KASSAB, Luciana dos Reis Pires ; FUKUMOTO, Marcos Eiji ; CACHO, Vanessa D D ; WETTER, N U ; MORIMOTO, N. I. . Spectroscopic properties of Yb3+ doped PbO-Bi2O3-Ga2O3 glasses for IR laser applications. Optical Materials (Amsterdam), v. 27, n.set 2005, p. 1576-1582, 2005.

9.
SIMOES, E2005SIMOES, E ; FURLAN, R ; BRUZETTILEMINSKI, R ; GONGORARUBIO, M ; PEREIRA, M ; MORIMOTO, N ; SANTIAGOAVILES, J . Microfluidic oscillator for gas flow control and measurement. Flow Measurement and Instrumentation, v. 16, p. 7-12, 2005.

10.
KASSAB, L2005KASSAB, L ; FUKUMOTO, M ; CACHO, V ; WETTER, N ; MORIMOTO, N . Spectroscopic properties of Yb doped PbO BiO GaO glasses for IR laser applications. Optical Materials (Amsterdam), v. 27, p. 1576-1582, 2005.

11.
KASSAB, L. R. P.2004KASSAB, L. R. P. ; COURROL, L. C. ; CACHO, Vanessa D D ; TATUMI, S. H. ; WETTER, N. U. ; GOMES, L ; MORIMOTO, N. I. . GeO2-PbO-Bi2O3 glasses doped with Yb for laser applications. Journal of Non-Crystalline Solids, Holand, v. 348, n.C, p. 103-107, 2004.

12.
GONÇALVES, L. C. D.2004GONÇALVES, L. C. D. ; VIANA, C. E. ; SANTOS, J. C. ; MORIMOTO, N. I. . Correlation between mechanical and electrical properties of silicon oxide deposited by PECVD-TEOS at low temperature. Surface and Coatings Technology, Holanda, v. 180, n.181, p. 274-278, 2004.

13.
GONCALVES, L2004GONCALVES, L ; MORIMOTO, N. I. . Correlation between mechanical and electrical properties of silicon oxide deposited by PECVD-TEOS at low temperature. Surface and Coatings Technology, v. 180-181, p. 275-279, 2004.

14.
COURROL, L. C.2003COURROL, L. C. ; KASSAB, L. R. P. ; FUKUMOTO, Marcos Eiji ; WETTER, N. U. ; TATUMI, S. H. ; MORIMOTO, N. I. . Spectroscopic properties of heavy metal oxide glasses doped with erbium. Journal of Luminescence, Holanda, v. 103, n.10, p. 91-95, 2003.

15.
BULLA, D. A. P.2002 BULLA, D. A. P. ; BORGES, B. H. V. ; ROMERO, M. A. ; MORIMOTO, N. I. ; GONÇALVES NETO, L. . Design and Fabrication of SiO2/Si3N4 Integrated-Optics Waveguides on silicon substrates. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, v. 50, n.1, p. 9-12, 2002.

16.
KASSAB, Luciana dos Reis Pires2002KASSAB, Luciana dos Reis Pires ; FUKUMOTO, Marcos Eiji ; COURROL, L. C. ; WETTER, N. U. ; MORIMOTO, N. I. . Studies of 1500nm emission in PbO-Bi2O3-Ga2O3 glasses doped with Er3+.. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. 12, p. 48-51, 2002.

17.
FERREIRA, E. S.2001 FERREIRA, E. S. ; MORIMOTO, N. I. . Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Semi-Insulating Polycrystalline Silicon (SIPOS) and its Analysis: Application to Power Diode Passivation. Diffusion and Defect Data, Solid State Data. Part B, Solid State Phenomena, Suiça, v. 80-81, p. 391-396, 2001.

18.
Viana, Carlos E.2001Viana, Carlos E. ; Silva, Ana N. R. da ; Morimoto, Nilton I. ; Bonnaud, Olivier . Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture. Brazilian Journal of Physics (Impresso), v. 31, n.2, p. 299-303, 2001.

19.
MORIMOTO, N. I.;MORIMOTO, N;Morimoto, N.I.;Morimoto, Nilton I.;Nilton Itiro Morimoto;Nilton Morimoto;Nilton Itiro Morimoto;MORIMOTO, NILTON ITIRO;Morimoto,N.I.;Morimoto, NI;MORIMOTO, N I;MORIMOTO, N.2000 MORIMOTO, N. I.; VIANA, C. E. ; BONNAUD, O. . Annealing Effects in the PECVD SiO2 Thin Films Deposited Using TEOS, Ar and O2 Mixture. Microelectronics Reliability, Holanda, v. 40, p. 613-616, 2000.

20.
da Silva, A.N.R.2000da Silva, A.N.R. ; Morimoto, N.I. ; BONNAUD, O. . Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature. Microelectronics and Reliability, Holanda, v. 40, p. 621-624, 2000.

21.
BULLA, A. P.1998 BULLA, A. P. ; MORIMOTO, N. I. . Deposition of thick TEOS PECVD silicon oxide layer for integrated optical waveguides applications. Thin Solid Films, Holanda, v. 334, p. 60-64, 1998.

22.
FUENZALIDA, V.1997FUENZALIDA, V. ; LISONI, J. G. ; MORIMOTO, N. I. ; ACQUADRO, J. C. . Tetragonal BaTiO3 Thin Films hydrothermally grown on TiO2 Single Crystals. Applied Surface Science, holanda, v. 108, p. 385-389, 1997.

23.
MORIMOTO, N. I.;MORIMOTO, N;Morimoto, N.I.;Morimoto, Nilton I.;Nilton Itiro Morimoto;Nilton Morimoto;Nilton Itiro Morimoto;MORIMOTO, NILTON ITIRO;Morimoto,N.I.;Morimoto, NI;MORIMOTO, N I;MORIMOTO, N.1996MORIMOTO, N. I.; SWART, Jacobus W . Development of a Cluster Tool and Analysis of Deposition of Silicon oxide by TEOS/O2 PECVD. 1996 MATERIALS RESEARCH SOCIETY (MRS) SPRING MEETING; SAN FRANCISCO, Estados Unidos, v. 429, p. 263-268, 1996.

