Gilberto Medeiros Ribeiro

Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq - Nível 1B

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  • Última atualização do currículo em 03/08/2018


Possui graduação em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal de Minas Gerais (1990), mestrado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1993) e doutorado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1996) com estágio sandwich em Engenharia de materiais na UC Santa Barbara. Trabalhou no Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, em Campinas, nos laboratorios da Hewlett-Packard em Palo Alto, California, e na CEITEC-S.A, Rio Grande do Sul. Atualmente é professor Titular do departamento de Ciência da Computação e diretor do Núcleo de Inovação Tecnológica da Universidade Federal de Minas Gerais. Tem experiência nas áreas de Física, Engenharias, em particular dispositivos para memórias não-voláteis, materiais, e instrumentação, tendo publicado 158 artigos com mais de 8600 citações, e 47 patentes concedidas no USPTO na área de dispositivos e sistemas de armazenamento de dados. Tem interesse nas areas de fisica da informacao, arquitetura de computadores, processamento neuromorfico, aprendizado de maquina. (Texto informado pelo autor)


Identificação


Nome
Gilberto Medeiros Ribeiro
Nome em citações bibliográficas
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G

Endereço


Endereço Profissional
Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Ciência da Computação.
Universidade Federal de Minas Gerais
Pampulha
31270901 - Belo Horizonte, MG - Brasil
Telefone: (31) 34096618
URL da Homepage: www.fisica.ufmg.br


Formação acadêmica/titulação


1993 - 1996
Doutorado em Física.
Universidade Federal de Minas Gerais, UFMG, Brasil.
Título: Crescimento e espectroscopia de pontos quânticos de InAs, Ano de obtenção: 1996.
Orientador: Alfredo Gontijo de Oliveira.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Palavras-chave: nanoestruturas.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
1991 - 1993
Mestrado em Física.
Universidade Federal de Minas Gerais, UFMG, Brasil.
Título: Propriedades Óticas e de transporte de ligas de Al0.3Ga0.7As,Ano de Obtenção: 1993.
Orientador: Alfredo Gontijo de Oliveira.
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.
1986 - 1990
Graduação em Engenharia Elétrica.
Universidade Federal de Minas Gerais, UFMG, Brasil.


Pós-doutorado e Livre-docência


2008
Livre-docência.
Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
Título: , Ano de obtenção: 2008.
1996 - 1999
Pós-Doutorado.
Hewlett Packad Labs, HPL, Estados Unidos.
Grande área: Engenharias


Atuação Profissional



Centro de Excelência em Tecnologia Eletrônica Avançada, CEITEC, Brasil.
Vínculo institucional

2012 - 2013
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Superintendente


Universidade Federal de Minas Gerais, UFMG, Brasil.
Vínculo institucional

2017 - Atual
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações
Remoção para o Departamento da Ciência da Computação

Vínculo institucional

2014 - Atual
Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Diretor da CTIT, Carga horária: 20

Vínculo institucional

2013 - 2017
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Vínculo institucional

2012 - 2012
Vínculo: Professor vistante, Enquadramento Funcional: Departamento de Fisica, Regime: Dedicação exclusiva.


Hewlett-Packard Laboratories, HP LABS, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2008 - 2012
Vínculo: , Enquadramento Funcional: Gerente de pesquisa, Carga horária: 45

Atividades

05/2008 - Atual
Direção e administração, Cognitive Systems Lab (CSL), .

Cargo ou função
Gerente de P&D para as atividades em Memristores.

Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, CNPEM, Brasil.
Vínculo institucional

1999 - 2008
Vínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Pesquisador - Divisao Cientifica, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

8/2002 - 11/2008
Direção e administração, Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, .

Cargo ou função
Coordenador do Programa PIBIC.
1999 - 2008
Pesquisa e desenvolvimento , Mta, .

07/2002 - 12/2007
Pesquisa e desenvolvimento , Mta, .


Hewlett Packad Labs, HPL, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2002 - 2002
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: , Carga horária: 40

Vínculo institucional

2000 - 2000
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: , Carga horária: 40

Vínculo institucional

1999 - 1999
Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: , Carga horária: 40

Vínculo institucional

1996 - 1999
Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Outro, Carga horária: 0
Outras informações
Pos Doutoramento/Estágio

Atividades

2/2002 - 3/2002
Pesquisa e desenvolvimento , Quantum Structures Research, .

12/2000 - 12/2000
Pesquisa e desenvolvimento , Quantum Structures Research, .

10/1999 - 11/1999
Pesquisa e desenvolvimento , Quantum Structures Research, .

Linhas de pesquisa
Estruturas quânticas
4/1996 - 5/1999
Pesquisa e desenvolvimento , Hewlett Packad Labs, .


HP Labs Palo Alto, HP Labs, Estados Unidos.
Vínculo institucional

2006 - 2007
Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40
Outras informações
Licensa Sabatico, trabalhando nas areas de informacao quantica, termodinamica de nanocristais, e deposicao de moleculas organicas em metais.



Linhas de pesquisa


1.
Microscopia de tunelamento e forca atomica

Objetivo: Estudo de sistemas nanoestruturados, processos de crescimento de cristais e manipulacao de pequenos objetos..
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.
Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Industria Eletro-Eletrônica.
Palavras-chave: nanoestruturas.
2.
Processamento de Informacao Quantica (PIQ), financiado pela HP Brasil
3.
Estruturas quânticas
4.
Pesquisa em estruturas quânticas
5.
Pesquisa em fios quânticos de ErSi
6.
Pesquisa em sistemas de baixa dimensionalidade, pontos quanticos


