Sonia Guimarães
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- Última atualização do currículo em 21/12/2017
possui graduação em Licenciatura Ciências - Duração Plena pela Universidade Federal de São Carlos (1979), mestrado em Física Aplicada pelo Instituto de Física e Química de São Carlos - Universidade de São Paulo (1983) e doutorado (PhD) em Materiais Eletrônicos - The University Of Manchester Institute Of Science And Technology (1989). Atualmente é Professor Adjunto II do Instituto Tecnológico da Aeronáutica ? ITA do Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial ? DCTA. Tem experiência na área de Física Aplicada, com ênfase em Propriedade Eletróticas de Ligas Semicondutoras Crescidas Epitaxialmente, atuando principalmente nos seguintes temas: crescimento epitaxial de camadas de telureto de chumbo e antimoneto de índio por difusão, processamento, obtenção e caracterização de dispositivos fotocondutores e sensores de radiação infravermelha. Tem experiência também na área de Ensino de Física aplicando a Metodologia de Aprendizagem Baseada em Problemas/Projetos ? ABP (PBL em inglês), utilizando as ferramentas computacionais: Tracker, Arduino e Mathematica. (Texto informado pelo autor)
Endereço
Praça Marechal Eduardo Gomes,50 - Divisão de Ciências Fundamentais - IEFF
Campus do CTA
12228900 - São José dos Campos, SP - Brasil
Telefone: (12) 39476959
URL da Homepage: http://www.ita.br
Formação acadêmica/titulação
The University Of Manchester Institute Of Science And Technology, UMIST, Inglaterra.
Título: Enhanced Diffusion and the Evolution of Point Defects Species during Annealing of Boron Implanted in Silicon, Ano de obtenção: 1989.
Orientador: Antony Robert Peaker.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: caracterização de junções super rasas; implantação iônica; caracterização de defeitos profundos; microscopia eletrônica de varredura; fabricação de dispositivos microeletrônicos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Fabricação de Dispositivos Microeletrônicos.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Espectroscopia de Defeitos Profundos.
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.
Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Título: Desenvolvimento da Técnica Elipsométrica para Caracterização Ótica de Filmes Finos,Ano de Obtenção: 1983.
Orientador:

Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: elisometria de filmes finos; filmes finos antirefletores para células solares; caracterização eletro-ótica de células solares; materiais semicondutores.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Caracterização de Células Solares.
Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.
Consiglio Nazionale Delle Ricerche, CNR, Itália.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Universidade Federal de São Carlos, UFSCAR, Brasil.
Formação Complementar
Instituto de Fomento e Coordenação Industrial, IFI, Brasil.
Atuação Profissional
Operacionalização do Microscópio Eletrônico de Varredura com Contraste de Tensão.
Linhas de pesquisa
Áreas de atuação
Idiomas
Prêmios e títulos
Produções









Bancas
Eventos
Orientações
Educação e Popularização de C & T



Outras informações relevantes
Conselheira Fundadora da ONG afrobras mantenedora da Universidade Zumbi dos Palmares www.zumbidospalmares.edu.br Conselheira do Conselho de Desenvolvimento Econômico e Social ? CDES, da Presidência da República: www.cdes.gov.br Conselheira do Conselho Municipal de Promoção da Igualdade Racial de São José dos Campos. Voluntária na ONG Integra São José dos Campos, SP/Brasil Membra a Associação Brasileira de Pesquisadores Negros - ABPN