24.
MORIMOTO, N. I.;MORIMOTO, N;Morimoto, N.I.;Morimoto, Nilton I.;Nilton Itiro Morimoto;Nilton Morimoto;Nilton Itiro Morimoto;MORIMOTO, NILTON ITIRO;Morimoto,N.I.;Morimoto, NI;MORIMOTO, N I;MORIMOTO, N.1992MORIMOTO, N. I.; SWART, Jacobus W ; RIELLA, H. G. . ANALYSIS OF MEAN CRYSTALLITE SIZE AND MICROSTRESS IN TITANIUM SILICIDE THIN FILMS. Journal of Vacuum Science & Technology B, Estados Unidos, v. B10, n.2, p. 586-590, 1992.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
MONTEIRO, Davies W de Lima (Org.) ; BONNAUD, O. (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro 2009. 1. ed. New Jersey: Electrochemical Society, 2009. v. 1. 639p .

2.
SWART, J. W. (Org.) ; SELBERHERR, S. (Org.) ; Susin, A.A. (Org.) ; DINIZ, J. A. (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro 2008. New Jersey: Electrochemical Society, 2008. v. 1. 661p .

3.
DINIZ, Jose Alexandre (Org.) ; FRENCH, Patrick J (Org.) ; MONTEIRO, Davies W de Lima (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) ; SWART, Jacobus W (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro2006. 1. ed. New Jersey - USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 1. 585p .

4.
CLAEYS, Cor (Org.) ; SWART, Jacobus W (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) ; VERDONCK, P. B. (Org.) . Microelectronics technology and Devices - Sbmicro 2005. 1. ed. Pennington, NJ: The Eectrochemical Society, 2005. v. 1. 556p .

5.
MARTINO, João Antonio (Org.) ; PAVANELLO, Marcelo Antonio (Org.) ; MORIMOTO, N. I. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro 2003. 1. ed. Pennington - New Jersy: The Electrochemical Society Inc, 2003. v. 1. 462p .

6.
MORIMOTO, N. I.; RIBAS, R. P. (Org.) ; VERDONCK, P. B. (Org.) . Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2002. New Jersey: The Electrochemical Society INC, 2002. v. 1. 488p .

Textos em jornais de notícias/revistas
1.
SIARKOWSKI, A. L. ; Morimoto, Nilton I. ; BORGES, B. H. V. . Tecnologia nacional traz sensores ópticos para área de saúde e industrial. Inovação Tecnológica, Portal Inovação Tecnológica, 05 out. 2007.

2.
SIARKOWSKI, A. L. ; MORIMOTO, N. I. ; BORGES, B. H. V. . Sensor óptico analisa partículas de compostos voláteis em suspensão no ar. Biotecnologia Ciência & Desenvolvimento, Portal Revista Biotecnologia, 01 out. 2007.

3.
MORIMOTO, N. I.. Na Poli, nanosensores para carros e iogurtes. O Estado de São Paulo, São Paulo, p. 20 - 20, 10 fev. 2002.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
TOLEDO, P. ; TIMBO, R. M. ; ANDRADE, N. ; SCHMIDT, A. ; MEDEIROS, W. ; SOUZA, B. ; DAGOSTIN, C. ; D?AGOSTIN, D. ; CORREIA, E. ; KALINSKI, F. ; CAVALHEIRO, G. ; FERREIRA, L. ; CARLOTTO, M. ; SILVA, P. ; LIMA, V. ; KLIMACH, H. ; FABRIS, E. ; BAMPI, S. ; Morimoto,N.I. . IC Brazil Program RS Training Center: Applying Statistical Benchmarking in AMS/RF IC Design Teaching. In: Workshop of Circuits and Systems - WCAS, 2018, 2018, Bento Gonçalves. Workshop of Circuits and Systems - WCAS, 2018, 2018.

2.
TOLEDO, P. ; KLIMACH, H. ; FABRIS, E. ; PARIS, L. A. ; OLIVEIRA, T. N. ; GUEX, J. P. ; ANDRADE, N. ; TIMBO, R. M. ; SCHMIDT, A. A. A. ; Morimoto,N.I. ; RANGEL, R. ; MARTINO, João Antonio . IC Brazil Program Training Centers: 8 Years Empowering Latin American Engineers To Work With Microelectronics. In: 7th Workshop on Circuits and Systems Design. In: 7th Workshop on Circuits and Systems Design, 2017, Fortaleza. 7th Workshop on Circuits and Systems Design, 2017.

3.
SWART, Jacobus W ; Morimoto, Nilton I. . Education and Jobs on IC Design through the IC-Brazil Initiative. In: EWME 2012 - European Workshop on Microelectronics Education, 2012, Grenoble. Proceedings of European Workshop on Microelectronics Education - 2012, 2012. v. 1. p. 81-84.

4.
Rodrigues, B.S. ; Sagazan, O. ; CRAND, S. ; BRAHIN, T. M. ; Morimoto, N.I. . pH Meter Based in Suspended Gate Field Effect Transistors to Application in Monitoring of Water Quality. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, João Pessoa. ECS Transactions. New Jersey: ECS Transaction, 2011. v. 39. p. 291-298.

5.
CACHO, Vanessa D D ; SIARKOWSKI, A. L. ; MORIMOTO, N. I. ; BORGES, B. V. ; KASSAB, L. R. P. . Fabrication and Characterization of TeO2-ZnO Rib Waveguides. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. ECS Transactions. New Jersey: ECS Transaction, 2010. v. 31. p. 225-229.

6.
Rodrigues, B.S. ; Sagazan, O. ; SALAÜN, A. C. ; CRAND, S. ; BIHAN, F. L. ; BRAHIN, T. M. ; BONNAUD, O. ; Morimoto, N.I. . Humidity Sensor Thanks Array of Suspended Gate Field Effect Transistor. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, São Paulo. ECS Transactions. New Jersey: ECS Transaction, 2010. v. 31. p. 441-448.

7.
CRAND, S. ; BIHAN, F. L. ; BONNAUD, O. ; BRAHIN, T. M. ; MORIMOTO, N. I. . Sensitive Continuous Monitoring of pH thanks to Matrix of several Suspended Gate Field Effect Transistors. In: 24th Symposium on Microelectronics Technology and devices, 2009, Natal-RN. Microelectronics Thechnology and Devices - SBMicro 2009. New Jersey: Pennington, NJ, 2009. v. 23. p. 203-209.

8.
DA SILVA RODRIGUES, B. ; DE SAGAZAN, O. ; CRAND, S. ; LE BIHAN, F. ; MOHAMMED-BRAHIM, T. ; MORIMOTO, N. . Development of suspended gate field effect transistors array-based microsystem for pH measurements. In: 2009 IEEE Sensors, 2009, Christchurch. 2009 IEEE Sensors, 2009. p. 1623-1627.