Projetos de pesquisa


2013 - Atual
Filmes de h-Ge:BN: crescimento e propriedades morfológicas, estruturais e eletrônicas
Descrição: Isolantes topológicos representam uma classe de materiais que tem sido muito popular como tópico de pesquisa em Física da Matéria Condensada. Isolantes topológicos são materiais que no bulk são isolantes, mas nas interfaces e defeitos são condutores. Um candidato que tem se cogitado para ocupar esta classe de materiais seria o grafeno, se fosse possível a criação de um gap de energia. Diversas estratégias tem sido apresentadas, mas até o momento os resultados experimentais ainda não trouxeram uma clara assinatura deste comportamento. Neste interim, foi proposto a criação dos sistemas h-Si e h-Ge, redes hexagonais de uma monocamada, que viesse a trazer mais oportunidades neste meio. Cálculos teóricos indicam que ambos materiais podem vir a apresentar um gap, seja através de terminação com hidrogênio, seja através de campo elétrico externo aplicado. No entnaot, só existe até o momento resultados reportados para o h-Si. O objeto desta proposta de pesquisa é de realizar os primeiros filmes de h-Ge, em substratos de Ag e subsequentemente, em h-BN. Medidas de STM, LEED, AFM, EFM e Raman serão utilizadas na caracterização morfológica, estrutural e eletrônica dos filmes crescidos..
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.
2005 - 2011
rede SPM Brasil
Descrição: Chamada: CT - AÇÃO TRANSVERSAL / Edital MCT/CNPq nº 29/2005 - Programa Nac. de Nanotecnologia - Programa Rede BrasilNano - Fase 2 Resumo: Inicialmente inspirado por um instrumento trabalhando em campo distante, foi construído o microscópio de tunelamento, que permitiu que imagens com resolução atômica de superfícies limpas pudessem ser realizadas. A partir daí um enorme desenvolvimento se deu, originando uma série de outras formas de se observar o mundo nanoscópico, onde agora a força entre uma ponta e uma superfície qualquer poderia ser utilizada como parâmetro de controle. Inúmeras aplicações surgiram nestes últimos 20 anos, e hoje pode-se dizer que a tecnologia de microscopia de varredura de sondas é um dos principais pilares do conhecimento em Nanociências. No pais esta área tem crescido bastante nos últimos 10 anos, e hoje o país dispõe de dezenas de equipamentos comerciais, e algumas iniciativas esparsas de construção e instrumentação. Existe no entanto carências, mais notavelmente na área de microscopia a baixa temperatura e em um esforço concentrado na criação de novos instrumentos otimizados a aplicações específicas. A capacitação tanto em termos de instrumento e instrumentação permite que se atue diretamente em problemas associados a fenômenos que ocorrem em uma escala nanométrica. O estudo de fenômenos que ocorrem em escala nanométrica necessita de ferramentas poderosas, e invariavelmente, específicas. Ou seja - não existe uma solução tamanho único, cada problema precisa de uma adequação. A visualização de forças, propriedades eletrônicas, manipulação e síntese de materiais pode ser realizada em sistemas baseados em microscopia de varredura de sondas (SPM), compartilhando hardware e software de controle, programas de processamento de imagens, e um expertise que perpassa as mais variadas áreas de conhecimento. A investigação de nanosistemas por SPM representa portanto um problema bem definido de caráter multi e interdisciplinar, e que apresenta uma exce.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
2005 - 2008
Sintonia do crescimento de nanocristais para aplicações em processamento de informação quântica no estado sólido
Descrição: O problema a ser abordado no presente projeto de colaboração internacional se refere ao crescimento, caracterização estrutural e eletrônica de nanocristais, modelamento teórico e implementações experimentais onde se possa realizar o processamento de informação no seu estado quântico. A implementação escolhida por ora se concentra nos denominados pontos quânticos, que possuem propriedades eletrônicas que emulam as de um átomo. Por conseguinte, da mesma forma que física atômica exerceu um papel importante e ainda exerce no que concerne a geração de padrões de freqüência e tempo, assim como as primeiras implementações bem sucedidas de hardware para o processamento de informação quântica, o que se pretende neste projeto que abrange Argentina, Brasil, Canadá e Estados Unidos, é desenvolver de forma análoga implementações contendo pontos quânticos. Trata-se, portanto, de um trabalho de colaboração que o foco dos resultados concentram-se primariamente em física básica. Para que esta implementação que ora propomos seja bem sucedida, um esforço significativo na área de materiais deve ser realizado. Este esforço inclui mas não se limita a crescimento de cristais, caracterização por técnicas de microscopia e de difração de raios-X, técnicas de caracterização ótica de femtosegundo, técnicas de medidas em alta freqüência por microondas, teoria de massa efetiva, enfim, uma série de atividades que exigem atributos tais que não se encontram em uma só pessoa. A idéia de se utilizar pontos quânticos não é no entanto nova, e tem havido um esforço mundial nesta direção. Várias propostas tem sido apresentadas, no entanto há apenas um pequeno número de estórias de sucesso utilizando elétrons isolados, excitons ou spins em pontos quânticos para a manipulação coerente de estados quânticos. Preparação, manipulação e leitura não foram alcançados em um único sistema ainda. As razões pelas quais isto se dá concerne primariamente aspectos experimentais, mas principalmente as propriedades de mat.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (4) .
Integrantes: Gilberto Medeiros Ribeiro - Coordenador / Levy, Jeremy - Integrante / Kycia, Stefan - Integrante / Pablo Tamborenea - Integrante.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - 2004
Projeto Jovem Pesquisador FAPESP 98/14757-4
Descrição: A motivação para o estudo de nanoestruturas tem duas facetas: a) implementação de novos dispositivos que usem propriedades quânticas e de Coulomb Blockade; e b) criação de novos materiais com propriedades projetadas em função das características de um pequeno número de objetos mesoscópicos, em analogia a átomos e moléculas em um sólido. O objetivo deste projeto é aprender fazer estruturas pequenas e entender as propriedades eletrônicas destas através de medidas de transporte elétrico. O método a ser utilizado consiste em microscopia de varredura de provas (SPM - scanning probe microscopy). Esta técnica será utilizada para metrologia, manipulação delicada de nanoestruturas, espectroscopia de capacitância e espectroscopia de tunelamento. Este projeto se subdivide nos seguintes projetos, que exploram áreas importantes mas pouco entendidas: a) Estudo de propriedades elétricas de nanotubos através da manipulação destes por uma ponta. Microscopia de força atômica permite a aplicação de forças na faixa de nN. Pode-se então fazer o contato entre uma ponta condutora com um nanotubo e um substrato condutor de maneira delicada; b) Adesão de nanopartículas a nanotubos ou pontas e estudo de propriedades eletrônicas de um objeto isolado. Pretende-se estudar as propriedades de nanocristais criados por síntese química deste modo; c) Estudo das propriedades de transporte de um gás bidimensional contendo nanoestruturas com propriedades sintonizáveis. As aplicações desta estrutura seriam no entendimento de processos de transporte por Hopping, transição metal-isolante e na concepção de detetores de infravermelho distante. Este sistema seria crescido por MOCVD em colaboração com o CPqD Paralelamente aos interesses científicos deste projeto, um desenvolvimento da parte técnica do laboratório será buscado. Os desenvolvimentos que permitirão a execução deste projeto e garantirão bons prospectos futuros são: a) desenvolvimento de software para visualização e análise de imagens;.
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa.
Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) .
Integrantes: Gilberto Medeiros Ribeiro - Coordenador / Evaldo Ribeiro - Integrante.Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Número de produções C, T & A: 16 / Número de orientações: 4


Membro de corpo editorial


2002 - Atual
Periódico: Applied Physics. A, Materials Science & Processing


Áreas de atuação


1.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Ciência da Computação / Subárea: Sistemas de Computação/Especialidade: Hardware.
2.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
3.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.
4.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.


Idiomas


Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Alemão
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.


Produções



Produção bibliográfica
Citações

Web of Science
Total de trabalhos:158
Total de citações:8863
Fator H:50
medeiros ribeiro, gilberto  Data: 21/02/2018

Artigos completos publicados em periódicos

1.
Yi, Wei2016Yi, Wei ; SAVEL'EV, SERGEY E. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Miao, Feng ; Zhang, M.-X. ; Yang, J. Joshua ; BRATKOVSKY, ALEXANDER M. ; Williams, R. Stanley . Quantized conductance coincides with state instability and excess noise in tantalum oxide memristors. Nature Communications, v. 7, p. 11142, 2016.

2.
ARAUJO, E. N. D.2015ARAUJO, E. N. D. ; BRANT, J. C. ; Archanjo, B. S. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; PLENTZ, F. ; ALVES, E. S. . Patterning graphene with a helium ion microscope: Observation of metal-insulator transition induced by disorder. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 91, p. 245414, 2015.

3.
ARCHANJO, BRAULIO S.2014ARCHANJO, BRAULIO S. ; FRAGNEAUD, BENJAMIN ; GUSTAVO CANÇADO, LUIZ ; WINSTON, DONALD ; Miao, Feng ; ALBERTO ACHETE, CARLOS ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Graphene nanoribbon superlattices fabricated via He ion lithography. Applied Physics Letters, v. 104, p. 193114, 2014.

4.
Strachan, John Paul2013Strachan, John Paul ; Torrezan, Antonio C. ; Miao, Feng ; Pickett, Matthew D. ; Yang, J. Joshua ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . State Dynamics and Modeling of Tantalum Oxide Memristors. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, p. 2194-2202, 2013.

5.
GOLDFARB, I2013GOLDFARB, I ; OHLBERG, D A A ; STRACHAN, J P ; PICKETT, M D ; Yang, J Joshua ; Medeiros-Ribeiro, G ; WILLIAMS, R S . Band offsets in transition-metal oxide heterostructures. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print), v. 46, p. 295303, 2013.

6.
Strachan, John Paul2013Strachan, John Paul ; Yang, J Joshua ; MONTORO, L A ; OSPINA, C A ; RAMIREZ, A J ; KILCOYNE, A L D ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R Stanley . Characterization of electroforming-free titanium dioxide memristors. BEILSTEIN J NANOTECH, v. 4, p. 467-473, 2013.

7.
Goldfarb, I.2012Goldfarb, I. ; Miao, F. ; Yang, J. Joshua ; Yi, W. ; Strachan, J. P. ; Zhang, M.-X. ; Pickett, M. D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Williams, R. Stanley . Electronic structure and transport measurements of amorphous transition-metal oxides: observation of Fermi glass behavior. Applied Physics. A, Materials Science & Processing (Print), v. 107, p. 1-11, 2012.