9.
Del Cacho, Vanessa D. ; Kassab, Luciana R. ; Dos Santos, Antonio D. ; SIARKOWSKI, A. L. ; Da Silva, D. M. ; Morimoto, Nilton I. . Fabrication and Characterization of GeO, 2009. ECS Transactions (Online). v. 23. p. 507-513.

10.
Costa Junior, C.M. ; BARBIN, S. E. ; D'Assunção Jr., A. G. ; FREIRE, R. C. S. ; MORIMOTO, N. I. ; FONTGALLAND, G. . On the Behavior of a Novel Miniaturized G-Planar Antenna in the Presence of an Infinity Metal Plane. In: Asia Pacific Microwave Conference APMC2008, 2008, Hong Kong. Proceedings of APMC2008, 2008. v. 1. p. E12-1-E12-4.

11.
Costa Junior, C.M. ; FONTGALLAND, G. ; De Melo, M. A. B. ; FREIRE, R. C. S. ; Vuong, T.P. ; MORIMOTO, N. I. . Proposal of a New Planar Micro-Antenna in LTCC Substrate for System on Chip. In: SBMicro2008 Symposum on Microelectrnics Tchnology and Devices, 2008, Gramado. ECS Transaction - SBMicro2008 Symposum on Microelectrnics Tchnology and Devices. New Jersey: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 147-155.

12.
Barbosa, E. A. ; Preto, A. O. ; Silva, D. M. ; Carvalho, J. F. ; MORIMOTO, N. I. ; Wetter, Niklaus Ursus ; Frejlich, Jaime . Compact setup for reflection holography with Bi[sub 12]TiO[sub 20] crystals. In: RIAO/OPTILAS 2007: 6th IberoAmerican Conference on Optics (RIAO); 9th LatinAmerican Meeting on Optics, Lasers and Applications (OPTILAS), 2008, Campinas. AIP Conference Proceedings, 2007. v. 992. p. 291-296.

13.
LIMA, B. L. S. ; SILVA, A. N. R. ; MORIMOTO, N . Characterization of strain gauges fabricated by serigraphy for sensor application.. In: International Conference and Exhibition on Device Packaging, 2006, Scottsdale - Arizona. Proceedings of International Conference and Exhibition on Device Packaging, 2006. Washington, D.C.: International Microelectronics And Packaging Society (IMAPS), 2006.

14.
LIMA, B. L. S. ; SILVA, A. N. R. ; MORIMOTO, N. I. . Strain gages fabricated by serigraphic method for application in pressure sensor.. In: 4th European Microeletronics and Packaging Symposium - EMPS 2006, 2006, Terma Catez, Eslovênia. Proceeedings of 4th European Microeletrinics and Packaging Symposium - EMPS 2006, 2006.

15.
SILVA, A. N. R. ; LIMA, B. L. S. ; MORIMOTO, N. I. . The influence of the serigraphic process parameters control on the strain gauges sensibility. In: E-MRS 2006 Spring Meeting, 2006, Nice - França. Proceedings of E-MRS 2006 Spring Meeting, 2006.

16.
LIMA, B. L. S. ; SILVA, A. N. R. ; MORIMOTO, N. I. . A Proposed Process to Fabricate Strain Gauge Directly Over The Sensor Substrate by Serigraphic Method. In: Microeletronics Technology and Devices - SBMicro2006, 2006, Ouro Preto. Microeletronics Technology and Devices - SBMicro2006, ECS Transactions,. New Jersey: ECS Transactions, 2006. v. 4. p. 123-130.

17.
LIMA, B. L. S. ; SILVA, A. N. R. ; MORIMOTO, N. I. . Optimization of the process to fabricate strain gauge serigraphed over the sensor substrate.. In: 5 Congreso Iberoamericano de Sensores - IBERSENSOR 2006, 2006, Montevideo, Uruguai.. Proceedings of 5 Congreso Iberoamericano de Sensores - IBERSENSOR 2006, 2006.

18.
SIARKOWSKI, A. L. ; MORIMOTO, N. I. ; BAPTISTA, Mauricio S ; BORGES, B. H. V. . INTEGRATED OPTICAL CHEMICAL SENSOR FABRICATED ON SILICON SUBSTRATE. In: Chip on the Island, 2005, Florianopolis. Microelectronics Technology and Devices - Sbmicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2005. v. 1. p. 380-388.

19.
LEMINSKI, Roberto Eduardo Bruzetti ; SIMOES, E. W. ; FURLAN, R. ; Ramos, I. ; GONGORA-RUBIO, Mário Ricardo ; MORIMOTO, N. I. ; SANTIAGOAVILES, J . Development of Microfluidic Devices using LTCC Substrates. In: IMAPS/ACerS 1st International Conference on Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies (CICMT), 2005, 2005, Maryland, Baltimore.. Proceedings of IMAPS/ACerS 1st International Conference on Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies (CICMT), 2005, 2005. p. 337-342.

20.
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SILVA, A. N. R. ; VIANA, C. E. ; MORIMOTO, N. I. . Characterization of Silicon Oxide Thin Films Deposited by TEOS PECVD. In: 4th Brazilian Symposium on Glasses and Related Materials, 1999, Ouro Preto. Proceedings of 4th Brazilian Symposium on Glasses and Related Materials, 1999. p. 78.

24.
VIANA, C. E. ; SILVA, A. N. R. ; MORIMOTO, N. I. . Structural Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture. In: XX CBRAVIC (Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência), 1999, São Paulo. Resumos de Trabalhos da XX CBRAVIC (Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência), 1999. p. 45.

25.
SILVA, A. N. R. ; SILVA, M. L. P. ; MORIMOTO, N. I. . Plasma de TEOS/O2: Importância do Fluxo para a Deposição. In: XX CBRAVIC (Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência), 1999, São Paulo. Resumos de Trabalhos da XX CBRAVIC (Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência), 1999. p. 64.

26.
BULLA, D. A. P. ; MORIMOTO, N. I. . Deposition of Thick TEOS PECVD Silicon Oxide Layer for integrated Optical Waveguide Application. In: INTERNATIONAL CONFERENCE IN ASIA 97 - IUMRS, 1997, Chiba. Abstract and Program of IUMRS-ICA-97, 1997. p. 645-645.

27.
MORIMOTO, N. I.; SWART, Jacobus W . Development of a Cluster Tool and Analysis of Deposition of Silicon oxide by TEOS/O2 PECVD. In: 1996 Spring Meeting; Materials Research Society, 1996, San Francisco. 1996 Spring Meeting; Materials Research Society (MRS); Abstracts, 1996. p. 236.

28.
LISONI, J. G. ; CABALLERO, J. V. ; FUENZALIDA, V. ; MORIMOTO, N. I. ; ACQUADRO, J. C. . Tetragonal BaTiO3 Thin Films Prepared at 150 0C Under Hydrothermal Conditions. In: 1995 Fall Meeting; Materials Research Society, 1995, Boston. 1995 Fall Meeting; Materials Research Society (MRS) Abstracts, 1995. p. 127.

29.
SILVA, M. L. P. ; CARDOSO, A. R. ; MORIMOTO, N. I. ; SHIBATA, N. Y. ; ESCOTE, A. T. ; MATSUMURA, W. T. . ESTUDOS DE FILMES FINOS DE OXIDO DE SILICIO DEPOSITADOS POR R/PECVD. In: X CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIENCIA DOS MATERIAIS, 1992, Caxambu. X CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIENCIA DOS MATERIAIS, 1992. p. 235.

Resumos publicados em anais de congressos (artigos)
1.
LANTIN, Daniela Garrote2003LANTIN, Daniela Garrote ; ONODA, Edyr ; ZAMBOM, Luis da Silva ; MORIMOTO, N. I. . Passivação de diodos de potência por filmes de silício policristalino semi-isolante. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. 1, n.1, p. 44-44, 2003.

2.
MATOS, Tatiana Rehem2003MATOS, Tatiana Rehem ; TOLEDO, Leandro Barbosa de ; ZAMBOM, Luis da Silva ; MORIMOTO, N. I. . Estudo da Fotocondução de Filmes de Silício Policristalino Semiisolante. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, v. 1, n.1, p. 45-45, 2003.

3.
MORIMOTO, N. I.;MORIMOTO, N;Morimoto, N.I.;Morimoto, Nilton I.;Nilton Itiro Morimoto;Nilton Morimoto;Nilton Itiro Morimoto;MORIMOTO, NILTON ITIRO;Morimoto,N.I.;Morimoto, NI;MORIMOTO, N I;MORIMOTO, N.1989MORIMOTO, N. I.; SWART, Jacobus W ; RIELLA, H. G. . Analysis of mean crystallite size and microstress in titanium silicide thin films. Applied Surface Science, holanda, v. 38, p. 48-48, 1989.

Apresentações de Trabalho
1.
MORIMOTO, N. I.. A Evolução da Tecnologia de silício: Novos Desafios. 2000. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

2.
MORIMOTO, N. I.. Microeletrônica?. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

3.
MORIMOTO, N. I.. MEMS what we can expect in the near future. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

4.
MORIMOTO, N. I.. Challenges for MEMS processes integration in the next millenium. 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

5.
MORIMOTO, N. I.; BULLA, D. A. P. ; GONÇALVES NETO, L. ; ROMERO, M. A. . Sensores Ópticos. 1998. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

6.
MORIMOTO, N. I.. Materials and Processes Development for Smart Sensors Applications. 1998. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

7.
MORIMOTO, N. I.. Desenvolvimento de microestruturas e transistores de filmes finos utilizando filmes finos de Si poli dopados in-situ depositado pela técnica LPCVD e dióxido de silício depositado por PECVD visando sua aplicação em sensores inteligentes.. 1998. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

8.
MORIMOTO, N. I.; FURLAN, R. . The research activities of LSI. 1997. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

9.
MORIMOTO, N. I.. O Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP e suas Atividades em Sensores e Microestruturas. 1997. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

10.
MORIMOTO, N. I.. Física de semicondutores aplicado a dispositivos eletrônicos. 1985. (Apresentação de Trabalho/Seminário).


Produção técnica
Produtos tecnológicos
1.
SIARKOWSKI, A. L. ; MORIMOTO, N. I. . Sensores de Pressão em Filmes Finos. 2008.

2.
MORIMOTO, N. I.. Sistema tipo Cluster Tool para a deposição de filmes finos de óxido de silício dopados ou não com boro e/ou fósforo por PECVD. 1995.



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 SANTOS, R. M. ; Morimoto,N.I. ; KWON, J. H. ; ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. . SISTEMA E MÉTODO DE INTERAÇÃO ENTRE USUÁRIOS DE PLATAFORMAS DE TRANSMISSÃO DE SINAIS ANALÓGICOS E RECEPÇÃO DE SINAIS DIGITALIZADOS UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES (SMARTDEVICES). 2017, Brasil.
Patente: Modelo de Utilidade. Número do registro: BR10201702300, título: "SISTEMA E MÉTODO DE INTERAÇÃO ENTRE USUÁRIOS DE PLATAFORMAS DE TRANSMISSÃO DE SINAIS ANALÓGICOS E RECEPÇÃO DE SINAIS DIGITALIZADOS UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES (SMARTDEVICES)" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 25/10/2017

2.
 PIRES, B. M. ; KWON, J. H. ; MENEZES, J. C. M. ; ARAUJO, H. P. ; Morimoto,N.I. ; SANTOS, R. M. ; PAIVA, T. H. ; ISSA, V. A. ; SANTANA, W. S. ; FERMIANO, M. G. . SISTEMA E MÉTODO DE TRANSMISSÃO E RECEPÇÃO DE SINAIS ANALÓGICOS MULTICANAL UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES {SMARTDEVICES). 2017, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR2017050015, título: "SISTEMA E MÉTODO DE TRANSMISSÃO E RECEPÇÃO DE SINAIS ANALÓGICOS MULTICANAL UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES {SMARTDEVICES)" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 30/01/2017; Concessão: 10/08/2017.


Topografia de circuito integrado
1.
 TOMA, M. ; ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. ; Nilton Itiro Morimoto . Circuito integrado controlador para conversão de potência (driver). 2017, Brasil.
Patente: Topografia de Circuito Integrado Registrada. Número do registro: PORTARIA1032, título: "Circuito integrado controlador para conversão de potência (driver)" , Instituição de registro: Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações. Instituição(ões) financiadora(s): Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico LSI-TEC.