8.
Joshua Yang, J.2012Joshua Yang, J. ; Zhang, M.-X. ; Pickett, Matthew D. ; Miao, Feng ; Paul Strachan, John ; Li, Wen-Di ; Yi, Wei ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Joon Choi, Byung ; Wu, Wei ; Nickel, Janice H. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Stanley Williams, R. . Engineering nonlinearity into memristors for passive crossbar applications. Applied Physics Letters, v. 100, p. 113501, 2012.

9.
Miao, Feng2012Miao, Feng ; Yi, Wei ; Goldfarb, Ilan ; Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian ; Pickett, Matthew D. ; Strachan, John Paul ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Continuous Electrical Tuning of the Chemical Composition of TaO -Based Memristors. ACS Nano, v. 6, p. 2312-2318, 2012.

10.
Leite, Marina S.2012Leite, Marina S. ; Kamins, Theodore I. ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Intermixing during Ripening in Ge Si Incoherent Epitaxial Nanocrystals. Journal of physical chemistry. C, v. 116, p. 901-907, 2012.

11.
Qureshi, M.S.2012Qureshi, M.S. ; Yi, W. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R.S. . AC sense technique for memristor crossbar. Electronics Letters, v. 48, p. 757, 2012.

12.
Pickett, Matthew D.2012Pickett, Matthew D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . A scalable neuristor built with Mott memristors. Nature Materials (Print), v. 12, p. 114-117, 2012.

13.
CHOI, BYUNG JOON2012CHOI, BYUNG JOON ; Yang, J. Joshua ; Zhang, M.-X. ; NORRIS, KATE J. ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Kobayashi, Nobuhiko P. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Nitride memristors. Applied Physics. A, Materials Science & Processing (Internet), v. 109, p. 1-4, 2012.

14.
Strachan, John Paul2011Strachan, John Paul ; Torrezan, Antonio C ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R Stanley . Measuring the switching dynamics and energy efficiency of tantalum oxide memristors. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 505402, 2011.

15.
Miao, Feng2011Miao, Feng ; Strachan, John Paul ; Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian ; Goldfarb, Ilan ; Torrezan, Antonio C. ; Eschbach, Peter ; Kelley, Ronald D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Anatomy of a Nanoscale Conduction Channel Reveals the Mechanism of a High-Performance Memristor. Advanced Materials (Weinheim Print), v. 23, p. 5633-5640, 2011.

16.
Torrezan, Antonio C2011Torrezan, Antonio C ; Strachan, John Paul ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R Stanley . Sub-nanosecond switching of a tantalum oxide memristor. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 485203, 2011.

17.
Xia, Qiangfei2011Xia, Qiangfei ; Pickett, Matthew D. ; Yang, J. Joshua ; Li, Xuema ; Wu, Wei ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Two- and Three-Terminal Resistive Switches: Nanometer-Scale Memristors and Memistors. Advanced Functional Materials (Print), v. 21, p. 2660-2665, 2011.

18.
Siles, Pablo F.2011Siles, Pablo F. ; Baptista, D. L. ; Joshua, J. ; NEVES, B. R. A. ; PIMENTEL, V. L. ; Archanjo, B. S. ; Medeiros-Ribeiro, G. . Nanoscale lateral switchable rectifiers fabricated by local anodic oxidation. Journal of Applied Physics, v. 110, p. 024511, 2011.

19.
Miao, Feng2011Miao, Feng ; Joshua Yang, J ; Borghetti, Julien ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Stanley Williams, R . Observation of two resistance switching modes in TiO memristive devices electroformed at low current. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 254007, 2011.

20.
Strachan, John Paul2011Strachan, John Paul ; Strukov, Dmitri B ; Borghetti, Julien ; Joshua Yang, J ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Stanley Williams, R . The switching location of a bipolar memristor: chemical, thermal and structural mapping. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 254015, 2011.

21.
Xia, Qiangfei2011Xia, Qiangfei ; Pickett, Matthew D ; Yang, J Joshua ; Zhang, M-X ; Borghetti, Julien ; Li, Xuema ; Wu, Wei ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Stanley Williams, R . Impact of geometry on the performance of memristive nanodevices. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 254026, 2011.

22.
Strachan, John Paul2011Strachan, John Paul ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yang, J. Joshua ; Zhang, M.-X. ; Miao, Feng ; Goldfarb, Ilan ; Holt, Martin ; Rose, Volker ; Williams, R. Stanley . Spectromicroscopy of tantalum oxide memristors. Applied Physics Letters, v. 98, p. 242114, 2011.

23.
Cheng, Guanglei2011Cheng, Guanglei ; Siles, Pablo F. ; Bi, Feng ; Cen, Cheng ; Bogorin, Daniela F. ; Bark, Chung Wung ; Folkman, Chad M. ; Park, Jae-Wan ; Eom, Chang-Beom ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Levy, Jeremy . Sketched oxide single-electron transistor. Nature Nanotechnology (Print), v. 6, p. 343-347, 2011.

24.
Pickett, Matthew D.2011Pickett, Matthew D. ; Borghetti, Julien ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Coexistence of Memristance and Negative Differential Resistance in a Nanoscale Metal-Oxide-Metal System. Advanced Materials (Weinheim Print), v. 23, p. 1730-1733, 2011.

25.
Medeiros-Ribeiro, Gilberto2011Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Perner, Frederick ; Carter, Richard ; Abdalla, Hisham ; Pickett, Matthew D ; WILLIAMS, R Stanley . Lognormal switching times for titanium dioxide bipolar memristors: origin and resolution. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 22, p. 095702, 2011.

26.
Yang, J. Joshua2011Yang, J. Joshua ; Strachan, John Paul ; Miao, Feng ; Zhang, Min-Xian ; Pickett, Matthew D. ; Yi, Wei ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . Metal/TiO2 interfaces for memristive switches. Applied Physics. A, Materials Science & Processing (Print), v. 102, p. 785-789, 2011.

27.
Yi, Wei2011Yi, Wei ; Perner, Frederick ; Qureshi, Muhammad Shakeel ; Abdalla, Hisham ; Pickett, Matthew D. ; Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian Max ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Feedback write scheme for memristive switching devices. Applied Physics. A, Materials Science & Processing (Print), v. 102, p. 973-982, 2011.

28.
Yang, J. Joshua2011Yang, J. Joshua ; Kobayashi, Nobuhiko P. ; Strachan, John Paul ; Zhang, M.-X. ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Pickett, Matthew D. ; Li, Zhiyong ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Dopant Control by Atomic Layer Deposition in Oxide Films for Memristive Switches. Chemistry of Materials, v. 23, p. 123-125, 2011.

29.
Yang, J. Joshua2010Yang, J. Joshua ; Zhang, M.-X. ; Strachan, John Paul ; Miao, Feng ; Pickett, Matthew D. ; Kelley, Ronald D. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . High switching endurance in TaO[sub x] memristive devices. Applied Physics Letters, v. 97, p. 232102, 2010.

30.
Yang, J. Joshua2010Yang, J. Joshua ; Strachan, John Paul ; Xia, Qiangfei ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Kuekes, Philip J. ; Kelley, Ronald D. ; Stickle, William F. ; Stewart, Duncan R. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Diffusion of Adhesion Layer Metals Controls Nanoscale Memristive Switching. Advanced Materials (Weinheim Print), v. 22, p. 4034-4038, 2010.

31.
Strachan, John Paul2010Strachan, John Paul ; Pickett, Matthew D. ; Yang, J. Joshua ; Aloni, Shaul ; David Kilcoyne, A. L. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Stanley Williams, R. . Direct Identification of the Conducting Channels in a Functioning Memristive Device. Advanced Materials (Weinheim Print), v. 22, p. 3573-3577, 2010.