2.
 ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. ; ABREU, A. ; Morimoto,N.I. . Circuito integrado eletrônico NFC (Near Field Communication). 2017, Brasil.
Patente: Topografia de Circuito Integrado Registrada. Número do registro: PORTARIA464, título: "Circuito integrado eletrônico NFC (Near Field Communication)" , Instituição de registro: Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações. Instituição(ões) financiadora(s): Positivo Informática S.A, CNPJ/MF no 81.243.735/0001-48 e MGB Serviços e Computadores S.A, CNPJ/MF no 18.163.016/0001-80,.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS, J. C.; CARVALHO, R. T.. Participação em banca de Acácio Luiz Siarkowski. Implementação de um Sensor Integrado de Pressão Baseado no Interferômetro Mach-Zehnder (IMZ). 2001. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

2.
MORIMOTO, N. I.; BONNAUD, O.; PEREYRA, I.. Participação em banca de Eduardo dos Santos Ferreira. Estudo e Caracterização de Filmes SIPOS para a Passivação de Dispositivos de Potência. 2000. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

3.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS FILHO, S. G.; DINIZ, J. A.. Participação em banca de Carlos Eduardo Viana. Caracterização Elétrica de Filmes Finos de SiO2-TEOS Depositados por PECVD. 1998. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

4.
MORIMOTO, N. I.; LAGANÁ, A. A. M.; GOLDSTEIN, H.. Participação em banca de Candidato: Silvana Gasparotto de Souza. Estudo da Influência dos Parâmetros de Recozimento Térmico Rápido na Morfologia dos Filmes de TiSi2, Formados e sua Correlação com a Tensão Mecânica. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

5.
MORIMOTO, N. I.; SWART, J. W.; TATCH, P. J.. Participação em banca de Willian César Mariano. Obtenção de Filmes Finos Isolantes de SiO2 e Si3N4 por Deposição Química a Fase Vapor Auxiliada por Plasma Remoto. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Teses de doutorado
1.
MORIMOTO, N. I.; BONNAUD, O.; SWART, J. W.; DANTO, Y.; BRAHIN, T. M.; MORANTE, J. R.. Participação em banca de Carlos Eduardo Viana. ESTUDO E DESENVOLVIMENTO DE UMA TECNOLOGIA CMOS?TFT'S À BAIXA TEMPERATURA (< 600°C).. 2002. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

2.
MORIMOTO, N. I.; BONNAUD, O.; BRAHIN, T. M.; GUILLEMOT, N.; PRAT, C.; CRAND, S.. Participação em banca de Gaël GAUTIER. CONCEPTION, RÉALISATION ET MISE AU POINT D?UNE TECHNOLOGIE CMOS EN TRANSISTORS COUCHES MINCES SUR SUBSTRAT DE VERRE. 2002. Tese (Doutorado em Electronique) - Université de Rennes I.

3.
MORIMOTO, N. I.; RIELLA, H. G.. Participação em banca de Adilson Oliveira da Silva. Estudo da Obtenção de Filmes de Anatásio Utilizando RF-Magnetron Sputtering.. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade Federal de Santa Catarina.

4.
MORIMOTO, N. I.; PEREYRA, I.; SWART, J. W.. Participação em banca de Marco Isaías Alayo Chávez. Estudo e otimização das Propriedades Estruturais, Ópticas e Elétricas de Películas de SiOxNy Depositadas por PECVD para Aplicações em Dispositivos MOS, Microestruturas e Guias de Onda. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

5.
MORIMOTO, N. I.; PEREYRA, I.; DINIZ, J. A.; VERDONCK, P. B.. Participação em banca de Ana Neilde Rodrigues da Silva. Estudo e Caracterização do Processo PECVD-TEOS para a Deposição de Filmes de Óxido de Silício e Estudo das Interfaces. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

6.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS, J. C.; VERDONCK, P. B.; CARVALHO, R. T.; SWART, J. W.. Participação em banca de Douglas Anderson Pereira Bulla. Desenvolvimento e caracterização de filmes finos de óxidos de silício e nitreto de silício para a fabricação de guias e sensores ópticos.. 1999. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

7.
MORIMOTO, N. I.; BONNAUD, O.; CITERNE, J.; HESTO, P.; LIPPENS, D.; PINEL, J.. Participação em banca de Sandrine Lucas. Etude de faisabilite d'un micro-interrupteur en silicium polycristallin a commande electrostatique dedie a des dispositifs micro-ondes planaires. 1998. Tese (Doutorado em Electronique) - Université de Rennes I.

8.
MORIMOTO, N. I.; BONNAUD, O.; FORTIN, B.; HESTO, P.; OUALID, J.; LHERMITE, H.; VERSIGLIA, F.. Participação em banca de Anne Claire Salaum. Analyse et Caracterisation D'Interfaces Silicium Polycristallin/Dioxyde de Silicium Pour des Applications des Capacites et des Transistors en Couches Minces. 1996. Tese (Doutorado em Electronique) - Université de Rennes I.

9.
MORIMOTO, N. I.; SWART, J. W.; TATCH, P. J.. Participação em banca de José Alexandre Diniz. Formação de Filmes Finos de Oxinitreto de Silício (SiOxNy) Por implantação de Íons de Nitrogênio (N2+) e Óxido Nítrico (NO+). 1996. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Qualificações de Doutorado
1.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Alexandre Ichiro Hashimoto. Estudo da Coleta Úmida e da Deposição Química de Cobalto em Superfícies de Silício. 2001. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

2.
MORIMOTO, N. I.; SILVA, M. L. P.; OKA, M. M.. Participação em banca de Angela Makie Nakazawa. Estudo e desenvolvimento de filmes finos de óxido de silício hidrofóbicos, depositados por PECVD, visando sua aplicação em micro estruturas e sensores. 2000. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

3.
MORIMOTO, N. I.; PEREYRA, I.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Carlos Eduardo Viana. Estudo e Desenvolvimento de Uma Tecnologia CMOS-TFT à Baixa Temperatura.. 1999. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

4.
MORIMOTO, N. I.; PEREYRA, I.; OKA, M. M.. Participação em banca de Ana Neilde Rodrigues da Silva. ESTUDO E CARACTERIZAÇÃO DO PROCESSO PECVD-TEOS PARA A DEPOSIÇÃO DE FILMES DE ÓXIDO DE SILÍCIO E ESTUDO DAS INTERFACES. 1998. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

5.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS, J. C.; TEIXEIRA, R.. Participação em banca de DOUGLAS ANDERSON PEREIRA BULLA. DESENVOLVIMENTO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE ÓXIDOS DE SILÍCIO E NITRETO DE SILÍCIO PARA A FABRICAÇÃO DE GUIAS E SENSORES ÓPTICOS. 1998. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Outros tipos
1.
MORIMOTO, N. I.; ZAMBOM, L. S.; CARRENO, M.. Participação em banca de Marcelo Faustino Alves. Estudo da reprodutibilidade e da confiabilidade do processo de deposição do filme SIPOS para a passivação de dispositivos de potência. 2003. Outra participação, Universidade de São Paulo.

2.
MORIMOTO, N. I.; KASSAB, L. R. P.; MANSANO, R. D.. Participação em banca de Marcos Eiji Fukumoto. PRODUÇÃO E CARACTERIZAÇÃO ESPECTROSCÓPICA DE VIDROS DE Produção E Caracterização Espectroscópica De Vidros De Óxidos De Metais Pesados Dopados Com Itérbio Para Uso Em Circuitos Optoeletrônicos. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.

3.
MORIMOTO, N. I.; MANSANO, R. D.; ZAMBOM, L. S.. Participação em banca de Ani Sobral Torres. Deposição de óxido de silício por HD-CVD. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.

4.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS, J. C.; CARVALHO, R. T.. Participação em banca de Acácio Luiz Siarkowski. Implementação de um Sensor Integrado de Pressão Baseado no Interferômetro Mach-Zehnder (IMZ). 2000. Outra participação, Universidade de São Paulo.

5.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Eduardo dos Santos Ferreira. Estudo e Desenvolvimento de Filmes Finos de Silício Microcristalino, Depositados por LPCVD, Aplicados na Passivação de Dispositivos de Potência. 1999. Outra participação, Universidade de São Paulo.

6.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS FILHO, S. G.. Participação em banca de Leandro Zeidan Toquetti. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOSD. 1999. Outra participação, Universidade de São Paulo.

7.
MORIMOTO, N. I.; LAGANÁ, A. A. M.; FURLAN, R.. Participação em banca de Silvana Gasparotto de Souza. Estudo de stress em filmes de silicito de titânio. 1997. Outra participação, Universidade de São Paulo.

8.
FURLAN, R.; MORIMOTO, N. I.; LAGANÁ, A. A. M.. Participação em banca de Ricardo Ichiwaki. Caracterização de filmes de siliceto de titânio. 1996. Outra participação, Universidade de São Paulo.

9.
MORIMOTO, N. I.; SILVA, M. L. P.; CARMONA-RIBEIRO, A. M.. Participação em banca de Luiz Carlos Salay. Estudo comparativo da imobilização de proteínas e membranas lipídicas em superfícies para o desenvolvimento de biosensores integrados. 1996. Outra participação, Universidade de São Paulo.

10.
MORIMOTO, N. I.; SANTOS FILHO, S. G.; SWART, J. W.. Participação em banca de Carlos Eduardo Viana. Caracterização elétrica de filmes de SiO2-TEOS depositados por PECVD. 1996. Outra participação, Universidade de São Paulo.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Concurso público
1.
MORIMOTO, N. I.; CARVALHO, R. T.. CONCURSO PÚBLICO PARA O PROVIMENTO DE DOCENTES DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO. 1999. Universidade de São Paulo.

2.
MORIMOTO, N. I.; FURLAN, R.; MONGELLI NETO, J.. BANCA DE CONCURSO DE ACESSO DE PROFESSORES DA FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO.. 1996. Facldade de Tecnologia de São Paulo.

Outras participações
1.
BONAL, F.; Nilton Itiro Morimoto; BROYER, P.. Comite de Avaliação de projetos junto à Comunidade Europeia. 2012. European Comission.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Chip in Sampa.18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, São Paulo, setembro de 2003.. 2003. (Simpósio).

2.
17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices.17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Porto Alegre, setembro de 2002.. 2002. (Simpósio).

3.
6th Thin Film Transistor Technology Symposium; 202nd ECS Meeting. 6th Thin Film Transistor Technology Symposium; 202nd ECS Meeting; Salt Lake City - Utah - EUA.; 18 a 27 de outubro de 2002. 2002. (Congresso).

4.
12th European Symposium Reliability of Electron Devices (ESREF 01).12th European Symposium Reliability of Electron Devices (ESREF 01). 2001. (Simpósio).

5.
Second University of Sao Paulo/Rutgers University Biotechnology Conference. Second University of Sao Paulo/Rutgers University Biotechnology Conference; August 8-10, 2001; Rutgers University Inn and Conference Center, Ryders Lane, New Brunswick, NJ, USA.. 2001. (Congresso).

6.
XVI International Conference on Microelectronics and Packaging. XVI International Conference on Microelectronics and Packaging. 2001. (Congresso).

7.
6th International Conference on Polycrystalline Semiconductors - Material, Technologies, Large Area Electronics. 6th International Conference on Polycrystalline Semiconductors - Material, Technologies, Large Area Electronics. 2000. (Congresso).

8.
XI Escola de Verão J. A. Swieca Física Nuclear Experimental.XI Escola de Verão J. A. Swieca Física Nuclear Experimental. 2000. (Outra).

9.
XV International Conference on Microelectronics and Packaging. XV International Conference on Microelectronics and Packaging. 2000. (Congresso).

10.
10th European Symposium Reliability of Electron Devices (ESREF 99).10th European Symposium Reliability of Electron Devices (ESREF 99). 1999. (Simpósio).

11.
10th Workshop on Dielectrics in Microelectronics.10th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Barcelona - Espanha, 3 a 5 de novembro de 1999.. 1999. (Simpósio).

12.
Aseva Summer School-Edition 1999 - Asociacion Española Del Vacio Y Sus Aplicaciones.Aseva Summer School-Edition 1999 - Asociacion Española Del Vacio Y Sus Aplicaciones. 1999. (Outra).

13.
V Escola Brasileira de Microeletrônica. V Escola Brasileira de Microeletrônica, 03 a 07 de maio de 1999. 1999. (Congresso).

14.
XIV International Conference on Microelectronics and Packaging. XIV International Conference on Microelectronics and Packaging. 1999. (Congresso).

15.
Seminário temático 20 anos CAPES/COFECUB - Engenharias.Seminário temático 20 anos CAPES/COFECUB - Engenharias - Belo Horizonte - 12 e 13 de novembro de 1998. 1998. (Seminário).

16.
XIII International Conference on Microelectronics and Packaging. XIII International Conference on Microelectronics and Packaging. 1998. (Congresso).

17.
III Workshop Iberchip.III Workshop Iberchip - Cidade do México - México - 18 a 21 de fevereiro de 1997. 1997. (Simpósio).