32.
Montoro, Luciano A.2010Montoro, Luciano A. ; Ramirez, Antonio J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Novel Approach for High-Resolution Elastic Behavior Assessment of Alloyed Strained Nanostructures. Journal of Physical Chemistry. C. (Online), v. 114, p. 12409-12415, 2010.

33.
Malachias, A.2010Malachias, A. ; Stoffel, M. ; Schmidbauer, M. ; Schulli, T. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Schmidt, O. ; Magalhães-Paniago, Rogerio ; Metzger, T. . Atomic ordering dependence on growth method in Ge:Si(001) islands: Influence of surface kinetic and thermodynamic interdiffusion mechanisms. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, v. 82, p. 035307, 2010.

34.
Robinett, Warren2010Robinett, Warren ; Pickett, Matthew ; Borghetti, Julien ; Xia, Qiangfei ; Snider, Gregory S ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R Stanley . A memristor-based nonvolatile latch circuit. Nanotechnology (Bristol. Print), v. 21, p. 235203, 2010.

35.
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WARBURTON, R. J.1998WARBURTON, R. J. ; MILLER, B. T. ; DURR, C. S. ; BODEFELD, C. ; KARRAI, K. ; KOTTHAUS, J. P. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. ; HUANT, S. . Coulomb Interactions In Small Charge-Tunable Quantum Dots: A Simple Model. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 58, n.24, p. 16221-16231, 1998.

104.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1998MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; KAMINS, T. I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Annealing Of Ge Nanocrystals On Si(001) At 550 Degrees C: Metastability Of Huts And The Stability Of Pyramids And Domes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 58, n.7, p. 3533-3536, 1998.

105.
SCHMIDT, K. H.1998SCHMIDT, K. H. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Photoluminescence Of Charged Inas Self-Assembled Quantum Dots. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 58, n.7, p. 3597-3600, 1998.

106.
RIBEIRO, E.1998RIBEIRO, E. ; MULLER, E. ; HEINZEL, T. ; AUDERSET, H. ; ENSSLIN, K. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Inas Self-Assembled Quantum Dots As Controllable Scattering Centers Near A Two-Dimensional Electron Gas. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 58, n.3, p. 1506-1511, 1998.

107.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1998 MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; BRATKOVSKI, A. M. ; KAMINS, Ted I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R. S. . Shape Transition Of Germanium Nanocrystals On A Silicon (001) Surface From Pyramids To Domes. Science, v. 279, n.534, p. 353-355, 1998.

108.
GARCIA, J. M.1997GARCIA, J. M. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; SCHMIDT, K. H. ; NGO, T. ; FENG, J. L. ; LORKE, A. ; KOTTHAUS, J. P. ; PETROFF, P. M. . Intermixing And Shape Changes During The Formation Of Inas Self-Assembled Quantum Dots. Applied Physics Letters, v. 71, n.14, p. 2014-2016, 1997.

109.
WARBURTON, R. J.1997WARBURTON, R. J. ; DURR, C. S. ; KARRAI, K. ; KOTTHAUS, J. P. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Charged Excitons In Self-Assembled Semiconductor Quantum Dots. Physical Review Letters, v. 79, n.26, p. 5282-5285, 1997.

110.
SCHMIDT, K. H.1997SCHMIDT, K. H. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; GARCIA, J. M. ; PETROFF, P. M. . Size Quantization Effects In Inas Self-Assembled Quantum Dots. Applied Physics Letters, v. 70, n.13, p. 1727-1729, 1997.

111.
MILLER, B. T.1997MILLER, B. T. ; HANSEN, W. ; MANUS, S. ; LUYKEN, R. J. ; LORKE, A. ; KOTTHAUS, J. P. ; HUANT, S. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Few-Electron Ground States Of Charge-Tunable Self-Assembled Quantum Dots. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 56, n.11, p. 6764-6769, 1997.

112.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1997MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; GARCIA, J. M. ; PETROFF, P. M. . Charging Dynamics Of Inas Self-Assembled Quantum Dots. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 56, n.7, p. 3609-3612, 1997.

113.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1997MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; PIKUS, F. F. ; EFROS, A. L. ; PETROFF, P. M. . Single-Electron Charging And Coulomb Interaction In Inas Self-Assembled Quantum Dot Arrays. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 55, n.3, p. 1568-1573, 1997.

114.
WANG, P. D.1997WANG, P. D. ; MERZ, J. L. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; FAFARD, S. ; PETROFF, P. M. ; AKIYAMA, H. ; SAKAKI, H. . Luminescence Spectroscopy Of Inas Self-Assembled Quantum Dots. Superlattices and Microstructures, v. 21, n.2, p. 259-265, 1997.

115.
RUBIN, M. E.1996RUBIN, M. E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; O'SHEA, J. J. ; CHIN, M. A. ; LEE, E. Y. ; PETROFF, P. M. ; NARAYANAMURTI, V. . Imaging And Spectroscopy Of Single Inas Self-Assembled Quantum Dots Using Ballistic Electron Emission Microscopy. Physical Review Letters, v. 77, n.26, p. 5268-5271, 1996.

116.
FRICKE, M.1996FRICKE, M. ; LORKE, A. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; KOTTHAUS, J. P. ; PETROFF, P. M. . Shell Structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs quantum dots. Europhysics Letters, v. 36, p. 197-201, 1996.

117.
SCHMIDT, K. H.1996SCHMIDT, K. H. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; OESTREICH, M. ; PETROFF, P. M. ; DOEHLER, G. H. . Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, Ridge, NY, v. 54, p. 11346-11353, 1996.

118.
PETROFF, P. M.1996PETROFF, P. M. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. . Three dimensional confinement effects in strain induced self assembled quantum dots. MRS Bulletin, v. 21, p. 50-54, 1996.

119.
WANG, P. D.1996WANG, P. D. ; MERZ, J. L. ; FAFARD, S. ; LEON, R. ; LEONARD, D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; OESTREICH, M. ; PETROFF, P. M. ; UCHIDA, K. ; MIURA, N. ; SAKAKI, H. . Magnetoluminescence studies of In AlAs self-assembled quantum dots in AlGaAs matrices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, v. 53, p. 16458-16461, 1996.

120.
SHI, J.1996SHI, J. ; KIKKAWA, J. M. ; AWSCHALOM, D. D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. ; BABCOCK, K. . Magnetic properties and imaging of Mn-implanted GaAs semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 79, p. 5296-5298, 1996.

121.
UNTERRAINER, K.1996UNTERRAINER, K. ; KEAY, B. J. ; WANKE, M. C. ; ALLEN, S. J. ; LEONARD, D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; BHATTACHARYA, U. ; RODWELL, M. J. W. . Inverse Bloch-oscillator: strong terahertz-photocurrent resonances at the Bloch frequency. Physical Review Letters, v. 76, p. 2973-2976, 1996.

122.
NISHI, K.1996NISHI, K. ; MIRIN, R. ; LEONARD, D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. ; GOSSARD, A. C. . Structural and optical characterization of InAs/InGaAs self-assembled quantum dots grown on (311)B GaAs. Japanese Journal of Applied Physics, v. 80, p. 3466-3470, 1996.

123.
SHI, J.1995 SHI, J. ; KIKKAWA, J. ; PROKSCH, R. ; SCHAFFER, T. ; AWSCHALOM, D. D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Assembly Of Submicrometer Ferromagnets In Gallium-Arsenide Semiconductors. Nature (London), v. 377, n.655, p. 707-710, 1995.

124.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1995 MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; LEONARD, D. ; PETROFF, P. M. . Electron And Hole Energy-Levels In Inas Self-Assembled Quantum Dots. Applied Physics Letters, v. 66, n.14, p. 1767-1769, 1995.

125.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.;Medeiros-Ribeiro, G.;Medeiros-Ribeiro, Gilberto;Medeiros-Ribeiro, G1995MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; OLIVEIRA, A. G. ; RIBEIRO, G. M. ; SOARES, D. A. W. . DX-center energy level dependence on silicon doping concentration in Al 0.3 Ga 0.7 As. Journal of Electronic Materials, v. 24, p. 907-912, 1995.