18.
I Oficina Iberoamericana de Microeletrônica para Aplicações Biomédicas.I Oficina Iberoamericana de Microeletrônica para Aplicações Biomédicas. 1997. (Oficina).

19.
The 4th International Union Materials Research Society - International Conference in Asia, OVTA. The 4th International Union Materials Research Society - International Conference in Asia, OVTA. 1997. (Congresso).

20.
XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1997. (Congresso).

21.
Materials Research Society (MRS) Spring Meeting. Materials Research Society (MRS) Spring Meeting; San Francisco, April 1996. 1996. (Congresso).

22.
XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1996. (Congresso).

23.
II Workshop Iberchip. II Workshop Iberchip - São Paulo - SP - 12 a 15 de fevereiro de 1995. 1995. (Congresso).

24.
X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1995. (Congresso).

25.
III Escola Brasileira de Microeletrônica.III Escola Brasileira de Microeletrônica. 1994. (Outra).

26.
IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1994. (Congresso).

27.
VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1992. (Congresso).

28.
I Escola Brasileira de Microeletrônica.I Escola Brasileira de Microeletrônica. 1990. (Outra).

29.
IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. IV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1989. (Congresso).

30.
III Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. III Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1988. (Congresso).

31.
II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1987. (Congresso).

32.
I Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. I Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1986. (Congresso).

33.
V Simpósio Brasileiro de Microeletrônica.V Simpósio Brasileiro de Microeletrônica. 1985. (Simpósio).

34.
IV Escola de Computação.IV Escola de Computação. 1984. (Outra).

35.
IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica.IV Simpósio Brasileiro de Microeletrônica. 1984. (Simpósio).

36.
III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica.III Simpósio Brasileiro de Microeletrônica. 1983. (Simpósio).

37.
Oficina de Microeletrônica.Oficina de Microeletrônica. 1983. (Oficina).


Organização de eventos, congressos, exposições e feiras
1.
CALDEIRA, L. ; MORIMOTO, N. I. . XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society. 1997. (Congresso).

2.
NOIJE, W. A. M. V. ; BRAGA, N. L. A. ; MORIMOTO, N. I. . XI Conference of the Brazilian Microelectronics Society. 1996. (Congresso).

3.
ZUFFO, J. A. ; MORIMOTO, N. I. ; MAMMANA, C. Z. ; MAMMANA, A. P. . II Workshop Iberchip. 1996. (Congresso).



Orientações



Orientações e supervisões em andamento
Dissertação de mestrado
1.
Marcelo de Andrade Rodrigues. Construção e caracterização de um Forno de Recozimento Térmico Rápido (R.T.P.). Início: 2009. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo. (Orientador).


Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
AMANDA ROSSI MASCARO. ESTUDO DE UM FILME DE SILICETO DE NÍQUEL PARA SER UTILIZADO COMO MATERIAL DE MÁSCARA EM SOLUÇÕES ALCALINAS PARA APLICAÇÕES EM ÓPTICA INTEGRADA. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

2.
Eduardo Lodi Marzano. Deposição de AlN para a Fabricação de Sensores de Pressão SAW. 2005. 214 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

3.
Marcelo Faustino. Estudo da reprodutibilidade e da confiabilidade do processo de deposição do filme SIPOS para a passivação de dispositivos de potência. 2003. 68 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

4.
Fabiana Lodi Marzano. PASSIVAÇÃO À VIDRO DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS EM DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA. 2002. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

5.
Acacio Luiz Siarkowski. IMPLEMENTAÇÃO DE UM SENSOR ÓPTICO INTEGRADO DE PRESSÃO BASEADO NO INTERFERÔMETRO MACH-ZEHNDER (IMZ). 2001. 90 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

6.
Eduardo dos Santos Ferreira. Estudo e desenvolvimento de filmes sipos para a passivação de dispositivos de potência. 2000. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

7.
Carlos Eduardo Viana. Caracterização Elétrica de Filmes de SiO2 TEOS Depositados por PECVD e Estudo da Interface Si/SiO2. 1998. 0 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

Tese de doutorado
1.
Bruno da Silva Rodrigues. Projeto e implementação de um sistema matricial para medição de pH baseado em transistores de porta suspensa(SGFET). 2011. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

2.
Eduardo dos Santos Ferreira. Sistema de controle do comprimento de onda central de diodos emissores de luz para estabilização de giroscópios à fibra óptica.. 2005. 85 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

3.
Acacio Luiz Siarkowski. Sensores ópticos químicos integrados utilizando os processos convencionais de microeletrônica.. 2002. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

4.
Carlos Eduardo Viana. Estudo e Desenvolvimento de Uma Tecnologia CMOS-TFT à Baixa Temperatura.. 2002. 139 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

5.
Ana Neilde Rodrigues da Silva. Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces. 2000. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, . Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

6.
Douglas Anderson Pereira Bulla. Desenvolvimento e caracterização de filmes finos de óxidos de silício e nitreto de silício para a fabricação de guias e sensores ópticos. 1999. 0 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

Trabalho de conclusão de curso de graduação
1.
Ricardo Gonçalves Mendes. Deposição e Caracterização de Filmes Finos de Nitreto de Alumínio.. 1998. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Facldade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

2.
Milton Soares de Moraes Junior. Visualização Gráfica dos Fenômenos de Geração e Recombinação de Portadores em Materiais Semicondutores. 1997. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Facldade de Tecnologia de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

3.
André Luis Molissani. Ensaio de Cabos e Receptáculos de Alta Tensão para Aparelhos de Radiodiagnóstico.. 1995. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Facldade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

4.
Iraceli Alkimim Sanches. Ensaios de Segurança para bombas de Infusão. 1995. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Facldade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

5.
Sérgio Lopes Jumior. Ensaio de Cabos e Receptáculos de Alta Tensão para Aparelhos de Radiodiagnóstico. 1995. 0 f. Trabalho de Conclusão de Curso. (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Facldade de Tecnologia de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

Iniciação científica
1.
Fernando Matsumoto. Caracterização Física e Elétrica de Filmes Finos de Óxido de Silício não Dopados Depositados por PECVD. 1996. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

2.
Flavio Massami Yoshihiro. Caracterização de Filmes Finos de Óxido de Silício Depositados por PECVD.. 1995. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

3.
Eduardo Gorga Campos. Tratamento de perfis de difração de raio X: Cálculo do tamanho de cristalito e microtensão.. 1992. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

4.
Marcos Yamaguti. Desenvolvimento de um programa estruturado para a determinação do tamanho de cristalito e microtensão através da deconvolução do perfil do pico de difração.. 1990. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

5.
Paulo Atsushi Suzuki. Análise de monocristais por difração de raio X.. 1990. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

6.
Takahiro Matsumoto. Técnicas de medida de stress por meios óticos.. 1989. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Financiadora de Estudos e Projetos. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

7.
Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Melhoramentos do equipamento de sputtering.. 1988. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Financiadora de Estudos e Projetos. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

Orientações de outra natureza
1.
Carlos Eduardo Viana. Aplicações de CMOS-TFT's - Implementados com Filmes De Óxido de Silício (TEOS) - em Sensores Inteligentes. 2014. 0 f. Orientação de outra natureza - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

2.
Luiz Carlos Donizetti Gonçalves. APLICAÇÕES DE CMOS-TFT'S - IMPLEMENTADOS COM FILMES DE ÓXIDO DE SILÍCIO (TEOS) - EM SENSORES INTELIGENTES. 2012. 0 f. Orientação de outra natureza - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

3.
Douglas Anderson Pereira Bulla. Projeto e Fabricação de Hologramas Gerados por Computador Integrados sobre Guias de Onda Ópticos em Substrato de Silício: Aplicações às Interconexões. 2009. 0 f. Orientação de outra natureza - Universidade de São Paulo. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.

4.
João Vicente Zampieron. Desenvolvimento de sensores ópticos de hidrogênio baseados em filmes finos de Ytrio e Paládio. 2005. 69 f. Orientação de outra natureza - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Nilton Itiro Morimoto.



Inovação



Patente
1.
 SANTOS, R. M. ; Morimoto,N.I. ; KWON, J. H. ; ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. . SISTEMA E MÉTODO DE INTERAÇÃO ENTRE USUÁRIOS DE PLATAFORMAS DE TRANSMISSÃO DE SINAIS ANALÓGICOS E RECEPÇÃO DE SINAIS DIGITALIZADOS UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES (SMARTDEVICES). 2017, Brasil.
Patente: Modelo de Utilidade. Número do registro: BR10201702300, título: "SISTEMA E MÉTODO DE INTERAÇÃO ENTRE USUÁRIOS DE PLATAFORMAS DE TRANSMISSÃO DE SINAIS ANALÓGICOS E RECEPÇÃO DE SINAIS DIGITALIZADOS UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES (SMARTDEVICES)" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 25/10/2017

2.
 PIRES, B. M. ; KWON, J. H. ; MENEZES, J. C. M. ; ARAUJO, H. P. ; Morimoto,N.I. ; SANTOS, R. M. ; PAIVA, T. H. ; ISSA, V. A. ; SANTANA, W. S. ; FERMIANO, M. G. . SISTEMA E MÉTODO DE TRANSMISSÃO E RECEPÇÃO DE SINAIS ANALÓGICOS MULTICANAL UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES {SMARTDEVICES). 2017, Brasil.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: BR2017050015, título: "SISTEMA E MÉTODO DE TRANSMISSÃO E RECEPÇÃO DE SINAIS ANALÓGICOS MULTICANAL UTILIZANDO REDES DE DADOS SEM FIOS (WIRELESS) CONECTADOS EM EQUIPAMENTOS INTELIGENTES {SMARTDEVICES)" , Instituição de registro: INPI - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Depósito: 30/01/2017; Concessão: 10/08/2017.


Topografia de circuito integrado registrada
1.
 TOMA, M. ; ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. ; Nilton Itiro Morimoto . Circuito integrado controlador para conversão de potência (driver). 2017, Brasil.
Patente: Topografia de Circuito Integrado Registrada. Número do registro: PORTARIA1032, título: "Circuito integrado controlador para conversão de potência (driver)" , Instituição de registro: Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações. Instituição(ões) financiadora(s): Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis Tecnológico LSI-TEC.

2.
 ARAUJO, H. P. ; SANTANA, W. S. ; ABREU, A. ; Morimoto,N.I. . Circuito integrado eletrônico NFC (Near Field Communication). 2017, Brasil.
Patente: Topografia de Circuito Integrado Registrada. Número do registro: PORTARIA464, título: "Circuito integrado eletrônico NFC (Near Field Communication)" , Instituição de registro: Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações. Instituição(ões) financiadora(s): Positivo Informática S.A, CNPJ/MF no 81.243.735/0001-48 e MGB Serviços e Computadores S.A, CNPJ/MF no 18.163.016/0001-80,.


Projetos de pesquisa

Projeto de desenvolvimento tecnológico


Outras informações relevantes


- Diretor Financeiro da Associação do Laboratório de Sistemas Integráveis ? LSI-Tec (2001 a 2017) - associação civil, de direito privado, sem fins lucrativos, que tem como objetivo alavancar oportunidades tecnológicas e promover o desenvolvimento de bens e serviços, transferindo-os para a sociedade, prioritariamente através da expansão e complementação das atuais facilidades e competências do LSI - Laboratório de Sistemas Integráveis da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

- Coordenador da Design House do LSI-Tec ? Esta design house é uma das 5 instituídas pelo MCT em setembro de 2005 e faz parte do Programa CI Brasil.

- Presidente da Sbmicro de setembro 2008 a setembro de 2012

- Vice-Presidente da Sbmicro de setembro de 2012 a setembro de 2016

- Membro do Grupo de Coordenação do Programa CI-Brasil ? desde 07/2006

- Coodenador do Programa CI Brasil - desde Feveiro de 2014

- Membro Suplente do CATI (Comitê da Área de Tecnologia da Informação) ? desde 07/2009

- Membro suplente do Conselho da Associação do CEITEC (Centro de Excelência em Tecnologia Eletrônica Avançada) ? de 07/2003 ate 05/2012

Membro nomeado para o Conselho Consultivo da CEITEC AS ? desde 01/2009

Membro do Comitê Temático de avaliação das propostas submetidas ao Edital MCT/CNPq 70/2008 - (vide http://www.cnpq.br/editais/ct/2008/070.htm) no grupo temático "Engenharias" ? 02 a 05 de fevereiro de 2009.

Membro do Comitê Temático de avaliação das propostas submetidas ao Edital MCT/CNPq 70/2008 - 2ª Chamada (vide http://www.cnpq.br/editais/ct/2008/070.htm) no grupo temático "Engenharias" ? 16 a 19 de junho de 2009.



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