126.
GALEZ, C.1995GALEZ, C. ; ROSSO, C. ; TEISSEYRE, Y. ; CRETTEZ, J. M. ; BOURSON, P. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; RIGHI, A. ; MOREIRA, R. L. . Electrical conductivity of a-LiIO 3 Acid type crystals at 1kHz. Solid State Communications, v. 93, p. 1013-1017, 1995.

127.
PAULA, A. M.1994PAULA, A. M. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; OLIVEIRA, A. G. . Photoluminescence measurements of complex defects in Si-doped Al 0.3 Ga 0.7 As. Journal of Applied Physics, v. 76, p. 8051-8054, 1994.

128.
GERALDO, J. M.1993GERALDO, J. M. ; RODRIGUES, W. N. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; OLIVEIRA, A. G. . The effect of the planar doping on the electrical transport properties at the Al:n-GaAs(100) interface: Ultrahigh effective doping. Journal of Applied Physics, v. 73, p. 820-823, 1993.

Livros publicados/organizados ou edições
1.
Torrezan, Antonio ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Tiedke, Stephan . Resistive Switching. 1. ed. Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2016. v. 1.

2.
Hwang, H (Org.) ; Levy, Jeremy (Org.) ; Makysymovych, P. (Org.) ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto (Org.) ; Waser, Rainer (Org.) . Oxide Nanoelectronics: Volume 1292 (MRS Proceedings). 1. ed. , 2014. v. 1.

Capítulos de livros publicados
1.
Torrezan, Antonio ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Tiedke, Stephan . Quasistatic and Pulse Measuring Techniques. Resistive Switching. 1ed.: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2016, v. , p. 341-362.

2.
Malachias, A. ; MALACHIAS, A ; freitas, raul ; MORELHAO, S ; Magalhães-Paniago, Rogerio ; KYCIA, S ; Medeiros-Ribeiro, G . X-ray Diffraction Methods for Studying Strain and Composition in Epitaxial Nanostructured Systems. In: Richard Haight (Editor), Frances M. Ross (Editor), James B. Hannon. (Org.). Handbook of Instrumentation and Techniques for Semiconductor Nanostructure Characterization: Materials and Energy (World Scientific Series in Materials and Energy). Cingapura: World Scientific, 2012, v. 1, p. 211-279.

Trabalhos completos publicados em anais de congressos
1.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; RIBEIRO, E. ; WESTFAHL, Harry . Tuning nanocrystal properties for quantum information processing. In: International Conference on the Physics of Semiconductors ICPS, 2005, Flagstaff, AZ. AIP Conf. Proc., 2004. v. 772. p. 1475.

2.
ZANCHET, D. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; UGARTE, D. . Nanoscience and nanotechnology research at the Brazilian National Synchrotron Laboratory (LNLS). In: Escola Ibero-americana em Nanotecnologia, 2002, São José dos Campos. Physica Status Solidi B, 2001. v. 232. p. 24-31.

3.
KAMINS, T. I. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Effect of phosphorus on Ge/Si(001) island formation. In: MSS-8, 2002, Praga. Physica E, 2001. v. 13. p. 974-977.

4.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Epitaxial Growth of Strained Nanocrystals. In: Pan-American Advanced Studies Institute on Physics and Technology at the Nanometer Scale, 2002, San Jose, Costa Rica. Physica Status Solid B, 2001. v. 230. p. 443-448.

5.
NAKAEMA, M. K. K. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; RIBEIRO, E. ; HEINZEL, T. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. ; BRUM, J. A. . Micro-photoluminescence of self-assembled quantum dots in the presence of an electron gas,. In: ICPS, 2002. Physica E, 2001. v. 12. p. 872-875.

6.
HEIZEL, T. ; JAGGI, R. ; WALDKIRCH, M. V. ; RIBEIRO, E. ; ENSSLIN, K. ; ULLOA, S. E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; PETROFF, P. M. . Transport signatures for correlated disorder in self-assembled InAs quantum dots on GaAs. In: ICPS, 2002. Physica E, 2001. v. 12. p. 591-595.

7.
MALACHIAS, A ; PANIAGO, R Magalhães ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; KYCIA, S ; KAMINS, Ted I. ; WILLIAMS, R Stanley . Anomalous X-Ray Scattering on Self-Assembled Islands: Direct Evaluation Of Composition Profile, Strain Relaxation, And Elastic Energy. In: Materials Research Society Meeting, 2002, Boston, MA. MRS Proceedings, 2002. v. 737. p. F2.5..

8.
MALTEZ, R. L. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO, W. de ; UGARTE, D. . InAs-InP Coupled Quantum Dot Systems. In: Materials Research Society Meeting, 2000, Boston, MA, USA. MRS Meeting Proceedings, Symposium J, 2000.

9.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; KAMINS, T. I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Equilibrium And Size Distributions Of Clusters During Strained Epitaxial Growth. In: Lawrence Symposium on Critical Issues in Epitaxy, 1999, Phoenix, AZ. Materials Science and Engineering B, 1999. v. 67. p. 31-38.

Resumos publicados em anais de congressos
1.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; WESTFAHL, Harry ; PIMENTEL, V. L. . Spin properties of s-state electrons trapped in InAs QDs. In: Materials Research Society Meeting, 2002, Boston. Materials Research Society Meeting Abstracts, 2002.

2.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; KAMINS, T. I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Dislocation Free Island Formation In Ge:Si(001) Heteroepitaxy. In: March meeting, 1998, Los Angeles, CA. APS meeting. Los Angeles, CA, USA, 1998.

3.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; KAMINS, T. I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Shape Transition Of Ge Nanocrystals On Si (001): From Pyramids To Domes. In: MRS Fall Meeting, 1997. MRS. Boston, MA, USA, 1997.

4.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; KAMINS, T. I. ; OHLBERG, D. A. A. ; WILLIAMS, R Stanley . Epitaxial Growth Of Ge Islands On Si (001). In: ACS Meeting, 1997, San Francisco, CA. Kinetics of Growth on Surfaces. San Francisco, CA, USA, 1997.

Demais trabalhos
1.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Epitaxial Growth and electronic properties of Strained Nanocrystals. 2002 (Palestra Plenária) .

2.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Epitaxial Growth and electronic properties of Strained Nanocrystals, Pan-American Advanced Studies Institute on Physics and Technology at the Nanometer Scale, San Jose, Costa Rica, June 25th to July 3rd,. 2001 (Curso) .

3.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Epitaxial Growth of Strained Nanocrystals, 10th Brazilian School on Semiconductor Physics, Guarujá, SP, April 22-27. 2001 (Palestra Plenária) .

4.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Strained epitaxial growth of near-equilibrium nanocrystals, Gordon Conference on Thin Film And Crystal Growth Mechanisms, Plymouth, NH, June 20-25. 1999 (Apresentacão na Gordon Research conference) .



Patentes e registros



Patente

A Confirmação do status de um pedido de patentes poderá ser solicitada à Diretoria de Patentes (DIRPA) por meio de uma Certidão de atos relativos aos processos
1.
 Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R.Stanley ; Pickett, Matthew D . HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8885422, título: "HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito PCT: 12/06/2009; Depósito: 12/06/2009; Concessão: 11/11/2014.

2.
 Strachan, J. P. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Strukov, Dmitri B . Memcapacitive devices. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8493138, título: "Memcapacitive devices" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/08/2009; Concessão: 23/07/2013.

3.
 Yang, J. Joshua ; WANG, S. Y. ; Williams, R. Stanley ; BRATKOVSKI, A. M. ; Medeiros-Ribeiro, G. . Electroforming-free nanoscale switching device. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8519372, título: "Electroforming-free nanoscale switching device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/07/2009; Concessão: 27/08/2013.

4.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Strachan, John Paul . DEVICE HAVING INDUCTOR AND MEMCAPACITOR. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8860519, título: "DEVICE HAVING INDUCTOR AND MEMCAPACITOR" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 15/10/2009; Concessão: 14/10/2014.

5.
 Yang, J. Joshua ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . LOW-POWER NANOSCALE SWITCHING DEVICE WITH AN AMORPHOUS SWITCHING MATERIAL. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: US20120018698, título: "LOW-POWER NANOSCALE SWITCHING DEVICE WITH AN AMORPHOUS SWITCHING MATERIAL" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 31/08/2009; Concessão: 26/01/2012.

6.
 Williams, R. Stanley ; Yang, J. Joshua ; Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Paul Strachan, John . Memristors based on mixed-metal-valence compounds. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8891284, título: "Memristors based on mixed-metal-valence compounds" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 13/07/2009; Concessão: 18/11/2014.

7.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R. S. . Programmable crosspoint device with an integral diode. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8207520, título: "Programmable crosspoint device with an integral diode" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 02/04/2010; Concessão: 26/06/2012.

8.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew D ; Yang, J. Joshua . Memory array with metal-insulator transition switching devices. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8264868, título: "Memory array with metal-insulator transition switching devices" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2010; Concessão: 11/09/2012.

9.
 Pickett, Matthew ; Borghetti, Julien ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Memristive negative differential resistance device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8274813, título: "Memristive negative differential resistance device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 16/07/2010; Concessão: 25/09/2012.

10.
 MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; Kuekes, Philip J. ; BRATKOVSKI, A. M. ; Nickel, Janice H. . Nanoscale electronic device with anisotropic dielectric material. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8314475, título: "Nanoscale electronic device with anisotropic dielectric material" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 09/11/2010; Concessão: 20/11/2012.

11.
 Nickel, Janice H. ; Medeiros-Ribeiro, G. . Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9588888, título: "Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/07/2010; Concessão: 07/03/2017.

12.
 Yang, J. Joshua ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Williams, R. Stanley . Memristors with a switching layer comprising a composite of multiple phases. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8415652, título: "Memristors with a switching layer comprising a composite of multiple phases" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 21/06/2010; Concessão: 09/04/2013.

13.
 Wu, Wei ; PICKETT, M D ; Yang, J. Joshua ; Xia, Qiangfei ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. . Electrical circuit component. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8525146, título: "Electrical circuit component" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 06/12/2010; Concessão: 03/09/2013.

14.
 Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Electroforming free memristor and method for fabricating thereof. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8530873, título: "Electroforming free memristor and method for fabricating thereof" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 29/01/2010; Concessão: 10/09/2013.

15.
 Borghetti, Julien ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Strukov, Dmitri B . MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: US20110279135, título: "MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 17/05/2010

16.
 Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian Max ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Electrically actuated device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8487289, título: "Electrically actuated device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 06/10/2010; Concessão: 16/08/2013.

17.
 Yang, J. Joshua ; PICKETT, M D ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . NANOSCALE SWITCHING DEVICE. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8912520, título: "NANOSCALE SWITCHING DEVICE" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 21/07/2010; Concessão: 16/12/2014.

18.
 Wu, Wei ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . MEMORY RESISTOR HAVING MULTI-LAYER ELECTRODES. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8737113, título: "MEMORY RESISTOR HAVING MULTI-LAYER ELECTRODES" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 08/02/2010; Concessão: 27/05/2014.

19.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Nickel, Janice H. ; Yang, J. Joshua . Nanoscale switching device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9040948, título: "Nanoscale switching device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 16/09/2010; Concessão: 26/05/2015.

20.
 Pickett, Matthew ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Device having memristive memory. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8809158, título: "Device having memristive memory" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 12/03/2010; Concessão: 19/08/2014.

21.
 Paul Strachan, John ; BORGHETTI, J. ; Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yang, J. Joshua . Memory resistor adjustment using feedback control  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9196354, título: "Memory resistor adjustment using feedback control  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 09/02/2010; Concessão: 24/11/2015.

22.
 Strachan, John Paul ; KUEKES, P. J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Programmable analog filter  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9013177, título: "Programmable analog filter  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2010; Concessão: 21/04/2015.

23.
 NICKEL, J. H. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yang, J. Joshua . Multilayer memory array  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9293200, título: "Multilayer memory array  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/08/2010; Concessão: 22/03/2016.

24.
 Pickett, Matthew ; YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Memristive devices with layered junctions and methods for fabricating the same  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9184382, título: "Memristive devices with layered junctions and methods for fabricating the same  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2010; Concessão: 10/11/2015.

25.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Nanoscale switching devices with partially oxidized electrodes  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9024285, título: "Nanoscale switching devices with partially oxidized electrodes  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 19/04/2010; Concessão: 05/05/2015.

26.
 Borghetti, Julien ; Pickett, M. D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yi, Wei ; Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian . Oscillator circuitry having negative differential resistance. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8324976, título: "Oscillator circuitry having negative differential resistance" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 01/04/2011; Concessão: 04/12/2012.

27.
 Miao, Feng ; YANG, J. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Stanley Williams, R . Changing a memristor state. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8331131, título: "Changing a memristor state" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 31/01/2011; Concessão: 11/12/2012.

28.
 Yi, Wei ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Stanley Williams, R. . Reconfigurable crossbar memory array. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8503217, título: "Reconfigurable crossbar memory array" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/04/2011; Concessão: 06/08/2013.

29.
 Pickett, M. D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Chaotic oscillator-based random number generation. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8542071, título: "Chaotic oscillator-based random number generation" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2011; Concessão: 24/09/2013.

30.
 Yi, Wei ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8766231, título: "NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 07/03/2011; Concessão: 07/01/2014.

31.
 Miao, Feng ; Yang, J Joshua ; Strachan, John Paul ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . High-reliability high-speed memristor. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9165645, título: "High-reliability high-speed memristor" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/06/2011; Concessão: 20/10/2015.

32.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew ; Williams, R. Stanley . Metal-insulator transition latch  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8854860, título: "Metal-insulator transition latch  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2011; Concessão: 07/10/2014.

33.
 LEA, P. V. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Pickett, Matthew ; Yang, J. Joshua . Printhead assembly including memory elements  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8882217, título: "Printhead assembly including memory elements  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2011; Concessão: 11/11/2014.

34.
 Miao, Feng ; Yang, J. Joshua ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . High-reliability high-speed memristor  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9478738, título: "High-reliability high-speed memristor  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/06/2011; Concessão: 25/10/2016.

35.
 Yang, J. Joshua ; QURESHI, M. S. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Field-programmable analog array with memristors  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8710865, título: "Field-programmable analog array with memristors  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/10/2011; Concessão: 29/04/2014.

36.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew . Metal-insulator phase transition flip-flop  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9331700, título: "Metal-insulator phase transition flip-flop  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2011; Concessão: 03/05/2016.

37.
 Pickett, Matthew ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; JACKSON, W. . Multilayer structure based on a negative differential resistance material  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8729518, título: "Multilayer structure based on a negative differential resistance material  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2011; Concessão: 20/05/2014.

38.
 Pickett, M. D. ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Shiftable memory employing ring registers. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9846565, título: "Shiftable memory employing ring registers" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2011; Concessão: 19/12/2017.

39.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Nickel, Janice H. . Select device for cross point memory structures  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9299746, título: "Select device for cross point memory structures  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 12/10/2011; Concessão: 29/03/2016.

40.
 Medeiros-Ribeiro, G.; Pickett, Matthew . Storing data in a non-volatile latch. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8780610, título: "Storing data in a non-volatile latch" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/07/2012; Concessão: 15/07/2014.

41.
 Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, G. . Memory devices with in-bit current limiters. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8767449, título: "Memory devices with in-bit current limiters" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/06/2012; Concessão: 01/07/2014.

42.
 Miao, F. ; Yang, J. Joshua ; Strachan, John Paul ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9276204, título: "Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 29/02/2012; Concessão: 01/03/2016.

43.
 Yang, J. Joshua ; Joon Choi, Byung ; Zhang, Min-Xian ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Memelectronic device  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8767438, título: "Memelectronic device  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 19/03/2012; Concessão: 01/07/2014.

44.
 Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian Max ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Memristor cell structures for high density arrays. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8921960, título: "Memristor cell structures for high density arrays" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/07/2012; Concessão: 30/12/2014.

45.
 Zhang, Min-Xian ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Customizable nonlinear electrical devices  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9224821, título: "Customizable nonlinear electrical devices  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/04/2012; Concessão: 29/12/2015.

46.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; CHOI, B. ; Williams, R. Stanley . Hybrid circuit of nitride-based transistor and memristor  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8890106, título: "Hybrid circuit of nitride-based transistor and memristor  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 18/12/2012; Concessão: 18/11/2014.

47.
 Paul Strachan, John ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; YANG, J. ; YI, W. . Bipolar resistive switch heat mitigation  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9082972, título: "Bipolar resistive switch heat mitigation  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/07/2012; Concessão: 14/07/2015.



Bancas



Participação em bancas de trabalhos de conclusão
Mestrado
1.
Cadore, A. R.; LACERDA, R. G.; Elias, D. C.; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.. Participação em banca de Alisson Ronieri Cadore. Influência de Impurezas Ionizadas e Moléculas adsorvidas no Mecanismo de Transporte Elétrico de Grafeno. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais.

2.
H. I. Boudinov; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; RIZZATO, F. B.; S. R. Teixeira. Participação em banca de Matheus Coelho Adam. Nitreto de Silicio depositado por Sputtering reativo para aplicação em memória não volátil. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

3.
GUIMARAES, P. S. S.; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; França Santos, M.; MALARD, L. M.. Participação em banca de Juan Pablo Vasco Cano. Reflectivity Calculations in L3 photonic crystal slab cavities. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais.

Qualificações de Doutorado
1.
Monteiro, D. W. L.; Salles, L. P.; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Souza, P. L.; Cotrim, E. D. C.. Participação em banca de Patrick Mendes dos Santos. Matriz de Pixeis Ativos CMOS Autoamplificada. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais.



Participação em bancas de comissões julgadoras
Outras participações
1.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; DRUCKER, Jeff; KRISHNAMURTHY, Mohan; FITZGERALD, Eugene; DATTA, Supryo; HESS, Laverne. Painel em Nanotecnologia NSF. 1998. National Science Foundation.



Eventos



Participação em eventos, congressos, exposições e feiras
1.
International Conference on the Physics of Semiconductors. Quantum information processing with Nanostructures. 2004. (Congresso).


Organização de eventos, congressos, exposições e feiras
1.
Medeiros-Ribeiro, G.; Levy, Jeremy ; Waser, Rainer ; Hwang, H . Oxide Nanoelectronics. 2010. (Congresso).

2.
MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; Jose d'Albuquerque e Castro . Workshop in Semiconductor spintronics. 2004. (Outro).



Orientações



Orientações e supervisões concluídas
Dissertação de mestrado
1.
Giovanni Alessandro Fiorentini. Construção de um Sistema de Epitaxia por Feixe Molecular.. 2008. Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Eletrica) - Universidade Estadual de Campinas, . Coorientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

2.
Pablo Roberto Siles. Litografia por Oxidação anódica de nanodispositivos através de microscopia de força atômica. 2006. 0 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

3.
Félix Gonzalez Hernandez. Espectroscopia de fotocorrente de pontos quânticos auto-organizados de InAs:GaAs. 2004. 100 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

4.
Antonio Carlos Torrezan de Souza. Aparato de microondas para computação quântica. 2004. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Coorientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

5.
Carlos César Bof´Buffon. Espectroscopia de capacitância em pontos quanticos de InAsP. 2003. 148 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

Tese de doutorado
1.
Pablo Siles. Propriedades eletrônicas de pequenos conjuntos de nanoestruturas isoladas. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

2.
THIAGO PEDRO MAYER ALEGRE. Operações unitárias em um Qubit. 2008. 0 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

3.
FELIX GUILLERMO GONZALEZ HERNANDEZ. Tempos de relaxação e decoerencia em ensembles de pontos quânticos. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

4.
Marina Soares Leite. Formação de Ligas em nanocristais epitaxiais de GeSi:Si(001). 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

5.
Angelo Malachias. X-ray Study of Strain, Composition, Elastic energy and Atomic ordering in Ge islands on Si(001). 2005. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Coorientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

Supervisão de pós-doutorado
1.
Marilia Mancini. 2007. Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Gilberto Medeiros Ribeiro.

2.
Evaldo Ribeiro. 2004. Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Gilberto Medeiros Ribeiro.

Iniciação científica
1.
Lucas Lopez Nascimento. Propriedades eletrônicas de TiO2. 2008. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

2.
Amando Ortega. OpenGXSM - uma plataforma aberta para microscopia de varredura de pontas. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

3.
Eduardo Gemis. Hardware para microscopia de varredura de pontas. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em fisica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

4.
Luiz Carlos Contrera Mingues. OpenGXSM - uma plataforma aberta para Microscopia de tunelamento. 2007. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

5.
Giovanni Fiorentini. Sistema de deposição de semicondutores IV e materiais refratários. 2005. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

6.
Eduardo Gomes dos Reis. Sistema de medidas de pequenas capacitâncias. 2005. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

7.
Luis Henrique Araújo. Chaves rápidas para microondas utilizando mixers. 2005. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

8.
Eduardo Rampazzo. Projeto e construção de sistema de medida de pequenas capacitâncias. 2004. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.

9.
Antonio Carlos Torrezan de Souza. Projeto e construção de sistema para acoplamento de microondas em pontos quânticos e detecção de absorção. 2003. 0 f. Iniciação Científica. (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. Orientador: Gilberto Medeiros Ribeiro.



Inovação



Patente
1.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; WILLIAMS, R. S. . Programmable crosspoint device with an integral diode. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8207520, título: "Programmable crosspoint device with an integral diode" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 02/04/2010; Concessão: 26/06/2012.

2.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew D ; Yang, J. Joshua . Memory array with metal-insulator transition switching devices. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8264868, título: "Memory array with metal-insulator transition switching devices" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2010; Concessão: 11/09/2012.

3.
 Pickett, Matthew ; Borghetti, Julien ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Memristive negative differential resistance device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8274813, título: "Memristive negative differential resistance device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 16/07/2010; Concessão: 25/09/2012.

4.
 MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G.; Kuekes, Philip J. ; BRATKOVSKI, A. M. ; Nickel, Janice H. . Nanoscale electronic device with anisotropic dielectric material. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8314475, título: "Nanoscale electronic device with anisotropic dielectric material" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 09/11/2010; Concessão: 20/11/2012.

5.
 Borghetti, Julien ; Pickett, M. D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yi, Wei ; Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian . Oscillator circuitry having negative differential resistance. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8324976, título: "Oscillator circuitry having negative differential resistance" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 01/04/2011; Concessão: 04/12/2012.

6.
 Miao, Feng ; YANG, J. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Stanley Williams, R . Changing a memristor state. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8331131, título: "Changing a memristor state" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 31/01/2011; Concessão: 11/12/2012.

7.
 Nickel, Janice H. ; Medeiros-Ribeiro, G. . Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9588888, título: "Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/07/2010; Concessão: 07/03/2017.

8.
 Yang, J. Joshua ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Williams, R. Stanley . Memristors with a switching layer comprising a composite of multiple phases. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8415652, título: "Memristors with a switching layer comprising a composite of multiple phases" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 21/06/2010; Concessão: 09/04/2013.

9.
 Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R.Stanley ; Pickett, Matthew D . HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8885422, título: "HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito PCT: 12/06/2009; Depósito: 12/06/2009; Concessão: 11/11/2014.

10.
 Strachan, J. P. ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Strukov, Dmitri B . Memcapacitive devices. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8493138, título: "Memcapacitive devices" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/08/2009; Concessão: 23/07/2013.

11.
 Yi, Wei ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. ; Stanley Williams, R. . Reconfigurable crossbar memory array. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8503217, título: "Reconfigurable crossbar memory array" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/04/2011; Concessão: 06/08/2013.

12.
 Yang, J. Joshua ; WANG, S. Y. ; Williams, R. Stanley ; BRATKOVSKI, A. M. ; Medeiros-Ribeiro, G. . Electroforming-free nanoscale switching device. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8519372, título: "Electroforming-free nanoscale switching device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/07/2009; Concessão: 27/08/2013.

13.
 Wu, Wei ; PICKETT, M D ; Yang, J. Joshua ; Xia, Qiangfei ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ou MEDEIROSRIBEIRO, G. . Electrical circuit component. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8525146, título: "Electrical circuit component" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 06/12/2010; Concessão: 03/09/2013.

14.
 Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Electroforming free memristor and method for fabricating thereof. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8530873, título: "Electroforming free memristor and method for fabricating thereof" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 29/01/2010; Concessão: 10/09/2013.

15.
 Pickett, M. D. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Chaotic oscillator-based random number generation. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8542071, título: "Chaotic oscillator-based random number generation" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2011; Concessão: 24/09/2013.

16.
 Borghetti, Julien ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Strukov, Dmitri B . MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: US20110279135, título: "MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 17/05/2010

17.
 Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian Max ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Electrically actuated device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8487289, título: "Electrically actuated device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 06/10/2010; Concessão: 16/08/2013.

18.
 Yang, J. Joshua ; PICKETT, M D ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . NANOSCALE SWITCHING DEVICE. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8912520, título: "NANOSCALE SWITCHING DEVICE" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 21/07/2010; Concessão: 16/12/2014.

19.
 Yi, Wei ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8766231, título: "NANOSCALE ELECTRONIC DEVICE WITH BARRIER LAYERS" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 07/03/2011; Concessão: 07/01/2014.

20.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Strachan, John Paul . DEVICE HAVING INDUCTOR AND MEMCAPACITOR. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8860519, título: "DEVICE HAVING INDUCTOR AND MEMCAPACITOR" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 15/10/2009; Concessão: 14/10/2014.

21.
 Yang, J. Joshua ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . LOW-POWER NANOSCALE SWITCHING DEVICE WITH AN AMORPHOUS SWITCHING MATERIAL. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: US20120018698, título: "LOW-POWER NANOSCALE SWITCHING DEVICE WITH AN AMORPHOUS SWITCHING MATERIAL" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 31/08/2009; Concessão: 26/01/2012.

22.
 Wu, Wei ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . MEMORY RESISTOR HAVING MULTI-LAYER ELECTRODES. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8737113, título: "MEMORY RESISTOR HAVING MULTI-LAYER ELECTRODES" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 08/02/2010; Concessão: 27/05/2014.

23.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Nickel, Janice H. ; Yang, J. Joshua . Nanoscale switching device. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9040948, título: "Nanoscale switching device" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 16/09/2010; Concessão: 26/05/2015.

24.
 Medeiros-Ribeiro, G.; Pickett, Matthew . Storing data in a non-volatile latch. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8780610, título: "Storing data in a non-volatile latch" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/07/2012; Concessão: 15/07/2014.

25.
 Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, G. . Memory devices with in-bit current limiters. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8767449, título: "Memory devices with in-bit current limiters" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/06/2012; Concessão: 01/07/2014.

26.
 Miao, F. ; Yang, J. Joshua ; Strachan, John Paul ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9276204, título: "Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 29/02/2012; Concessão: 01/03/2016.

27.
 Miao, Feng ; Yang, J Joshua ; Strachan, John Paul ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, G. ; Williams, R. Stanley . High-reliability high-speed memristor. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9165645, título: "High-reliability high-speed memristor" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/06/2011; Concessão: 20/10/2015.

28.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew ; Williams, R. Stanley . Metal-insulator transition latch  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8854860, título: "Metal-insulator transition latch  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2011; Concessão: 07/10/2014.

29.
 LEA, P. V. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Pickett, Matthew ; Yang, J. Joshua . Printhead assembly including memory elements  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8882217, título: "Printhead assembly including memory elements  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2011; Concessão: 11/11/2014.

30.
 Yang, J. Joshua ; Joon Choi, Byung ; Zhang, Min-Xian ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Memelectronic device  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8767438, título: "Memelectronic device  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 19/03/2012; Concessão: 01/07/2014.

31.
 Pickett, Matthew ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Device having memristive memory. 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8809158, título: "Device having memristive memory" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 12/03/2010; Concessão: 19/08/2014.

32.
 Miao, Feng ; Yang, J. Joshua ; Yi, Wei ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . High-reliability high-speed memristor  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9478738, título: "High-reliability high-speed memristor  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/06/2011; Concessão: 25/10/2016.

33.
 Yang, J. Joshua ; QURESHI, M. S. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Field-programmable analog array with memristors  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8710865, título: "Field-programmable analog array with memristors  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/10/2011; Concessão: 29/04/2014.

34.
 Williams, R. Stanley ; Yang, J. Joshua ; Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Paul Strachan, John . Memristors based on mixed-metal-valence compounds. 2009, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8891284, título: "Memristors based on mixed-metal-valence compounds" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 13/07/2009; Concessão: 18/11/2014.

35.
 Yang, J. Joshua ; Zhang, Min-Xian Max ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Memristor cell structures for high density arrays. 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8921960, título: "Memristor cell structures for high density arrays" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/07/2012; Concessão: 30/12/2014.

36.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Pickett, Matthew . Metal-insulator phase transition flip-flop  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9331700, título: "Metal-insulator phase transition flip-flop  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2011; Concessão: 03/05/2016.

37.
 Zhang, Min-Xian ; Yang, J. Joshua ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Customizable nonlinear electrical devices  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9224821, título: "Customizable nonlinear electrical devices  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 26/04/2012; Concessão: 29/12/2015.

38.
 Paul Strachan, John ; BORGHETTI, J. ; Pickett, Matthew ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yang, J. Joshua . Memory resistor adjustment using feedback control  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9196354, título: "Memory resistor adjustment using feedback control  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 09/02/2010; Concessão: 24/11/2015.

39.
 Strachan, John Paul ; KUEKES, P. J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Programmable analog filter  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9013177, título: "Programmable analog filter  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2010; Concessão: 21/04/2015.

40.
 NICKEL, J. H. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Yang, J. Joshua . Multilayer memory array  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9293200, título: "Multilayer memory array  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 30/08/2010; Concessão: 22/03/2016.

41.
 Pickett, Matthew ; YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Memristive devices with layered junctions and methods for fabricating the same  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9184382, título: "Memristive devices with layered junctions and methods for fabricating the same  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 28/10/2010; Concessão: 10/11/2015.

42.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; CHOI, B. ; Williams, R. Stanley . Hybrid circuit of nitride-based transistor and memristor  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8890106, título: "Hybrid circuit of nitride-based transistor and memristor  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 18/12/2012; Concessão: 18/11/2014.

43.
 Paul Strachan, John ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; YANG, J. ; YI, W. . Bipolar resistive switch heat mitigation  . 2012, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9082972, título: "Bipolar resistive switch heat mitigation  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 24/07/2012; Concessão: 14/07/2015.

44.
 YANG, J. ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Williams, R. Stanley . Nanoscale switching devices with partially oxidized electrodes  . 2010, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9024285, título: "Nanoscale switching devices with partially oxidized electrodes  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 19/04/2010; Concessão: 05/05/2015.

45.
 Pickett, Matthew ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; JACKSON, W. . Multilayer structure based on a negative differential resistance material  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 8729518, título: "Multilayer structure based on a negative differential resistance material  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 25/10/2011; Concessão: 20/05/2014.

46.
 Pickett, M. D. ; Williams, R. Stanley ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto . Shiftable memory employing ring registers. 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9846565, título: "Shiftable memory employing ring registers" , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 27/10/2011; Concessão: 19/12/2017.

47.
 Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Nickel, Janice H. . Select device for cross point memory structures  . 2011, Estados Unidos.
Patente: Privilégio de Inovação. Número do registro: 9299746, título: "Select device for cross point memory structures  " , Instituição de registro: United States Patent and Trademark Office. Depósito: 12/10/2011; Concessão: 29/03/2016.




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